Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Гражданская радиосвязь

 Комментарии к статье

Трансвертер предназначен для работы со стационарным Си-Би трансивером, имеющим выходную мощность 2...6 Вт. В нем применены в основном те же схемотехнические решения, что и в описанной ранее конструкции ("Радио", 1999, № 8. с. 70-72). Отличается он большей выходной мощностью и более высокой чувствительностью. Этот аппарат был испытан с трансферами "Dragon SS-485", "President Lincoln", "Dragon SY-101+". При напряжении питания 13,5 В выходная мощность трансвертера в диапазоне 2 метра составила 5 Вт. Чувствительность приемного тракта "трансвертер-трансивер" - не хуже 0,14...0,15 мкВ. Наличие плавной регулировки усиления УВЧ позволяет адаптировать его к Си-Би трансиверам различной чувствительности. В схеме трансвертера отсутствуют электромагнитные реле, а переход из режима приема в режим передачи происходит автоматически при включении передатчика трансивера.

Схема трансвертера показана на рис. 1. Разъем XW1 служит для подключения трансивера, разъем XW2 - для антенны диапазона 11 метров, а к разъему XW3 подключают антенну диапазона 2 метра. Внешнее питание подключают к гнездам Х1, Х2. Когда трансвертер выключен, трансивер через переключатели SA1.1, SA1.2, SA1.3 соединен с антенной Си-Би диапазона и используется по своему прямому назначению.

(нажмите для увеличения)

При переводе переключателя SA1 в положении "Вкл." на трансвертер подается питающее напряжение, светодиод HL1 сигнализирует о его включении. При этом антенна Си-Би диапазона замыкается на корпус. Это сделано для того, чтобы сигналы с антенны Си-Би диапазона не создавали помех при приеме станций диапазона 2 метра. В данной конструкции они ослаблены на 65...70 дБ.

В режиме приема сигнал с антенны через контуры L17 плюс емкость диодов VD7,VD8 и L18C37, настроенные на центральную частоту диапазона 2 метра, поступает на УРЧ (транзисторы VT10, VT11). Его коэффициент усиления устанавливают резистором R18 в пределах 15...30 дБ.

С выхода УРЧ сигнал через диод VD4 поступает на полосовой фильтр L6L7C7-С9 и далее - на балансный реверсивный смеситель, выполненный на транзисторах VT1, VT2. Смеситель нагружен на контур L4C5C6, настроенный на центральную частоту рабочего диапазона трансивера. Через катушку связи L3 и ФНЧ L1L2C2-С4 с частотой среза около 40 МГц сигнал поступает на трансивер.

На затворы транзисторов смесителя подается напряжение гетеродина, выполненного на транзисторах VT7-VT9. Частота опорного гетеродина (VT7) стабилизирована кварцевым резонатором. Каскад на транзисторах VT8, VT9 - умножитель частоты.

В режиме передачи сигнал Си-Би трансивера через ФНЧ и контур L4C5C6 поступает на смеситель, где преобразуется в сигнал диапазона 2 метра. Выделенный полосовым фильтром L6L7C7-С9 сигнал поступает на двухкаскадный усилитель мощности, выполненный на транзисторах VT3, VT4 и далее на разъем XW3.

Одновременно выходной сигнал Си-Би трансивера выпрямляется диодом VD1 и через стабилизатор на диоде VD2 подается в базовую цепь транзистора VT3, переводя его в режим работы класса АВ. Светодиод HL2, включенный в эту цель, сигнализирует о наличии сигнала трансивера на входе грансвертера. Транзистор VT4 работает без начального смещения. Светодиод HL3 - индикатор наличия сигнала на выходе трансвертера.

Чтобы при передаче исключить влияние УРЧ на работу усилителя мощности и возможность их совместного самовозбуждения, напряжение, выпрямленное диодом VD1, открывает транзистор VT5, что приводит к закрыванию транзистора VT6. При этом УРЧ трансвертера обесточится.

Диоды VD5-VD8 также защищают транзисторы УРЧ от мощного сигнала собственного передатчика. Открывание диодов VD7, VD8 вызовет расстройку входных контуров, а диоды VD5, VD6 ограничат сигнал на базе транзистора VT11.

Все детали трансвертера размещены на двух печатных платах из двустороннего фольгированного стеклотекстолита, эскизы которых показаны на рис. 2 и 3. Вторые стороны плат оставлены металлизированными и соединены тонкой фольгой по контуру с общим проводом первой стороны. Большая плата крепится к теплоотводу, на котором устанавливают транзисторы VT1-VT4. Для этих транзисторов в плате сделаны соответствующие отверстия. В качестве теплоотвода можно применить пластину размерами 100x60 мм из алюминиевого сплава толщиной 3...4 мм, а также корпус трансвертера, если он будет выполнен из такого же материала.

Плату УРЧ (рис.3) припаивают перпендикулярно к большой плате, деталями в сторону усилителя мощности, одновременно она служит экранирующей перегородкой. Вторая экранирующая перегородка на плате сделана из полоски луженой жести.

В трансвертере можно применить детали следующих типов: постоянные конденсаторы - К10-17в, К10-42, КЛС, КМ, КД, подстроечные - КТ4-25. Постоянные резисторы - МЛТ, P1-4f С2-33, Р1-12, подстроенный - СПЗ-19.

Светодиоды - любого типа с рабочим током 10...20 мА и желательно разных цветов. Переключатель SA1 - типа П2К или ПК-61 с фиксацией. ВЧ разъемы - СР-50.

Допустима замена транзисторов: VT1, VT2 - на КП905А-Б; VT4 - на КТ925Б, КТ934Г; VT8, VT9 - на КТ326А; VT7 - на КТ316А-Б, КТ368А-Б; VT10 - на КТ3123Б-2, КТ3123В-2, КТ363Б, VT11 - на КТ3101А-2.

О выборе частоты кварцевого резонатора было подробно рассказано в упомянутой выше статье.

Детали размещают со стороны печатных проводников, а их выводы укорачивают до минимально возможной длины. Конструкция трансвертера - произвольная. Например, на передней панели можно разместить светодиоды и кнопку переключателя, а ВЧ разъемы и гнезда питания установить на задней панели корпуса.

Катушки индуктивности L1, L2, L5 - L7, L9, L12,L16 - L18 - бескаркасные. Они намотаны на оправках диаметром 5 мм. L1 и L2 содержат по 7,5 витка провода ПЭВ-2 0,2. Катушки L6, L7, L16-L18 содержат по 3,5 витка, а L9 и L12 - по 2,5 витка провода ПЭВ-2 0,7. Катушка связи L5 намотана поверх L6 и содержит один виток вдвое сложенного провода ПЭВ-2 0,2. Катушки L7, L18, L19 наматывают с шагом 0,5 мм между витками, оставляя выводы длиной 7... 10 мм. Отводы у L7, L18 сделаны от 0,8 и 2-го витка, считая от "холодного" конца.

Катушки L3, L4, L15 намотаны вдвое сложенным проводом ПЭВ-2 0,2 на пластмассовом каркасе диаметром 5,8 мм. L3 и L4 содержат по 10 витков, L15 - 1,5 витка поверх L14, а сама L14 - 5,8 витка провода ПЭВ-2 0,4. Подстроечник катушек L14 и L15 - марки 7ВН типоразмера С2,8х10.

Дроссели L8, L10 бескаркасные, намотаны проводом ПЭВ-2 0,2 на оправке диаметром 3 мм и содержат по 15...20 витков.

Дроссель L11 намотан непосредственно на резисторе R4 проводом ПЭВ-2 0,1 и содержит 30 витков.

Дроссель L13 намотан проводом ПЭВ-2 0.2 на кольцевом ферритовом магнитопроводе М1000НМ типоразмера К10x6x3 мм. Число витков - 10.

Конструкция устройства позволяет налаживать УРЧ и передающий тракт раздельно. Сначала настраивают УРЧ по постоянному току. Для этого подбором резистора R20 устанавливают на эмиттере VT10 напряжение в пределах 5...6 В. Затем конденсатором C37 предварительно настраивают контур L18C37 УВЧ на центральную частоту диапазона 2 метра.

Следующим настраивают гетеродин. Подстроечником катушки L14 и конденсатором C32 добиваются устойчивой генерации и максимального напряжения гетеродина на затворах транзисторов VT1, VT2 (не менее 6...7 В). Контроль напряжения следует вести высокоомным ВЧ вольтметром. Резистором R14 можно изменять значение этого напряжения. Конденсатором С25 точно подстраивают частоту гетеродина. В авторской конструкции был использован резонатор на частоту 58997 кГц (третья гармоника) и частота гетеродина составляла 118 МГц. Если частота кварцевого резонатора будет несколько больше требуемой, конденсатор С25 следует заменить на катушку индуктивности.

На выход трансвертера подключают нагрузку 50 Ом и мощностью не менее 5 Вт. На его вход с трансивера подают сигнал мощностью 4 Вт. Через резистивный делитель 1:10 контролируют широкополосным осциллографом выходное напряжение. Подстроечными конденсаторами С7, С9, С14, С15, С19 добиваются "чистого" сигнала с амплитудой 15...16 В. При необходимости подстраивают катушки L9, L12 изменением числа витков или изменением шага намотки.

Затем окончательно настраивают УРЧ. Для этого подстройкой катушки L17 и конденсатором C37 устанавливают полосу пропускания УРЧ 5...8 МГц. Возможно придется уточнить точки подключения отводов у катушки L18.

Все катушки и детали, смонтированные навесным методом, следует зафиксировать небольшим количеством эпоксидного клея, а после его полимеризации произвести окончательную настройку всех узлов.

Трансвертер лучше использовать с трансивером, имеющим большой диапазон рабочих частот (до 10 сеток), что упрощает индикацию частоты настройки и возможность перехода из "нулей" в "пятерки". При их сопряжении резистором R18 устанавливают оптимальный коэффициент усиления УРЧ, который обеспечивает максимальную чувствительность приемного тракта "трансвертер - трансивер" при минимально вносимом уровне шумов. Трансвертер одинаково хорошо работает с ЧМ трансиверами, имеющими выходную мощность от 2 до 8 Вт, однако следует учесть, что излишки мощности будут рассеиваться на его элементах, в первую очередь на полевых транзисторах смесителя.

Авторы: И.Нечаев (UA3WIA), И.Березуцкий (RA3WNK)

Смотрите другие статьи раздела Гражданская радиосвязь.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Экраны влияют на детей неравномерно в разном возрасте 01.08.2026

Планшеты и смартфоны давно стали привычной частью повседневной жизни даже самых маленьких детей. Родители часто используют гаджеты, чтобы успокоить малыша или занять его на время, однако ученые все чаще задаются вопросом, как экранное время сказывается на развитии мозга и будущей способности к обучению. Новое исследование показывает, что значение имеет не только продолжительность просмотра, но и возраст, в котором ребенок проводит время перед экраном. Ученые наблюдали детей от рождения до 8 лет. Оказалось, что больше всего экраны влияют на мозг в два периода - в раннем младенческом возрасте и перед поступлением в школу. У детей, много времени проводивших перед экранами в эти возрастные точки, в 9 лет были несколько хуже успехи в обучении, а в 10,5 лет хуже работала рабочая память - способность удерживать и обрабатывать информацию здесь и сейчас. Исследователи из Франции и Сингапура проанализировали данные 502 детей и выделили два ключевых этапа. У младенцев мозг развивается очень ...>>

Умные жилеты, спасающие от жары 01.08.2026

Летняя жара в больших городах все чаще становится серьезным испытанием для людей, работающих на открытом воздухе. Мусорщики, строители и другие специалисты вынуждены проводить часы под палящим солнцем, рискуя перегревом. Китайские инженеры предложили практичное решение - специальные охлаждающие жилеты, которые помогают снизить ощущаемую температуру примерно на 10 градусов. Пока мир страдает от сильной жары, китайские инженеры разработали "умные" жилеты с климат-контролем. Жилеты с кондиционированием почти не отличаются от обычной рабочей одежды. Главное отличие - в системе охлаждения. В городе Нанкин в жилет вмонтированы два вентилятора, работающих от портативных аккумуляторов. Одного заряда хватает на 3-4 часа непрерывной работы. В Чанчжоу решили разместить в карманах охлаждающие элементы с материалом, который при нагревании переходит из твердого состояния в жидкое, активно поглощая тепло. Это поддерживает комфортную температуру в течение 2,5-4 часов. Такие жилеты выглядят почти ...>>

Летающие ветротурбины 3 МВт вышли в серию 31.07.2026

Традиционные ветряные электростанции зависят от силы и стабильности ветра у поверхности земли, где воздушные потоки часто бывают слабыми и порывистыми. На больших высотах ветер обычно сильнее и постояннее, поэтому инженеры уже давно рассматривают возможность подъема турбин в воздух. Китайская компания сделала важный шаг в этом направлении, перейдя от испытаний к мелкосерийному производству. Компания Beijing Linyi Yunchuan Energy Technology запустила мелкосерийное производство летающей ветротурбины S2000, а в провинции Чжэцзян возводят отдельный завод по производству материалов для оболочки аппарата. У компании уже есть предварительные договоренности с прибрежными городами и горными регионами, которые рассматривают возможность использования этой технологии для удовлетворения собственных энергетических потребностей. Прототип, который полгода назад только что поднялся в небо над Сычуанем, теперь превращается в целую отрасль. Идея S2000 проста: вместо того чтобы устанавливать ветряну ...>>

Случайная новость из Архива Новое объяснение жизни солнечных протуберанцев 17.04.2026 Изучение Солнца постоянно сталкивается с явлениями, которые на первый взгляд противоречат здравому смыслу. Особенно это касается солнечной атмосферы, где соседствуют экстремально горячие и сравнительно холодные структуры. Одним из таких феноменов являются протуберанцы - гигантские облака плазмы, которые способны существовать в условиях, где, казалось бы, ничто плотное и холодное удержаться не может. Новое моделирование позволило по-новому взглянуть на природу их устойчивости. Солнечная корона разогрета до температур свыше миллиона градусов, однако внутри нее наблюдаются структуры, температура которых составляет примерно 10 тысяч градусов. Это выглядит как физический парадокс: относительно холодная и плотная плазма сохраняется в крайне горячей разреженной среде. Исследование показывает, что такие образования не являются случайными "гостями" короны, а поддерживаются постоянным притоком вещества из нижних слоев Солнца. Работа основана на 3D-симуляции, охватывающей сразу несколько уровней солнечной структуры - от конвективной зоны под поверхностью до хромосферы и короны. Такой подход позволил впервые рассмотреть процесс формирования протуберанцев как единую систему. Основной результат заключается в том, что их возникновение начинается с выброса холодной плазмы из хромосферы, после чего структура поддерживается сочетанием новых поступлений вещества и процессов конденсации горячей корональной плазмы. Чтобы понять значимость этого результата, важно уточнить, что собой представляет протуберанец. Это масштабная структура плазмы, "подвешенная" в короне и удерживаемая магнитными полями Солнца. При наблюдении на диске Солнца такие образования называют филаментами. По данным NASA, подобные структуры могут сохраняться в стабильном состоянии в течение месяцев, несмотря на крайне агрессивные условия окружающей среды. Долгое время оставался нерешенным вопрос, почему холодная и плотная плазма не рассеивается в горячей короне. Предлагались различные механизмы ее формирования, включая прямую инъекцию вещества снизу, магнитную левитацию и сценарий испарения с последующей конденсацией. Однако ни один из них в отдельности не объяснял устойчивость протуберанцев в полном объеме и не связывал процессы в разных слоях Солнца в единую картину. В новой модели ключевую роль играет магнитная структура, формирующая своеобразную "ловушку" или впадину в линиях магнитного поля. В такой конфигурации плазма не может свободно рассеиваться и начинает накапливаться в определенной области. Это можно сравнить с природной чашей, где вещество удерживается не твердыми стенками, а геометрией магнитного поля. Формирование протуберанца начинается с того, что турбулентные движения и изменения магнитного поля в нижних слоях Солнца поднимают холодную плазму из хромосферы вверх. Этот первичный выброс становится основой будущей структуры. Однако он не распадается благодаря тому, что оказывается в зоне устойчивого магнитного удержания в короне. Дальнейшая устойчивость обеспечивается не одним процессом, а комбинацией двух механизмов. С одной стороны, происходят регулярные новые поступления холодной плазмы из хромосферы. С другой - горячая корональная плазма частично поступает в область протуберанца, где охлаждается и конденсируется. В результате структура постоянно обновляется, компенсируя потери вещества, которое постепенно "осыпается" обратно в нижние слои Солнца. Важно, что без такого постоянного обмена протуберанец существовать не может. Он напоминает динамическую систему, где вещество непрерывно поступает и уходит, а стабильность поддерживается балансом потоков. Магнитное поле при этом играет роль не только удерживающего каркаса, но и своеобразного механизма, направляющего движение плазмы и организующего ее перераспределение. Результаты работы также подчеркивают, что Солнце нельзя рассматривать по частям. Процессы в конвективной зоне влияют на магнитную структуру, она определяет поведение короны, а уже корона задает условия существования протуберанцев. Это делает солнечную систему глубоко связанной и иерархически организованной. Протуберанцы имеют не только теоретическое значение. Их разрушение может сопровождаться корональными выбросами массы - мощными выбросами плазмы в межпланетное пространство, которые способны достигать Земли. Такие события вызывают геомагнитные бури, влияющие на работу спутников, радиосвязи и энергосистем. Поэтому понимание их устойчивости напрямую связано с задачами прогнозирования космической погоды. Хотя новая модель пока остается теоретической, она открывает путь к более точным прогнозам солнечной активности. Следующим шагом станет проверка ключевых предсказаний на основе наблюдений, включая определение условий, при которых протуберанцы теряют устойчивость и переходят в активные выбросы.

Другие интересные новости:

▪ Радиочастотный блок Microchip SST12LF09

▪ Android для автомобилей Mercedes-Benz

▪ Разработан вогнутый датчик изображения

▪ Самый большой в мире телевизор с жидкокристаллическим экраном

▪ Фонарик на светодиодах

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Защита электроаппаратуры. Подборка статей

▪ статья Установление связи и подготовка средств сигнализации. Основы безопасной жизнедеятельности

▪ статья Где можно посетить тематический парк, в котором танцуют и поют одни карлики? Подробный ответ

▪ статья Гребенщик. Легенды, выращивание, способы применения

▪ статья Обзор рынка металлоискателей и металлодетекторов. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Миллиметровые волны в системах связи. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026