Menu Home

Бесплатная техническая библиотека для любителей и профессионалов Бесплатная техническая библиотека


Синтезатор речи. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Бесплатная техническая библиотека

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Цифровая техника

Комментарии к статье Комментарии к статье

Устройство говорящее (синтезатор речи) служит для воспроизведения человеческой речи в различных радиоэлектронных и бытовых устройствах (телефонные автоответчики, дверные замки, различные игрушки). В предлагаемом устройстве, в отличии от известных, применен новый метод формирования сигналов.

Устройство состоит из генератора тактовых импульсов, выход которого подключен ко входу устройства формирования адреса и входу блока управления. Выходы устройства формирования адреса образуют адресную шину. Они соединены с адресными входами ПЗУ, выходы которого, образуя шину данных, соединены со входами данных преобразователя параллельного кода в последовательный. Выход блока управления соединен с управляющим входом устройства преобразования кодов. Выход последнего подключен к устройству формирования уровня выходного сигнала, на выходе которого последовательно включены фильтр, усилитель и громкоговоритель (воспроизводящее устройство) .

Работает устройство следующим образом. После включения все счетчики, входящие в состав устройства, обнуляются. Устройство формирования адреса формирует нулевой адрес на шине адреса. По сигналу блока управления содержимое нулевой ячейки ПЗУ переписывается в устройство преобразования кодов. Информация о значении восьмого бита поступает на устройство формирования уровня. Импульсы тактового генератора через блок управления воздействуют на преобразователь кодов, на выход которого поступают соответственно 7-й, 6-й и т.д. биты нулевого байта. Формирователь уровня в соответствии с заданной программой формирует выходной сигнал. По поступлении восьми импульсов информация, хранимая в нулевой ячейке ПЗУ, будет исчерпана. Девятый импульс формирует новый адрес и сигнал записи выходного кода ПЗУ в устройство преобразования кодов от блока управления. Далее весь процесс повторяется циклически, пока не будет обработана вся информация, хранимая в ПЗУ. Фильтр на выходе устройства формирования сглаживает сигнал, устраняя высокочастотные составляющие, образующиеся при ступенчатом формировании сигнала, усилитель усиливает, а громкоговоритель воспроизводит сигнал.

Принципиальная схема устройства представлена на рисунке.

Синтезатор речи
(нажмите для увеличения)

Синтезатор речи
(нажмите для увеличения)

Генератор тактовых импульсов собран на трех инверторах микросхемы D 1, резисторах R3, R4 и конденсаторе С2. Резистор R4 и конденсатор С2 определяют частоту генерируемых импульсов. Резистор R3 нужен для ограничения тока через входные диоды микросхемы D1 и уменьшения нагрузки на элемент D1.2. Устройство формирования адреса собрано на микросхемах D2.D3.D11.D12.

Блок управления можно разделить на три функциональных узла. Первый служит для начального и повторных запусков схемы. Он собран на диоде VD2, резисторах R1, R2, конденсаторе С1 и ключе SA1. Второй функциональный узел управляет записью информации из ПЗУ в сдвигающий регистр и собран на микросхемах D4.1, D 1.6, диоде VD1, конденсаторе C3 и резисторе R5. Третий узел останавливает работу схемы по окончании речевого фрагмента. Он собран на микросхеме D5.

Преобразователь параллельного кода в последовательный собран на сдвигающих регистрах D7,D8.

Формирователь уровня выходного сигнала собран на микросхеме D9.1, резисторе R6, конденсаторах С4, С5 и полевом транзисторе VT1, включенном по схеме истокового повторителя. Конденсаторы Сб, С9, С10 - разделительные для исключения связей между каскадами по постоянному току.

Фильтр собран на резисторе R8 и конденсаторе С7. Усилитель представляет собой два каскада усиления, собранных на транзисторах VT2, VT3, включенных по схеме с общим эмиттером. Резисторы R9, R10,

R11, R12 определяют режим работы транзисторов по постоянному току. Нагрузкой усилителя является громкоговоритель Rн.

Схема позволяет использовать до десяти микросхем ПЗУ для хранения речевых сообщений. Чем выше тактовая частота задающего генератора, тем выше качество воспроизведения речи, но тем больший требуется объем памяти.

В таблицах приведены коды речевого сообщения: "Я, сибирский Дед Мороз, Вам подарочки принес!" для тактовой частоты 12кГц.

Таблица 1
Таблица 2
Таблица 3
Таблица 4
Таблица 5
Таблица 6
Таблица 7
Таблица 8
Таблица 9

Автор: М.Лошкарев, Алтайский край, Первомайский р-н, п.Сибирский; Публикация: Н. Большаков, rf.atnn.ru

Смотрите другие статьи раздела Цифровая техника.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Власть является ключевым фактором счастья в отношениях 11.03.2026

Исследования семейных и романтических отношений показывают, что длительное счастье пары зависит не только от привычных факторов, таких как доверие, уважение и преданность, но и от более тонких психологических аспектов. Современные ученые ищут закономерности, которые отличают действительно счастливые пары от остальных, чтобы понять, какие механизмы поддерживают гармонию в отношениях. Группа исследователей из Университета Мартина Лютера в Галле-Виттенберге и Бамбергского университета провела опрос среди 181 пары, которые состояли в совместных отношениях более восьми лет и прожили вместе хотя бы месяц. Участники заполняли анкету, описывая различные аспекты своих отношений, включая распределение обязанностей, эмоциональную поддержку и степень вовлеченности в совместные решения. Анализ данных показал интересный паттерн: пары, где оба партнера ощущали высокий уровень личной власти, оказывались наиболее счастливыми и удовлетворенными. В данном контексте под властью понимается способност ...>>

Защищенная колонка-повербанк Anker Soundcore Boom Go 3i 11.03.2026

Компания Anker представила новую модель линейки Soundcore - колонку Soundcore Boom Go 3i, ориентированную на активное использование на улице. Новинка отличается высокой степенью защиты: корпус соответствует стандарту IP68, что обеспечивает водо- и пыленепроницаемость, а ударопрочный дизайн выдерживает падение с высоты до одного метра. За качество звука отвечает 15-ваттный драйвер, обеспечивающий пик громкости до 92 дБ, а технология BassUp 2.0 усиливает низкие частоты, делая звучание более насыщенным. Колонка обладает автономностью до 24 часов, а LED-индикатор позволяет контролировать уровень заряда батареи. Кроме того, Soundcore Boom Go 3i может выполнять функцию павербанка: согласно внутренним тестам, устройство способно зарядить iPhone 17 с нуля до 40% за один час, что делает его полезным аксессуаром в походах и поездках. Среди функциональных особенностей модели стоит выделить технологию Auracast, которая улучшает подключение и позволяет создавать стереопару из двух колонок ...>>

Раннее воздержание от алкоголя перестраивает мозг и иммунитет 10.03.2026

Алкогольная зависимость - хроническое расстройство с компульсивным употреблением спиртного, которое влияет не только на поведение, но и на функционирование мозга и иммунной системы. Недавние исследования показали, что даже на ранних этапах воздержания организм начинает перестраиваться, открывая новые возможности для терапии зависимости. Ученые сосредоточились на пациентах, находящихся в первые недели абстиненции, и зафиксировали значительные изменения в мозговой активности. С помощью функциональной магнитно-резонансной томографии они выявили перестройку сетей нейронных связей, отвечающих за контроль импульсов и принятие решений. Эти изменения могут быть ключевыми для восстановления самоконтроля и снижения риска рецидива. Одновременно с нейронной перестройкой исследователи наблюдали колебания иммунной системы. В крови повышался уровень цитокинов - сигнальных белков, регулирующих воспалительные процессы. Эти данные свидетельствуют о существовании нейроиммунного взаимодействия, при ...>>

Случайная новость из Архива

14-нанометровая память DRAM DDR5 12.10.2021

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства 14-нанометровой памяти DRAM с применением фотолитографии в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV). В марте прошлого года компания поставила первую в отрасли память EUV DRAM. С тех пор количество слоев, формируемых с помощью EUV, увеличено до пяти. По словам производителя, это наиболее передовой техпроцесс в отрасли.

Он обеспечивает максимальную на сегодняшний день плотность хранения, позволяя получить с одной пластины примерно на 20% больший объем памяти. Кроме того, 14-нанометровый техпроцесс может помочь снизить энергопотребление почти на 20% по сравнению с предыдущим поколением.

Новая память поможет получить "беспрецедентные скорости" до 7,2 Гбит/с, более чем вдвое превышающие максимальную скорость DDR4, равную 3,2 Гбит/с.

Samsung планирует выпускать новую память DDR5 для центров обработки данных, суперкомпьютеров и корпоративных серверов. Кроме того, запланировано увеличение плотности кристаллов до 24 Гбит.

Другие интересные новости:

▪ Водителю мешает не мобильный в руках, а разговор по нему

▪ Деньги - всего лишь инструмент

▪ Телевизионная приставка Pipo X7

▪ Унитаз с наномембраной

▪ Мнимая многозадачность улучшает работу мозга

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

 

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Преобразователи напряжения, выпрямители, инверторы. Подборка статей

▪ статья Доменная печь. История изобретения и производства

▪ статья Сколько раз выжил в катастрофах человек, которого журналисты называют самым везучим в мире? Подробный ответ

▪ статья Масштаб карты. Советы туристу

▪ статья Простой металлоискатель, работающий по принципу Передача-Прием. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Кварцевый гетеродин КВ-приемника. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

Имя:


E-mail (не обязательно):


Комментарий:





Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте

www.diagram.com.ua

www.diagram.com.ua
2000-2026