Menu Home

Бесплатная техническая библиотека для любителей и профессионалов Бесплатная техническая библиотека


Маломощный полевой транзистор КП214А9. Справочные данные

Бесплатная техническая библиотека

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Справочные материалы

 Комментарии к статье

Кремниевый n-канальный полевой транзистор КП214А9 с изолированным затвором и обогащением канала, с встроенным защитным обратно включенным диодом изготавливают по эпитаксиально-планарной технологии. Транзисторы предназначены для работы в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях напряжения с непрерывным и импульсным управлением, в узлах управления маломощными электродвигателями и в другой радиоэлектронной аппаратуре для народного хозяйства и быта.

Транзисторы оформлены в пластмассовом корпусе КТ-46А (SOT-23) с плоскими лужеными выводами (рис, 1), предназначенными для поверхностного монтажа.

Маломощный полевой транзистор КП214А9

Зарубежный аналог транзистора КП214А9 - 2N7002LT1.

Цоколевка и схема внутренних соединений показаны на рис. 1.

Основные технические характеристики при Токрср = 25+10 °С

  • Пороговое напряжение, В, при токе стока 0,25 мА и соединенных затворе и стоке......1 ...2,5
  • Сопротивление открытого канала, Ом, не более, при длительности импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50, токе стока 0,5А и напряжении затвор-исток 10 В......7,5
  • Сопротивление открытого канала, Ом, не более, при длительности импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50, токе стока 0,05 А и напряжении затвор-исток 5 В......7,5
  • Остаточный ток стока, мкА, не более, при напряжении сток-исток 60 В и нулевом напряжении на затворе......1
  • Ток утечки затвора, мкА, не более, при нулевом напряжении сток-исток и напряжении затвор- исток ±20 В......±0,1
  • Крутизна вольт-амперной характеристики, мА/В, не менее, при длительности импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50, при напряжении сток-исток 7,5 В и токе стока 0,2 А......80
  • Постоянное прямое напряжение открытого защитного диода, В, не более, при нулевом напряжении затвор-исток транзистора и токе через выводы стока и истока 115 мА......1,5
  • Тепловое сопротивление кристалл-окружающая среда, °С/Вт, не более......625
  • Время включения/выключения*, не, не более, при напряжении сток-исток 25 В, токе стока 0,5 А и выходном сопротивлении источника сигнала 25 Ом......30/40
  • Емкость транзистора*, пФ, не более, при нулевом напряжении затвор-исток, напряжении сток-исток 25 В и частоте 1 МГц
  • входная......50
  • выходная......25
  • проходная......5

* Справочные параметры.

Предельно допустимые значения

  • Наибольшее напряжение сток-исток, В......60
  • Наибольшее напряжение затвор-исток, В......±20
  • Наибольшее импульсное напряжение затвор-исток, В, при длительности импульсов не более 1 с и их скважности не менее 300 .....±40
  • Наибольший постоянный ток стока*, мА, при напряжении затвор-исток 10 В и температуре окружающей среды не более 25 °С......115
  • Наибольший импульсный ток стока**, мА, при длительности импульсов не более 300 мкс......800
  • Наибольшая постоянная рассеиваемая мощность***, Вт, при температуре окружающей среды не более 25 °C......0,2
  • Наибольший прямой ток защитного диода, мА......115
  • Наибольший импульсный ток защитного диода**, мА, при длительности импульсов не более 300 мкс .....800
  • Наибольшая температура кристалла, °С......150
  • Рабочий интервал температуры окружающей среды, °С -55...+125

* При увеличении температуры окружающей среды до 125

Ток стока необходимо уменьшать (при условии непревышения значения наибольшей рассеиваемой мощности) вплоть до нуля в соответствии с графиком на рис. 2.

** При условии непревышения значения наибольшей рассеиваемой мощности. *** В интервале температуры окружающей среды от 25 до 125°С наибольшую рассеиваемую мощность Рmax рассчитывают по формуле

где RTkp-cp - тепловое сопротивление кристалл-окружающая среда.

Допустимое значение статического потенциала - 30 В в соответствии с ОСТ 11073.062. Режим и условия монтажа транзисторов в аппаратуру - по ОСТ 11336.907.0. При пайке выводов паяльником необходимо отводить тепло специальным пинцетом с массивными медными губками. Пинцет устанавливают на вывод вблизи корпуса. Паяльник должен быть обязательно заземлен.

Маломощный полевой транзистор КП214А9

Основные типовые графические зависимости параметров транзистора КП214А9 представлены на рис. 3-7. На рис. 3,а и б показаны зависимости тока стока lc от напряжения сток-исток Uси при температуре кристалла Ткр = 25±10°С и 150 °С. Зависимости тока стока от напряжения затвор-исток Uзи изображены на рис. 4, а нормализованная температурная зависимость сопротивления открытого канала RK норм - на рис. 5.

Маломощный полевой транзистор КП214А9
Рис. 6 иллюстрирует характер изменения емкости транзистора при изменении напряжения сток-исток, а рис. 7 - вольт-амперную характеристику открытого защитного диода. Зависимость максимально допустимого постоянного тока стока lc max от температуры кристалла показана на рис. 2.

Автор: В.Киселев, г.Минск, Белоруссия

Смотрите другие статьи раздела Справочные материалы.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Лабораторная модель прогнозирования землетрясений 30.11.2025

Предсказание землетрясений остается одной из самых сложных задач геофизики. Несмотря на развитие сейсмологии, ученые все еще не могут точно определить момент начала разрушительного движения разломов. Недавние эксперименты американских исследователей открывают новые горизонты: впервые удалось наблюдать микроскопические изменения в контактной зоне разломов, которые предшествуют землетрясению. Группа под руководством Сильвена Барбота обнаружила, что "реальная площадь контакта" - участки, где поверхности разлома действительно соприкасаются - изменяется за миллисекунды до высвобождения накопленной энергии. "Мы открыли окно в сердце механики землетрясений", - отмечает Барбот. Эти изменения позволяют фиксировать этапы зарождения сейсмического события еще до появления традиционных сейсмических волн. Для наблюдений ученые использовали прозрачные акриловые материалы, через которые можно было отслеживать световые изменения в зоне контакта. В ходе искусственного моделирования примерно 30% ко ...>>

Музыка как естественный анальгетик 30.11.2025

Ученые все активнее исследуют немедикаментозные способы облегчения боли. Одним из перспективных направлений становится использование музыки, которая способна воздействовать на эмоциональное состояние и когнитивное восприятие боли. Новое исследование международной группы специалистов демонстрирует, что даже кратковременное прослушивание любимых композиций может значительно снижать болевые ощущения у пациентов с острой болью в спине. В эксперименте участвовали пациенты, обратившиеся за помощью в отделение неотложной помощи с выраженной болью в спине. Им предлагалось на протяжении десяти минут слушать свои любимые музыкальные треки. Уже после этой короткой сессии врачи фиксировали заметное уменьшение интенсивности боли как в состоянии покоя, так и при движениях. Авторы исследования подчеркивают, что музыка не устраняет саму причину боли. Тем не менее, она воздействует на эмоциональный фон пациента, снижает уровень тревожности и отвлекает внимание, что в сумме приводит к субъективном ...>>

Алкоголь может привести к слобоумию 29.11.2025

Проблема влияния алкоголя на стареющий мозг давно вызывает интерес как у врачей, так и у исследователей когнитивного старения. В последние годы стало очевидно, что границы "безопасного" употребления спиртного размываются, и новое крупное исследование, проведенное международной группой ученых, вновь указывает на это. Работы Оксфордского университета, выполненные совместно с исследователями из Йельского и Кембриджского университетов, показывают: даже небольшие дозы алкоголя способны ускорять когнитивный спад. Команда проанализировала данные более чем 500 тысяч участников из британского биобанка и американской Программы миллионов ветеранов. Дополнительно был выполнен метаанализ сорока пяти исследований, в общей сложности включавших сведения о 2,4 миллиона человек. Такой масштаб позволил оценить не только прямую связь между употреблением спиртного и развитием деменции, но и влияние генетической предрасположенности. Один из наиболее тревожных результатов касается людей с повышенным ге ...>>

Случайная новость из Архива

Острова не желают тонуть 01.10.2010

Несмотря на тревожные прогнозы, многие тихоокеанские острова не утонут из-за повышения уровня воды в океане, связанного с глобальным потеплением.

Географы из Новой Зеландии проанализировали аэрофотоснимки и спутниковые фотографии высокого разрешения, сделанные над 27 островами Тихого океана за последние 60 лет. За это время уровень океана рос в среднем на два миллиметра в год и вода поднялась на 12 сантиметров. Однако только четыре острова частично погрузились в океан. Площадь остальных 23 не изменилась или даже выросла.

Чем объясняется это явление? Многие тропические острова окружены коралловыми атоллами. Волны и ветер постоянно приносят с атолла на берег острова обломки известковых скелетов кораллов, а кораллы продолжают расти, компенсируя потери. В результате, например, островок Фунаману за 60 лет прирос на 0,44 га, что составляет почти 30% его прежней площади.

Другие интересные новости:

▪ Анонсирован новый референсный дизайн цифровых фотокамер

▪ Цифровая носимая радиостанция Motorola MOTOTRBO SL1600

▪ Сверхъяркие высокопроизводительные белые светодиоды Toshiba

▪ Антенна, использующуя фонтан из морской воды

▪ Солнечная стена

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

 

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Радиоуправление. Подборка статей

▪ статья Высечь море. Крылатое выражение

▪ статья Как появились словари? Подробный ответ

▪ статья Ятеориза пальчатая. Легенды, выращивание, способы применения

▪ статья Простой пробник для проверки диодов и транзисторов. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Плавный компенсационный мостовой аттенюатор для коротковолнового трансивера. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

Имя:


E-mail (не обязательно):


Комментарий:





Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте

www.diagram.com.ua

www.diagram.com.ua
2000-2025