Бесплатная техническая библиотека
Программируемый синтезатор частоты. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Применение микросхем
Комментарии к статье
Вниманию читателей предлагается описание синтезатора частоты до 950 МГц, который может найти применение в качестве генераторов фиксированной или качающейся частоты в измерительной технике, а также в приемной и приемно-передающей аппаратуре. Использование специализированных микросхем намного упрощает изготовление устройства и облегчает работу с ним.
Синтезатор частоты построен на основе двух специализированных микросхем - контроллера КР1830ВЕ751 и однокристального синтезатора частоты.
КФ1015ПЛ2. Устройство совместно с генератором, управляемым напряжением (ГУН), может быть использовано как:
- генератор частоты в диапазоне 50...950 МГц;
- генератор качающейся частоты;
- генератор в радиоприемных и приемно-передающих устройствах.
Программируемый контроллер позволяет производить:
- непосредственный набор частоты 50...950 МГц и ее индикацию с формированием кода на синтезатор;
- выбор шага сетки частоты -100 Гц... 1 МГц;
- выбор коэффициента деления опорного генератора микросхемы КФ1015ПЛ2 10, 20, 40, 100, 200, 400, 800, 1000;
- набор промежуточной частоты (ПЧ) выше или ниже относительно индицируемой частоты и кратно сетке частот - 100 Гц...900 МГц;
- набор расстройки частоты передатчика выше или ниже частоты приема кратно сетке частот - 100 Гц...900 МГц;
- выбор начальной и конечной частот для режима сканирования по частоте - 50...950 МГц;
- выбор начальной и конечной "строк" памяти для режима сканирования по встроенной памяти частот - 0...9 (0...99 с внешней памятью).
Емкость памяти значений частоты (число "строк" в памяти) - 10 (с внешней памятью - 100).
Время формирования кода новой частоты - 28 мс.
При стабилизированном напряжении питания 5 В устройство потребляет ток 12 мА, с внешней памятью - 14 мА. В дежурном режиме (режим микропотребления) потребляемый ток уменьшается до 15 мкА.
Устройство состоит из контроллера синтезатора, клавиатуры, блока индикации, синтезатора частоты, а также стабилизатора напряжения источника питания.
Назначение выводов микросхемы КР1830ВЕ751 приведено в табл. 1.
| N вывода |
Обозначение |
Назначение |
| 1-8 |
Р1.0-Р1.7 |
Линии опроса клавиатуры |
| 9 |
RESET |
Сброс |
| 10 |
РЗ.0 |
Данные на синтезатор и ИЖК |
| 11 |
РЗ.1 |
Синхронизация данных на синтезатор и ИЖК |
| 12 |
РЗ.2 |
Строб записи данных на синтезатор |
| 13 |
РЗ.3 |
Управление внешней памятью |
| 14 |
РЗ.4 |
Управление ИЖК |
| 15 |
РЗ.5 |
Управление включением передатчика |
| 16 |
РЗ.6 |
Строб записи внешней памяти |
| 17 |
РЗ.7 |
Строб чтения внешней памяти |
| 18 |
XTAL1 |
Цепь кварцевого резонатора |
| 19 |
XTAL2 |
Цепь кварцевого резонатора |
| 20 |
OВ |
Общий вывод |
| 21-23 |
Р2.0-Р2.2 |
Адресные выходы (к внешней памяти) |
| 24 |
Р2.3 |
Включение внешней памяти |
| 25-27 |
Р2.4-Р2.6 |
Линии сканирования клавиатуры |
| 30 |
ALE |
Строб записи адреса внешней памяти |
| 31 |
ЕА |
Подключить к Uп1 |
| 32-39 |
Р0.7-РО.О |
Вход/Выход адреса и данных внешней памяти |
| 40 |
Uп |
Напряжение питания +5 В |
Электрическая схема включения контроллера приведена на рис. 1. Основное его назначение - формирование кода для микросхемы синтезатора частоты.
Рис.1 (нажмите для увеличения)
Выдача кода на синтезатор осуществляется каждый раз после изменения следующих параметров:
- текущей частоты;
- шага сетки (Сетка); - коэффициента деления опорного делителя (КД);
- промежуточной частоты (ПЧ);
- расстройки частоты (Расстр.).
Для случая использования расширенной памяти вывод РЗ.3 микросхемы DD1 (опрашивается контроллером один раз при первом включении питания) соединен с общим проводом и содержит дополнительный регистр DD2 и микросхему памяти DD3. Без внешней памяти контроллер может запомнить 10 установок численных значений частоты (10 "строк"). В этом случае микросхемы
DD2, DD3 исключаются, а выход РЗ.3 DD1 должен быть отсоединен от общей шины. Питание регистра и выбор микросхемы памяти осуществляются только на время обращения к внешней памяти (по сигналу с вывода Р2.3 контроллера).
Для управления контроллером используется клавиатура, клавиши которой имеют назначение согласно табл. 2.
| Шины |
Р2.6 |
Р2.5 |
Р2.4 |
| Р1.0 |
"2" |
"Н.СК." |
"Пр./Пер." |
| Р1.1 |
"3" |
"К.СК." |
"Скан." |
| Р1.2 |
"4" |
"Tek" |
"Бл. Расстр." |
| Р1.3 |
"5" |
"Память" |
"Реж. Пер." |
| Р1.4 |
"6" |
"+/-" |
"Расстр." |
| Р1.5 |
"7" |
"Забой" |
"ПЧ" |
| Р1.6 |
"8" |
"0" |
"КД" |
| Р1.7 |
"9" |
"1" |
"Сетка" |
Рис.2 (нажмите для увеличения)
Электрическая схема клавиатуры показана на рис. 2, а диаграмма ее работы - на рис. 3,а. Время защиты от дребезга контактов - 3 мс. Микросхема DD1 используется для ввода информации от нескольких узлов синтезатора: от источника питания- о переходе на режим микропотребления; от микросхемы синтезатора частоты - о переходе на новую частоту при гарантированной установке старой частоты; от шумоподавителя приемника - о временной остановке сканирования на 5 с. Все активные уровни - низкие. Длительность импульса сигнала "микропотребление" должна быть не менее 50 мс.
Рис.3
Визуализация состояния контроллера осуществляется с помощью индикатора на жидких кристаллах (ИЖК), имеющего восемь знакомест и двух специальных знаков, например, "Е" и "М".
Панель индикации содержит:
- индикатор частоты (шесть знакомест) - для вывода различной информации;
- индикатор номера "строки" памяти (два знакоместа) - для визуализации номера рабочей "строки" памяти;
- индикатор "направления" (знак "-")
- для визуализации направления сканирования, знака промежуточной частоты и знака расстройки передатчика;
- индикатора "ошибки" (знак "Е") - для визуализации ошибки при вычислении кода синтезатора частоты;
- индикатор "блокировка расстройки" (знак "М") - для визуализации включения или выключения расстройки.
Электрическая схема индикатора на ИЖК показана на рис. 4, а диаграмма сигналов управления индикатором - на рис. 3,б.
Рис.4 (нажмите для увеличения)
Управление работой индикатора осуществляется фазовым методом с формированием величины напряжения, равной половине напряжения питания для общих электродов: A, F, -, М; Е, G, В; С, D, Н. Любой сегмент активизируется при подаче на общий электрод и электрод соответствующей цифры переключаемых инверсно уровней напряжения и не активизируется при действующих синфазно. В интервалы времени Т1, Т2, Т3 напряжение на сегменты подается одной полярности, а в интервалы Т4, Т5, Т6 - другой. Во время интервала Т7 на всех электродах - низкий уровень и происходит выключение индикации. Сегменты всех восьми цифр управляются параллельно. Регистры DD1 - DD4 преобразуют последовательный код сигнала контроллера в трехуровневый. Рабочая частота переключения индикатора - 50 Гц, скважность - 3. Применение точных резисторов (с допуском ±1 %) практически исключает протекание постоянной составляющей тока от несимметрии управляющего напряжения.
Потребляемый ток - 60 мкА.
Авторы: В. Семенов, В. Шлектарев, г. Пущино Московской обл.; Публикация: Н. Большаков, rf.atnn.ru
Смотрите другие статьи раздела Применение микросхем.
Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.
<< Назад
Последние новости науки и техники, новинки электроники:
Дети, растущие рядом с природой, обретают крепкие кости
02.03.2026
Влияние окружающей среды на здоровье человека становится все более очевидным, особенно в детском возрасте. Новое исследование, опубликованное в журнале JAMA Network Open, показывает, что близость к природе напрямую связана с крепостью костей у детей. Ученые установили, что у детей, чьи дома окружены природными территориями в радиусе 1000 метров на 25% больше обычного, риск развития крайне низкой плотности костей снижается на 65%.
Для проведения исследования были проанализированы данные более 300 детей, проживающих в городских, пригородных и сельских районах Фландрии в Бельгии. Плотность костной ткани у детей в возрасте от четырех до шести лет оценивалась с помощью ультразвуковых методов. Такой подход позволил безопасно и точно измерить состояние костей на ранних этапах формирования скелета.
При анализе учитывались ключевые факторы, влияющие на рост и развитие детей: возраст, вес, рост, этническая принадлежность и уровень образования матери. На основании этих параметров исследоват ...>>
Самовосстанавливающаяся инфраструктура будущего
02.03.2026
Современные мосты и бетонные конструкции по всему миру сталкиваются с проблемой устаревания и износа. Многие сооружения, построенные до 1980-х годов, постепенно теряют свою несущую способность, что требует дорогого ремонта или полной замены. Недавние разработки ученых из Швейцарских федеральных лабораторий материаловедения и технологий (Empa) предлагают инновационное решение - систему укрепления бетонных конструкций с помощью "умной стали", способной самостоятельно устранять трещины и повреждения.
В основе новой технологии лежит арматура из сплава на основе железа с эффектом памяти формы (Fe-SMA). Этот материал обладает уникальным свойством: при нагревании до 190-200 °C стержни стремятся вернуться к своей первоначальной конфигурации. В бетонной конструкции это создает внутреннее напряжение, которое затягивает трещины и выравнивает деформированные элементы, существенно повышая прочность и долговечность сооружений.
Актуальность разработки объясняется критическим состоянием инфрастр ...>>
Поцелуи полезны для здоровья
01.03.2026
Вопрос о том, как социальные связи и близость с партнером отражаются на здоровье человека, привлекает внимание не только психологов, но и специалистов в области микробиологии. Новое исследование показывает, что совместное проживание с любимым человеком может оказывать значительное влияние на микробиом кишечника и общее самочувствие.
Доктор Наоми Миддлтон, клинический психологи и эксперт по здоровью кишечника, объяснила, что все аспекты совместной жизни - поцелуи, совместное питание, физическая близость и даже просто пребывание рядом - тесно связаны с поддержанием сбалансированной кишечной микрофлоры. Она подчеркивает, что здоровье экосистемы кишечника во многом определяется социальными взаимодействиями и повседневной близостью с другими людьми.
По словам Миддлтон, длительное совместное пребывание с партнером может способствовать увеличению микробного разнообразия в кишечнике, а также снижать воспалительные процессы, связанные со стрессом. Такой эффект обусловлен тем, что микробио ...>>
Случайная новость из Архива Смартфон Fly IQ442 Quad
18.09.2013
Бренд Fly продолжает расширять линейку четырёхъядерных смартфонов. Новинкой стала модель Fly Miracle 2 (IQ442 Quad) под управлением операционной системы Android 4.1.2, допускающая установку двух сим-карт.
В смартфоне применен процессор Snapdragon MSM8225Q с четырьмя 1,2-гигагерцевыми вычислительными ядрами. Объём оперативной памяти составляет 1 Гбайт; встроенный флеш-модуль на 4 Гбайт может быть дополнен картой microSD.
Дисплей на матрице IPS обладает разрешением 480x800 точек, его размер по диагонали - 4 дюйма. В оснащение входят камеры с 5- и 0,3-мегапиксельной матрицей, адаптеры беспроводной связи Wi-Fi (802.11b/g/n) и Bluetooth 3.0, приёмник навигационной системы GPS и USB-порт. Аппарат весит 124 г, его габариты - 126,5x63,8x9,15 мм. Максимальное время разговора составляет 5 часов, время ожидания - 400 часов. Смартфон рассчитан на работу в сетях GSM 850/900/1800/1900 и WCDMA 900/2100.
Fly Miracle 2 уже поступил в продажу по рекомендованной розничной цене в 6490 рублей.
|
Другие интересные новости:
▪ Игры, фильмы и рост насилия
▪ Наноалмазы для светодиодов и полупроводников
▪ Полезные продукты для курильщиков
▪ Опасность езды на электроскутерах
▪ Фотопринтер для смартфонов Fujifilm instax SHARE SP-2
Лента новостей науки и техники, новинок электроники
Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:
▪ раздел сайта Технологии радиолюбителя. Подборка статей
▪ статья Факультетская терапия. Конспект лекций
▪ статья На какой штат США нужно напасть, чтобы не ввязаться в войну со всем НАТО? Подробный ответ
▪ статья Проведение занятий по спортивным и подвижным играм (футбол, волейбол, баскетбол, теннис и др.). Типовая инструкция по охране труда
▪ статья Усилитель класса В. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники
▪ статья Блок питания, 220/3 вольта 0,2 ампера. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники
Оставьте свой комментарий к этой статье:
Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте

www.diagram.com.ua
2000-2026