Маломощный полевой транзистор КП214А9. Справочные данные

Бесплатная техническая библиотека

ЭНЦИКЛОПЕДИЯ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ И ЭЛЕКТРОТЕХНИКИ
Бесплатная библиотека / Схемы радиоэлектронных и электротехнических устройств

Маломощный полевой транзистор КП214А9. Справочные данные

Бесплатная техническая библиотека

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Справочные материалы

Комментарии к статье

Кремниевый n-канальный полевой транзистор КП214А9 с изолированным затвором и обогащением канала, с встроенным защитным обратно включенным диодом изготавливают по эпитаксиально-планарной технологии. Транзисторы предназначены для работы в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях напряжения с непрерывным и импульсным управлением, в узлах управления маломощными электродвигателями и в другой радиоэлектронной аппаратуре для народного хозяйства и быта.

Транзисторы оформлены в пластмассовом корпусе КТ-46А (SOT-23) с плоскими лужеными выводами (рис, 1), предназначенными для поверхностного монтажа.

Маломощный полевой транзистор КП214А9

Зарубежный аналог транзистора КП214А9 - 2N7002LT1.

Цоколевка и схема внутренних соединений показаны на рис. 1.

Основные технические характеристики при Токрср = 25+10 °С

Пороговое напряжение, В, при токе стока 0,25 мА и соединенных затворе и стоке......1 ...2,5
Сопротивление открытого канала, Ом, не более, при длительности импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50, токе стока 0,5А и напряжении затвор-исток 10 В......7,5
Сопротивление открытого канала, Ом, не более, при длительности импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50, токе стока 0,05 А и напряжении затвор-исток 5 В......7,5
Остаточный ток стока, мкА, не более, при напряжении сток-исток 60 В и нулевом напряжении на затворе......1
Ток утечки затвора, мкА, не более, при нулевом напряжении сток-исток и напряжении затвор- исток ±20 В......±0,1
Крутизна вольт-амперной характеристики, мА/В, не менее, при длительности импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50, при напряжении сток-исток 7,5 В и токе стока 0,2 А......80
Постоянное прямое напряжение открытого защитного диода, В, не более, при нулевом напряжении затвор-исток транзистора и токе через выводы стока и истока 115 мА......1,5
Тепловое сопротивление кристалл-окружающая среда, °С/Вт, не более......625
Время включения/выключения*, не, не более, при напряжении сток-исток 25 В, токе стока 0,5 А и выходном сопротивлении источника сигнала 25 Ом......30/40
Емкость транзистора*, пФ, не более, при нулевом напряжении затвор-исток, напряжении сток-исток 25 В и частоте 1 МГц
входная......50
выходная......25
проходная......5

* Справочные параметры.

Предельно допустимые значения

Наибольшее напряжение сток-исток, В......60
Наибольшее напряжение затвор-исток, В......±20
Наибольшее импульсное напряжение затвор-исток, В, при длительности импульсов не более 1 с и их скважности не менее 300 .....±40
Наибольший постоянный ток стока*, мА, при напряжении затвор-исток 10 В и температуре окружающей среды не более 25 °С......115
Наибольший импульсный ток стока**, мА, при длительности импульсов не более 300 мкс......800
Наибольшая постоянная рассеиваемая мощность***, Вт, при температуре окружающей среды не более 25 °C......0,2
Наибольший прямой ток защитного диода, мА......115
Наибольший импульсный ток защитного диода**, мА, при длительности импульсов не более 300 мкс .....800
Наибольшая температура кристалла, °С......150
Рабочий интервал температуры окружающей среды, °С -55...+125

* При увеличении температуры окружающей среды до 125

Ток стока необходимо уменьшать (при условии непревышения значения наибольшей рассеиваемой мощности) вплоть до нуля в соответствии с графиком на рис. 2.

** При условии непревышения значения наибольшей рассеиваемой мощности. *** В интервале температуры окружающей среды от 25 до 125°С наибольшую рассеиваемую мощность Рmax рассчитывают по формуле

где RTkp-cp - тепловое сопротивление кристалл-окружающая среда.

Допустимое значение статического потенциала - 30 В в соответствии с ОСТ 11073.062. Режим и условия монтажа транзисторов в аппаратуру - по ОСТ 11336.907.0. При пайке выводов паяльником необходимо отводить тепло специальным пинцетом с массивными медными губками. Пинцет устанавливают на вывод вблизи корпуса. Паяльник должен быть обязательно заземлен.

Маломощный полевой транзистор КП214А9

Основные типовые графические зависимости параметров транзистора КП214А9 представлены на рис. 3-7. На рис. 3,а и б показаны зависимости тока стока lc от напряжения сток-исток Uси при температуре кристалла Ткр = 25±10°С и 150 °С. Зависимости тока стока от напряжения затвор-исток Uзи изображены на рис. 4, а нормализованная температурная зависимость сопротивления открытого канала RK норм - на рис. 5.

Маломощный полевой транзистор КП214А9
Рис. 6 иллюстрирует характер изменения емкости транзистора при изменении напряжения сток-исток, а рис. 7 - вольт-амперную характеристику открытого защитного диода. Зависимость максимально допустимого постоянного тока стока lc max от температуры кристалла показана на рис. 2.

Автор: В.Киселев, г.Минск, Белоруссия

Смотрите другие статьи раздела Справочные материалы.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Искусственная кожа для эмуляции прикосновений 15.04.2024

В мире современных технологий, где удаленность становится все более обыденной, сохранение связи и чувства близости играют важную роль. Недавние разработки немецких ученых из Саарского университета в области искусственной кожи представляют новую эру в виртуальных взаимодействиях. Немецкие исследователи из Саарского университета разработали ультратонкие пленки, которые могут передавать ощущение прикосновения на расстоянии. Эта передовая технология предоставляет новые возможности для виртуального общения, особенно для тех, кто оказался вдали от своих близких. Ультратонкие пленки, разработанные исследователями, толщиной всего 50 микрометров, могут быть интегрированы в текстильные изделия и носиться как вторая кожа. Эти пленки действуют как датчики, распознающие тактильные сигналы от мамы или папы, и как исполнительные механизмы, передающие эти движения ребенку. Прикосновения родителей к ткани активируют датчики, которые реагируют на давление и деформируют ультратонкую пленку. Эта ...>>

Кошачий унитаз Petgugu Global 15.04.2024

Забота о домашних животных часто может быть вызовом, особенно когда речь заходит о поддержании чистоты в доме. Представлено новое интересное решение стартапа Petgugu Global, которое облегчит жизнь владельцам кошек и поможет им держать свой дом в идеальной чистоте и порядке. Стартап Petgugu Global представил уникальный кошачий унитаз, способный автоматически смывать фекалии, обеспечивая чистоту и свежесть в вашем доме. Это инновационное устройство оснащено различными умными датчиками, которые следят за активностью вашего питомца в туалете и активируются для автоматической очистки после его использования. Устройство подключается к канализационной системе и обеспечивает эффективное удаление отходов без необходимости вмешательства со стороны владельца. Кроме того, унитаз имеет большой объем смываемого хранилища, что делает его идеальным для домашних, где живут несколько кошек. Кошачий унитаз Petgugu разработан для использования с водорастворимыми наполнителями и предлагает ряд доп ...>>

Привлекательность заботливых мужчин 14.04.2024

Стереотип о том, что женщины предпочитают "плохих парней", долгое время был широко распространен. Однако, недавние исследования, проведенные британскими учеными из Университета Монаша, предлагают новый взгляд на этот вопрос. Они рассмотрели, как женщины реагируют на эмоциональную ответственность и готовность помогать другим у мужчин. Результаты исследования могут изменить наше представление о том, что делает мужчин привлекательными в глазах женщин. Исследование, проведенное учеными из Университета Монаша, приводит к новым выводам о привлекательности мужчин для женщин. В рамках эксперимента женщинам показывали фотографии мужчин с краткими историями о их поведении в различных ситуациях, включая их реакцию на столкновение с бездомным человеком. Некоторые из мужчин игнорировали бездомного, в то время как другие оказывали ему помощь, например, покупая еду. Исследование показало, что мужчины, проявляющие сочувствие и доброту, оказались более привлекательными для женщин по сравнению с т ...>>

Случайная новость из Архива

Грядет эра графена 09.10.2013

В 2015 году начнется массовое производство графена - в этом уверены ученые и инженеры из стартапа Graphene Frontiers.

В сентябре Национальный научный фонд США выделил Университету Пенсильвании $744 600 на развитие стартапа под названием Graphene Frontiers. Подобную щедрость можно объяснить перспективностью работы стартапа, который должен организовать массовое производства графена. Доступность графена имеет большое значение для развития множества перспективных технологий, которые основаны на данном материале, обладающем уникальными свойствами.

В Graphene Frontiers планируют внедрить новую технологию крупномасштабного производства высококачественного рулонного графена. Компания надеется первой адаптировать под промышленные нужды метод химического осаждения из паровой фазы, который часто используется в лабораториях и небольших производствах для создания поликристаллического графена.

Хотя поликристаллический графен нашел применение в устройствах вроде передовых композиционных материалов и высокочастотных транзисторов, но монокристаллический графен обладает гораздо более привлекательными свойствами. К сожалению, современные технологии производства монокристаллического графена мягко говоря далеки от промышленного применения, например метод отделения монослоя графена от графита с помощью скотча. Другие методы, например выделение углеродных слоев с помощью плазмы,или различные химические методы, дают на выходе графен не очень хорошего качества. Для массового внедрения графеновой электроники нового поколения необходима новая технология массового производства монокристаллического графена.

Метод химического осаждения из паровой фазы позволяет производить синтетический графен очень высокого качества и может применяться для производства электроники, солнечных панелей и других устройств, где требуются прозрачные проводники. Специалисты компании Graphene Frontiers планируют использовать для производства графена непрерывный прокат (roll-to-roll). Это метод изготовления гибких схем, при котором микросхемы печатаются на непрерывной ленте-подложке, перематываемой с одного ролика на другой. Сочетание технологии химического осаждения из паровой фазы и непрерывного проката позволят производить высококачественные графеновые электронные компоненты, что откроет рынок электроники нового поколения.

Другие интересные новости:

▪ 80-канальный переключатель оптической связи

▪ Миниатюрный тепловизор

▪ Твердотельные накопители Kingston SSDNow E50

▪ Биометрическая банковская карта Mastercard

▪ LED драйверы для внутреннего Philips Xitanium 40 и 52 Вт

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Телевидение. Подборка статей

▪ статья Танк. История изобретения и производства

▪ статья Какой музыкальный инструмент извлекает звуки из сталактитов одной американской пещеры? Подробный ответ

▪ статья Работа в помещениях с возможным наличием опасных газов. Типовая инструкция по охране труда

▪ статья Как определять резонансную частоту кварцевого резонатора по радиоизмерительным приборам в любительских условиях. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Фокус с веревочным кольцом. Секрет фокуса

Оставьте свой комментарий к этой статье:

All languages of this page

Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте