Комплиментарные транзисторы серий КТ6116 и КТ6117. Справочные данные

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Справочные материалы

 Комментарии к статье

Кремниевые p-n-p транзисторы средней мощности широкого применения КТ6116А и КТ6116Б изготавливают по эпитаксиально-планарной технологии. Они предназначены для работы в усилителях сигналов, преобразователях частоты и других устройствах с повышенным напряжением питания.

Транзисторы оформлены в стандартном пластмассовом корпусе КТ-26 (по западной классификации - ТО-92) с жесткими лужеными выводами (рис. 1). Зарубежные аналоги - КТ6116А - 2N5401: КТ6116Б - 2N5400.

На рис. 2 изображена зависимость тока эмиттера от напряжения на эмиттерном переходе транзисторов серии КТ6116.

На на рис. 3 - граничной частоты усиления и статического коэффициента передачи тока базы от тока коллектора.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер в функции тока коллектора представлено на рис. 4.

Типовая зависимость емкости коллекторного перехода транзисторов от постоянного напряжения коллектор-база показана на рис. 5, а область безопасной работы - на рис. 6.

Кремниевые n-p-n транзисторы средней мощности широкого применения КТ6117А и КТ6117Б также изготавливают по эпитаксиально-планарной технологии. Они предназначены для работы в усилителях сигналов, преобразователях частоты и других устройствах с повышенным напряжением питания.

Транзисторы оформлены в стандартном пластмассовом корпусе КТ-26 (ТО-92) с жесткими лужеными выводами (см. рис. 1). Зарубежные аналоги - КТ6117А - 2N5551; КТ6117Б - 2N5550.

Транзисторы КТ6117А, КТ6117Б и КТ6116А, КТ6116Б можно подбирать в комплементарные пары.

Типовая зависимость тока эмиттера от напряжения база-эмиттер транзисторов серии КТ6117 представлена на рис. 7, а типовые выходные характеристики - на рис. 8.

Типовые зависимости граничной частоты и напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер от тока коллектора, а также емкости коллекторного перехода от постоянного напряжения коллектор-база показаны на рис. 9-11 соответственно.

Область безопасной работы транзисторов серии КТ6117 такая же, как у транзисторов серии КТ6116 (см. рис. 6).

В заключение - несколько советов, общих для транзисторов обеих серий. Не рекомендуется эксплуатация транзисторов при малом токе, соизмеримом с неуправляемым обратным током во всем температурном интервале. Не разрешается также работа приборов при двух предельных значениях электрических параметров.

При включении транзистора в электрическую цепь, находящуюся под напряжением, базовый вывод должен быть присоединен первым (и отключен последним).

Допускается одноразовое изгибание выводов транзистора на расстоянии не ближе 2 мм от корпуса; радиус изгиба - не менее 1.5 мм. При изгибании необходимо принимать меры, исключающие передачу усилия на корпус.

Расстояние от корпуса до места пайки (лужения) вывода - не менее 3 мм. При монтаже допустимы лишь три перепайки выводов. Температура пайки - не выше 265'С, время пайки - не более 4 с.

Допускается применение транзисторов обычного климатического исполнения в аппаратуре, рассчитанной на эксплуатацию в любых климатических условиях, но при этом их необходимо покрыть после монтажа тремя-четырьмя слоями лака УР-231 (ТУ6-21-14) или ЭП-730 (ГОСТ 20824) с последующей сушкой.

Основные характеристики при Токр ср =25°С

• Статический коэффициент передачи тока базы при напряжении коллектор-эмиттер 5 В и токе коллектора 10 мА для
• КТ6П6А......60...240
• КТ6116Б......40... 180
• Обратный ток коллектора, мкА, не более, для КТ6116А (при напряжении коллектор-база 120 В)......005
• КТ6П6В(100В)......0.1
• Обратный ток эмиттера, мкА. не более, при напряжении эмиттер-база 3 В и нулевом токе коллектора......0.05
• Обратный ток коллектор-эмиттер. мА, не более, при отключенной базе для КТ6116А(при напряжении коллектор-эмиттер 150 В)......1
• КТ61165(120 В)......1
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер. В. не более, при токе коллектора
• 50 мА и токе базы 5 мА......0.5
• Напряжение насыщения база - эмиттер, В, не более, при токе коллектора 50 мА и токе базы 5 мА......1
• Граничная частота коэффициента передачи тока, МГц. не менее, при напряжении коллектор-эмиттер 10 В и токе коллектора 10 мА......100
• Емкость коллекторного перехода. пФ. не более, при напряжении коллектор - база 10 В и нулевом токе эмиттера на частоте 10 МГц......6
• Коэффициент шума, дБ, не более, при напряжении коллектор - эмиттер 3 В, токе коллектора 200 мкА и сопротивлении в цепи базы 3 кОм. на частоте 1 кГц для КТ6116А......8
• КТ6116Б......10
• Тепловое сопротивление переход - окружающая среда. °С/Вт, не более......200

Предельно допустимые значения

• Наибольшее напряжение коллектор - база. В, для КТ6116А......160
• КТ6116Б......130
• Наибольшее напряжение коллектор-эмиттер, В, для КТ6П6А......150
• КТ6116Б......120
• Наибольшее напряжение база-эмиттер, В......5
• Наибольший постоянный ток коллектора, А......0.6
• Наибольшая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт......0,625
• Допустимое значение статического потенциала (IV степень жесткости по ОСТ 11073.062), В......500
• Наибольшая температура перехода, °С......150
• Предельные значения рабочей температуры окружающей среды, °С......-45...+100
• Основные характеристики при Токр.ср = 25°С
• Статический коэффициент передачи тока базы при напряжении коллектор-эмиттер 5 В и токе коллектора 10 мА для КТ6117А......80...250
• КТ6117Б......60...250
• Обратный ток коллектора, мкА, не более, для КТ6117А(при напряжении коллектор-база 120 В)......0,05
• КТ6117Б(100В)......0,1
• Обратный ток эмиттера, мкА, не более, при напряжении эмиттер-база 3 В и нулевом токе коллектора......0,05
• Обратный ток коллектор-эмиттер. мА, не более, при отключенной базе для КТ6117А(при напряжении коллектор-эмиттер 160 В)......1
• КТ61175(140 В)......1
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В. не более, при токе коллектора 50 мА и токе базы 5 мА для КТ6117А......0.2
• КТ6117Б......0.25
• Напряжение насыщения база-эмиттер. В. не более, при токе коллектора 50 мА и токе базы 5 мА для КТ6117А......1
• КТ6117Б......1,2
• Граничная частота коэффициента передачи тока. МГц, не менее, при напряжении коллектор-эмиттер 10 В и токе коллектора 10 мА......100
• Емкость коллекторного перехода, пФ, не более, при напряжении коллектор-база 10 В и нулевом токе эмиттера на частоте 10 МГц......6
• Коэффициент шума, дБ, не более, при напряжении коллектор-эмиттер 5 В. токе коллектора 200 мкА и сопротивлении в цепи базы 2 кОм, на частоте 1 кГц для КТ6117А......8
• КТ6117Б......10
• Тепловое сопротивление переход-окружающая среда, 'С/Вт, не более......200

Предельно допустимые значения

• Наибольшее напряжение коллектор-база, В, для КТ6117А......180
• КТ6117Б......160
• Наибольшее напряжение коллектор-эмиттер, В, для КТ6117А......160
• КТ6117Б......140
• Наибольшее напряжение база-эмиттер, В......6
• Наибольший постоянный ток коллектора, А......0.6
• Наибольшая постоянная рассеиваемая мощность коллектора. Вт......0,625
• Допустимое значение статического потенциала (IV степень жесткости по ОСТ 11073.062), В......500
• Наибольшая температура перехода, °С......150
• Предельные значения рабочей температуры окружающей среды, °С......-45...+100

Автор: В.Киселев

Смотрите другие статьи раздела Справочные материалы.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Власть является ключевым фактором счастья в отношениях 11.03.2026

Исследования семейных и романтических отношений показывают, что длительное счастье пары зависит не только от привычных факторов, таких как доверие, уважение и преданность, но и от более тонких психологических аспектов. Современные ученые ищут закономерности, которые отличают действительно счастливые пары от остальных, чтобы понять, какие механизмы поддерживают гармонию в отношениях. Группа исследователей из Университета Мартина Лютера в Галле-Виттенберге и Бамбергского университета провела опрос среди 181 пары, которые состояли в совместных отношениях более восьми лет и прожили вместе хотя бы месяц. Участники заполняли анкету, описывая различные аспекты своих отношений, включая распределение обязанностей, эмоциональную поддержку и степень вовлеченности в совместные решения. Анализ данных показал интересный паттерн: пары, где оба партнера ощущали высокий уровень личной власти, оказывались наиболее счастливыми и удовлетворенными. В данном контексте под властью понимается способност ...>>

Защищенная колонка-повербанк Anker Soundcore Boom Go 3i 11.03.2026

Компания Anker представила новую модель линейки Soundcore - колонку Soundcore Boom Go 3i, ориентированную на активное использование на улице. Новинка отличается высокой степенью защиты: корпус соответствует стандарту IP68, что обеспечивает водо- и пыленепроницаемость, а ударопрочный дизайн выдерживает падение с высоты до одного метра. За качество звука отвечает 15-ваттный драйвер, обеспечивающий пик громкости до 92 дБ, а технология BassUp 2.0 усиливает низкие частоты, делая звучание более насыщенным. Колонка обладает автономностью до 24 часов, а LED-индикатор позволяет контролировать уровень заряда батареи. Кроме того, Soundcore Boom Go 3i может выполнять функцию павербанка: согласно внутренним тестам, устройство способно зарядить iPhone 17 с нуля до 40% за один час, что делает его полезным аксессуаром в походах и поездках. Среди функциональных особенностей модели стоит выделить технологию Auracast, которая улучшает подключение и позволяет создавать стереопару из двух колонок ...>>

Раннее воздержание от алкоголя перестраивает мозг и иммунитет 10.03.2026

Алкогольная зависимость - хроническое расстройство с компульсивным употреблением спиртного, которое влияет не только на поведение, но и на функционирование мозга и иммунной системы. Недавние исследования показали, что даже на ранних этапах воздержания организм начинает перестраиваться, открывая новые возможности для терапии зависимости. Ученые сосредоточились на пациентах, находящихся в первые недели абстиненции, и зафиксировали значительные изменения в мозговой активности. С помощью функциональной магнитно-резонансной томографии они выявили перестройку сетей нейронных связей, отвечающих за контроль импульсов и принятие решений. Эти изменения могут быть ключевыми для восстановления самоконтроля и снижения риска рецидива. Одновременно с нейронной перестройкой исследователи наблюдали колебания иммунной системы. В крови повышался уровень цитокинов - сигнальных белков, регулирующих воспалительные процессы. Эти данные свидетельствуют о существовании нейроиммунного взаимодействия, при ...>>

Случайная новость из Архива Сенсор OmniVision OV12890 с пикселями 1,55 микрона 05.06.2016 Компания OmniVision представила 12-мегапиксельный датчик изображений OV12890 для камер смартфонов и фаблетов топового уровня. Сенсор формата 1/2,3 дюйма характеризуется пикселями размером 1,55 ? 1,55 микрона. Решение выполнено с применением фирменной технологии объемной компоновки PureCel Plus-S. Датчик OmniVision OV12890 позволяет получать изображения с разрешением 12 Мп (4096 х 3072 точки), 4K (3840 х 2160 точек), 1080p (1920 х 1080 точек) и 720p (1280 х 720 точек). При работе в максимальном разрешении скорость съемки может достигать 45 кадров в секунду. При записи 4К-материалов этот показатель возрастает до 60 кадров в секунду, а при использовании формата 1080р - до 240 кадров в секунду. Сенсор может быть заключен в модуль с размерами 10 х 10 х 6 мм. В камерах на его основе может применяться система фазового автофокуса (PDAF). Пробные поставки сенсора OmniVision OV12890 уже начались, а массовое производство намечено на последнюю четверть нынешнего года.

Другие интересные новости:

▪ Бактериальный вампиризм

▪ Создан класс материалов с изменяемыми механическими свойствами

▪ Пустыня Сахара значительно расширилась

▪ Гармония в музыке никак не связана с математикой

▪ iRobot Sentinel

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Аккумуляторы, зарядные устройства. Подборка статей

▪ статья Навесы от солнца. Советы домашнему мастеру

▪ статья Что такое хлор? Подробный ответ

▪ статья Центрозема опушенная. Легенды, выращивание, способы применения

▪ статья Малогабаритный осциллограф-пробник. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Карманный стереоусилитель. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026