Фототранзисторы. Справочные данные

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Справочные материалы

 Комментарии к статье

Фототранзистор - фоточувствительный полупроводниковый приемник излучения, по структуре подобный биполярному p-n-р или n-р-n транзистору. В отличие от фотодиода он не только преобразует световое излучение в электрический сигнал, но и обеспечивает его усиление. Напряжение питания к прибору подводя г так, чтобы коллекторный переход был закрыт, а эмиттерный - открыт. Базу чаще всего оставляют отключенной.

Конструктивно фототранзистор выполнен так, что весь световой поток, поступающий через входное окно, поглощается базой, образуя в ней фотогенерированные пары носителей тока. В результате, при приложении к фототранзистору напряжения, через него начинает протекать коллекторный ток.

Так как в основе работы прибора лежит диффузия носителей, рабочая частота фототранзисторов обычно не превышает нескольких десятков килогерц.

В настоящее время серийно выпускаются в основном кремниевые фототранзисторы. Но существует несколько типов приборов, изготавливаемых на основе германия.

Высокая чувствительность фототранзисторов, а также сравнительно низкая стоимость позволяют широко использовать эти приборы в системах контроля и автоматики, не требующих максимального быстродействия, в различных датчиках освещенности, пожарных, охранных и др., в фотореле, аппаратуре анализа оптических свойств жидкостей и газов. Бескорпусные фототранзисторы применяют в оптопарах и гибридных микросхемах в качестве элементов гальванической развязки.

Все фототранзисторы, представленные ниже, работают в инфракрасной (ИК) области излучения.

КТФ102А, КТФ102А1

Кремниевые пленарные n-p-n фототранзисторы КТФ102А и КТФ102А1 с площадью фоточувствительного элемента 0,64 мм2 выпускают в пластмассовом корпусе с жесткими лужеными выводами (рис. 1 и 2 соответственно).

Масса КТФ102А - не более 0,2 г; КТФ102А1 - 0,1 г. У прибора КТФ102А1 вывод эмиттера отмечен цветной точкой.

Фототранзисторы предназначены для работы в видеомагнитофонах и другой бытовой радиоэлектронной аппаратуре.

Основные технические характеристики при Токр.ср = 25°С

• Фототок коллектора. мА, не менее, при напряжении коллектор-эмиттер 5 В и значении освещенности с длиной волны 0,85 мкм 0,5 мВт/см2......0,95
• 0,1 мВт/см2......0,2
• Темновой коллекторный ток, мкА, не более, при напряжении коллектор-эмиттер 5 8 и температуре окружающей среды +25°С......1
• типовое значение......0,1
• +55°С......10
• Напряжение насыщения. В. не более, при значении освещенности с длиной волны 0,85 мкм 0,5 мВт/см2 при коллекторном фототоке 0,25 мА......0,15
• 0,06 мВт/см2 (0,2 мА)......0,5
• Время нарастания импульса фотоответа при подаче облучения, мкс, не более, при освещенности 0,06 мВт/см2 на длине волны 0,85 мкм, напряжении коллектор-эмиттер 5 В и сопротивлении нагрузки 15 кОм......0,5
• типовое значение......0,2
• Область спектральной фоточувствительности, мкм.....0,73...1,05
• Длина волны максимума спектральной фоточувствительности, мкм......0,87

Предельные эксплуатационные значения

• Наибольший фототок коллектора. мА, при температуре окружающей среды -19...+35°С......40
• +36...+55°С......5
• Наибольшее напряжение коллектор-эмтттер, В, при температуре окружающей среды -10...+35°С......10
• +36...+55°С......6
• Наибольшая мощность рассеяния. мВт. при температуре окружающей среды -10...+35°С......30
• +36...+55°С......10
• Рабочий интервал температуры окружающей среды, °С......-10...+55

Вольт-амперная характеристика фототранзистора при различных условиях освещенности показана на рис. 3, а типовая световая - на рис. 4. Относительную спектральную чувствительность приборов иллюстрирует рис. 5 - отношение фототока коллектора при текущем значении длины волны излучения к фототоку на длине волны максимальной чувствительности).

На рис. 6 представлена зависимость темнового коллекторного тока от температуры.

КТФ104А - КТФ104В

Кремниевые планарные n-p-n фототранзисторы КТФ104А, КТФ104Б. КТФ104В с площадью фоточувствительного элемента 0,64 мм2 выпускают в пластмассовом корпусе, таком же, как у КТФ102А (см. рис. 1). Выводы также жесткие луженые, но длина монтажной части 2,9 мм. а не 10,1 мм. Масса - не более 0,2 г.

Фототранзисторы предназначены для использования в бытовой радиоэлектронной аппаратуре.

Основные технические характеристики при Токр.ср = 25°С

• Фототок коллектора, мА, не менее, при напряжении коллектор-эмиттер 8,5 В и освещенности 5 лк для КТФ104А......0,15
• КТФ104Б......0.1
• КТФ104В......0,05
• Темновой коллекторный ток, мкА, не более, при напряжении коллектор-эмиттер 8.5 В для КТФ104А......1
• типовое значение......0,1
• КТФ104Б, КТФ104В......5
• типовое значение......0,5
• Темновой коллекторный ток, мкА, не более, при напряжении коллектор-эмиттер 8,5 В и температуре окружающей среды +55°С для КТФ104А......10
• Область максимальной спектральной фоточувствительности, мкм......0,67..0,77
• Минимальная гарантийная наработка на отказ, ч......15 000
• Срок сохраняемости, лет......8

Основные параметры фототранзисторов (определения):

• интегральная токовая чувствительность - отношение изменения тока на выходе фототранзистора к изменению потока излучения, вызвавшего изменение выходного тока;
• монохроматическая токовая чувствительность - отношение изменения тока на выходе фототранзистора к изменению потока излучения заданной длины волны;
• фототок коллектора - ток, протекающий через фототранзистор при указанном коллекторном напряжении, обусловленный воздействием потока излучения;
• темновой ток коллектора - ток, протекающий через фототранзистор при указанном коллекторном напряжении в отсутствие потока излучения;
• время нарастания или спада импульса фотоответа - интервал времени, в течение которого фототок изменяется от 0,1 до 0,9 или от 0,9 до 0,1 соответственно от установившегося значения.

Предельные эксплуатационные значения

• Наибольшее напряжение коллектор-эмиттер. В......12
• Рабочий интервал температуры окружающей среды°С......-10...+55

Относительная спектральная фоточувствительность фототранзисторов КТФ104А-КТФ104В показана на рис. 7.

КТФ108А

Кремниевые пленарные n-p-n фототранзисторы КТФ108А с селективной фоточувствительностью выпускают в пластмассовом корпусе с жесткими лужеными выводами (рис. 8). Масса прибора - не более 1 г.

Фототранзисторы предназначены для работы в системе автостопа бытовых видеокамер и другой радиоэлектронной аппаратуре.

Основные технические характеристики при Токр.ср = 25°С

• Фототок коллектора. мА, не менее, при напряжении насыщения на коллекторе 0,4 В и освещенности 20 мВт/смг на длине волны 0.85 мкм......0,4
• типовое значение......5
• Темновой ток коллектора, мкА, не более, при напряжении коллектор-эмиттер 10 В и температуре окружающей среды +25°С......0,025
• типовое значение......0,01
• +70°С......1
• Напряжение насыщения на коллекторе. В, не более, при освещенности 20 мВт/см2 на длине волны 0,85 мкм......0,4
• Область максимальной спектральной фоточувствительности, мкм.....0,76...0.96
• Минимальная гарантийная наработка на отказ, ч......25 000
• Срок сохраняемости, лет......10
• Предельные эксплуатационные значения
• Наибольшее постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В......15
• Наибольшая мощность рассеяния, мВт, при температуре окружающей среды +35°С......60
• +70°С......25
• Рабочий интервал температуры окружающей среды, °С......-10...+70

На рис. 9 представлена типовая зависимость темнового тока фототранзисторов КТФ108А от напряжения коллектор-эмиттер, а на рис. 10 - от температуры (заштрихована зона технологического разброса).

Спектральная характеристика фототранзисторов показана на рис.11.

КТФ109А

Кремниевые плaнарные n-p-n фототранзисторы КТФ109А выпускают в пластмассовом корпусе с жесткими лужеными выводами (рис. 12). Масса - не более 0,15 г.

Приборы предназначены для использования в узлах автостопа магнитофонов и другой бытовой аппаратуре, а также в системах охранной сигнализации, дистанционного управления и автоматики, в таходатчиках.

Основные технические характеристики при Токр.ср = 25°С

• Фототок коллектора. мА. не менее, при напряжении коллектор-эмиттер 5 В и мощности облучения 0,3 мВт......0,08
• типовое значение......0.4
• максимальное значение......1
• Монохроматическая токовая чувствительность, А/Вт, не менее, при напряжении коллектор-эмиттер 5 В и облучении с длиной волны 0.83 мкм......0,25
• Темновой ток коллектора. мкА, не более, при напряжении коллектор-эмиттер 5 В и температуре окружающей среды +25°С......0,5
• +55°С......2
• Время нарастания импульса фотоответа при подаче облучения, мкс, не более......15
• Время спада импульса фотоотеета при снятии облучения, мкс, не более......5
• Длина волны максимума спектральной фоточувствительности, мкм......1,08
• Минимальная гарантийная наработка, на отказ, ч......20 000

Предельные эксплуатационные значения

• Наибольшее постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В......10
• Наибольшая мощность рассеяния, мВт......10
• Рабочий интервал температуры окружающей среды, °С......-60...+55

Зависимость фототока коллектора фототранзистора КТФ109А от мощности облучения изображена на рис. 13, а температурная зависимость темнового тока - на рис. 14 (заштрихована зона технологического разброса).

КОФ224А, КОФ224Б

Кремниевые планерные n-p-n фототранзисторы КОФ224А, КОФ224Б выпускают в пластмассовом корпусе с жесткими пластинчатыми лужеными выводами (рис. 15). Масса - не более 0,8 г.

Прибор используют в качестве приемника инфракрасного излучения в радиоэлектронной аппаратуре широкого назначения.

• Основные технические характеристики при Токр.ср = 25°С
• Интегральная токовая чувствительность, мкА/лк, не менее, при напряжении коллектор-эмиттер 5 В......0.7
• Темновой ток коллектора. мкА, не более, для КОФ224А......1
• КОФ224Б......0,1
• Время нарастания или спада выходного импульса фотоответа при подаче или снятии облучения, мкс, не более, для КОФ224А......80
• КОФ224Б......20
• Длина волны максимума спектральной фоточувствительности, мкм......0,95
• Минимальная гарантийная наработка на отказ, ч......10 000
• Срок сохраняемости, лет......8

Предельные эксплуатационные значения

• Наибольшее постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В......5
• Рабочий интервал температуры окружающей среды, °С......-60...+55

ФТ- 1К, ФТ-1К-01, ФТ- Л К-02, ФТ-2К

Кремниевые пленарные n-p-n фототранзисторы ФТ-1К гр.1. ФТ-1К гр.2. ФТ-1К-01, ФТ-1К-02. ФТ-2К гр. А, ФТ-2К гр.Б с круглым фоточувствительным элементом (диаметром 1,8 мм) выпускают в цилиндрическом металлостеклянном корпусе с гибкими лужеными выводами (рис. 16). Входное окно - плоское. Масса - не более 0,9 г.

Коллекторный вывод удлинен или имеет цветную метку.

Приборы предназначены для работы в качестве детектора инфракрасного излучения в радиоэлектронной аппаратуре промышленного и специального назначения.

Основные технические характеристики при Токр.ср = 25°С

• Интегральная токовая чувствительность, мкА/лк, не менее, для ФТ-1К гр. 1. ФТ-2К гр.А......0,4
• ФТ-1К гр.2. ФТ-2К гр.Б......0,2
• ФТ-1К-01......0.5
• ФТ-Ж-02......2
• Темновой ток коллектора, мкА, не более, при напряжении коллектор-эмиттер 5 В для ФТ-1К гр.1.ФТ-2К гр.А......3
• ФТ-1К гр.2. ФТ-2К гр.Б......1
• ФТ-1К-01. ФТ-1К-02......0,2
• Время нарастания или спада импульса фотоответа при подаче или снятии облучения, мкс, не более......80
• Область спектральной фоточувствительности, мкм ....0,5...1,1
• Длина волны максимума спектральной фоточувствительности, мкм......0,85
• Минимальная гарантийная наработка на отказ, ч, для ФТ-1К гр.1, ФТ-1 К гр.2. ФТ-1К-01, ФТ-1К-02......2000
• ФТ-2К гр.А, ФТ-2К гр.Б.....3500
• Срок сохраняемости, лет, для ФТ-1К гр.1, ФТ-1К гр.2 ФТ-1К-01, ФТ-1К-02......11
• ФТ-2К гр.А, ФТ-2К гр.Б......6

Предельные эксплуатационные значения

• Наибольшее постоянное напряжение коллектор-эмиттер. В......5
• Наибольшая рабочая освещенность (в течение 10 ч). лк......1500
• Рабочий интервал температуры окружающей среды. °С......-60...+75

На рис. 17 показана спектральная характеристика фоточувствительности фототранзисторов серий ФТ-1К, ФТ-2К.

ФТ-7Б, ФТ-7Б-01

Кремниевые планарные n-р-n фототранзисторы с круглым фо-точувствительным элементом (диаметром 1,1 мм) выпускают в цилиндрическом пластмассовом корпусе с линзой (рис. 18). Выводы - жесткие проволочные луженые. Масса - не более 0,5 г.

Фототранзисторы используют в узлах оптической развязки, для управления световым потоком и в системах сигнализации.

Основные технические характеристики при Токр.ср = 25°С

• Интегральная токовая чувствительность, мкА/лм, не менее, для ФТ-7Б......0,04
• ФТ-7Б-01......0.35
• Фототок коллектора. мА, не менее, при освещенности 1000 лк для ФТ-7Б......0,2
• ФТ-7Б-01......2
• Номинальное постоянное напряжение коллектор-эмиттер. В......20
• Темновой ток коллектора. мкА. не более, при напряжении коллектор-эмиттер 20 В......0,005
• Время нарастания или спада импульса фотоответа при подаче или снятии облучения, мкс, не более......1,5
• Область спектральной фоточувствительности, мкм.....0,4...1,1
• Длина волны максимума спектральной фоточувствительности, мкм......0,85
• Срок сохраняемости, лет......10

Предельные эксплуатационные значения

• Пределы допустимого напряжения коллектор-эмиттер, В......2...30
• Пределы допустимой рабочей освещенности, лк.....1...100 000
• Рабочий интервал температуры окружающей среды, °С......-15...+45

ФТ-8

Кремниевые пленарные n-p-n фототранзисторы ФТ-8 с площадью фоточувствительного элемента 0,5мм2 выпускают в пластмассовом корпусе с жесткими пластинчатыми лужеными выводами (рис. 19). Масса - не более 0,9 г.

Используются как приемники инфракрасного излучения в различных устройствах электронной техники.

Основные технические характеристики при Токр.ср = 25°С

• Интегральная токовая чувствительность, мкА/лк, не менее......2
• Темновой ток коллектора. мкА. не более, при напряжении коллектор-эмиттер 5 В и температуре окружающей среды +25°С......0,1
• +75°С......20
• Время нарастания выходного импульса фотсответа, не более, при подаче облучения с длиной волны 0,9 мкм, напряжении коллектор-эмиттер 5 В и сопротивлении нагрузки 2 кОм, мкс......20
• Область спектральной фоточувствительности, мкм......0,5...1,1
• Длина волны максимума спектральной фоточувствительности, мкм......0,9..0.95
• Минимальная гарантийная наработка на отказ, ч......4000

Автор: В.Юшин. г.Москва

Смотрите другие статьи раздела Справочные материалы.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Токсичность интернета преувеличена 07.01.2026

Социальные сети нередко воспринимаются как арена постоянной агрессии, оскорблений и распространения фейковой информации. Новое исследование Стэнфордского университета показывает, что реальность значительно отличается от популярного представления: интернет гораздо менее токсичен, чем многие пользователи считают. Ученые опросили более тысячи американцев, попросив их оценить долю пользователей соцсетей, которые ведут себя агрессивно или распространяют ненависть. Оказалось, что впечатления людей сильно преувеличивают масштабы проблемы. Например, респонденты считали, что почти половина пользователей Reddit хотя бы раз оставляла оскорбительные комментарии, тогда как фактические данные платформы показывают, что таких людей не более 3%. Аналогичная ситуация наблюдается с дезинформацией. Опрос показал, что большинство участников считали почти половину аудитории Facebook распространителями фейковых новостей, однако статистика говорит об обратном: фактическая доля таких пользователей состав ...>>

Процессоры Ryzen AI 400 07.01.2026

Современные вычисления все больше ориентируются на интеграцию искусственного интеллекта и высокую производительность в компактных устройствах, таких как ноутбуки и мини-ПК. Новая линейка процессоров AMD Ryzen AI 400 демонстрирует, как разработчики объединяют мощные центральные ядра, графику и нейросетевые ускорители в одном чипе, чтобы удовлетворять растущие потребности пользователей в играх, контенте и ИИ-приложениях. AMD представила процессоры серии Gorgon Point, которые включают до 12 ядер Zen 5 и до 24 потоков вычислений. Чипы поддерживают интегрированную графику RDNA 3.5, обеспечивают максимальную тактовую частоту до 5,2 ГГц и имеют энергопотребление от 15 Вт до 54 Вт. Особое внимание уделено NPU, способному обрабатывать до 60 триллионов операций в секунду (TOPS), что делает эти процессоры эффективными для задач с искусственным интеллектом. Конструкция Ryzen AI 400 сочетает ядра Zen 5 и Zen 5c, обеспечивая высокую гибкость и производительность. Несмотря на то, что архитектур ...>>

Женщины лучше распознают признаки болезни по лицу 06.01.2026

Способность распознавать, что кто-то нездоров, часто проявляется интуитивно: бледная кожа, опущенные веки, уставшее выражение лица могут сигнализировать о недомогании. Новое исследование международной группы ученых показало, что женщины в среднем точнее мужчин улавливают такие тонкие невербальные признаки болезни, что может иметь эволюционные и социальные объяснения. В отличие от предыдущих работ, где использовались отредактированные фотографии или имитация больных лиц, ученые решили проверить, насколько люди способны распознавать естественные признаки недомогания. Такой подход позволил оценить реальную чувствительность к изменениям в лицах, возникающим при болезни. В исследовании приняли участие 280 студентов, поровну мужчин и женщин. Участникам предложили оценить 24 фотографии, на которых изображены люди как в здоровом состоянии, так и во время болезни. Это дало возможность сравнить восприятие естественных признаков недомогания в реальных лицах. Для анализа состояния каждого ...>>

Случайная новость из Архива В атмосфере Земли накапливается водород 26.08.2021 Группа климатологов под руководством Эрика Зальцмана, профессора университета Калифорнии в Ирвине (США), получила сведения о том, как менялась концентрация водорода в атмосфере Земли за последние полтора столетия. Ученые получили подобные сведения, проанализировав химический состав пузырьков воздуха, заточенных в залежах льда в Антарктике. Ученым удалось получить подобные сведения благодаря уникальным отложениям льда, которые формировались с 1852 года на территории "мегадюн", волнообразных отложений спрессованного снега в Восточной Антарктике. Они расположены в регионе с крайне низким уровнем осадков, благодаря чему относительно тонкий слой льда толщиной в 60-70 метров содержит в себе слои, формировавшиеся на протяжении многих десятилетий. Климатологи собрали образцы льда из разных регионов "мегадюн", извлекли пузырьки воздуха из подобных прослоек и детально изучили их химический состав. Как показал проведенный ими анализ, за последние 150 лет концентрация водорода в атмосфере резко выросла. Она повысилась примерно на 70%, причем весь этот рост пришелся на последние сто лет. Замеры профессора Зальцмана и его коллег указали на то, что особенно быстро концентрация водорода росла в последние два десятилетия XX века. Это открытие стало неожиданностью для ученых, так как исследователи в прошлом считали, что главным источником этих утечек служит производство так называемого синтез-газа, смеси из водорода и угарного газа. Его выработка начала сокращаться в 1980-х годах, из-за чего многие ученые считали, что аналогичным образом должны были упасть концентрации водорода в атмосфере. Образцы льда из Антарктики указывают на то, что это на самом деле не так, что свидетельствует о наличии других серьезных источников антропогенных выбросов водорода. Их поиски и изучение должны стать одной из главных задач для климатологов, подытожили исследователи.

Другие интересные новости:

▪ Контроллер MAX5945 для передачи энергии в сети Ethernet

▪ Дверь на дне озера

▪ Сладкое делает муравьев более веселыми

▪ Антисонное устройство от Ford

▪ Беспроводная колонка Beosound Balance

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Инструмент электрика. Подборка статей

▪ статья До морковкина заговенья. Крылатое выражение

▪ статья Зачем на съемках фильма Полосатый рейс был убит лев Вася? Подробный ответ

▪ статья Зубянка пятилистная. Легенды, выращивание, способы применения

▪ статья Простой индикатор поля. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Управление питанием компьютерной периферии, 1200 ватт. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026