Мощные полевые транзисторы серии КП742. Справочные данные

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Справочные материалы

 Комментарии к статье

Кремниевые n-канальные полевые транзисторы КП742А и КП742Б с изолированным затвором, обогащением канала, с встроенным защитным обратновключенным диодом изготавливают по зпитаксиально-планарной технологии. Приборы предназначены для работы в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях напряжения с непрерывным и импульсным управлением, в приводах электродвигателей и другой аппаратуре, используемой в быту и промышленности.

Транзисторы оформлены в пластмассовом прямоугольном корпусе КТ-43 (ТО-218) с жесткими штампованными лужеными выводами (рис. 1); масса прибора - не более 6 г.

Зарубежный аналог транзистора КП742А - STH75N06, КП742Б - STH75N05 фирмы SGS-THOMSON.

Основные технические характеристики при Ткорп = 25 °С

• Пороговое напряжение, В, при токе стока 0,25 мА и соединенных затворе и стоке......2...4
• Сопротивление открытого канала, Ом, не более, при длительности импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50, при токе стока 40 А и напряжении затвор-исток 10 В для КП742А......0,014
• КП742Б......0,012
• Остаточный ток стока, мкА, не более, при максимальном напряжении сток-исток и нулевом напряжении затвор-исток......250
• Ток утечки затвора, нА, не более, при напряжении затвор-исток ±20 В и нулевом напряжении сток-исток......±100
• Крутизна ВАХ, А/В, не менее, при длительности импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50, при напряжении сток-исток 10 В и токе стока 40 А......25
• Максимальная частота усиления, МГц, не менее......1
• Время включения*, мкс, не более, при напряжении сток-исток 25 В, токе стока 40 А, выходном сопротивлении источника сигнала 6,2 Ом, сопротивлении в цепи стока 50 Ом, напряжении затвор-исток 10 В, длительности импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50......1,57
• Время выключения*, мкс, не более, при напряжении сток-исток 40 В, токе стока 75 А, выходном сопротивлении источника сигнала 50 Ом, сопротивлении в цепи стока 50 Ом, напряжении затвор-исток 10 В, длительности импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50 для КП742А......0,97
• КП742Б......1,08
• Емкость транзистора*, пф, не более, при напряжении сток-исток 25 В, нулевом напряжении затвор-исток и частоте 1 М Гц входная......5200
• выходная......2300
• проходная......650
• Тепловое сопротивление кристалл-корпус, С/Вт, не более......30
• Постоянное прямое напряжение открытого защитного диода. В, не более, при нулевом напряжении затвор-исток, длительности импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50 для КП742А при токе через стоковый вывод 75 А и КП742Б - 80А......1,6
• Время обратного восстановления диода*, не, при напряжении сток-исток 35 В, скорости нарастания тока диода 100 А/мкс, длительности импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50 для КП742А при токе через стоковый вывод 75 А и КП742Б - 80 А......130

* Справочные параметры.

Предельно допустимые значения

• Наибольшее напряжение сток-исток, В, для КП742А......60
• КП742Б......50
• Наибольшее напряжение затвор-исток, В......±20
• Наибольший постоянный ток стока*, А, при температуре корпуса не более 25 °С для КП742А......75
• КП742Б......80
• Наибольший импульсный ток стока*, А, для КП742А......300
• КП742Б......320
• Наибольший прямой ток защитного диода, А, для КП742А......75
• КП742Б......80
• Наибольшая постоянная рассеиваемая мощность**, Вт, при температуре корпуса 25 °С......200
• Наибольшая температура кристалла, "С......175
• Рабочий интервал температуры окружающей среды, "С......-55...+150

* При условии непревышения значений максимальных рассеиваемой мощности и температуры кристалла.

** При температуре окружающей среды более 25 °С максимальная допустимая мощность Рmax, должна быть снижена в соответствии с формулой

где Tkp max и Ткорп - значения максимально допустимой температуры кристалла и текущей температуры корпуса транзистора; Rт кр-корп - тепловое сопротивление кристалл-корпус.

Допустимое значение статического потенциала - 500 В в соответствии с ОСТ 11 073.062. Режим и условия монтажа транзисторов в аппаратуру - по ОСТ 11 336.907.0.

Графические типовые зависимости параметров транзисторов КП742А и КП742Б представлены на рис. 2-7.

На рис. 2,а и б показаны семейства выходных характеристик приборов при двух значениях температуры корпуса, а на рис. 3 - температурная зависимость сопротивления открытого канала (нормированная относительно точки, где температура кристалла Ткр = 25 °С). Рис. 4 иллюстрирует зависимость тока стока от напряжения затвор-исток.

Зависимости входной, выходной и проходной емкости приборов от напряжения сток-исток изображены на рис. 5. Ток стока при повышении температуры корпуса необходимо снижать в соответствии с кривой на рис. 6.

Падение напряжения на открытом защитном диоде в зависимости от прямого тока через него показано на рис. 7 (здесь Ic - ток через стоковый вывод прибора).

Автор: В.Киселев, г.Минск, Белоруссия

Смотрите другие статьи раздела Справочные материалы.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Микропластик в атмосфере - скрытый ускоритель глобального потепления 31.05.2026

Микропластик уже давно признан одним из самых масштабных загрязнителей планеты. Он проникает в океаны, почву, организмы животных и даже в тело человека. Однако до недавнего времени мало кто задумывался о его влиянии на климатические процессы. Новое исследование показало, что микро- и нанопластик в атмосфере способен поглощать тепло, тем самым внося дополнительный вклад в глобальное потепление. Ученые обнаружили, что воздействие пластиковых частиц на климат зависит от их цвета. Светлые частицы отражают солнечный свет и способствуют некоторому охлаждению, в то время как более темные - активно поглощают тепло и излучение. Со временем пластик в атмосфере темнеет под воздействием ультрафиолета, что усиливает его согревающий эффект. Этот процесс напоминает пожелтение пластиковых парковочных талонов, оставленных на солнце. Соавтор исследования, заслуженный профессор наук о Земле в Университете Дьюка Дрю Шинделл отметил, что влияние микропластика на изменение климата пока относительно не ...>>

Универсальный бытовой робот-гуманоид GigaAI SeeLight S1 31.05.2026

Развитие робототехники постепенно переносит сложные машины из промышленных цехов прямо в повседневную жизнь людей. Китайская компания GigaAI сделала важный шаг в этом направлении, представив SeeLight S1 - первую в стране модель универсального бытового робота-гуманоида. Эта разработка призвана взять на себя рутинные домашние дела и стать настоящим помощником в повседневной жизни. Уже в конце текущего месяца сотня роботов SeeLight S1 начнет проходить испытания в специализированном жилом комплексе, предназначенном для работников высокотехнологичных отраслей. По словам генерального директора GigaAI Чжу Чжэна, в первой половине 2027 года роботы будут переданы для бесплатного тестирования обычным семьям в Ухане - столице провинции Хубэй. Такой подход позволит собрать реальные данные о работе устройства в домашних условиях. В демонстрационном видео робот, передвигающийся на колесах, уверенно справляется с множеством бытовых задач. Он нарезает овощи, жарит яйца, загружает стиральную маши ...>>

Вкусовые пристрастия формируются еще в утробе 30.05.2026

Предпочтения человека к еде закладываются задолго до первого прикорма. Современная наука подтверждает, что ребенок начинает знакомиться с ароматами и вкусами пищи еще до рождения, через околоплодные воды. Новое международное исследование показало, что регулярное потребление определенных продуктов беременной женщиной может формировать долгосрочные пищевые предпочтения у ребенка, сохраняющиеся даже спустя годы после появления на свет. Ученые из университетов Великобритании, Франции и Нидерландов провели эксперимент с участием беременных женщин. Одной группе будущих мам давали капсулы с порошком капусты кейл, другой - с порошком моркови. Реакцию детей на эти запахи проверяли в три этапа: сначала в утробе матери с помощью 4D-УЗИ на поздних сроках беременности, затем в возрасте трех месяцев и, наконец, когда детям исполнилось три года. Результаты оказались весьма убедительными. Дети женщин, принимавших порошок кейла, положительно реагировали на запах этой капусты, но негативно - на ар ...>>

Случайная новость из Архива Экран с надувными зонами 03.05.2023 Ученые из университета Карнеги-Меллона показали технологию Flat Panel Haptics. Она позволяет надувать определенные участки экрана благодаря миниатюрным насосам, встроенным под дисплей. Для работы технологии необходимо использовать ее вместе с OLED-дисплеями. При работе определенные зоны экрана будут надуваться, выступая в итоге где-то на 1,5 миллиметра. В данный момент можно надувать лишь ограниченный набор клавиш, а на принятие выпуклой формы уходит около секунды. Технология позволит имитировать взаимодействие с физической клавиатурой на сенсорных дисплеях, а также поможет управлять такой техникой слабовидящим и слепым людям.

Другие интересные новости:

▪ Новым играм потребуются SSD

▪ Испанский робот-хирург

▪ Концепт электрического седана VW ID.AERO

▪ Космическая катапульта

▪ Новое применение винограда

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Устройства защитного отключения. Подборка статей

▪ статья Человек в социуме. Основы безопасной жизнедеятельности

▪ статья Почему комары не гибнут под дождем? Подробный ответ

▪ статья Фисташка настоящая. Легенды, выращивание, способы применения

▪ статья Усилитель на микросхеме TDA2030, 14 ватт. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Устройство токовой защиты источника питания. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

[an error occurred while processing this directive] Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026