Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Гражданская радиосвязь

 Комментарии к статье

В радиолюбительской литературе есть немало описаний современных трансиверов, но не каждый начинающий радиолюбитель отважится повторять их. Недостаток опыта конструирования и налаживания такой аппаратуры, а также экономические проблемы заставляют, порой, использовать разработки, ставшие классикой для радиолюбителей нашей страны.

Десятки лет верой и правдой служат нам "старички" - трансиверы конструкции UW3DI, оставаясьдля многих единственной возможностью с увлечением проводить время в эфире. За прошедшие годы в различной литературе было немало публикаций по доработке и усовершенствованию этих трансиверов. С ориентацией на начинающего радиолюбителя и основываясь на собственном опыте, предлагаю некоторые изменения в конструкции и схеме первоначальной авторской публикации трансивера UW3DI-1 (см. "Радио", 1970,№ 5,6).

Автоматическая регулировка усиления

Существенно улучшить работу трансивера позволит введение системы АРУ. За основу взята схема АРУ трансивера UW3DI-II (с некоторыми дополнениями, см. рис.1). На этом и последующих рисунках позиционные обозначения элементов без номиналов соответствуют позиционным обозначениям схемы в авторской публикации с небольшой модификацией - Л7 заменено на VL7, РЗ-на КЗ и т. п.ЛампывУПЧ заменены: 6Ж9П (VL4) - на 6К13П и 6Ж1П (VL5) - на 6К4П. Следует учесть, что перед установкой в транси-вер лампы 6К13П необходимо поменять местами проводники, подведенные к ножкам 8 и 9 ламповой панельки. Цоколевки ламп 6К4П и 6Ж1П совпадают.

Низкочастотный сигнал с лампы VL7 УНЧ через эмиттерный повторитель на транзисторе VT1 подается на детектор АРУ (диоды VD1\VD2). Конденсатор C3 определяет время задержки АРУ, стабилитрон VD3 - порог срабатывания АРУ. Резистором R9 осуществляют ручную регулировку усиления. При наиболее громких сигналах напряжение на шине АРУ достигает величины -10 В.

Узел АРУ собран на печатной плате из фольгированного стеклотекстолита. Ее устанавливают в подвале шасси.

Входной контур УВЧ

Улучшить избирательность приемного тракта можно, установив на входе УВЧ высокодобротный узкополосный контур (рис. 2). Катушка L1 выполнена на ферритовом магнитопроводе с отверстиями (так называемом трансфлюксоре), который применяют, например, в телевизионных комнатных антеннах. Она содержит 50 витков провода ПЭВ-2 0,23 мм. Отвод для диапазона 80 м сделан от 25-го витка, для диапазона 40 м - от 10-го витка (считая от конца катушки, соединенного с общим проводом). Катушка связи с антенной - один виток такого же провода.

Катушка L2 выполнена на каркасе диаметром 15 мм и имеет 20 витков посеребренного провода диаметром 0,7 мм. Шаг намотки - 1 мм. Отводы сделаны от 1-го и 12-го витков, считая от конца катушки, соединенного с общим проводом.

S-метр и индикатор выхода

Эта доработка (рис. 3) позволяет использовать имеющийся в трансивере измерительный прибор как S-метр при приеме и индикатор выхода при передаче. Для коммутации измерительного прибора используют свободную группу контактов реле КЗ. Миллиамперметр заменяют микроамперметром с током полного отклонения 50-100 мкА. При приеме прибор градуируют по общепринятой методике подбором резистора R4, а при передаче - подстроечным резистором R3 (при максимальном сигнале на выходе трансивера).

При первоначальной настройке П-контура (подбором конденсаторов С53 - С55) в анодную цепь лампы выходного каскада следует включить миллиамперметр на 150-200 мА. В дальнейшем настройку выходного контура контролируют по индикатору выхода.

Микрофонный усилитель

Для работы с низкоомными микрофонами надо добавить каскад на транзисторе VT1 (рис. 4). Системы VOX, AntiVOX и лампа VL14 исключены. Освободившийся при этом правый по схеме вывод конденсатора С 105 соединяют с общим проводом, как это и показано на рис. 4. Правый по схеме вывод резистора R87 подключе шине, которая объединяет катоды ламп, используемых только в режиме передачи. Переменным резистором R5 регулируют уровень выходного сигнала микрофонного усилителя.

Коммутация режимов

В трансивере есть три режима: CW, SSB и настройка. При настройке трансивер включают на передачу переключателем SA2 (рис. 5). При работе CW и SSB для этого используют педаль. Резистор R1 подбирают в зависимости от типа применяемого реле.

Автор: Владимир Житков, п.Усть-Донецк Ростовской обл.

Смотрите другие статьи раздела Гражданская радиосвязь.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Зеркальные спутники и их угрозы для астрономии и экологии 09.11.2025

Калифорнийский космический стартап Reflect Orbital, который планирует к 2030 году вывести на орбиту 4 000 зеркальных спутников, отражающих солнечный свет на Землю даже ночью. Главная цель - увеличить эффективность солнечных электростанций, обеспечивая непрерывное освещение в ночное время. Первый демонстрационный аппарат EARENDIL-1 с зеркалом площадью 334 м2 предполагается запустить в апреле 2026 года, а соответствующая заявка уже подана в Федеральную комиссию связи США (FCC). Проект получил 1,25 млн долларов поддержки от ВВС США в рамках программы для малого бизнеса. Идея заключается в том, чтобы спутники создавали дополнительное освещение для энергетических систем, однако многие ученые выражают сомнения как в технической реализуемости, так и в потенциальном вреде для окружающей среды. Астрономы, включая Майкла Брауна и Мэтью Кенворти, подсчитали, что отраженный свет будет примерно в 15 000 раз слабее дневного солнца, хотя и ярче полной Луны. Для того чтобы создать хотя бы 20% дн ...>>

Портативный твердотельный накопитель Lexar Air 09.11.2025

Компания Lexar представила портативный твердотельный накопитель Air (pSSD), сочетающий компактность, высокую скорость и надежность. Вес устройства составляет всего 19 граммов, а толщина в тончайшей части достигает всего 6 мм, что делает его одним из самых легких и тонких SSD на рынке. Накопитель выпускается в двух вариантах емкости: 512 ГБ и 1 ТБ. Версия на 1 ТБ оценивается примерно в 459 юаней (около $64), а старт продаж модели на 512 ГБ пока не объявлен. Lexar Air оснащен интерфейсом USB 3.2 Gen 1 (5 Гбит/с) и разъемом USB-C, при этом в комплект входит переходник с USB-C на USB-A для универсальной совместимости. Производитель заявляет скорость последовательного чтения до 390 МБ/с и записи до 400 МБ/с, что позволяет быстро передавать большие файлы, включая видео высокой четкости. Корпус накопителя выполнен в компактном форм-факторе, который удобно держать на ладони, а максимальная толщина не превышает 9,3 мм. Конструкция выдерживает падения с высоты до 2 метров, а для удобног ...>>

Горькие продукты улучшают работу мозга 08.11.2025

Как выяснили японские ученые, горький вкус флаванолов играет важную роль в стимуляции центральной нервной системы. Даже при минимальном усвоении этих веществ организм получает сигнал к повышению активности нейромедиаторов и улучшению когнитивных функций, что делает натуральные продукты с горьким вкусом потенциально полезными для мозга и общей физиологии. В поисках способов улучшить работу мозга ученые все чаще обращаются к натуральным соединениям, содержащимся в привычных продуктах питания. Одним из таких веществ являются флаванолы, присутствующие в какао, красном вине и ягодах. Исследователи из Технологического института Сибаура в Японии выяснили, что горький и вяжущий вкус этих соединений способен активировать мозг через вкусовые рецепторы, способствуя улучшению памяти, внимания и способности к обучению. Ранее было известно, что флаванолы защищают нейроны и поддерживают когнитивные функции, однако их биодоступность - доля вещества, поступающая в кровь - крайне низка. Это вызвал ...>>

Случайная новость из Архива 8-Гбит DDR4-чипы и 32-Гбайт DDR4-модули Samsung 23.10.2014 Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства DDR4-чипов емкостью 8 Гбит по технологии 20-нм. Новые микросхемы памяти позволяют создавать модули объемом 32 Гбайт, чье производство уже началось. В перспективе Samsung сможет создать серверные модули объемом 128 Гбайт. Новые 8-Гбит чипы DDR4-памяти Samsung сертифицированы на работу на частотах до 2400 МГц с напряжением питания в 1,2 В, что является наименьшим в индустрии. Хотя 8-Гбит чипы памяти и не будут работать на сверхвысоких частотах, как 4-Гбит варианты, они позволят создавать модули увеличенного объема, что важно для мощных серверов нового поколения на базе многоядерных процессоров Intel Xeon E5 v3 "Haswell-EP". Компания Samsung уже начала производство серверных RDIMM объемом 32 Гбайт на базе новых чипов памяти. Данные модули будут работать на частотах до 2400 МГц, что на 29 % быстрее DDR3 RDIMM-модулей для серверов аналогичного объема, которые работают на 1866 МГц. В перспективе компания Samsung планирует создавать многослойные чипы памяти, используя 8-Гбит микросхемы и соединения TSV (through silicon via). Чип, который будет включать в себя четыре 8-Гбит микросхемы, будет иметь объем в 32 Гбит, что позволит создать модули памяти объемом до 128 Гбайт. Компания Samsung - первая среди производителей оперативной памяти для ПК, кто будет производить чипы DDR4 объемом 8 Гбит по технологии 20-нм. Подобный подход позволит снизить размеры чипов и, как следствие, их себестоимость. Маловероятно, что 8-Гбит чипы станут сколь-нибудь популярными на рынке ПК в ближайшее время, однако серверы и некоторые рабочие станции будут использовать модули на их базе.

Другие интересные новости:

▪ Создан прибор для имитации запахов в компьютерных играх

▪ Сетевой стандарт со скоростью передачи данных 800 Гбит/с

▪ Очки виртуальной реальности Carl Zeiss VR One

▪ Темную материю вокруг Солнца не нашли

▪ Золото на листе

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Электронные справочники. Подборка статей

▪ статья Магнитоплан. История изобретения и производства

▪ статья Почему у кенгуру есть сумка? Подробный ответ

▪ статья Консольный винтовой пресс. Домашняя мастерская

▪ статья Стабилизатор напряжения с термокомпенсацией. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Электрооборудование кранов. Электрооборудование кранов напряжением выше 1 кВ. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2025