Menu Home

Бесплатная техническая библиотека для любителей и профессионалов Бесплатная техническая библиотека


Фототранзисторы. Справочные данные

Бесплатная техническая библиотека

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Справочные материалы

 Комментарии к статье

Фототранзистор - фоточувствительный полупроводниковый приемник излучения, по структуре подобный биполярному p-n-р или n-р-n транзистору. В отличие от фотодиода он не только преобразует световое излучение в электрический сигнал, но и обеспечивает его усиление. Напряжение питания к прибору подводя г так, чтобы коллекторный переход был закрыт, а эмиттерный - открыт. Базу чаще всего оставляют отключенной.

Конструктивно фототранзистор выполнен так, что весь световой поток, поступающий через входное окно, поглощается базой, образуя в ней фотогенерированные пары носителей тока. В результате, при приложении к фототранзистору напряжения, через него начинает протекать коллекторный ток.

Так как в основе работы прибора лежит диффузия носителей, рабочая частота фототранзисторов обычно не превышает нескольких десятков килогерц.

В настоящее время серийно выпускаются в основном кремниевые фототранзисторы. Но существует несколько типов приборов, изготавливаемых на основе германия.

Высокая чувствительность фототранзисторов, а также сравнительно низкая стоимость позволяют широко использовать эти приборы в системах контроля и автоматики, не требующих максимального быстродействия, в различных датчиках освещенности, пожарных, охранных и др., в фотореле, аппаратуре анализа оптических свойств жидкостей и газов. Бескорпусные фототранзисторы применяют в оптопарах и гибридных микросхемах в качестве элементов гальванической развязки.

Все фототранзисторы, представленные ниже, работают в инфракрасной (ИК) области излучения.

КТФ102А, КТФ102А1

Кремниевые пленарные n-p-n фототранзисторы КТФ102А и КТФ102А1 с площадью фоточувствительного элемента 0,64 мм2 выпускают в пластмассовом корпусе с жесткими лужеными выводами (рис. 1 и 2 соответственно).

Фототранзисторы

Масса КТФ102А - не более 0,2 г; КТФ102А1 - 0,1 г. У прибора КТФ102А1 вывод эмиттера отмечен цветной точкой.

Фототранзисторы предназначены для работы в видеомагнитофонах и другой бытовой радиоэлектронной аппаратуре.

Основные технические характеристики при Токр.ср = 25°С

  • Фототок коллектора. мА, не менее, при напряжении коллектор-эмиттер 5 В и значении освещенности с длиной волны 0,85 мкм 0,5 мВт/см2......0,95
  • 0,1 мВт/см2......0,2
  • Темновой коллекторный ток, мкА, не более, при напряжении коллектор-эмиттер 5 8 и температуре окружающей среды +25°С......1
  • типовое значение......0,1
  • +55°С......10
  • Напряжение насыщения. В. не более, при значении освещенности с длиной волны 0,85 мкм 0,5 мВт/см2 при коллекторном фототоке 0,25 мА......0,15
  • 0,06 мВт/см2 (0,2 мА)......0,5
  • Время нарастания импульса фотоответа при подаче облучения, мкс, не более, при освещенности 0,06 мВт/см2 на длине волны 0,85 мкм, напряжении коллектор-эмиттер 5 В и сопротивлении нагрузки 15 кОм......0,5
  • типовое значение......0,2
  • Область спектральной фоточувствительности, мкм.....0,73...1,05
  • Длина волны максимума спектральной фоточувствительности, мкм......0,87

Предельные эксплуатационные значения

  • Наибольший фототок коллектора. мА, при температуре окружающей среды -19...+35°С......40
  • +36...+55°С......5
  • Наибольшее напряжение коллектор-эмтттер, В, при температуре окружающей среды -10...+35°С......10
  • +36...+55°С......6
  • Наибольшая мощность рассеяния. мВт. при температуре окружающей среды -10...+35°С......30
  • +36...+55°С......10
  • Рабочий интервал температуры окружающей среды, °С......-10...+55

Вольт-амперная характеристика фототранзистора при различных условиях освещенности показана на рис. 3, а типовая световая - на рис. 4. Относительную спектральную чувствительность приборов иллюстрирует рис. 5 - отношение фототока коллектора при текущем значении длины волны излучения к фототоку на длине волны максимальной чувствительности).

На рис. 6 представлена зависимость темнового коллекторного тока от температуры.

Фототранзисторы

КТФ104А - КТФ104В

Кремниевые планарные n-p-n фототранзисторы КТФ104А, КТФ104Б. КТФ104В с площадью фоточувствительного элемента 0,64 мм2 выпускают в пластмассовом корпусе, таком же, как у КТФ102А (см. рис. 1). Выводы также жесткие луженые, но длина монтажной части 2,9 мм. а не 10,1 мм. Масса - не более 0,2 г.

Фототранзисторы предназначены для использования в бытовой радиоэлектронной аппаратуре.

Основные технические характеристики при Токр.ср = 25°С

  • Фототок коллектора, мА, не менее, при напряжении коллектор-эмиттер 8,5 В и освещенности 5 лк для КТФ104А......0,15
  • КТФ104Б......0.1
  • КТФ104В......0,05
  • Темновой коллекторный ток, мкА, не более, при напряжении коллектор-эмиттер 8.5 В для КТФ104А......1
  • типовое значение......0,1
  • КТФ104Б, КТФ104В......5
  • типовое значение......0,5
  • Темновой коллекторный ток, мкА, не более, при напряжении коллектор-эмиттер 8,5 В и температуре окружающей среды +55°С для КТФ104А......10
  • Область максимальной спектральной фоточувствительности, мкм......0,67..0,77
  • Минимальная гарантийная наработка на отказ, ч......15 000
  • Срок сохраняемости, лет......8

Основные параметры фототранзисторов (определения):

  • интегральная токовая чувствительность - отношение изменения тока на выходе фототранзистора к изменению потока излучения, вызвавшего изменение выходного тока;
  • монохроматическая токовая чувствительность - отношение изменения тока на выходе фототранзистора к изменению потока излучения заданной длины волны;
  • фототок коллектора - ток, протекающий через фототранзистор при указанном коллекторном напряжении, обусловленный воздействием потока излучения;
  • темновой ток коллектора - ток, протекающий через фототранзистор при указанном коллекторном напряжении в отсутствие потока излучения;
  • время нарастания или спада импульса фотоответа - интервал времени, в течение которого фототок изменяется от 0,1 до 0,9 или от 0,9 до 0,1 соответственно от установившегося значения.

Предельные эксплуатационные значения

  • Наибольшее напряжение коллектор-эмиттер. В......12
  • Рабочий интервал температуры окружающей среды°С......-10...+55

Относительная спектральная фоточувствительность фототранзисторов КТФ104А-КТФ104В показана на рис. 7.

Фототранзисторы

КТФ108А

Кремниевые пленарные n-p-n фототранзисторы КТФ108А с селективной фоточувствительностью выпускают в пластмассовом корпусе с жесткими лужеными выводами (рис. 8). Масса прибора - не более 1 г.

Фототранзисторы

Фототранзисторы предназначены для работы в системе автостопа бытовых видеокамер и другой радиоэлектронной аппаратуре.

Основные технические характеристики при Токр.ср = 25°С

  • Фототок коллектора. мА, не менее, при напряжении насыщения на коллекторе 0,4 В и освещенности 20 мВт/смг на длине волны 0.85 мкм......0,4
  • типовое значение......5
  • Темновой ток коллектора, мкА, не более, при напряжении коллектор-эмиттер 10 В и температуре окружающей среды +25°С......0,025
  • типовое значение......0,01
  • +70°С......1
  • Напряжение насыщения на коллекторе. В, не более, при освещенности 20 мВт/см2 на длине волны 0,85 мкм......0,4
  • Область максимальной спектральной фоточувствительности, мкм.....0,76...0.96
  • Минимальная гарантийная наработка на отказ, ч......25 000
  • Срок сохраняемости, лет......10
  • Предельные эксплуатационные значения
  • Наибольшее постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В......15
  • Наибольшая мощность рассеяния, мВт, при температуре окружающей среды +35°С......60
  • +70°С......25
  • Рабочий интервал температуры окружающей среды, °С......-10...+70

На рис. 9 представлена типовая зависимость темнового тока фототранзисторов КТФ108А от напряжения коллектор-эмиттер, а на рис. 10 - от температуры (заштрихована зона технологического разброса).

Спектральная характеристика фототранзисторов показана на рис.11.

Фототранзисторы

КТФ109А

Кремниевые плaнарные n-p-n фототранзисторы КТФ109А выпускают в пластмассовом корпусе с жесткими лужеными выводами (рис. 12). Масса - не более 0,15 г.

Фототранзисторы

Приборы предназначены для использования в узлах автостопа магнитофонов и другой бытовой аппаратуре, а также в системах охранной сигнализации, дистанционного управления и автоматики, в таходатчиках.

Основные технические характеристики при Токр.ср = 25°С

  • Фототок коллектора. мА. не менее, при напряжении коллектор-эмиттер 5 В и мощности облучения 0,3 мВт......0,08
  • типовое значение......0.4
  • максимальное значение......1
  • Монохроматическая токовая чувствительность, А/Вт, не менее, при напряжении коллектор-эмиттер 5 В и облучении с длиной волны 0.83 мкм......0,25
  • Темновой ток коллектора. мкА, не более, при напряжении коллектор-эмиттер 5 В и температуре окружающей среды +25°С......0,5
  • +55°С......2
  • Время нарастания импульса фотоответа при подаче облучения, мкс, не более......15
  • Время спада импульса фотоотеета при снятии облучения, мкс, не более......5
  • Длина волны максимума спектральной фоточувствительности, мкм......1,08
  • Минимальная гарантийная наработка, на отказ, ч......20 000

Предельные эксплуатационные значения

  • Наибольшее постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В......10
  • Наибольшая мощность рассеяния, мВт......10
  • Рабочий интервал температуры окружающей среды, °С......-60...+55

Зависимость фототока коллектора фототранзистора КТФ109А от мощности облучения изображена на рис. 13, а температурная зависимость темнового тока - на рис. 14 (заштрихована зона технологического разброса).

Фототранзисторы

КОФ224А, КОФ224Б

Кремниевые планерные n-p-n фототранзисторы КОФ224А, КОФ224Б выпускают в пластмассовом корпусе с жесткими пластинчатыми лужеными выводами (рис. 15). Масса - не более 0,8 г.

Фототранзисторы

Прибор используют в качестве приемника инфракрасного излучения в радиоэлектронной аппаратуре широкого назначения.

  • Основные технические характеристики при Токр.ср = 25°С
  • Интегральная токовая чувствительность, мкА/лк, не менее, при напряжении коллектор-эмиттер 5 В......0.7
  • Темновой ток коллектора. мкА, не более, для КОФ224А......1
  • КОФ224Б......0,1
  • Время нарастания или спада выходного импульса фотоответа при подаче или снятии облучения, мкс, не более, для КОФ224А......80
  • КОФ224Б......20
  • Длина волны максимума спектральной фоточувствительности, мкм......0,95
  • Минимальная гарантийная наработка на отказ, ч......10 000
  • Срок сохраняемости, лет......8

Предельные эксплуатационные значения

  • Наибольшее постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В......5
  • Рабочий интервал температуры окружающей среды, °С......-60...+55

ФТ- 1К, ФТ-1К-01, ФТ- Л К-02, ФТ-2К

Кремниевые пленарные n-p-n фототранзисторы ФТ-1К гр.1. ФТ-1К гр.2. ФТ-1К-01, ФТ-1К-02. ФТ-2К гр. А, ФТ-2К гр.Б с круглым фоточувствительным элементом (диаметром 1,8 мм) выпускают в цилиндрическом металлостеклянном корпусе с гибкими лужеными выводами (рис. 16). Входное окно - плоское. Масса - не более 0,9 г.

Фототранзисторы

Коллекторный вывод удлинен или имеет цветную метку.

Приборы предназначены для работы в качестве детектора инфракрасного излучения в радиоэлектронной аппаратуре промышленного и специального назначения.

Основные технические характеристики при Токр.ср = 25°С

  • Интегральная токовая чувствительность, мкА/лк, не менее, для ФТ-1К гр. 1. ФТ-2К гр.А......0,4
  • ФТ-1К гр.2. ФТ-2К гр.Б......0,2
  • ФТ-1К-01......0.5
  • ФТ-Ж-02......2
  • Темновой ток коллектора, мкА, не более, при напряжении коллектор-эмиттер 5 В для ФТ-1К гр.1.ФТ-2К гр.А......3
  • ФТ-1К гр.2. ФТ-2К гр.Б......1
  • ФТ-1К-01. ФТ-1К-02......0,2
  • Время нарастания или спада импульса фотоответа при подаче или снятии облучения, мкс, не более......80
  • Область спектральной фоточувствительности, мкм ....0,5...1,1
  • Длина волны максимума спектральной фоточувствительности, мкм......0,85
  • Минимальная гарантийная наработка на отказ, ч, для ФТ-1К гр.1, ФТ-1 К гр.2. ФТ-1К-01, ФТ-1К-02......2000
  • ФТ-2К гр.А, ФТ-2К гр.Б.....3500
  • Срок сохраняемости, лет, для ФТ-1К гр.1, ФТ-1К гр.2 ФТ-1К-01, ФТ-1К-02......11
  • ФТ-2К гр.А, ФТ-2К гр.Б......6

Предельные эксплуатационные значения

  • Наибольшее постоянное напряжение коллектор-эмиттер. В......5
  • Наибольшая рабочая освещенность (в течение 10 ч). лк......1500
  • Рабочий интервал температуры окружающей среды. °С......-60...+75

На рис. 17 показана спектральная характеристика фоточувствительности фототранзисторов серий ФТ-1К, ФТ-2К.

Фототранзисторы

ФТ-7Б, ФТ-7Б-01

Кремниевые планарные n-р-n фототранзисторы с круглым фо-точувствительным элементом (диаметром 1,1 мм) выпускают в цилиндрическом пластмассовом корпусе с линзой (рис. 18). Выводы - жесткие проволочные луженые. Масса - не более 0,5 г.

Фототранзисторы

Фототранзисторы используют в узлах оптической развязки, для управления световым потоком и в системах сигнализации.

Основные технические характеристики при Токр.ср = 25°С

  • Интегральная токовая чувствительность, мкА/лм, не менее, для ФТ-7Б......0,04
  • ФТ-7Б-01......0.35
  • Фототок коллектора. мА, не менее, при освещенности 1000 лк для ФТ-7Б......0,2
  • ФТ-7Б-01......2
  • Номинальное постоянное напряжение коллектор-эмиттер. В......20
  • Темновой ток коллектора. мкА. не более, при напряжении коллектор-эмиттер 20 В......0,005
  • Время нарастания или спада импульса фотоответа при подаче или снятии облучения, мкс, не более......1,5
  • Область спектральной фоточувствительности, мкм.....0,4...1,1
  • Длина волны максимума спектральной фоточувствительности, мкм......0,85
  • Срок сохраняемости, лет......10

Предельные эксплуатационные значения

  • Пределы допустимого напряжения коллектор-эмиттер, В......2...30
  • Пределы допустимой рабочей освещенности, лк.....1...100 000
  • Рабочий интервал температуры окружающей среды, °С......-15...+45

ФТ-8

Кремниевые пленарные n-p-n фототранзисторы ФТ-8 с площадью фоточувствительного элемента 0,5мм2 выпускают в пластмассовом корпусе с жесткими пластинчатыми лужеными выводами (рис. 19). Масса - не более 0,9 г.

Используются как приемники инфракрасного излучения в различных устройствах электронной техники.

Фототранзисторы

Основные технические характеристики при Токр.ср = 25°С

  • Интегральная токовая чувствительность, мкА/лк, не менее......2
  • Темновой ток коллектора. мкА. не более, при напряжении коллектор-эмиттер 5 В и температуре окружающей среды +25°С......0,1
  • +75°С......20
  • Время нарастания выходного импульса фотсответа, не более, при подаче облучения с длиной волны 0,9 мкм, напряжении коллектор-эмиттер 5 В и сопротивлении нагрузки 2 кОм, мкс......20
  • Область спектральной фоточувствительности, мкм......0,5...1,1
  • Длина волны максимума спектральной фоточувствительности, мкм......0,9..0.95
  • Минимальная гарантийная наработка на отказ, ч......4000

Автор: В.Юшин. г.Москва

Смотрите другие статьи раздела Справочные материалы.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Кислотность океана разрушает зубы акул 03.10.2025

Мировые океаны выполняют важнейшую функцию - они поглощают около трети углекислого газа, выбрасываемого в атмосферу. Это помогает замедлять темпы глобального потепления, но имеет и обратную сторону. Растворяясь в воде, CO2 образует угольную кислоту, которая повышает концентрацию водородных ионов и приводит к снижению pH. Вода становится более кислой, а последствия этого процесса уже заметны для морских экосистем. Средний показатель кислотности океана сейчас равен примерно 8,1, тогда как еще недавно за условную норму брали значение 8,2. По прогнозам, к 2300 году уровень может упасть до 7,3 - это сделает океан почти в десять раз кислее нынешнего состояния. Для обитателей морей подобные изменения означают не просто сдвиг химического равновесия, а реальную угрозу физиологическим процессам, начиная от формирования раковин у моллюсков и заканчивая охотничьим поведением акул. Чтобы выяснить, как именно кислотная среда отражается на зубах акул, группа немецких исследователей провела эксп ...>>

Почтовый космический корабль Arc 03.10.2025

Космические технологии становятся частью инфраструктуры, способной повлиять на логистику, медицину и даже военную сферу. Идея использовать орбиту как глобальный склад для срочных поставок звучала еще недавно как научная фантастика, но стартап Inversion пытается превратить ее в практическое решение. Компания Inversion появилась в начале 2021 года благодаря Джастину Фиаскетти и Остину Бриггсу, которые на тот момент были студентами Бостонского университета. Их замысел состоял в том, чтобы сделать возможной доставку грузов не только через спутниковые сети данных, но и в буквальном смысле - физических предметов. В основе лежит простая мысль: если космос обеспечивает доступ к любой точке Земли, то и грузы должны перемещаться тем же маршрутом. Уже за три года работы команда из 25 специалистов успела построить демонстрационный аппарат "Ray". Его запуск состоялся в рамках миссии SpaceX Transporter-12. Устройство весом 90 килограммов проверяло ключевые технологии Inversion, включая двухком ...>>

Лазерное обогащение урана 02.10.2025

Ядерная энергия остается одним из ключевых источников стабильного электричества, особенно для стран с растущими потребностями в энергоснабжении. Однако обеспечение бесперебойных поставок топлива для атомных станций требует современных технологий обогащения урана, которые одновременно эффективны и безопасны. Американская компания Global Laser Enrichment (GLE) делает значительный шаг в этом направлении, завершив масштабное тестирование лазерной технологии обогащения урана. Демонстрационная программа была проведена на объекте в Уилмингтоне, Северная Каролина. Тестирование технологии SILEX (Separation of Isotopes by Laser EXcitation), разработанной австралийской Silex Systems, стартовало в мае 2025 года и продлится до конца года. В ходе экспериментов компания планирует получить сотни фунтов низкообогащенного урана (LEU), который может быть использован в качестве топлива для атомных электростанций. GLE была создана в 2007 году для коммерциализации лазерных методов обогащения урана в С ...>>

Случайная новость из Архива

Люди в очках умнее остальных 05.10.2016

Близорукие люди действительно являются более образованными по сравнению с теми, кому очки не нужны. Исследование ученых из немецкого Университета Майнца показало, что люди в очках умнее, чем обладатели хорошего зрения.

В эксперименте приняли участие 3452 человека. У добровольцев проверяли зрение, а также уровень интеллекта с помощью специально-разработанных тестов. Результат - у людей с близорукостью был выявлен более высокий уровень когнитивных способностей в сравнении с теми, кто не страдал миопией.

Все дело в гене APLP2. Благодаря эксперименту стало известно, что мутация гена APLP2 вызывает у детей близорукость, но только в том случае, если они проводят много времени за чтением и экраном компьютера. Та же самая мутировавшая разновидность гена не вызывает миопии, если подросток чаще смотрит вдаль.

Ученые советуют подавить активность гена у человека, это предотвратит развитие близорукости. Однако проблема заключается в том, что APLP2 встречается очень редко, примерно у 1 % населения Земли.

Другие интересные новости:

▪ Чернила из выхлопных газов

▪ Телефон на 180 киловольт

▪ Сенсорные ноутбуки подешевеют

▪ Человеческий желудок выращен в пробирке

▪ Модули памяти DDR3 Ultra Low Profile (ULP) Planar Mini-UDIMM 8 ГБ

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

 

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Крылатые слова, фразеологизмы. Подборка статей

▪ статья Унтер-офицерская вдова. Крылатое выражение

▪ статья Можно ли доказать отцовство по группе крови? Подробный ответ

▪ статья Чертополох поникающий. Легенды, выращивание, способы применения

▪ статья Ремонт новогодней гирлянды. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Микросхемы флэш памяти SАMSUNG. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

Имя:


E-mail (не обязательно):


Комментарий:





Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте

www.diagram.com.ua

www.diagram.com.ua
2000-2025