Menu Home

Бесплатная техническая библиотека для любителей и профессионалов Бесплатная техническая библиотека


Генератор-делитель частоты КР512ПС10. Справочные данные

Бесплатная техническая библиотека

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Справочные материалы

 Комментарии к статье

Микросхема КР512ПС10 предназначена для применения в таймерах, реле времени и в качестве генератора импульсов низкой и инфранизкой частоты. Микросхема представляет собой RC-генератор и управляемый делитель частоты с переключаемым коэффициентом деления, состоящий из нескольких счетчиков, коммутируемых подачей сигналов высокого уровня на установочные входы. Максимальное значение коэффициента деления уникально - 235 929 600. Микросхема изготовлена по технологии КМОП с самосовмещенными затворами транзисторов и изоляцией локальным окислом. Корпус - пластмассовый 2104.16-1 (рис. 1).

Генератор-делитель частоты КР512ПС10

Масса - не более 1,2 г .

Схемно-графическое обозначение микросхемы показано на рис. 2.

Генератор-делитель частоты КР512ПС10

Цоколевка микросхемы: выв. 1 - вход сигнала установки коэффициента деления 26: выв. 2 - вход сигнала обнуления счетчиков; выв. 3 - вход сигнала остановки счетчиков; вые. 4 - вход усилителя-формирователя; вывод для подключения RC-цепи генератора; выв. 5 - прямой выход усилителя-формирователя; вывод для подключения конденсатора генератора; выв. 6 - инверсный выход усилителя-формирователя; вывод для подключения резистора генератора; выв. 7 - свободный; выв. 8 - общий; минусовой вывод питания; выв. 9 - выход с открытым стоком делителя частоты; выв. 10 - обычный выход делителя частоты; вые. 11 - вход сигнала управления фазой выходного сигнала с выв. 9; выв. 12 - вход сигнала установки коэффициента деления 60; выв. 13 - вход сигнала установки коэффициента деления 3; выв. 14 - вход сигнала установки коэффициента деления 10; выв. 15 - вход сигнала установки коэффициента деления 30; выв. 16 - плюсовой вывод питания.

Основные технические характеристики при Токр. Ср= -10.. .+70°С

  • Номинальное напряжение питания, В......5
  • Потребляемый ток, мкА, не более, при напряжении питания 6 В в режиме статическом......20
  • динамическом на частоте 40 кГц......1000
  • Выходное напряжение низкого уровня, В, не более, при напряжении питания 4 В, измеренное на выводах 5 и 6 (при выходном токе 1.6 мА)......0,4
  • 9 (5,2 мА)......0,8
  • Выходное напряжение высокого уровня, В, не менее, при напряжении питания 4 В и выходном токе 1 мА, измеренное на выводах 5 и 6......3,6
  • Входной ток низкого уровня, мкА, не более, при напряжении питания 6 В, измеренный в цепи вывода 4......0.1
  • Входной ток высокого уровня, мкА, не более, при напряжении питания 4 В.измеренный в цепи выводов 4 (при входном напряжении 4 В)......0,1
  • 1-3, 11-15(6 В)......50

Предельные эксплуатационные значения

  • Напряжение питания, В......4...6
  • Максимальная частота тактовых импульсов, кГц......200
  • Температура окружающей среды, °С......-10...+70
  • Наибольший статический потенциал, В......30
  • Предельное значение напряжения источника питания в течение 10 с, В......10
  • Суммарное время работы при предельном напряжении питания за весь период эксплуатации, ч......1

Коэффициент деления частоты входного сигнала, действующего на выводе 4, зависит от уровней напряжения на установочных входах 26, 60, 3, 10. 30 (см. таблицу). Если на все указанные входы подан низкий логический уровень, коэффициент деления равен 211=2048. При подаче высокого уровня на ют или иной установочный вход указанный коэффициент надо умножить на весовое значение входа. Высокий уровень допустимо подавать одновременно на входы 26, 60 и один из входов 3, 10, 30. Если высокий уровень подать на два или три входа из группы 3, 10, 30, произойдет блокировка работы счетчиков.

Вход IN управляет фазой сигнала на выходе с открытым стоком. При низком уровне на этом входе сигнал на выводе 9 противофазен сигналу на выводе 10, при высоком - синфазен.

Подача высокого уровня на вход R0 (обнуление) устанавливает все счетчики-делители частоты микросхемы в нулевое состояние, соответствующее низкому уровню на выводе 10. Работа счетчиков начинается с момента поступления на этот вход низкого уровня. Высокий уровень на входе ST (стоп) останавливает все счетчики, на выводе 10 сохраняется тот уровень, который был перед подачей сигнала "Стоп". Работа счетчиков возобновляется в тот момент, когда на этот вход приходит низкий уровень, начиная с того состояния, в котором они были остановлены. Подача указанных сигналов не приводит к остановке работы тактового генератора.

При любом коэффициенте деления выходной сигнал имеет скважность 2 ("меандр"). Микросхема содержит резисторы, обеспечивающие низкий логический уровень на всех входах, кроме входа RC. в случае, когда их оставляют свободными.

Структура микросхемы позволяет построить тактовый генератор с внешними резистором и конденсатором, подключенными, как показано на рис. 3.

Генератор-делитель частоты КР512ПС10

На рис. 4 - 13 представлены типовые зависимости параметров от напряжения питания, выходного тока и частоты в рабочем температурном интервале. Заштрихованы области разброса параметров для 95 % микросхем. На рис. 4 и 5 показаны зависимости выходного напряжения высокого уровня на выходах С и R соответственно от напряжения питания, а на рис. 6 и 7 - низкого уровня.

На рис. 8 изображена нагрузочная характеристика выхода с открытым стоком при выходном напряжении низкого уровня. Рис. 9 и 10 иллюстрируют характер зависимости тока утечки входа RC при низком и высоком уровнях входного напряжения соответственно от напряжения питания.

Частотная зависимость потребляемого в динамическом режиме представлена на рис. 11.

Генератор-делитель частоты КР512ПС10
(нажмите для увеличения)

Автор: С.Бирюков, г.Москва

Смотрите другие статьи раздела Справочные материалы.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Впервые преоодолена передача ВИЧ от матери к ребенку 02.01.2026

Проблема вертикальной передачи ВИЧ - от матери к ребенку - остается одной из ключевых задач глобальной медицины. Недавний отчет Всемирной организации здравоохранения (ВОЗ) демонстрирует историческое достижение: Бразилия впервые в своей истории полностью преодолела этот путь передачи вируса. Страна стала 19-й в мире и первой с населением более 100 миллионов человек, которая достигла такого результата. Достижения Бразилии основаны на комплексных медицинских программах, обеспечивающих своевременный доступ к диагностике и терапии для всех слоев населения. ВОЗ официально подтвердило, что уровень передачи ВИЧ от матери к ребенку снизился до менее двух процентов. Более 95% беременных женщин в стране получают регулярный скрининг на ВИЧ и необходимое лечение в рамках стандартного ведения беременности. Изначально программа тестировалась в крупных муниципалитетах и штатах с населением более 100 тысяч человек, а затем была масштабирована на всю страну. Такой подход позволил унифицировать ста ...>>

Нанослой германия увеличивает эффективность солнечных батарей на треть 02.01.2026

Разработка высокоэффективных солнечных батарей остается одной из ключевых задач современной энергетики. Недавнее исследование южнокорейских ученых позволило повысить производительность тонкопленочных солнечных элементов почти на 30%, что открывает новые перспективы для возобновляемых источников энергии, гибкой электроники и сенсорных устройств. Команда исследователей сосредоточилась на элементах на основе моносульфида олова (SnS) - нетоксичного и доступного материала, который идеально подходит для гибких солнечных панелей. До настоящего времени эффективность SnS-устройств оставалась низкой из-за проблем на границе контакта с металлическим электродом. В этой области возникали структурные дефекты, диффузия элементов и электрические потери, что существенно ограничивало возможности таких батарей. "Этот интерфейс был главным барьером для достижения высокой производительности", - отмечает профессор Джейонг Хо из Национального университета Чоннам. Для решения этих проблем ученые предлож ...>>

Электростатическое решение для борьбы с льдом и инеем 01.01.2026

Борьба с льдом и инеем на транспортных средствах и критически важных поверхностях зимой остается сложной и затратной задачей. Ученые из Virginia Tech разработали инновационную технологию, способную разрушать лед и иней без использования тепла или химических реагентов, что открывает новые возможности для безопасной и экологичной зимней эксплуатации транспорта. Исследователи обнаружили, что лед и иней образуют кристаллическую решетку с так называемыми ионными дефектами - заряженными участками, способными перемещаться под воздействием электрического поля. Эти дефекты являются ключом к управлению прочностью льда и его удалением с поверхностей. Когда на замерзшую поверхность подается положительный электрический заряд, отрицательные ионные дефекты притягиваются к источнику поля. Это вызывает разрушение кристаллической решетки льда, в результате чего часть льда буквально "отскакивает" от поверхности. Такой эффект позволяет удалять лед без применения внешнего тепла или химических средств ...>>

Случайная новость из Архива

Мощный графеновый материал для высокоэффективных суперконденсаторов 18.01.2021

Команда ученых, работающая с профессором неорганической и металлоорганической химии в Техническом университете Мюнхена (TUM) разработала новый, мощный и устойчивый гибридный материал графена для суперконденсаторов. Он служит положительным электродом в накопителе энергии. Исследователи комбинируют его с проверенным отрицательным электродом на основе титана и углерода.

Новое устройство накопления энергии не только обеспечивает плотность энергии до 73 кВт/ч на кг, что примерно эквивалентно плотности энергии никель-металлогидридной батареи. При этом новое устройство работает намного лучше, чем большинство других суперконденсаторов, при плотности мощности 16 кВт/ч на кг. Секрет нового суперконденсатора заключается в сочетании различных материалов, поэтому химики называют суперконденсатор "асимметричным".

Идея объединения основных материалов была перенесена на суперконденсаторы. В качестве основы они использовали новый положительный электрод накопителя с химически модифицированным графеном и объединили его с наноструктурированным металлоорганическим каркасом, так называемым MOF.

Решающими для характеристик гибридов графена являются, с одной стороны, большая удельная поверхность и контролируемые размеры пор, а с другой стороны, высокая электропроводность.

Для хороших суперконденсаторов важна большая поверхность. Это позволяет собирать в материале соответственно большое количество носителей заряда - это основной принцип хранения электрической энергии. Благодаря искусному дизайну материалов исследователям удалось связать графеновую кислоту с MOF. Полученные в результате гибридные MOF имеют очень большую внутреннюю поверхность до 900 квадратных метров на грамм и очень эффективны в качестве положительных электродов в суперконденсаторе.

Стабильное соединение между наноструктурированными компонентами имеет огромные преимущества с точки зрения долгосрочной стабильности: чем более стабильны связи, тем больше циклов зарядки и разрядки возможно без значительного ухудшения производительности.

У классического литиевого аккумулятора срок службы около 5000 циклов. Новый элемент, разработанный исследователями TUM, сохраняет почти 90% емкости даже после 10 000 циклов.

Другие интересные новости:

▪ Caustic 2500 - серийный ускоритель трассировки лучей

▪ Смарт-устройство MIJIA для управления шторами

▪ Мальчики налево, девочки направо

▪ Крысиная взаимовыручка

▪ Ботинки для слепых

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

 

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Радиолюбителю-конструктору. Подборка статей

▪ статья Классификация элементарных частиц. История и суть научного открытия

▪ статья Как производитель Кока-Колы приобретает экстракт листьев коки? Подробный ответ

▪ статья Сабельник болотный. Легенды, выращивание, способы применения

▪ статья ЗЧ с телеграфным фильтром. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Конструкция моментального изготовления источника питания. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

Имя:


E-mail (не обязательно):


Комментарий:





Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте

www.diagram.com.ua

www.diagram.com.ua
2000-2025