Бесплатная техническая библиотека
Мощные полевые транзисторы серии КП742. Справочные данные

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Справочные материалы
Комментарии к статье
Кремниевые n-канальные полевые транзисторы КП742А и КП742Б с изолированным затвором, обогащением канала, с встроенным защитным обратновключенным диодом изготавливают по зпитаксиально-планарной технологии. Приборы предназначены для работы в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях напряжения с непрерывным и импульсным управлением, в приводах электродвигателей и другой аппаратуре, используемой в быту и промышленности.
Транзисторы оформлены в пластмассовом прямоугольном корпусе КТ-43 (ТО-218) с жесткими штампованными лужеными выводами (рис. 1); масса прибора - не более 6 г.

Зарубежный аналог транзистора КП742А - STH75N06, КП742Б - STH75N05 фирмы SGS-THOMSON.
Основные технические характеристики при Ткорп = 25 °С
- Пороговое напряжение, В, при токе стока 0,25 мА и соединенных затворе и стоке......2...4
- Сопротивление открытого канала, Ом, не более, при длительности импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50, при токе стока 40 А и напряжении затвор-исток 10 В для КП742А......0,014
- КП742Б......0,012
- Остаточный ток стока, мкА, не более, при максимальном напряжении сток-исток и нулевом напряжении затвор-исток......250
- Ток утечки затвора, нА, не более, при напряжении затвор-исток ±20 В и нулевом напряжении сток-исток......±100
- Крутизна ВАХ, А/В, не менее, при длительности импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50, при напряжении сток-исток 10 В и токе стока 40 А......25
- Максимальная частота усиления, МГц, не менее......1
- Время включения*, мкс, не более, при напряжении сток-исток 25 В, токе стока 40 А, выходном сопротивлении источника сигнала 6,2 Ом, сопротивлении в цепи стока 50 Ом, напряжении затвор-исток 10 В, длительности импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50......1,57
- Время выключения*, мкс, не более, при напряжении сток-исток 40 В, токе стока 75 А, выходном сопротивлении источника сигнала 50 Ом, сопротивлении в цепи стока 50 Ом, напряжении затвор-исток 10 В, длительности импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50 для КП742А......0,97
- КП742Б......1,08
- Емкость транзистора*, пф, не более, при напряжении сток-исток 25 В, нулевом напряжении затвор-исток и частоте 1 М Гц входная......5200
- выходная......2300
- проходная......650
- Тепловое сопротивление кристалл-корпус, С/Вт, не более......30
- Постоянное прямое напряжение открытого защитного диода. В, не более, при нулевом напряжении затвор-исток, длительности импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50 для КП742А при токе через стоковый вывод 75 А и КП742Б - 80А......1,6
- Время обратного восстановления диода*, не, при напряжении сток-исток 35 В, скорости нарастания тока диода 100 А/мкс, длительности импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50 для КП742А при токе через стоковый вывод 75 А и КП742Б - 80 А......130
* Справочные параметры.
Предельно допустимые значения
- Наибольшее напряжение сток-исток, В, для КП742А......60
- КП742Б......50
- Наибольшее напряжение затвор-исток, В......±20
- Наибольший постоянный ток стока*, А, при температуре корпуса не более 25 °С для КП742А......75
- КП742Б......80
- Наибольший импульсный ток стока*, А, для КП742А......300
- КП742Б......320
- Наибольший прямой ток защитного диода, А, для КП742А......75
- КП742Б......80
- Наибольшая постоянная рассеиваемая мощность**, Вт, при температуре корпуса 25 °С......200
- Наибольшая температура кристалла, "С......175
- Рабочий интервал температуры окружающей среды, "С......-55...+150
* При условии непревышения значений максимальных рассеиваемой мощности и температуры кристалла.
** При температуре окружающей среды более 25 °С максимальная допустимая мощность Рmax, должна быть снижена в соответствии с формулой

где Tkp max и Ткорп - значения максимально допустимой температуры кристалла и текущей температуры корпуса транзистора; Rт кр-корп - тепловое сопротивление кристалл-корпус.
Допустимое значение статического потенциала - 500 В в соответствии с ОСТ 11 073.062. Режим и условия монтажа транзисторов в аппаратуру - по ОСТ 11 336.907.0.
Графические типовые зависимости параметров транзисторов КП742А и КП742Б представлены на рис. 2-7.

На рис. 2,а и б показаны семейства выходных характеристик приборов при двух значениях температуры корпуса, а на рис. 3 - температурная зависимость сопротивления открытого канала (нормированная относительно точки, где температура кристалла Ткр = 25 °С). Рис. 4 иллюстрирует зависимость тока стока от напряжения затвор-исток.

Зависимости входной, выходной и проходной емкости приборов от напряжения сток-исток изображены на рис. 5. Ток стока при повышении температуры корпуса необходимо снижать в соответствии с кривой на рис. 6.

Падение напряжения на открытом защитном диоде в зависимости от прямого тока через него показано на рис. 7 (здесь Ic - ток через стоковый вывод прибора).

Автор: В.Киселев, г.Минск, Белоруссия
Смотрите другие статьи раздела Справочные материалы.
Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.
<< Назад
Последние новости науки и техники, новинки электроники:
Экраны влияют на детей неравномерно в разном возрасте
01.08.2026
Планшеты и смартфоны давно стали привычной частью повседневной жизни даже самых маленьких детей. Родители часто используют гаджеты, чтобы успокоить малыша или занять его на время, однако ученые все чаще задаются вопросом, как экранное время сказывается на развитии мозга и будущей способности к обучению. Новое исследование показывает, что значение имеет не только продолжительность просмотра, но и возраст, в котором ребенок проводит время перед экраном.
Ученые наблюдали детей от рождения до 8 лет. Оказалось, что больше всего экраны влияют на мозг в два периода - в раннем младенческом возрасте и перед поступлением в школу. У детей, много времени проводивших перед экранами в эти возрастные точки, в 9 лет были несколько хуже успехи в обучении, а в 10,5 лет хуже работала рабочая память - способность удерживать и обрабатывать информацию здесь и сейчас.
Исследователи из Франции и Сингапура проанализировали данные 502 детей и выделили два ключевых этапа. У младенцев мозг развивается очень ...>>
Умные жилеты, спасающие от жары
01.08.2026
Летняя жара в больших городах все чаще становится серьезным испытанием для людей, работающих на открытом воздухе. Мусорщики, строители и другие специалисты вынуждены проводить часы под палящим солнцем, рискуя перегревом. Китайские инженеры предложили практичное решение - специальные охлаждающие жилеты, которые помогают снизить ощущаемую температуру примерно на 10 градусов.
Пока мир страдает от сильной жары, китайские инженеры разработали "умные" жилеты с климат-контролем. Жилеты с кондиционированием почти не отличаются от обычной рабочей одежды. Главное отличие - в системе охлаждения. В городе Нанкин в жилет вмонтированы два вентилятора, работающих от портативных аккумуляторов. Одного заряда хватает на 3-4 часа непрерывной работы.
В Чанчжоу решили разместить в карманах охлаждающие элементы с материалом, который при нагревании переходит из твердого состояния в жидкое, активно поглощая тепло. Это поддерживает комфортную температуру в течение 2,5-4 часов. Такие жилеты выглядят почти ...>>
Летающие ветротурбины 3 МВт вышли в серию
31.07.2026
Традиционные ветряные электростанции зависят от силы и стабильности ветра у поверхности земли, где воздушные потоки часто бывают слабыми и порывистыми. На больших высотах ветер обычно сильнее и постояннее, поэтому инженеры уже давно рассматривают возможность подъема турбин в воздух. Китайская компания сделала важный шаг в этом направлении, перейдя от испытаний к мелкосерийному производству.
Компания Beijing Linyi Yunchuan Energy Technology запустила мелкосерийное производство летающей ветротурбины S2000, а в провинции Чжэцзян возводят отдельный завод по производству материалов для оболочки аппарата. У компании уже есть предварительные договоренности с прибрежными городами и горными регионами, которые рассматривают возможность использования этой технологии для удовлетворения собственных энергетических потребностей. Прототип, который полгода назад только что поднялся в небо над Сычуанем, теперь превращается в целую отрасль.
Идея S2000 проста: вместо того чтобы устанавливать ветряну ...>>
Случайная новость из Архива Реакция мозга на оскорбления и комплименты
20.07.2022
Слова играют большую роль в человеческих взаимодействиях. Они могут причинить серьезный дискомфорт и боль, поставить под угрозу репутацию и самолюбие. Однако мы до сих пор мало знаем о том, как именно мозг воспринимает обидные слова.
Ученые из Утрехтского и Лейденского университетов (Нидерланды) решили разобраться в этой связи между эмоциями и языком.
Авторы предположили, что словесные оскорбления запускают каскад быстро следующих друг за другом или перекрывающихся эффектов обработки информации, а повторение может по-разному влиять на разные части этого каскада. Например, некоторые из них способны быстро исчезать при повторении, а другие - оставаться выраженными в течение длительного времени.
В исследовании приняли участие 79 женщин. Во время эксперимента они читали серию повторяющих утверждений трех типов: оскорбления (например, "Линда ужасная"), комплименты ("Линда впечатляющая") и нейтральные, фактически правильные описательные утверждения ("Линда - голландка"). Чтобы проверить, зависело ли воздействие слов от того, кому они были адресованы, ученые использовали в одной половине утверждений имя участницы эксперимента, а в другой - незнакомое имя. В эксперименте не было реального взаимодействия между участницами и другим человеком, а самим добровольцам сказали, что заявления, которые они читали, сделали три разных мужчины. Активность мозга испытуемых во время эксперимента фиксировали с помощью электроэнцефалографии (ЭЭГ).
Оказалось, даже вне реального взаимодействия словесные оскорбления все равно задевали испытуемых. Причем эффект сохранялся и при повторении. Об этом свидетельствовал потенциал, связанный с событием (ERP), - измеренный по ЭЭГ отклик мозга на стимулы (высказывания). Один из этих сигналов, называющийся P2, был более выражен при восприятии негативной лексики и оставался устойчивым при ее повторении и не зависел от того, о ком было оскорбление. Значит, негативная оценочная лексика привлекает больше внимания нашего мозга.
Комплименты вызывали менее сильный эффект P2. Таким образом, мозг склонен уделять больше внимания неприятным высказываниям. Вероятно, это связано с тем, что даже написанные слова ассоциируются с ситуациями межличностного взаимодействия, некоторые из которых могут быть опасными либо неприятными и потребовать от нас ответных действий.
|
Другие интересные новости:
▪ Воспоминания согревают и душу, и тело
▪ Карты памяти Adata ISC3E CFast спецификаций CFast 2.0 и SATA 3.1
▪ Кевлар для аккумулятора
▪ Микросхема LSM6DSO32 для MEMS-датчиков движения
▪ Сбой коровьего компаса
Лента новостей науки и техники, новинок электроники
Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:
▪ раздел сайта Ваши истории. Подборка статей
▪ статья Орест и Пилад. Крылатое выражение
▪ статья Почему температуру воздуха всегда измеряют в тени? Подробный ответ
▪ статья Мещера. Чудо природы
▪ статья Энергетические установки использующие низкотемпературные источники энергии. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники
▪ статья Недоступное лакомство. Секрет фокуса
Оставьте свой комментарий к этой статье:
Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте

www.diagram.com.ua
2000-2026