Полевые транзисторы серии КП504. Справочные данные

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Справочные материалы

 Комментарии к статье

Полевые n-канальные кремниевые транзисторы КП504А-КП504Е средней мощности с изолированным затвором и обогащением канала изготавливают по эпитаксиально-планарной технологии. Прибор оснащен встроенным защитным обратносмещенным диодом, включенным между истоком и стоком.

Транзисторы предназначены для работы в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях напряжения с непрерывным и импульсным управлением, в приводных узлах маломощных электродвигателей и другой аппаратуре бытового и промышленного назначения.

Приборы оформлены в пластмассовом корпусе КТ-26 (ТО-92) с жесткими штампованными лужеными выводами (рис. 1). Зарубежный аналог транзистора КП504А -BSS88.

Основные характеристики при Токр.ср = 25±10°С

• Пороговое напряжение, В, при токе стока 1 мА и соединенных затворе истоке . . .0,6...2
• Сопротивление открытого канала, Ом, не более, при длительности импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50, при токе стока 0,25 А и напряжении затвор-исток 4,5 В для КП504А- КП504В, КП504Д, КП504Е......8
• КП504Г......10
• Сопротивление открытого канала, Ом, не более, при длительности импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50, при токе стока 14 мА и напряжении затвор-исток 1,8 В для КП504А- КП504В, КП504Д, КП504Е......15
• КП504Г......18
• Остаточный ток стока, мкА, не более, при максимально допустимом напряжении сток-исток и нулевом напряжении затвор- исток......1
• Ток утечки затвора, мкА, не более, при нулевом напряжении сток-исток и напряжении затвор-исток ±20 В......±0,1
• Крутизна вольт-амперной характеристики, А/В, не менее, при длительности импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50, при напряжении сток-исток 5 В и токе стока 0,25 А.......0,14
• Постоянное прямое напряжение защитного диода, В, не более, при длительности импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50, при нулевом напряжении затвор-исток и токе через диод 0,5 А для
• КП504А, КП504В-КП504Д......1,3
• КП504Б, КП504Е......1,8

Тепловое сопротивление кристалл-среда, °С/Вт, не более, для

• КП504А, КП504Б......125
• КП504В-КП504Е......177
• Емкость* транзистора, пФ, не более, при нулевом напряжении затвор-исток, напряжении сток-исток 25 В и частоте 1 МГц входная......140
• выходная......30
• проходная......9

* Справочные параметры.

Предельно допустимые значения

• Наибольшее напряжение сток-исток, В, для КП504А, КП504Б, КП504Д, КП504Е......240
• КП504В......200
• КП504Г......250
• Наибольшее напряжение затвор-исток, В......±10
• Наибольший постоянный ток* стока, мА, для
• КП504А, КП504Б......250
• КП504В, КП504Д, КП504Е......200
• КП504Г......180
• Наибольший импульсный ток* стока, А......1
• Наибольшая постоянная рассеиваемая мощность**, Вт, при температуре окружающей среды не более 25 °С, для КП504А, КП504Б......1
• КП504В- КП504Е......0,7
• Наибольшая температура кристалла, °С......150
• Рабочий температурный интервал окружающей среды, °С......-55...+125

* При условии непревышения предельных значений мощности рассеяния и температуры кристалла

** При температуре окружающей среды Токр.ср от +25 до +125 °С максимальную рассеиваемую мощность Рmax необходимо уменьшать в соответствии с формулой Рmax = ( Ткр max - Токр.ср)/RT.кр-ср, где Ткр max наибольшая температура кристалла; RT.кр-ср - тепловое сопротивление кристалл-среда.

Допустимое значение статического потенциала - 30 В в соответствии с ОСТ 11 073.062. Режим работы и условия монтажа транзисторов в аппаратуру - по ОСТ 11 336.907.0.

Наиболее важные графические типовые зависимости параметров транзисторов серии КП504 представлены ниже. На рис. 2,а и б показаны выходные характеристики при двух значениях температуры окружающей среды, а на рис. 3 - зависимость тока стока от напряжения затвор-исток. На рис. 4 изображена нормализованная зависимость сопротивления открытого канала прибора от температуры (RK - отношение текущего сопротивления канала к сопротивлению при температуре кристалла +25 °С).
Рис. 5 иллюстрирует температурное изменение порогового напряжения, а рис. 6 - максимально допустимой постоянной мощности рассеяния. Представление о том, как меняются значения входной, выходной и проходной емкости транзисторов при изменении напряжения сток-исток, дает график на рис. 7. Зависимость крутизны вольт-амперной характеристики и сопротивления открытого канала от тока стока представлены на рис. 8 и 9 соответственно. Мощностные возможности встроенного защитного диода демонстрирует рис. 10.

(нажмите для увеличения)

Автор: В.Киселев, г.Минск, Белоруссия

Смотрите другие статьи раздела Справочные материалы.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Расставание действительно может причинять физическую боль 16.09.2026

Разрыв отношений с близким человеком способно вызывать настолько сильные переживания, что привычное выражение "разбитое сердце" иногда воспринимается почти буквально. Человек может испытывать тревогу, тоску и эмоциональное напряжение, сопровождающиеся вполне реальными телесными ощущениями. Исследования работы мозга показывают, что такая связь между эмоциональными и физическими страданиями может иметь вполне определенную нейробиологическую основу. Эксперимент, позволивший изучить этот вопрос, провела команда психолога Итана Кросса из Мичиганского университета. В исследовании участвовали 40 человек, недавно переживших расставание по инициативе партнера. Все добровольцы продолжали остро реагировать на произошедшее, что позволило исследователям изучить мозговую активность в период наиболее сильных переживаний. Во время эксперимента участников помещали в аппарат магнитно-резонансной томографии. Испытуемым поочередно показывали фотографию бывшего партнера и подвергали предплечье воздей ...>>

Научно доказана невозможность создания нейтринного лазера 16.09.2026

Лазер давно перестал быть исключительно лабораторной технологией: сегодня он используется в связи, медицине, промышленности и научных исследованиях. Поэтому физики периодически предлагают необычные варианты устройств, способных работать по аналогичным принципам, но с другими типами частиц. В 2025 году появилась идея создать лазер, формирующий направленный поток нейтрино. Однако последующий теоретический анализ показал, что привлекательная на первый взгляд концепция сталкивается не просто с техническими трудностями, а с фундаментальными законами квантовой физики. Первоначальную концепцию предложили профессор Массачусетского технологического института (MIT) Джо Формаджио (Joe Formaggio) и Бен Джонс (Ben Jones) из Техасского университета в Арлингтоне. Согласно их замыслу, облако радиоактивных атомов следовало охладить до сверхнизких температур порядка нанокельвинов - миллиардных долей кельвина. В таких условиях атомы могли бы сформировать Бозе - Эйнштейновский конденсат, особое квантов ...>>

Индекс нижнего белья раскрыл состояние швейцарских почв 15.09.2026

Почва кажется обычной частью окружающего нас ландшафта, однако под ее поверхностью существует сложная экосистема, от состояния которой напрямую зависит жизнь человека. Миллиарды микроорганизмов, черви, грибы и другие обитатели почвы перерабатывают органические вещества и участвуют в круговороте питательных элементов. Чтобы привлечь внимание общества к этой мало заметной проблеме, исследователи из Цюрихского университета придумали весьма необычный эксперимент: они закопали более 2000 пар хлопкового нижнего белья в садах, на лугах, полях и газонах по всей Швейцарии. Проект получил название "Доказательство в виде нижнего белья" и представлял собой не массовую шутку, а научный эксперимент, позволяющий наглядно оценить биологическую активность почвы. Исследователи помещали хлопковые изделия в землю, а примерно через два месяца извлекали их и сравнивали степень разрушения ткани. Некоторые образцы за это время практически исчезали, оставляя лишь отдельные фрагменты швов, тогда как на други ...>>

Случайная новость из Архива Новая экстримальная батарейка 13.03.2020 Ученые из Стэнфордского университета создали не имеющую аналогов литий-ионную батарейку, работающую даже во время горения. Новая технология позволит избежать внезапных взрывов. Создатели описывают твердотельный электролит SSE, как огнеупорное устройство, которое они использовали в литий-ионный батарейках. Девайс изготовлен из материала декабромдифенилэтана. Для производства электролита использована тонкая пленка, которая комбинируется с DBDPE, имеющим механический усилитель. Применение полиимида имеет ряд плюсов: высокая температура плавления, прочность, пониженный риск короткого замыкания. Бюджетную батарею легко производить на стандартном оборудовании.

Другие интересные новости:

▪ Возвращение к физическим кнопкам вместо сенсорных экранов

▪ Домашний помощник Alibaba Tmall Genie

▪ Самолеты и климат

▪ Беспилотник в стиле олуши

▪ Создан пожирающий информацию квантовый демон Максвелла

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Микроконтроллеры. Подборка статей

▪ статья Отколе, умная, бредешь ты голова? Крылатое выражение

▪ статья Почему черная кошка считается плохой приметой? Подробный ответ

▪ статья Рута садовая. Легенды, выращивание, способы применения

▪ статья Встраиваемый вольтметр на PIC12F675. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Громкоговоритель с ФНЧ для радиоприемника или радиостанции. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026