УЗЧ для приемника с низковольтным питанием. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Радиоприем

 Комментарии к статье

Приемники с низковольтным питанием завоевывают внимание радиослушателей высокой экономичностью и удобством, они имеют малые габариты и массу, затраты на питание сведены к минимуму (особенно, если применять малогабаритные аккумуляторы). Но обратной стороной медали этих преимуществ стало ограничение числа слушателей до одного из-за трудностей реализации "громкоговорящего" воспроизведения. Однако этот недостаток вполне преодолим - познакомьтесь с решением, которое предлагает автор статьи.

За предыдущие годы в журнале "Радио" и других изданиях было опубликовано много описаний радиоприемников, работающих при напряжении питания 1,2...1,5 Вив основном на головные телефоны. В настоящее время, с развитием технологии производства полупроводниковых приборов, имеется возможность сделать эти приемники громкоговорящими В литературе описаны микросхемы УЗЧ, работающие при напряжении питания 1,0...1,5 В на низкоомную нагрузку, в частности NJM2076S, допускающую мостовое включение. К сожалению, в продаже такую микросхему найти не удалось. Впрочем, использование дискретных элементов имеет свои некоторые преимущества в виде возможности подбора деталей и регулировки для оптимизации работы устройства

Работа УЗЧ, напряжение питания которых равно 1,0...1,5 В, имеет свои особенности: малый динамический диапазон усиления по напряжению, высокий уровень нелинейных искажений, сложность стабилизации тока покоя и напряжения средней точки выходного каскада, снижение усилительных свойств биполярных транзисторов при низких коллекторных напряжениях.

Схема трехкаскадного двухполупериодного УЗЧ на семи транзисторах представлена на рисунке. Он работоспособен при напряжении питания от 0,7 до 3,2 В при токе покоя 7...10 мА. При напряжении питания 2,8, 1,5 и 1,0 В максимальная выходная мощность равна соответственно 110, 40 и 12 мВт при работе на звуковую головку сопротивлением 8 Ом.

Входной каскад выполнен на транзисторе VT2, сигнал подается на его базу через конденсатор С1. Нагрузкой этого каскада являются резистор R3 и эмиттерные переходы транзисторов VT3 и VT4 предо ко немного каскада. С транзистора VT3 усиленный сигнал подается на базу транзистора VT6 - верхнего плеча выходного каскада. Нагрузкой VT4 служит резистор R6. Через разделительный конденсатор C3 усиленный сигнал подается на затвор транзистора VT5 и далее на базу VT7. Эти два транзистора образуют нижнее плечо выходного каскада. Конденсаторы С2, С4, С5 препятствуют самовозбуждению У3Ч на высокой частоте.

Полевой транзистор VT1 и резисторы R1, R2, R7, R9 образуют цепь отрицательной обратной связи, которая регулирует ток базы VT2. Подстроенным резистором R9 устанавливают напряжение средней точки выходного каскада за счет изменения напряжения на затворе VT1. Резистор R1 уменьшает глубину ООС, чтобы избежать "перерегулировки" напряжения средней точки выходного каскада, его сопротивление зависит от крутизны характеристики VT1 и подбирается при настройке.

В УЗЧ применена раздельная регулировка тока покоя верхнего и нижнего плеч выходного каскада. Ток покоя транзистора VT7 стабилизирован полевым транзистором VT5. Ток покоя VT6 устанавливается автоматически при удержании напряжения средней точки действием ООС по постоянному току, которая охватывает все каскады УЗЧ, за исключением VT5 и VT7.

Детали и настройка. Постоянные резисторы - МЛТ-0,125, R9 - СП4-3 Конденсаторы С6 и С7 - К50-38, остальные - керамические КМ6 или импортные. Транзисторы VT1, VT5 - КП303А, КП303Ж, VT2 - VT4 - КТ3102А, КТ3102Б с коэффициентом передачи тока базы 150...200; VT6 - КТ681 A; VT7 - КТ680А с коэффициентом передачи тока базы 150...200. Допустимо, если коэффициент усиления по току транзистора VT3 будет больше, чем у VT4, a VT6 больше, чем y VT7.

Сборку УЗЧ нужно начинать с подбора пары транзисторов VT5 и VT7 - при напряжении 1 В ток коллектора VT7 должен быть в пределах 6...10 мА. Затем распаивают все детали, кроме R1.

Настройку УЗЧ производят при напряжении питания 1,0...1,5 В. Подстроечным резистором R9 устанавливают на коллекторах VT6 и VT7 напряжение, равное половине напряжения питания. Затем уменьшают или увеличивают напряжение питания, при этом напряжение средней точки относительно минуса питания изменится в том же направлении, но в большей степени, чем нужно. Сопротивление резистора R1 подбирают таким, чтобы при напряжении питания 0,8...1,6 В напряжение на коллекторах VT6 и VT7, равное половине напряжения питания, удерживалось бы с точностью до 0,05 В - от этого зависит уровень нелинейных искажений УЗЧ, особенно при низком его значении (0,8...1,2 В).

Затем подают сигнал звуковой частоты на вход усилителя, при самовозбуждении подбирают емкость С2. Если обнаружатся искажения типа "ступенька" и нет возможности заменить транзисторы VT5 или VT7, нужно подключить резистор R5, как показано на схеме. При этом возрастет ток покоя VT7 и всего УЗЧ. Сопротивление резистора R5 нужно выбрать наибольшим, при котором прекратятся искажения.

Если предполагается работа УЗЧ при напряжении питания 1,8...3,2 В, настройку производят в этом диапазоне напряжений. С повышением напряжения питания от 2,4 до 3,2 В из-за изменения режимов транзисторов VT1 - VT3 напряжение средней точки начинает отставать на 0,15...0,2 В, что не имеет большого значения. Достаточно точно установить напряжение на коллекторах VT6 и VT7 при наименьшем напряжении питания.

Автор: A.Паньшин, г.Москва

Смотрите другие статьи раздела Радиоприем.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Экраны влияют на детей неравномерно в разном возрасте 01.08.2026

Планшеты и смартфоны давно стали привычной частью повседневной жизни даже самых маленьких детей. Родители часто используют гаджеты, чтобы успокоить малыша или занять его на время, однако ученые все чаще задаются вопросом, как экранное время сказывается на развитии мозга и будущей способности к обучению. Новое исследование показывает, что значение имеет не только продолжительность просмотра, но и возраст, в котором ребенок проводит время перед экраном. Ученые наблюдали детей от рождения до 8 лет. Оказалось, что больше всего экраны влияют на мозг в два периода - в раннем младенческом возрасте и перед поступлением в школу. У детей, много времени проводивших перед экранами в эти возрастные точки, в 9 лет были несколько хуже успехи в обучении, а в 10,5 лет хуже работала рабочая память - способность удерживать и обрабатывать информацию здесь и сейчас. Исследователи из Франции и Сингапура проанализировали данные 502 детей и выделили два ключевых этапа. У младенцев мозг развивается очень ...>>

Умные жилеты, спасающие от жары 01.08.2026

Летняя жара в больших городах все чаще становится серьезным испытанием для людей, работающих на открытом воздухе. Мусорщики, строители и другие специалисты вынуждены проводить часы под палящим солнцем, рискуя перегревом. Китайские инженеры предложили практичное решение - специальные охлаждающие жилеты, которые помогают снизить ощущаемую температуру примерно на 10 градусов. Пока мир страдает от сильной жары, китайские инженеры разработали "умные" жилеты с климат-контролем. Жилеты с кондиционированием почти не отличаются от обычной рабочей одежды. Главное отличие - в системе охлаждения. В городе Нанкин в жилет вмонтированы два вентилятора, работающих от портативных аккумуляторов. Одного заряда хватает на 3-4 часа непрерывной работы. В Чанчжоу решили разместить в карманах охлаждающие элементы с материалом, который при нагревании переходит из твердого состояния в жидкое, активно поглощая тепло. Это поддерживает комфортную температуру в течение 2,5-4 часов. Такие жилеты выглядят почти ...>>

Летающие ветротурбины 3 МВт вышли в серию 31.07.2026

Традиционные ветряные электростанции зависят от силы и стабильности ветра у поверхности земли, где воздушные потоки часто бывают слабыми и порывистыми. На больших высотах ветер обычно сильнее и постояннее, поэтому инженеры уже давно рассматривают возможность подъема турбин в воздух. Китайская компания сделала важный шаг в этом направлении, перейдя от испытаний к мелкосерийному производству. Компания Beijing Linyi Yunchuan Energy Technology запустила мелкосерийное производство летающей ветротурбины S2000, а в провинции Чжэцзян возводят отдельный завод по производству материалов для оболочки аппарата. У компании уже есть предварительные договоренности с прибрежными городами и горными регионами, которые рассматривают возможность использования этой технологии для удовлетворения собственных энергетических потребностей. Прототип, который полгода назад только что поднялся в небо над Сычуанем, теперь превращается в целую отрасль. Идея S2000 проста: вместо того чтобы устанавливать ветряну ...>>

Случайная новость из Архива Скоростное создание алмазов 27.12.2024 Ученые из южнокорейского Института фундаментальных наук, возглавляемые Родни Руоффом, открыли новую революционную методику синтеза алмазов, которая позволяет получать эти драгоценные камни при нормальном давлении и температуре 1025 °C. Разработка нового метода синтеза алмазов с использованием жидких металлов и без необходимости в "зародышах" открывает большие перспективы для удешевления и ускорения производства лабораторно выращенных алмазов. Это может стать важным шагом вперед как для научных исследований, так и для индустриального применения алмазов, от медицины до электроники. Традиционно, для формирования алмазов в лабораторных условиях используются два основных метода: HPHT (метод высоких давления и температуры) и CVD (метод химического осаждения). Метод HPHT имитирует природные условия, где алмазы образуются под воздействием экстремально высокого давления и температуры на глубинах в 150-250 км. В этом процессе используется пресс, который создает необходимое давление, а также высокая температура, достигающая 900-1400 °C. Метод CVD, в свою очередь, заключается в выращивании алмазов из газовой смеси, где углерод осаждается на уже существующий "зародыш" алмаза. Однако новый метод синтеза алмазов, предложенный южнокорейскими учеными, существенно упрощает этот процесс. В его основе лежит использование жидких металлов, таких как галлий, железо, никель и кремний, которые нагреваются в специальном тигле до температуры около 1025 °C. Тигель способствует равномерному распределению тепла и создает оптимальные условия для каталитической активации метана. Всего через 15 минут после начала реакции начинается образование алмазов, что значительно ускоряет процесс по сравнению с традиционными методами. Особенность этой технологии заключается в том, что для создания алмазов больше не требуются "зародыши", то есть частицы алмаза, на которых растет новый материал. Это упрощает весь процесс, снижая затраты и время производства. В результате новое открытие может сделать синтез алмазов в лабораториях более быстрым и дешевым, что откроет новые возможности для промышленного использования алмазов в различных областях, от ювелирного дела до высокотехнологичных отраслей.

Другие интересные новости:

▪ Печать гибких электронных схем на эластичных материалах и ткани

▪ Шумовое загрязнение океанов мешает касаткам охотиться

▪ Надувное тормозное устройство в рюкзаке

▪ Влияние температуры воды на народные беспорядки

▪ Палочки для пищи изменяют ее вкус

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Микрофоны, радиомикрофоны. Подборка статей

▪ статья Приподнять завесу тайны. Крылатое выражение

▪ статья Как были вывезены мощи святого Марка мимо мусульманской таможни? Подробный ответ

▪ статья Щитовка. Легенды, выращивание, способы применения

▪ статья Термостабилизатор с широким интервалом. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Однотактные преобразователи с высоким КПД, 12/220 вольт. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026