Menu Home

Бесплатная техническая библиотека для любителей и профессионалов Бесплатная техническая библиотека


Полевые транзисторы серии КП504. Справочные данные

Бесплатная техническая библиотека

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Справочные материалы

 Комментарии к статье

Полевые n-канальные кремниевые транзисторы КП504А-КП504Е средней мощности с изолированным затвором и обогащением канала изготавливают по эпитаксиально-планарной технологии. Прибор оснащен встроенным защитным обратносмещенным диодом, включенным между истоком и стоком.

Транзисторы предназначены для работы в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях напряжения с непрерывным и импульсным управлением, в приводных узлах маломощных электродвигателей и другой аппаратуре бытового и промышленного назначения.

Приборы оформлены в пластмассовом корпусе КТ-26 (ТО-92) с жесткими штампованными лужеными выводами (рис. 1). Зарубежный аналог транзистора КП504А -BSS88.

Полевые транзисторы серии КП504

Основные характеристики при Токр.ср = 25±10°С

  • Пороговое напряжение, В, при токе стока 1 мА и соединенных затворе истоке . . .0,6...2
  • Сопротивление открытого канала, Ом, не более, при длительности импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50, при токе стока 0,25 А и напряжении затвор-исток 4,5 В для КП504А- КП504В, КП504Д, КП504Е......8
  • КП504Г......10
  • Сопротивление открытого канала, Ом, не более, при длительности импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50, при токе стока 14 мА и напряжении затвор-исток 1,8 В для КП504А- КП504В, КП504Д, КП504Е......15
  • КП504Г......18
  • Остаточный ток стока, мкА, не более, при максимально допустимом напряжении сток-исток и нулевом напряжении затвор- исток......1
  • Ток утечки затвора, мкА, не более, при нулевом напряжении сток-исток и напряжении затвор-исток ±20 В......±0,1
  • Крутизна вольт-амперной характеристики, А/В, не менее, при длительности импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50, при напряжении сток-исток 5 В и токе стока 0,25 А.......0,14
  • Постоянное прямое напряжение защитного диода, В, не более, при длительности импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50, при нулевом напряжении затвор-исток и токе через диод 0,5 А для
  • КП504А, КП504В-КП504Д......1,3
  • КП504Б, КП504Е......1,8

Тепловое сопротивление кристалл-среда, °С/Вт, не более, для

  • КП504А, КП504Б......125
  • КП504В-КП504Е......177
  • Емкость* транзистора, пФ, не более, при нулевом напряжении затвор-исток, напряжении сток-исток 25 В и частоте 1 МГц входная......140
  • выходная......30
  • проходная......9

* Справочные параметры.

Предельно допустимые значения

  • Наибольшее напряжение сток-исток, В, для КП504А, КП504Б, КП504Д, КП504Е......240
  • КП504В......200
  • КП504Г......250
  • Наибольшее напряжение затвор-исток, В......±10
  • Наибольший постоянный ток* стока, мА, для
  • КП504А, КП504Б......250
  • КП504В, КП504Д, КП504Е......200
  • КП504Г......180
  • Наибольший импульсный ток* стока, А......1
  • Наибольшая постоянная рассеиваемая мощность**, Вт, при температуре окружающей среды не более 25 °С, для КП504А, КП504Б......1
  • КП504В- КП504Е......0,7
  • Наибольшая температура кристалла, °С......150
  • Рабочий температурный интервал окружающей среды, °С......-55...+125

* При условии непревышения предельных значений мощности рассеяния и температуры кристалла

** При температуре окружающей среды Токр.ср от +25 до +125 °С максимальную рассеиваемую мощность Рmax необходимо уменьшать в соответствии с формулой Рmax = ( Ткр max - Токр.ср)/RT.кр-ср, где Ткр max наибольшая температура кристалла; RT.кр-ср - тепловое сопротивление кристалл-среда.

Допустимое значение статического потенциала - 30 В в соответствии с ОСТ 11 073.062. Режим работы и условия монтажа транзисторов в аппаратуру - по ОСТ 11 336.907.0.

Наиболее важные графические типовые зависимости параметров транзисторов серии КП504 представлены ниже. На рис. 2,а и б показаны выходные характеристики при двух значениях температуры окружающей среды, а на рис. 3 - зависимость тока стока от напряжения затвор-исток. На рис. 4 изображена нормализованная зависимость сопротивления открытого канала прибора от температуры (RK - отношение текущего сопротивления канала к сопротивлению при температуре кристалла +25 °С).
Рис. 5 иллюстрирует температурное изменение порогового напряжения, а рис. 6 - максимально допустимой постоянной мощности рассеяния. Представление о том, как меняются значения входной, выходной и проходной емкости транзисторов при изменении напряжения сток-исток, дает график на рис. 7. Зависимость крутизны вольт-амперной характеристики и сопротивления открытого канала от тока стока представлены на рис. 8 и 9 соответственно. Мощностные возможности встроенного защитного диода демонстрирует рис. 10.

Полевые транзисторы серии КП504
(нажмите для увеличения)

Автор: В.Киселев, г.Минск, Белоруссия

Смотрите другие статьи раздела Справочные материалы.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Хорошо управляемые луга могут компенсировать выбросы от скота 15.02.2026

Животноводство, особенно разведение крупного рогатого скота, часто обвиняют в значительном вкладе в глобальное потепление из-за мощного парникового газа - метана, который выделяется при пищеварении у жвачных животных. Это вызывает острые политические споры и призывы к сокращению потребления мяса. Однако ученые напоминают, что полная картина климатического воздействия отрасли не ограничивается только выбросами от животных: огромную роль играет окружающая экосистема - пастбища, почва и растительность, которые способны активно поглощать углекислый газ из атмосферы. Исследователи из Университета Небраски-Линкольна решили глубже изучить этот баланс. Группа под руководством профессора Галена Эриксона сосредоточилась на том, как правильно организованные пастбища накапливают углерод в растениях и грунте благодаря естественным процессам, стимулируемым выпасом скота. Ученые подчеркивают, что при достаточном уровне осадков и грамотном управлении такие луга превращаются в мощные природные погло ...>>

NASA тестирует инновационную технологию крыла 15.02.2026

Коммерческая авиация ежегодно расходует колоссальные объемы керосина, что сказывается не только на бюджете авиакомпаний, но и на состоянии окружающей среды. В 2024 году глобальные затраты на авиационное топливо достигли 291 миллиарда долларов, и эта сумма продолжает расти. Чтобы справиться с этими вызовами, NASA активно работает над технологиями, способными заметно повысить аэродинамическую эффективность самолетов. Одним из самых перспективных направлений стало создание специальной конструкции крыла, которая максимизирует естественный ламинарный поток воздуха и минимизирует сопротивление. В январе 2026 года специалисты NASA Armstrong Flight Research Center успешно провели важный этап наземных испытаний концепции Crossflow Attenuated Natural Laminar Flow (CATNLF). Для эксперимента под фюзеляж исследовательского самолета F-15B закрепили вертикально ориентированную масштабную модель высотой около 0,9 м (3 фута), напоминающую узкий киль. Такая компоновка позволила подвергнуть прототип р ...>>

Забота о внуках очень полезна для здоровья мозга 14.02.2026

Общение между поколениями приносит радость всей семье, но мало кто задумывается, насколько активно бабушки и дедушки, заботящиеся о внуках, поддерживают свою умственную форму. Регулярное взаимодействие с детьми стимулирует мозг пожилых людей, помогая сохранять память, скорость мышления и общую когнитивную активность. Новые научные данные подтверждают, что такая добровольная помощь не только важна для общества, но и может замедлять возрастные изменения в мозге. Исследователи из Тилбургского университета в Нидерландах провели анализ, чтобы понять, приносит ли уход за внуками реальную пользу здоровью пожилых людей. Ведущий автор работы Флавия Черечес отметила, что многие бабушки и дедушки регулярно присматривают за детьми, и оставался открытым вопрос, насколько это положительно сказывается на их собственном благополучии, особенно в плане когнитивных функций. Ученые поставили цель выяснить, способен ли регулярный уход за внуками замедлить снижение памяти и других умственных способ ...>>

Случайная новость из Архива

Сгенерирован кратчайший электронный взрыв 27.02.2023

Вы когда-нибудь задумывались, почему ваш компьютер и другие электронные устройства иногда работают быстро, а иногда медленно? Все сводится к скорости, с которой электроны, мельчайшие частицы нашего микромира, вытекают из крошечных проводов внутри транзисторов электронных микросхем и создают импульсы. Разработка способов роста данной скорости имеет решающее значение для заслуги наибольшего потенциала производительности электроники и ее программ.

Но какое самое короткое время для электронов, чтобы вытекать из крохотного металлического свинца в электронной схеме?

Используя чрезвычайно короткие лазерные вспышки, команда исследователей под руководством профессора Элефтериоса Гулиэлмакиса, руководителя группы экстремальной фотоники Института физики Университета Ростока, и сотрудников Института исследования твердого тела Макса Планка в Штутгарте использовала состояние современных сегодня.

В то время как давно известно, что свет может высвобождать электроны из металлов (Эйнштейн был первым, кто объяснил, как), этим процессом чрезвычайно тяжело манипулировать. Электрическое поле света изменяет свое направление примерно миллион миллиардов раз в секунду, что затрудняет контроль над тем, как оно отрывает электроны от поверхности металлов.

Чтобы преодолеть эту проблему, ученые из Ростока и их коллеги использовали современную технологию, ранее разработанную их группой, - синтез светового поля, - что позволило им сократить световую вспышку до меньшего, чем полный размах его собственного поля. В свою очередь они использовали эти вспышки, чтобы осветить кончик вольфрамовой иглы, чтобы освободить электроны в вакуум.

"Используя световые импульсы, содержащие всего один цикл своего поля, теперь можно дать электронам точно контролируемый удар, чтобы освободить их от вольфрамового кончика в течение очень короткого интервала времени", - объясняет Элефтериос Гулиэлмакис, руководитель исследовательской группы.

Но эту проблему невозможно было бы решить, если ученые также не нашли способ измерить кратковременность этих вспышек электронов. Чтобы преодолеть это препятствие, команда разработала новый тип камеры, которая может производить мгновенные снимки электронов в течение короткого времени, когда лазер выталкивает их из нанокончика в вакуум.

"Хитрость заключалась в том, чтобы использовать вторую, очень слабую, световую вспышку", - сказал доктор Хи-Йонг Ким, ведущий автор нового исследования. "Эта вторая лазерная вспышка может мягко исказить энергию взрыва электронов, чтобы узнать, как это выглядит со временем", - добавляет он. "Это как игра "Что в коробке?" где игроки пытаются узнать объект, не смотря на него, но просто повернув его, чтобы почувствовать его форму руками", - продолжает он.

Но как эту технологию можно использовать в электронике? "Поскольку технология быстро развивается, разумно ожидать разработки микроскопических электронных схем, в которых электроны двигаются в вакуумном пространстве среди плотно упакованных свинцов, чтобы предотвратить замедляющие их препятствия", - говорит Гулиэлмакис. "Использование света для выброса электронов и перемещение их между этими проводами может ускорить будущую электронику в несколько тысяч раз по сравнению с сегодняшней", - объясняет он.

Но исследователи считают, что их не так давно разработанная методология будет использована конкретно в научных целях. "Выброс электронов из металла в пределах доли цикла светового поля значительно упрощает эксперименты и позволяет нам использовать передовые теоретические методы для понимания эмиссии электронов способом, ранее невозможным", - говорит профессор Томас Феннел, соавтор исследования.

Другие интересные новости:

▪ Города станут чище

▪ Нанопровода на графене растут сами

▪ Иммунитет сохраняет татуировки

▪ Смех матери и здоровье ребенка

▪ Sony и Samsung продолжили ЖК-гонку

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

 

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Детская научная лаборатория. Подборка статей

▪ статья Виктор Гюго. Знаменитые афоризмы

▪ статья Когда впервые появилось вино? Подробный ответ

▪ статья Василистник малый. Легенды, выращивание, способы применения

▪ статья Асфальтовый лак. Простые рецепты и советы

▪ статья А монетка-то целая! Секрет фокуса. Секрет фокуса

Оставьте свой комментарий к этой статье:

Имя:


E-mail (не обязательно):


Комментарий:





Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте

www.diagram.com.ua

www.diagram.com.ua
2000-2026