Фототранзисторы. Справочные данные

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Справочные материалы

 Комментарии к статье

Фототранзистор - фоточувствительный полупроводниковый приемник излучения, по структуре подобный биполярному p-n-р или n-р-n транзистору. В отличие от фотодиода он не только преобразует световое излучение в электрический сигнал, но и обеспечивает его усиление. Напряжение питания к прибору подводя г так, чтобы коллекторный переход был закрыт, а эмиттерный - открыт. Базу чаще всего оставляют отключенной.

Конструктивно фототранзистор выполнен так, что весь световой поток, поступающий через входное окно, поглощается базой, образуя в ней фотогенерированные пары носителей тока. В результате, при приложении к фототранзистору напряжения, через него начинает протекать коллекторный ток.

Так как в основе работы прибора лежит диффузия носителей, рабочая частота фототранзисторов обычно не превышает нескольких десятков килогерц.

В настоящее время серийно выпускаются в основном кремниевые фототранзисторы. Но существует несколько типов приборов, изготавливаемых на основе германия.

Высокая чувствительность фототранзисторов, а также сравнительно низкая стоимость позволяют широко использовать эти приборы в системах контроля и автоматики, не требующих максимального быстродействия, в различных датчиках освещенности, пожарных, охранных и др., в фотореле, аппаратуре анализа оптических свойств жидкостей и газов. Бескорпусные фототранзисторы применяют в оптопарах и гибридных микросхемах в качестве элементов гальванической развязки.

Все фототранзисторы, представленные ниже, работают в инфракрасной (ИК) области излучения.

КТФ102А, КТФ102А1

Кремниевые пленарные n-p-n фототранзисторы КТФ102А и КТФ102А1 с площадью фоточувствительного элемента 0,64 мм2 выпускают в пластмассовом корпусе с жесткими лужеными выводами (рис. 1 и 2 соответственно).

Масса КТФ102А - не более 0,2 г; КТФ102А1 - 0,1 г. У прибора КТФ102А1 вывод эмиттера отмечен цветной точкой.

Фототранзисторы предназначены для работы в видеомагнитофонах и другой бытовой радиоэлектронной аппаратуре.

Основные технические характеристики при Токр.ср = 25°С

• Фототок коллектора. мА, не менее, при напряжении коллектор-эмиттер 5 В и значении освещенности с длиной волны 0,85 мкм 0,5 мВт/см2......0,95
• 0,1 мВт/см2......0,2
• Темновой коллекторный ток, мкА, не более, при напряжении коллектор-эмиттер 5 8 и температуре окружающей среды +25°С......1
• типовое значение......0,1
• +55°С......10
• Напряжение насыщения. В. не более, при значении освещенности с длиной волны 0,85 мкм 0,5 мВт/см2 при коллекторном фототоке 0,25 мА......0,15
• 0,06 мВт/см2 (0,2 мА)......0,5
• Время нарастания импульса фотоответа при подаче облучения, мкс, не более, при освещенности 0,06 мВт/см2 на длине волны 0,85 мкм, напряжении коллектор-эмиттер 5 В и сопротивлении нагрузки 15 кОм......0,5
• типовое значение......0,2
• Область спектральной фоточувствительности, мкм.....0,73...1,05
• Длина волны максимума спектральной фоточувствительности, мкм......0,87

Предельные эксплуатационные значения

• Наибольший фототок коллектора. мА, при температуре окружающей среды -19...+35°С......40
• +36...+55°С......5
• Наибольшее напряжение коллектор-эмтттер, В, при температуре окружающей среды -10...+35°С......10
• +36...+55°С......6
• Наибольшая мощность рассеяния. мВт. при температуре окружающей среды -10...+35°С......30
• +36...+55°С......10
• Рабочий интервал температуры окружающей среды, °С......-10...+55

Вольт-амперная характеристика фототранзистора при различных условиях освещенности показана на рис. 3, а типовая световая - на рис. 4. Относительную спектральную чувствительность приборов иллюстрирует рис. 5 - отношение фототока коллектора при текущем значении длины волны излучения к фототоку на длине волны максимальной чувствительности).

На рис. 6 представлена зависимость темнового коллекторного тока от температуры.

КТФ104А - КТФ104В

Кремниевые планарные n-p-n фототранзисторы КТФ104А, КТФ104Б. КТФ104В с площадью фоточувствительного элемента 0,64 мм2 выпускают в пластмассовом корпусе, таком же, как у КТФ102А (см. рис. 1). Выводы также жесткие луженые, но длина монтажной части 2,9 мм. а не 10,1 мм. Масса - не более 0,2 г.

Фототранзисторы предназначены для использования в бытовой радиоэлектронной аппаратуре.

Основные технические характеристики при Токр.ср = 25°С

• Фототок коллектора, мА, не менее, при напряжении коллектор-эмиттер 8,5 В и освещенности 5 лк для КТФ104А......0,15
• КТФ104Б......0.1
• КТФ104В......0,05
• Темновой коллекторный ток, мкА, не более, при напряжении коллектор-эмиттер 8.5 В для КТФ104А......1
• типовое значение......0,1
• КТФ104Б, КТФ104В......5
• типовое значение......0,5
• Темновой коллекторный ток, мкА, не более, при напряжении коллектор-эмиттер 8,5 В и температуре окружающей среды +55°С для КТФ104А......10
• Область максимальной спектральной фоточувствительности, мкм......0,67..0,77
• Минимальная гарантийная наработка на отказ, ч......15 000
• Срок сохраняемости, лет......8

Основные параметры фототранзисторов (определения):

• интегральная токовая чувствительность - отношение изменения тока на выходе фототранзистора к изменению потока излучения, вызвавшего изменение выходного тока;
• монохроматическая токовая чувствительность - отношение изменения тока на выходе фототранзистора к изменению потока излучения заданной длины волны;
• фототок коллектора - ток, протекающий через фототранзистор при указанном коллекторном напряжении, обусловленный воздействием потока излучения;
• темновой ток коллектора - ток, протекающий через фототранзистор при указанном коллекторном напряжении в отсутствие потока излучения;
• время нарастания или спада импульса фотоответа - интервал времени, в течение которого фототок изменяется от 0,1 до 0,9 или от 0,9 до 0,1 соответственно от установившегося значения.

Предельные эксплуатационные значения

• Наибольшее напряжение коллектор-эмиттер. В......12
• Рабочий интервал температуры окружающей среды°С......-10...+55

Относительная спектральная фоточувствительность фототранзисторов КТФ104А-КТФ104В показана на рис. 7.

КТФ108А

Кремниевые пленарные n-p-n фототранзисторы КТФ108А с селективной фоточувствительностью выпускают в пластмассовом корпусе с жесткими лужеными выводами (рис. 8). Масса прибора - не более 1 г.

Фототранзисторы предназначены для работы в системе автостопа бытовых видеокамер и другой радиоэлектронной аппаратуре.

Основные технические характеристики при Токр.ср = 25°С

• Фототок коллектора. мА, не менее, при напряжении насыщения на коллекторе 0,4 В и освещенности 20 мВт/смг на длине волны 0.85 мкм......0,4
• типовое значение......5
• Темновой ток коллектора, мкА, не более, при напряжении коллектор-эмиттер 10 В и температуре окружающей среды +25°С......0,025
• типовое значение......0,01
• +70°С......1
• Напряжение насыщения на коллекторе. В, не более, при освещенности 20 мВт/см2 на длине волны 0,85 мкм......0,4
• Область максимальной спектральной фоточувствительности, мкм.....0,76...0.96
• Минимальная гарантийная наработка на отказ, ч......25 000
• Срок сохраняемости, лет......10
• Предельные эксплуатационные значения
• Наибольшее постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В......15
• Наибольшая мощность рассеяния, мВт, при температуре окружающей среды +35°С......60
• +70°С......25
• Рабочий интервал температуры окружающей среды, °С......-10...+70

На рис. 9 представлена типовая зависимость темнового тока фототранзисторов КТФ108А от напряжения коллектор-эмиттер, а на рис. 10 - от температуры (заштрихована зона технологического разброса).

Спектральная характеристика фототранзисторов показана на рис.11.

КТФ109А

Кремниевые плaнарные n-p-n фототранзисторы КТФ109А выпускают в пластмассовом корпусе с жесткими лужеными выводами (рис. 12). Масса - не более 0,15 г.

Приборы предназначены для использования в узлах автостопа магнитофонов и другой бытовой аппаратуре, а также в системах охранной сигнализации, дистанционного управления и автоматики, в таходатчиках.

Основные технические характеристики при Токр.ср = 25°С

• Фототок коллектора. мА. не менее, при напряжении коллектор-эмиттер 5 В и мощности облучения 0,3 мВт......0,08
• типовое значение......0.4
• максимальное значение......1
• Монохроматическая токовая чувствительность, А/Вт, не менее, при напряжении коллектор-эмиттер 5 В и облучении с длиной волны 0.83 мкм......0,25
• Темновой ток коллектора. мкА, не более, при напряжении коллектор-эмиттер 5 В и температуре окружающей среды +25°С......0,5
• +55°С......2
• Время нарастания импульса фотоответа при подаче облучения, мкс, не более......15
• Время спада импульса фотоотеета при снятии облучения, мкс, не более......5
• Длина волны максимума спектральной фоточувствительности, мкм......1,08
• Минимальная гарантийная наработка, на отказ, ч......20 000

Предельные эксплуатационные значения

• Наибольшее постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В......10
• Наибольшая мощность рассеяния, мВт......10
• Рабочий интервал температуры окружающей среды, °С......-60...+55

Зависимость фототока коллектора фототранзистора КТФ109А от мощности облучения изображена на рис. 13, а температурная зависимость темнового тока - на рис. 14 (заштрихована зона технологического разброса).

КОФ224А, КОФ224Б

Кремниевые планерные n-p-n фототранзисторы КОФ224А, КОФ224Б выпускают в пластмассовом корпусе с жесткими пластинчатыми лужеными выводами (рис. 15). Масса - не более 0,8 г.

Прибор используют в качестве приемника инфракрасного излучения в радиоэлектронной аппаратуре широкого назначения.

• Основные технические характеристики при Токр.ср = 25°С
• Интегральная токовая чувствительность, мкА/лк, не менее, при напряжении коллектор-эмиттер 5 В......0.7
• Темновой ток коллектора. мкА, не более, для КОФ224А......1
• КОФ224Б......0,1
• Время нарастания или спада выходного импульса фотоответа при подаче или снятии облучения, мкс, не более, для КОФ224А......80
• КОФ224Б......20
• Длина волны максимума спектральной фоточувствительности, мкм......0,95
• Минимальная гарантийная наработка на отказ, ч......10 000
• Срок сохраняемости, лет......8

Предельные эксплуатационные значения

• Наибольшее постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В......5
• Рабочий интервал температуры окружающей среды, °С......-60...+55

ФТ- 1К, ФТ-1К-01, ФТ- Л К-02, ФТ-2К

Кремниевые пленарные n-p-n фототранзисторы ФТ-1К гр.1. ФТ-1К гр.2. ФТ-1К-01, ФТ-1К-02. ФТ-2К гр. А, ФТ-2К гр.Б с круглым фоточувствительным элементом (диаметром 1,8 мм) выпускают в цилиндрическом металлостеклянном корпусе с гибкими лужеными выводами (рис. 16). Входное окно - плоское. Масса - не более 0,9 г.

Коллекторный вывод удлинен или имеет цветную метку.

Приборы предназначены для работы в качестве детектора инфракрасного излучения в радиоэлектронной аппаратуре промышленного и специального назначения.

Основные технические характеристики при Токр.ср = 25°С

• Интегральная токовая чувствительность, мкА/лк, не менее, для ФТ-1К гр. 1. ФТ-2К гр.А......0,4
• ФТ-1К гр.2. ФТ-2К гр.Б......0,2
• ФТ-1К-01......0.5
• ФТ-Ж-02......2
• Темновой ток коллектора, мкА, не более, при напряжении коллектор-эмиттер 5 В для ФТ-1К гр.1.ФТ-2К гр.А......3
• ФТ-1К гр.2. ФТ-2К гр.Б......1
• ФТ-1К-01. ФТ-1К-02......0,2
• Время нарастания или спада импульса фотоответа при подаче или снятии облучения, мкс, не более......80
• Область спектральной фоточувствительности, мкм ....0,5...1,1
• Длина волны максимума спектральной фоточувствительности, мкм......0,85
• Минимальная гарантийная наработка на отказ, ч, для ФТ-1К гр.1, ФТ-1 К гр.2. ФТ-1К-01, ФТ-1К-02......2000
• ФТ-2К гр.А, ФТ-2К гр.Б.....3500
• Срок сохраняемости, лет, для ФТ-1К гр.1, ФТ-1К гр.2 ФТ-1К-01, ФТ-1К-02......11
• ФТ-2К гр.А, ФТ-2К гр.Б......6

Предельные эксплуатационные значения

• Наибольшее постоянное напряжение коллектор-эмиттер. В......5
• Наибольшая рабочая освещенность (в течение 10 ч). лк......1500
• Рабочий интервал температуры окружающей среды. °С......-60...+75

На рис. 17 показана спектральная характеристика фоточувствительности фототранзисторов серий ФТ-1К, ФТ-2К.

ФТ-7Б, ФТ-7Б-01

Кремниевые планарные n-р-n фототранзисторы с круглым фо-точувствительным элементом (диаметром 1,1 мм) выпускают в цилиндрическом пластмассовом корпусе с линзой (рис. 18). Выводы - жесткие проволочные луженые. Масса - не более 0,5 г.

Фототранзисторы используют в узлах оптической развязки, для управления световым потоком и в системах сигнализации.

Основные технические характеристики при Токр.ср = 25°С

• Интегральная токовая чувствительность, мкА/лм, не менее, для ФТ-7Б......0,04
• ФТ-7Б-01......0.35
• Фототок коллектора. мА, не менее, при освещенности 1000 лк для ФТ-7Б......0,2
• ФТ-7Б-01......2
• Номинальное постоянное напряжение коллектор-эмиттер. В......20
• Темновой ток коллектора. мкА. не более, при напряжении коллектор-эмиттер 20 В......0,005
• Время нарастания или спада импульса фотоответа при подаче или снятии облучения, мкс, не более......1,5
• Область спектральной фоточувствительности, мкм.....0,4...1,1
• Длина волны максимума спектральной фоточувствительности, мкм......0,85
• Срок сохраняемости, лет......10

Предельные эксплуатационные значения

• Пределы допустимого напряжения коллектор-эмиттер, В......2...30
• Пределы допустимой рабочей освещенности, лк.....1...100 000
• Рабочий интервал температуры окружающей среды, °С......-15...+45

ФТ-8

Кремниевые пленарные n-p-n фототранзисторы ФТ-8 с площадью фоточувствительного элемента 0,5мм2 выпускают в пластмассовом корпусе с жесткими пластинчатыми лужеными выводами (рис. 19). Масса - не более 0,9 г.

Используются как приемники инфракрасного излучения в различных устройствах электронной техники.

Основные технические характеристики при Токр.ср = 25°С

• Интегральная токовая чувствительность, мкА/лк, не менее......2
• Темновой ток коллектора. мкА. не более, при напряжении коллектор-эмиттер 5 В и температуре окружающей среды +25°С......0,1
• +75°С......20
• Время нарастания выходного импульса фотсответа, не более, при подаче облучения с длиной волны 0,9 мкм, напряжении коллектор-эмиттер 5 В и сопротивлении нагрузки 2 кОм, мкс......20
• Область спектральной фоточувствительности, мкм......0,5...1,1
• Длина волны максимума спектральной фоточувствительности, мкм......0,9..0.95
• Минимальная гарантийная наработка на отказ, ч......4000

Автор: В.Юшин. г.Москва

Смотрите другие статьи раздела Справочные материалы.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Расставание действительно может причинять физическую боль 16.09.2026

Разрыв отношений с близким человеком способно вызывать настолько сильные переживания, что привычное выражение "разбитое сердце" иногда воспринимается почти буквально. Человек может испытывать тревогу, тоску и эмоциональное напряжение, сопровождающиеся вполне реальными телесными ощущениями. Исследования работы мозга показывают, что такая связь между эмоциональными и физическими страданиями может иметь вполне определенную нейробиологическую основу. Эксперимент, позволивший изучить этот вопрос, провела команда психолога Итана Кросса из Мичиганского университета. В исследовании участвовали 40 человек, недавно переживших расставание по инициативе партнера. Все добровольцы продолжали остро реагировать на произошедшее, что позволило исследователям изучить мозговую активность в период наиболее сильных переживаний. Во время эксперимента участников помещали в аппарат магнитно-резонансной томографии. Испытуемым поочередно показывали фотографию бывшего партнера и подвергали предплечье воздей ...>>

Научно доказана невозможность создания нейтринного лазера 16.09.2026

Лазер давно перестал быть исключительно лабораторной технологией: сегодня он используется в связи, медицине, промышленности и научных исследованиях. Поэтому физики периодически предлагают необычные варианты устройств, способных работать по аналогичным принципам, но с другими типами частиц. В 2025 году появилась идея создать лазер, формирующий направленный поток нейтрино. Однако последующий теоретический анализ показал, что привлекательная на первый взгляд концепция сталкивается не просто с техническими трудностями, а с фундаментальными законами квантовой физики. Первоначальную концепцию предложили профессор Массачусетского технологического института (MIT) Джо Формаджио (Joe Formaggio) и Бен Джонс (Ben Jones) из Техасского университета в Арлингтоне. Согласно их замыслу, облако радиоактивных атомов следовало охладить до сверхнизких температур порядка нанокельвинов - миллиардных долей кельвина. В таких условиях атомы могли бы сформировать Бозе - Эйнштейновский конденсат, особое квантов ...>>

Индекс нижнего белья раскрыл состояние швейцарских почв 15.09.2026

Почва кажется обычной частью окружающего нас ландшафта, однако под ее поверхностью существует сложная экосистема, от состояния которой напрямую зависит жизнь человека. Миллиарды микроорганизмов, черви, грибы и другие обитатели почвы перерабатывают органические вещества и участвуют в круговороте питательных элементов. Чтобы привлечь внимание общества к этой мало заметной проблеме, исследователи из Цюрихского университета придумали весьма необычный эксперимент: они закопали более 2000 пар хлопкового нижнего белья в садах, на лугах, полях и газонах по всей Швейцарии. Проект получил название "Доказательство в виде нижнего белья" и представлял собой не массовую шутку, а научный эксперимент, позволяющий наглядно оценить биологическую активность почвы. Исследователи помещали хлопковые изделия в землю, а примерно через два месяца извлекали их и сравнивали степень разрушения ткани. Некоторые образцы за это время практически исчезали, оставляя лишь отдельные фрагменты швов, тогда как на други ...>>

Случайная новость из Архива Процессор Snapdragon 8 Gen 2 15.11.2022 Компания Qualcomm представила новый высококачественный чип второго поколения Qualcomm Snapdragon 8. Snapdragon 8 Gen 2 - это приверженность вычислительной обработке изображений, высокой эффективности и максимальной производительности. Qualcomm Snapdragon 8 Gen 2 производится по 4-нм техпроцессу и является процессором с восемью ядрами, с тремя четко дифференцированными группами кластеров (1+3+4). Первый состоит из основного ядра, работающего на максимальной частоте 3,2 ГГц. Второй - это кластер из трех ядер с максимальной частотой 2,8 ГГц, и, наконец, у нас есть кластер ядер, предназначенный для повышения эффективности, с четырьмя ядрами с максимальной частотой 2,0 ГГц. Qualcomm обещает, что этот процессор до 60% эффективнее ватта, что является одной из основных проблем, с которыми сталкивалось предыдущее поколение. Пиковая производительность, которую они достигли, была великолепна, но потребление было неустойчивым с течением времени, и им пришлось снизить производительность, чтобы не перегреваться. С этим 2-м поколением можно забыть о проблемах, хотя бы на бумаге. Кроме того, что он эффективнее, компания обещает на 35% более быстрый процессор и 40% общей энергосбережения по сравнению с предыдущим поколением. Что касается графического процессора, то новый Adreno на 45% экономит энергию и на 25% быстрее. В этом поколении совместимые игры смогут наслаждаться трассировкой лучей в реальном времени, что обещает улучшить отражение, детализацию теней и общий реализм. Кроме того, это первый Snapdragon, включающий кодек AV1 посредством даже воспроизведения видео 8K HDR со скоростью 60 кадров в секунду. Qualcomm также гордится своим первым "когнитивным интернет-провайдером". Эта часть процессора отвечает за обработку сегментации изображения в реальном времени. Это похоже на то, что Google сделал в 2017 году из Pixel 2: разделение разных частей сцены с помощью семантических категорий, чтобы лучше обработать финальное изображение. Возможности подключения улучшены благодаря совместимости с WiFi 7 и увеличенной задержке, что обещает большую эффективность благодаря новому модему FastConnect 7800, способному развивать скорость до 5,8 Гбит/с сетей Wi-Fi. Ожидается, что первые мобильные телефоны с этим процессором появятся в конце 2022 и начале 2023 года.

Другие интересные новости:

▪ Надувные стальные конструкции

▪ Антибиотики из канабиса

▪ Ловот - робот для любви

▪ Умные бытовые приборы с доступом к сети Интернет

▪ Очки виртуальной реальности Panasonic MeganeX

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Справочные материалы. Подборка статей

▪ статья Страшно жить на этом свете, в нем отсутствует уют. Крылатое выражение

▪ статья Какое метро самое длинное? Подробный ответ

▪ статья Слесарь по эксплуатации и ремонту газового оборудования (ВБГО). Должностная инструкция

▪ статья Пробник для проверки транзисторов. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Бесстартерный запуск ламп дневного света. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026