Бесплатная техническая библиотека
8-битные микроконтроллеры с интерфейсом USB для LCD-
и CRT-мониторов ST72774/ST72754/ST72734. Справочные данные

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Применение микросхем
Комментарии к статье
Микроконтроллеры ST72774/ST72754/ST72734 фирмы SGS-THOMSON производятся по технологии HCMOS и предназначены для применения как в мониторах с ЭЛТ, так и в LCD-мониторах. Структурная схема микросхем приведена на рис. 1. Ядро микроконтроллеров реализовано на 8-битном процессоре с расширенным набором команд. Микросхемы работают с тактовой частотой 12 или 24 МГц (внутренняя тактовая частота ядра равна, соответственно, 8 и 4 МГц) и питаются от одного источника напряжением 5 В. Программным способом микросхемы могут переключаться в режим ожидания, который позволяет значительно снизить энергопотребление.
Рис. 1. Структурная схема микросхем
В состав каждой микросхемы фирмы SGS-THOMSON входят: задающий генератор, процессор, двунаправленные универсальные порты ввода/вывода, узел защиты от ошибочной адресации, синхропроцессор для формирования временных интервалов и синхронизации внутреннего дисплея, до 60 кбайт пользовательского ПЗУ/ЭСППЗУ, до 1 кбайта ОЗУ, интерфейсы USB, DDС, I2C, двухканальный 16-битный таймер, 4-канальный 8-битный АЦП, восемь 10-битных выходов ШИМ для аналогового управления внешними устройствами и схема сброса. Микросхемы производятся в корпусах TQFP44, CSDIP42 и SDIP42 (рис. 2). В табл. 1 приведены отличия 8-битных микроконтроллеров с интерфейсом USB в зависимости от типа.
Потребляемый ток: 14 мА (рабочий режим) и 12 мА (режим ожидания).
 |
 |
| Рис. 2. Корпуса микросхем TQFP44, CSDIP42 и SDIP42 фирмы SGS-THOMSON |
Таблица 1
| Параметр |
ST72(T/E)774(J/S)9 |
ST72 (T)754 (J/S)9 |
ST72774(J/S)7 |
ST72754(J/S)7 |
ST72(T/E)734J6 |
| Объем ПЗУ, кбайт |
60 |
|
48 |
|
32 |
| Объем ОЗУ, кбайт |
1 |
|
|
|
512(256) |
| Периферия |
USB |
нет USB |
USB |
нет USB |
нет USB |
|
АЦП, 16-битный таймер, I2C, DDC, TMU1, SYNC2, PWM/BRM3, LVD4, дежурный таймер |
|
|
|
АЦП, I2C, LVD, DDC, SYNC, 16-битный таймер, PWM/BRM3, дежурный таймер |
| Напряжение питания,В |
4,0…5,5В |
|
|
|
|
| Частота генератора,МГц |
12/24 MГц |
|
|
|
|
| Температура, °C |
0…70 |
|
|
|
|
| Корпус |
CSDIP42, PSDIP42, TQFP44 |
|
|
|
PSDIP42 CSDIP42 |
Где:
- (1) - измеритель временных интервалов для автоподстройки размера и положения изображения;
- (2) - синхропроцессор;
- (3) - генератор 10-битных сигналов PWM/BRM (6 бит - PWM, 4 бита - BRM), биты BRM позволяют получить "точную подстройку" выходного напряжения с шагом VDD/1024;
- (4) - детектор схемы сброса по низкому напряжению питания;
Назначение выводов микросхем приведено в табл. 2.
Таблица 2
| Номер вывода |
|
Сигнал |
Тип: I- INPUT; O- OUTPUT |
Описание |
| TQFP44 |
СSDIP42, PSDIP42 |
|
|
|
| 39 |
1 |
PC1/HSYNCDIV |
I/O |
Порт C0 или выход строчных СИ (HSYNCO/2) |
| 40 |
2 |
PC1/AV |
I/O |
Порт C1 или вход сигнала Active Video |
| 41 |
3 |
PC2/PWM3 |
I/O |
Порт C2 или выход 3 сигнала ШИМ |
| 42 |
4 |
PC3/PWM4 |
I/O |
Порт C3 или выход 4 сигнала ШИМ |
| 43 |
5 |
PC4/PWM5 |
I/O |
Порт C4 или выход 5 сигнала ШИМ |
| 44 |
6 |
PC5/PWM6 |
I/O |
Порт C5 или выход 6 сигнала ШИМ |
| 1 |
7 |
PC6/PWM7 |
I/O |
Порт C6 или выход 7 сигнала ШИМ |
| 2 |
8 |
PC7/PWM8 |
I/O |
Порт C7 или выход 8 сигнала ШИМ |
| 3 |
9 |
PB7/AIN3/PWM2 |
I/O |
Порт В7 или вход 3 АЦП или выход 2 сигнала ШИМ |
| 4 |
10 |
PB6/AIN2/PWM1 |
I/O |
Порт В6 или вход 2 АЦП или выход 1 сигнала ШИМ |
| 5 |
11 |
PB5/AIN1 |
I/O |
Порт В5 или вход 1 АЦП |
| 6 |
12 |
PB4/AINO |
I/O |
Порт В4 или вход 0 АЦП |
| 8 |
13 |
VDD |
|
Напряжение питания 4…5,5В |
| 9 |
14 |
USBVCC |
|
Напряжение питания порта USB (3,3В±10%) |
| 10 |
15 |
USBDM |
I/O |
Шина данных порта USB |
| 11 |
16 |
USBDP |
I/O |
Шина данных порта USB |
| 12 |
17 |
VSS |
|
Общий |
| 13 |
18 |
HSYNC |
I |
Вход строчных СИ (ТТЛ уровни) |
| 14 |
19 |
VSYNC |
I |
Вход кадровых СИ (ТТЛ уровни) |
| 15 |
20 |
PDO/VSYNCO |
I/O |
Порт D0 или выход кадровых СИ |
| 16 |
21 |
PD1/HSYNCO |
I/O |
Порт D1 или выход строчных СИ |
| 17 |
22 |
PD2/CSYNCI |
I/O |
Порт D2 или вход композитного синхросигнала |
| 18 |
23 |
PD3/VFBACK/ITA |
I/O |
Порт D3 или вход КИОХ, или входА детектора прерываний |
| 19 |
24 |
PD4/ITB |
I/O |
Порт D4 или входВ детектора прерываний |
| 20 |
25 |
PD5/HFBACK |
I/O |
Порт D5 или вход СИОХ |
| 21 |
26 |
PD6/CLAMPOUT |
I/O |
Порт D6 или выход импульсов фиксации, или выход регулировки муара |
| 22 |
27 |
PBO/SCLD |
I/O |
Порт В0 или шина синхронизации интерфейса DDC |
| 24 |
28 |
PB1/SDAD |
I/O |
Порт В1 или шина данных интерфейса DDC |
| 25 |
29 |
PB2/SCLI |
I/O |
Порт В2 или шина синхронизации интерфейса I2C |
| 26 |
30 |
PB3/SDAI |
I/O |
Порт В3 или шина данных интерфейса I2C |
| 27 |
31 |
PA7/BLANKOUT |
I/O |
Порт А7 или выход импульсов гашения |
| 28 |
32 |
OSCOUT |
О |
Выход генератора |
| 29 |
33 |
OSCIN |
I |
Вход генератора |
| 30 |
34 |
PA6 |
I/O |
Порт A6 |
| 31 |
35 |
PA5 |
I/O |
Порт A5 |
| 32 |
36 |
PA4 |
I/O |
Порт A4 |
| 33 |
37 |
РАЗ |
I/O |
Порт A3 |
| 34 |
38 |
PA2/VSYNCI2 |
I/O |
Порт A2 или вход 2 кадровых СИ |
| 35 |
39 |
PA1 |
I/O |
Порт A1 |
| 36 |
40 |
RESET |
I/O |
Вход сброса микросхемы (активный- низкий уровень) |
| 37 |
41 |
TEST/VPP |
|
Тестовый вход или напряжение программирования ЭСППЗУ |
| 38 |
42 |
PAO/OCMP1 |
I/O |
Порт А0 или выход 1 таймера |
Электрические и временные характеристики микросхем приведены в табл. 3-5.
Таблица 3
| Основные параметры |
| Обозначение |
Параметр |
Кондиции |
Значение |
Единица измерения |
| Минимальное |
Типовое |
Максимальное |
| vdd |
Напряжение питания |
- |
4,0 |
5 |
5,5 |
В |
| idd |
Режим загрузки CPU |
Режим I/O? вход VDD = 5В\FCPU = 8МГц\TA = 20°С |
- |
14 |
18 |
мA |
|
Режим ожидания CPU |
|
- |
12 |
18 |
мA |
Таблица 4
| Временные параметры |
| Обозначение |
Параметр |
Кондиции |
Значение |
Единица измерения |
| Миним. |
Типовое |
Макс. |
| FOSC FCPU |
Внешняя частота |
|
- |
- |
24 |
МГц |
|
Внутренняя частота CPU |
FOSC = 24МГц |
- |
- |
8 |
|
|
Внутренняя частота CPU |
FOSC =12МГц |
- |
- |
4 |
|
| Tbu |
Время включения микросхем |
Кварцевый резонатор подключен |
- |
8 |
20 |
мс |
| TRL |
Ширина внешнего импульса сброса |
|
1000 |
- |
- |
нс |
Таблица 5
| Уровни сигналов портов ввода/вывода и синхросигналов |
| Обозначение |
Параметр |
Кондиции |
Значение |
Единица измерения |
| Миним. |
Типов. |
Максим. |
| vol |
Выходной уровень лог. "0", порты A[7,2-0], B[7-4], C[7-0], D[6-0]\Push Pull (активные выходы) |
IOL = 1,6 мA\VDD = 5В |
- |
- |
0,4 |
В |
| vol |
Выходной уровень лог. "0", порт A[6-3]\Open Drain (открытый коллектор) |
IOL = 1,6 мA\VDD = 5В |
- |
- |
0.4 |
В |
| vol |
Выходной уровень лог. "0", порты A и С |
IOL = 10 мA\VDD = 5В |
- |
- |
1.5 |
В |
| vol |
Выходной уровень лог. "0", порт B[3-0] Open Drain (открытый коллектор) |
IOL = 3 мA\VDD = 5В |
- |
- |
0.4 |
В |
| voh |
Выходной уровень лог. "1", порты A[7, 2-0], B[7-4], С [7-0], D [6-0]\Push Pull (активные выходы) |
IOH = 1,6 мA |
vdd-0,8 |
- |
- |
В |
| vih |
Входной уровень лог. "1", порты A [7-0],В [7-0]. Port С [7-0], Port D[6-0], вход RESET |
- |
0,7xVDD |
- |
vdd |
В |
| vih |
Входы HSYNC, VSYNCI, CSYNCI, HFBACK, VFBACK |
VDD= 5В |
2,0 |
- |
- |
В |
| vil |
Входы HSYNC, VSYNCI, CSYNCI, HFBACK, VFBACK |
VDD= 5В |
- |
- |
0,8 |
В |
| vil |
Входной уровень лог. "0", порты A [7-0], B[7-0], C[7-0], D [6-0], вход RESET |
- |
Vss |
- |
0,3xVDD |
В |
| iil |
Ток утечки портов ввода/вывода A [7-0], Port B[7-0], Port C[7-0], D [6-0], вход RESET |
- |
- |
- |
10 |
мкA |
В табл. 6 приведены данные по объему памяти, наличию блоков TMU и USB в зависимости от типа микросхемы.
Таблица 6
| Тип микросхемы |
Объем ПЗУ/ОППЗУ1/ЭСППЗУ, кбайт |
Объем ОЗУ, байт |
Наличие TMU |
Наличие USB |
Корпус |
| ST72E774J9DO |
60 (ЭСППЗУ) |
1024 |
да |
да |
CSDIP42 |
| ST72T774J9B1 |
60 (ОППЗУ) |
|
|
|
PSDIP42 |
| ST72774J9B1/XXX |
60 (ПЗУ) |
|
|
|
|
| ST72774J7B1/XXX |
48 (ПЗУ) |
|
|
|
|
| ST72774S7T1/XXX |
48 (ПЗУ) |
|
|
|
TQFP44 |
| ST72T774S9T1 |
60 (ЭСППЗУ) |
|
|
|
|
| ST72774S9T1/XXX |
60 (ПЗУ) |
|
|
|
|
| ST72E754J9DO |
60 (ЭСППЗУ) |
1024 |
да |
нет |
CSDIP42 |
| ST72T754J9B1 |
60 (ОППЗУ) |
|
|
|
PSDIP42 |
| ST72754J9B1/XXX |
60 (ПЗУ) |
|
|
|
|
| ST72754J7B1/XXX |
48 (ПЗУ) |
|
|
|
|
| ST72T754S9T1 |
60 (ОППЗУ) |
|
|
|
TQFP44 |
| ST72754S9T1 |
60 (ПЗУ) |
|
|
|
|
| ST72754S7T1/XXX |
48 (ПЗУ) |
|
|
|
|
| ST72E734J6DO |
32 (ЭСППЗУ) |
512 |
нет |
нет |
CSDIP42 |
| ST72T734J6B1/XXX |
32 (ОППЗУ) |
|
|
|
PSDIP42 |
| ST72734J6B1/XXX |
32 (ПЗУ) |
|
|
|
|
(1) - ОППЗУ, однократно программируемое ПЗУ
Публикация: remserv.ru
Смотрите другие статьи раздела Справочные материалы.
Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.
<< Назад
Последние новости науки и техники, новинки электроники:
Шимпанзе могут менять свои убеждения
10.11.2025
Понимание того, как формируются убеждения и принимаются решения, традиционно считалось уникальной способностью человека. Однако недавнее исследование показало, что шимпанзе обладают способностью пересматривать свои мнения на основе новых данных, демонстрируя уровень рациональности, который ранее считался исключительно человеческим.
Психологи под руководством Ханны Шлейхауф из Утрехтского университета провели серию экспериментов, направленных на изучение метапознания у шимпанзе. Исследователи впервые наблюдали, как эти обезьяны могут взвешивать различные виды доказательств и корректировать свои решения при появлении более убедительной информации.
Экспериментаторы рассматривали рациональность как способность формировать убеждение о мире на основе фактических данных. При поступлении новой информации разумное существо способно сравнивать старые и новые данные и изменять свое мнение, если новые доказательства оказываются более весомыми.
Для экспериментов использовались шимпанзе из ...>>
Полет на Марс: испытание для тела и выживания человечества
10.11.2025
Исследование космоса и перспективы полета на Марс привлекают внимание ученых и инженеров по всему миру. Но за технологическими достижениями скрывается серьезная угроза для здоровья астронавтов. Как отмечает Interesting Engineering, даже самые современные ракеты и системы жизнеобеспечения не способны полностью защитить человека от физических и генетических изменений, возникающих во время длительных космических миссий. Эти риски включают потерю костной массы, ослабление мышц и даже потенциальные повреждения ДНК.
Путешествие на Марс длится от шести до девяти месяцев. В условиях невесомости организм, привыкший к земной гравитации, претерпевает значительные изменения. Мышцы атрофируются, кости теряют до 1% плотности в месяц, сердце уменьшается в размерах, а позвоночник удлиняется, вызывая боль и дискомфорт. После возвращения на Землю астронавты сталкиваются с головокружением и проблемами при вставании из-за адаптации к гравитации.
Особую опасность представляет перераспределение жидкос ...>>
Зеркальные спутники и их угрозы для астрономии и экологии
09.11.2025
Калифорнийский космический стартап Reflect Orbital, который планирует к 2030 году вывести на орбиту 4 000 зеркальных спутников, отражающих солнечный свет на Землю даже ночью. Главная цель - увеличить эффективность солнечных электростанций, обеспечивая непрерывное освещение в ночное время. Первый демонстрационный аппарат EARENDIL-1 с зеркалом площадью 334 м2 предполагается запустить в апреле 2026 года, а соответствующая заявка уже подана в Федеральную комиссию связи США (FCC).
Проект получил 1,25 млн долларов поддержки от ВВС США в рамках программы для малого бизнеса. Идея заключается в том, чтобы спутники создавали дополнительное освещение для энергетических систем, однако многие ученые выражают сомнения как в технической реализуемости, так и в потенциальном вреде для окружающей среды.
Астрономы, включая Майкла Брауна и Мэтью Кенворти, подсчитали, что отраженный свет будет примерно в 15 000 раз слабее дневного солнца, хотя и ярче полной Луны. Для того чтобы создать хотя бы 20% дн ...>>
Случайная новость из Архива Кристалл из электронов
16.07.2021
Команда исследователей из Швейцарской высшей технической школы Цюриха впервые в истории наблюдала кристалл Вингера. Открытие описывается не иначе как Святой Грааль в физике конденсированного состояния.
В 1934 году Юджин Вигнер предположил, что электроны в материале теоретически могут располагаться в виде регулярных и кристаллических структур из-за взаимного электрического отталкивания. Почти 90 лет предсказание существовало в виде теории и только недавно было доказано экспериментально. Швейцарские ученые смогли на самом деле зафиксировать кристалл, состоящий из одних лишь электронов.
Главная проблема, сопровождавшая все предыдущие попытки доказать эту теорию, заключалась в необходимости экстремально низких температур и небольшом количестве свободных электронов в материале. В ходе новых экспериментов удалось создать слой диселенида молибдена толщиной всего в один атом. Это заставило электроны двигаться только в одной плоскости, а их число зависело от подачи напряжения на два прозрачных графеновых электрода, между которыми находился полупроводник.
Материал охлаждали до нескольких градусов выше абсолютного нуля, а расслоение электронов не превысило 20 нанометров, что позволило изучить их с помощью микроскопа. Исследователи добились того, чтобы регулярное расположение электронов стало видимым за счет использования света определенной частоты для возбуждения экситонов в полупроводниковом слое, что и позволило увидеть Вигнеровский кристалл.
|
Другие интересные новости:
▪ 5 Вт DC-DC преобразователь TRACO TDN 5WI
▪ Электронные сигареты - не лучше обычных
▪ Мультимедийный проигрыватель Dueple
▪ Робот-телефон
▪ Слова и их эмоциональная окраска
Лента новостей науки и техники, новинок электроники
Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:
▪ раздел сайта Электрику. Подборка статей
▪ статья Никто не хотел умирать. Крылатое выражение
▪ статья От чего зависит цвет волос? Подробный ответ
▪ статья Душистый горошек. Легенды, выращивание, способы применения
▪ статья Электронный пускорегулирующий аппарат на микросхеме КР1211ЕУ1 с питанием от бортовой сети автомобиля (11-15 В). Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники
▪ статья Две волшебные палочки. Секрет фокуса
Оставьте свой комментарий к этой статье:
Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте

www.diagram.com.ua
2000-2025