Усилители звуковой частоты ЭКР1436УН1 и КР1064УН2. Справочные данные

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Справочные материалы

 Комментарии к статье

Микросхемы ЭКР1436УН1 и КР1064УН2 - аналоги микросхемы МC34119 фирмы "Моторола". Приборы ЭКР1436УН1 выпускает ПО "Интеграл" (г. Минск) в корпусе 2101.8-А в так называемом экспортном варианте с дюймовым шагом выводов 2,54 мм (на что указывает буква Э в ее наименовании). Микросхемы КР1064УН2 выпускает АО "Светлана" (г. С.-Петербург) в корпусе 2101.8-1 с метрическим шагом выводов 2,5 мм (рис. 1,а). Масса прибора - не более 1 г.

ПО "Интеграл" выпускает также вариант микросхемы ЭКР1436УН1в миниатюрном пластмассовом корпусе 4309.8-1 (рис. 1,б); масса этого прибора - не более 0,2 г.

Микросхема МC34119 была разработана для применения в качестве усилителя сигналов 3Ч в громкоговорящих телефонных аппаратах - их часто называютспикерфонами или Hands Free (сокращенно HF) - свободные руки.

Полностью отвечающая весьма жестким требованиям работы в телефонных аппаратах, эта микросхема оказалась перспективной и для применения в любительских конструкциях, в первую очередь в устройствах с автономным питанием. По многим показателям она превосходит микросхемные усилители 3Ч серий КР174УН23, КФ174УН23 и КФ174УН2301, которые фактически специализированы для звукоусиления в стерео- и монофонических плейерах.

В числе основных достоинств микросхем ЭКР1436УН1 и КР1064УН2 - широкие пределы питающего напряжения (2... 16 В), наличие противофазных выходов, что позволяет увеличить размах выходного напряжения почти в два раза (по сравнению с одиночными ОУ) и подключать динамическую головку непосредственно к выходам (без разделительного конденсатора). Кроме того, они отличаются малым потреблением тока в отсутствие входного сигнала и небольшим числом навесных элементов.

На рис. 2 представлена структурная схема собственно усилителя 3Ч ЭКР1436УН1 совместно с типовой схемой его включения. Усилитель содержит основной инвертирующий ОУ 1-DA1 и подключенный к его выходу дополнительный инвертирующий ОУ 1 - DA2, имеющий коэффициент передачи, близкий к 1.

В устройстве предусмотрена возможность переключения в режим пониженного энергопотребления. Для этого на вход блокировки подают напряжение, условно соответствующее высокому уровню, и выходы усилителя (выв. 5 и 8) переходят в высокоимпедансное состояние, а потребление тока резко уменьшается. Как только высокий уровень на входе блокировки сменится низким, усилитель возвращается в режим усиления. Эти оба режима иллюстрирует график, показанный на рис. 3. Кривые сняты при отсутствии входного сигнала и при отключенной нагрузке.

Сопротивление входа блокировки относительно общего провода равно примерно 90 кОм. Если режим блокировки не используют, можно оставлять вывод 1 свободным, но лучше соединить его с общим проводом.

Конденсаторы С2 и C3 служат для подавления пульсаций на неинвертирующем входе операционных усилителей 1-DA1 и 1-DA2; С2 - подавляет в большей степени ВЧ составляющую, а C3 - НЧ. При питании усилителя 3Ч от стабилизатора напряжения емкость конденсатора C3 допустимо уменьшить или вообще от него отказаться.

Коэффициент передачи Кп усилителя зависит от соотношения значений сопротивления резисторов R1 и R2, образующих цепь ОС: Kп = 2R2/R1. Сомножитель 2 в этой формуле обусловлен наличием ОУ 1-DA2.

Вывод 6 микросхемы соединяют с плюсовым проводом питания, а вывод 7 - с общим проводом.

Основные технические характеристики УЗЧ

• Сопротивление нагрузки, Ом ....8...100
• Коэффициент передачи, дБ, не менее, с разомкнутой петлей ОС на частоте не более 100 Гц......80
• Потребляемый ток, мА, не более,в рабочем режиме в отсутствие сигнала и нагрузки, при напряжении питания 3 В......4
• Потребляемый ток, мкА, не более, в режиме снижения мощности......100
• Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (площадь усиления), МГц, не менее .....1,5
• Напряжение смещения на выходных выводах 5 и 8, мВ, при напряжении питания 6 В и сопротивлении нагрузки 32 Ом в отсутствие сигнала......-30...+30
• типовое значение......0
• Коэффициент гармоник, %, при напряжении питания 3 В, сопротивлении нагрузки 8 Ом и выходной мощности 20 Вт (типовое значение)......0,5
• напряжении питания 6 В, сопротивлении нагрузки 32 Ом и выходной мощности 125 мВт......≤1
• типовое значение......0,5
• напряжении питания 12 В, сопротивлении нагрузки 32 Ом и выходной мощности 200 мВт (типовое значение)......0,6

Предельные эксплуатационные значения характеристик

• Напряжение питания, В......2...16
• Ток нагрузки по выходам, мА......75
• Напряжение высокого уровня на входе блокировки (выв. 1), В......2...Uпит
• Напряжение низкого уровня на входе блокировки, В .....0...0,8
• Выходная мощность, мВт, при коэффициенте гармоник не более 10% и при напряжении питания 3 В, сопротивлении нагрузки 16 Ом......55
• напряжении питания 6 В, сопротивлении нагрузки 32 0м......250
• напряжении питания 12 В, сопротивлении нагрузки 100 Ом......400
• Температурный рабочий интервал,°С......-20...+70

При указанных на схеме рис. 2 номиналах элементов цепи ОС в частотном интервале до 5 кГц усиление не менее 46 дБ (Кп - 200). Изменяя параметры цепи ОС, можно, как и для обычных ОУ, изменять коэффициент передачи и полосу пропускания.

Рассеиваемую микросхемой мощность определяют по формуле:

Ppac = Uпит · lпот + Uпит · lн.д. - Rн · Iн.д, где lпот определяют по графику, изображенному на рис. 3; lн.д. - действующее значение тока нагрузки; Rн - сопротивление нагрузки. Предельно допустимая рассеиваемая микросхемой мощность выражена соотношением Ррас max = = (140°C - Tокр.cp)/RT.K_c, где RTk.c - тепловое сопротивление корпус-окружающая среда. Для пластмассового прямоугольного корпуса Rt.k-c=100 °С/Вт, корпус прибора, рассчитанного на поверхностный монтаж, имеет Rt.k-c = 180 °С/Вт.

На рис. 4,а - в показаны зависимости мощности, рассеиваемой микросхемой, от полезной мощности, выделяемой на нагрузке, при трех значениях сопротивления нагрузки, а на рис. 5 - зависимости максимальной допустимой мощности нагрузки от напряжения питания.

Зависимости коэффициента гармоник Кг- от выходной мощности для различных значений напряжения питания, сопротивления нагрузки, частоты входного сигнала и коэффициента усиления представлены на рис. 6,а - в. Рис. 6,а соответствует частоте 1 кГц и коэффициенту усиления 34 дБ, рис. 6,6 - 3 кГц, 34 дБ, рис. 6,в - 1 и 3 кГц, 12 дБ.

Рис. 7 показывает, как зависит время включения усилителя при подаче напряжения питания от емкости конденсаторов С1 и С2.

На рис. 8 изображены частотные характеристики усилителя при различных параметрах цепи ОС.

Как уже было указано, при подаче на вход блокировки напряжения высокого уровня усилитель переходит в микромощный режим, в котором его выходное сопротивление резко увеличивается. При низкоомной нагрузке (например, динамическая головка прямого излучения) в этом режиме микросхема практически выключена, сигнал на выход не проходит.

Если же нагрузка имеет высокое сопротивление (вход другого усилителя, предположим), разница в прохождении сигнала может оказаться малоощутимой. Это обстоятельство необходимо иметь в виду в случаях, когда предполагается использовать режим блокировки для управления прохождением сигнала.

На рис. 9 представлен еще один вариант включения микросхемного усилителя 3Ч, обеспечивающий более высокое входное сопротивление - Rвх=125 кОм. При указанных на схеме номиналах элементов подавление пульсаций питающего напряжения достигает -50 дБ.

Иногда бывает необходимо подать на вход усилителя 3Ч выходные сигналы от нескольких источников при условии получения наилучшей взаиморазвязки источников и исключения влияния входных цепей на коэффициент передачи усилителя. В этом случае удобно воспользоваться схемой, показанной на рис. 2. Выход каждого источника сигнала соединяют со входом усилителя ЭКР1436УН1 через свою последовательную цепь из конденсатора и резистора (на рис. 2 показана только одна такая цепь). Изменяя сопротивление резистора, возможно получить требуемый коэффициент передачи сигнала от соответствующего источника к усилителю. Таким образом обеспечивают одинаковый уровень громкости при разных выходных уровнях сигналов источников.

На рис. 10 показан вариант питания описанных микросхем от двуполярного источника напряжением 2х(1...8) В. Если плечи двупол ярного источника несимметричны по напряжению, вывод 3 микросхемы необходимо подключать к общему проводу через конденсатор (см. основную типовую схему рис. 2).

Представленные схемы не исчерпывают возможных вариантов построения усилителей, поскольку описанные микросхемы обладают большой "гибкостью", позволяющей создавать для конкретных конструкций оптимальные условия работы.

Литература

1. Микросхемы для телефонии. Справочник. Вып. 1. - М.: Додека, 1994.
2. Коломбет Е., Юркович К., Зодл Я. Применение аналоговых микросхем. - М.: Радио и связь, 1990

Автор: Д.Турчинский

Смотрите другие статьи раздела Справочные материалы.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Власть является ключевым фактором счастья в отношениях 11.03.2026

Исследования семейных и романтических отношений показывают, что длительное счастье пары зависит не только от привычных факторов, таких как доверие, уважение и преданность, но и от более тонких психологических аспектов. Современные ученые ищут закономерности, которые отличают действительно счастливые пары от остальных, чтобы понять, какие механизмы поддерживают гармонию в отношениях. Группа исследователей из Университета Мартина Лютера в Галле-Виттенберге и Бамбергского университета провела опрос среди 181 пары, которые состояли в совместных отношениях более восьми лет и прожили вместе хотя бы месяц. Участники заполняли анкету, описывая различные аспекты своих отношений, включая распределение обязанностей, эмоциональную поддержку и степень вовлеченности в совместные решения. Анализ данных показал интересный паттерн: пары, где оба партнера ощущали высокий уровень личной власти, оказывались наиболее счастливыми и удовлетворенными. В данном контексте под властью понимается способност ...>>

Защищенная колонка-повербанк Anker Soundcore Boom Go 3i 11.03.2026

Компания Anker представила новую модель линейки Soundcore - колонку Soundcore Boom Go 3i, ориентированную на активное использование на улице. Новинка отличается высокой степенью защиты: корпус соответствует стандарту IP68, что обеспечивает водо- и пыленепроницаемость, а ударопрочный дизайн выдерживает падение с высоты до одного метра. За качество звука отвечает 15-ваттный драйвер, обеспечивающий пик громкости до 92 дБ, а технология BassUp 2.0 усиливает низкие частоты, делая звучание более насыщенным. Колонка обладает автономностью до 24 часов, а LED-индикатор позволяет контролировать уровень заряда батареи. Кроме того, Soundcore Boom Go 3i может выполнять функцию павербанка: согласно внутренним тестам, устройство способно зарядить iPhone 17 с нуля до 40% за один час, что делает его полезным аксессуаром в походах и поездках. Среди функциональных особенностей модели стоит выделить технологию Auracast, которая улучшает подключение и позволяет создавать стереопару из двух колонок ...>>

Раннее воздержание от алкоголя перестраивает мозг и иммунитет 10.03.2026

Алкогольная зависимость - хроническое расстройство с компульсивным употреблением спиртного, которое влияет не только на поведение, но и на функционирование мозга и иммунной системы. Недавние исследования показали, что даже на ранних этапах воздержания организм начинает перестраиваться, открывая новые возможности для терапии зависимости. Ученые сосредоточились на пациентах, находящихся в первые недели абстиненции, и зафиксировали значительные изменения в мозговой активности. С помощью функциональной магнитно-резонансной томографии они выявили перестройку сетей нейронных связей, отвечающих за контроль импульсов и принятие решений. Эти изменения могут быть ключевыми для восстановления самоконтроля и снижения риска рецидива. Одновременно с нейронной перестройкой исследователи наблюдали колебания иммунной системы. В крови повышался уровень цитокинов - сигнальных белков, регулирующих воспалительные процессы. Эти данные свидетельствуют о существовании нейроиммунного взаимодействия, при ...>>

Случайная новость из Архива Проблема хрупкости металлов преодолена 07.12.2012 Ученые из Университета Макгилла и Федеральной политехнической школы Лозанны в Швейцарии изучили хрупкость металлов и выяснили, как на это важнейшее свойство металлов влияет водород. Водород, как самый легкий элемент, легко растворяется и мигрирует внутри металлов, делая их более хрупкими и склонными к поломкам. Это явление было открыто в 1875 году, и с тех пор водородное охрупчивание (переход материала от вязкого состояния к хрупкому) является постоянной проблемой для проектирования конструкций в различных отраслях промышленности: от ручных инструментов до самолетов и ядерных реакторов. Несмотря на десятилетия исследований ученые все еще не до конца понимают физику, лежащую в основе водородного охрупчивания. Из-за этого трудно создать достоверную модель, предсказывающую поведение конструкции в тех или иных условиях или спустя много лет. В результате промышленные дизайнеры вынуждены прибегать к дорогостоящему и опасному методу проб и ошибок. Группа ученых впервые смогла тщательно изучить поведение водорода в металле на наноуровне. Благодаря этому удалось создать новую модель, впервые способную точно предсказать появление "водородной" хрупкости. Новая модель уже успешно применена для прогнозирования поведения ферритной стали и полностью согласуется с результатами экспериментов с реальными образцами. Таким образом, металлурги получили ценный инструмент для разработки следующего поколения прочных и долговечных конструкционных материалов. В нормальных условиях металлы могут претерпевать существенные пластические деформации при воздействии силы. Эта пластичность связана с присутствием нано- и микротрещин, которые создают места движения атомов (дислокации) и снимают напряжение в металле. Дислокации можно рассматривать как "транспортные средства", а нано- и микротрещины - как "транспортные узлы" пластической деформации. Таким образом полезные свойства, такие как пластичность и вязкость, основаны на работе этих структурных особенностей металлов. К сожалению, эти нано- и микротрещины также привлекают атомы водорода, которые создают своего рода "пробки" и блокируют движение атомов. В конечном итоге это приводит к разрушению материала - металл не гнется, а ломается.

Другие интересные новости:

▪ Свекольный сок обманет комаров

▪ Спасут ли куры Канаду

▪ Построится крупнейшая в мире волновая электростанция

▪ PTZ-камера наблюдения Xiaomi CW500

▪ Лунный ковчег для биоматериалов

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Нормативная документация по охране труда. Подборка статей

▪ статья Акустические колебания, их характеристика и воздействие на организм. Основы безопасной жизнедеятельности

▪ В чем специфика Реформации во Франции? Подробный ответ

▪ статья Нарушения мозгового кровообращения. Медицинская помощь

▪ статья Радиопередатчик с ЧМ в УКВ-диапазоне частот 61-73 МГц. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Усилитель-корректор для звукоснимателя. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026