Бесплатная техническая библиотека
Малошумящий антенный усилитель диапазона 430 МГц. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Гражданская радиосвязь
Комментарии к статье
При проведении радиосвязей через радиолюбительские спутники, работающие на диапазонах 144/430 МГц для приема и передачи, обычно применяют отдельные антенны на эти диапазоны. При использовании направленных антенн возникает необходимость их перемещения (вращения) по углу места и азимуту, что непросто в реализации, а при использовании всенаправленных антенн прием не всегда удовлетворителен из-за их относительно низкой эффективности. Повысить качество приема можно за счет установки в непосредственной близости к антенне усилителя.
Схема такого усилителя показана на рис. 1. Его коэффициент усиления составляет 12...20 дБ (в зависимости от типа транзистора), полоса пропускания по уровню 3 дБ - около 10 МГц, КСВ по входу на центральной частоте диапазона не превышает 1,3. На входе и выходе усилителя установлены селективные LC-контуры L1C1C2 и L3C9C10, а для защиты транзистора от мощного сигнала передатчика по входу и выходу - диоды VD1VD2 и VD3VD4 соответственно. Режим транзистора по постоянному току обеспечивает резистор R1, напряжение питания стабилизировано интегральным стабилизатором DA1. Питают усилитель по кабелю снижения через дроссель L4, диод VD5 защищает устройство от неправильной полярности питающего напряжения.

В усилителе применимы полевые транзисторы АП325А-2, ЗП344А-2, АП344А-2, ЗП602А-2. Более хорошие результаты можно получить, применив малошумящий полевой транзистор ATF-10136, предназначенный для работы в диапазоне частот 0,5... 12 ГГц и имеющий коэффициент усиления около 20 дБ. Диод VD5 - любой малогабаритный выпрямительный, подстроечные конденсаторы - КТ4-25, постоянные - К10-17В (без выводов), резисторы - Р1-12, МЛТ или Р1-4с выводами минимальной длины. Катушки L1 и L3 намотаны проводом ПЭВ-2 0,8 на оправке диаметром 4 мм и содержат 1,5 витка, длина намотки - 5 мм. Катушки L2 и L4 намотаны виток к витку на оправке диаметром 2,5 мм и содержат по 12... 14 витков провода ПЭВ-2 0,2.
Почти все детали усилителя размещены на одной стороне печатной плате из двусторонне фольгированного стеклотекстолита толщиной 1... 1,5 мм, эскиз которой показан на рис. 2. Вторая сторона платы не имеет печатных проводников, но оставлена металлизированной и соединена по контуру с общим проводом. Также к ней припаяна пластина двусторонне фольгированного стеклотекстолита размерами 2x20 мм, которая используется как опорный контакт и к нему припаивают диоды VD1 и VD2, конденсаторы С1 и С2, катушку L1, а через отверстие в плате - затвор полевого транзистора\/Т1.

Конструкция усилителя показана на рис. 3. Плата 1 пайкой с двух сторон закреплена в металлическом каркасе 2, изготовленном из луженой жести или аналогичного материала. На каркасе установлены ВЧ коаксиальные гнезда 3 и 4 для подключения антенны и фидера. Конденсатор С1 установлен между гнездом XS1 и пластиной 5, на гнезде XS2 размещен конденсатор С10, а С9 и L4 - между XS2 и платой.

Усилитель закрывают с двух сторон крышками, которые припаиваются к каркасу. После запайки устройство надо покрыть влагостойкой краской или лаком, располагать на антенне - гнездами вниз, чтобы в него не затекала вода, и, желательно, поместить под небольшой навес. После подключения кабелей разъемы необходимо загерметизировать эластичным герметиком.
Для питания усилителя по фидеру, рядом с трансивером, устанавливают блок питания, схема которого показана на рис. 4. Катушка L1 в нем аналогична катушке L4 усилителя, конденсаторы С1,С2 - К10-17В. Все межэлементные соединения должны быть минимальной длины, а для изготовления устройства можно использовать отрезок двусторонне фольгированного стеклотекстолита, разместив на нем детали и припаяв к нему ВЧ кабели, при этом одну из сторон надо использовать в качестве общего проводника.

Налаживание устройства сводится к установке подбором сопротивления резистора R1 тока стока - 25 мА. После этого устанавливают резистором R2 напряжение сток-исток, равное 2 В. Построечными конденсаторами добиваются максимального усиления на требуемой частоте, при этом добиваясь конденсаторами С1С2 минимального КСВ по входу. Эту настройку можно проводить на слух - по наилучшему качеству приема слабого сигнала.
Для повышения устойчивости усилителя к возбуждению на стоковый вывод транзистора рекомендуется надеть ферритовую бусинку или включить в цепь стока малогабаритный резистор Р1-4, Р1-12 сопротивлением 5...10 Ом.
Автор: И.Нечаев (UA3WIA), г.Курск
Смотрите другие статьи раздела Гражданская радиосвязь.
Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.
<< Назад
<< Назад
Последние новости науки и техники, новинки электроники:
Власть является ключевым фактором счастья в отношениях
11.03.2026
Исследования семейных и романтических отношений показывают, что длительное счастье пары зависит не только от привычных факторов, таких как доверие, уважение и преданность, но и от более тонких психологических аспектов. Современные ученые ищут закономерности, которые отличают действительно счастливые пары от остальных, чтобы понять, какие механизмы поддерживают гармонию в отношениях.
Группа исследователей из Университета Мартина Лютера в Галле-Виттенберге и Бамбергского университета провела опрос среди 181 пары, которые состояли в совместных отношениях более восьми лет и прожили вместе хотя бы месяц. Участники заполняли анкету, описывая различные аспекты своих отношений, включая распределение обязанностей, эмоциональную поддержку и степень вовлеченности в совместные решения.
Анализ данных показал интересный паттерн: пары, где оба партнера ощущали высокий уровень личной власти, оказывались наиболее счастливыми и удовлетворенными. В данном контексте под властью понимается способност ...>>
Защищенная колонка-повербанк Anker Soundcore Boom Go 3i
11.03.2026
Компания Anker представила новую модель линейки Soundcore - колонку Soundcore Boom Go 3i, ориентированную на активное использование на улице.
Новинка отличается высокой степенью защиты: корпус соответствует стандарту IP68, что обеспечивает водо- и пыленепроницаемость, а ударопрочный дизайн выдерживает падение с высоты до одного метра. За качество звука отвечает 15-ваттный драйвер, обеспечивающий пик громкости до 92 дБ, а технология BassUp 2.0 усиливает низкие частоты, делая звучание более насыщенным.
Колонка обладает автономностью до 24 часов, а LED-индикатор позволяет контролировать уровень заряда батареи. Кроме того, Soundcore Boom Go 3i может выполнять функцию павербанка: согласно внутренним тестам, устройство способно зарядить iPhone 17 с нуля до 40% за один час, что делает его полезным аксессуаром в походах и поездках.
Среди функциональных особенностей модели стоит выделить технологию Auracast, которая улучшает подключение и позволяет создавать стереопару из двух колонок ...>>
Раннее воздержание от алкоголя перестраивает мозг и иммунитет
10.03.2026
Алкогольная зависимость - хроническое расстройство с компульсивным употреблением спиртного, которое влияет не только на поведение, но и на функционирование мозга и иммунной системы. Недавние исследования показали, что даже на ранних этапах воздержания организм начинает перестраиваться, открывая новые возможности для терапии зависимости.
Ученые сосредоточились на пациентах, находящихся в первые недели абстиненции, и зафиксировали значительные изменения в мозговой активности. С помощью функциональной магнитно-резонансной томографии они выявили перестройку сетей нейронных связей, отвечающих за контроль импульсов и принятие решений. Эти изменения могут быть ключевыми для восстановления самоконтроля и снижения риска рецидива.
Одновременно с нейронной перестройкой исследователи наблюдали колебания иммунной системы. В крови повышался уровень цитокинов - сигнальных белков, регулирующих воспалительные процессы. Эти данные свидетельствуют о существовании нейроиммунного взаимодействия, при ...>>
Случайная новость из Архива Транзистор с затвором 0,34-нм
19.03.2022
Группа китайских ученых придумала необычный дизайн транзистора. Благодаря уникальной конструкции они изготовили самый маленький в мире транзистор с длиной затвора всего 0,34 нм. Дальнейшее уменьшение длины затвора с использованием традиционных техпроцессов в принципе невозможно, ведь речь идет о длине затвора, равной ширине одного атома углерода.
Новый транзистор ученые назвали вертикальным транзистором с боковой стенкой. Идею вертикального расположения транзисторного канала, кстати, недавно реализовали также компании Samsung и IBM, о чем мы в свое время рассказывали. Но китайские разработчики смогли удивить. Затвор в новом транзисторе представляет собой срез одного атомарного слоя графена, а его толщина, как известно, равна толщине одного атома углерода или примерно 0,34 нм. И самое удивительное, что для изготовления затвора такой длины не нужны никакие современные литографические сканеры. Все необходимые тончайшие компоненты создаются с помощью процессов осаждения в вакууме.
Как это происходит? Берется обычная кремниевая подложка. Она играет роль основания. В электрических процессах кремний никак не участвует, хотя, теоретически, может защищать от токов утечек. На кремниевом слое из сплава титана и палладия изготовлены две ступеньки. На верхнюю ступеньку укладывается лист графена. Точность при этом не нужна. Она будет достигаться позже обычным травлением. На лист графена укладывается слой предварительно окисленного на воздухе алюминия. Окисел служит изолятором для структуры. Поэтому алюминий в электрической цепи транзистора не участвует, хотя полной ясности в назначении алюминиевой прослойки нет.
Поле укладки алюминия производится обычное травление, в ходе которого обнажается край графена, включая срез алюминиевой накладки. Тем самым формируется затвор из графена длиной 0,34 нм с точно выверенной топологией. Чуть выше него обнажается срез алюминия, который уже может образовать электрическую связь с затвором, но не прямую. На этом этапе на обе ступеньки и на боковую стенку наносится тончайший слой оксида гафния - изолятора, который исключает электрическую связь затвора с остальной структурой транзистора и, в частности, с каналом транзистора.
Поверх диэлектрика из оксида гафния наносится тончайший близкий к атомарной толщине слой диоксида молибдена (MoS2). Диоксид молибдена - полупроводник, он играет роль канала транзистора, которым управляет затвор в виде среза графена. Получается структура толщиной около двух атомов, с затвором длиной в один атом. Сток и исток у транзистора - это металлические контакты, нанесенные на диоксид молибдена. Изящное решение проблемы закона Мура и, судя по всему, на этом его действие будет завершено, если говорить о традиционных техпроцессах.
|
Другие интересные новости:
▪ Орбитальная рентгеновская обсерватория Einstein Probe
▪ Механизм компенсации органов чувств
▪ Очистка водоемов с помощью пивных дрожжей
▪ Графический процессор AMD для встроенных систем с поддержкой 4К
▪ Дети удлиняют вашу жизнь
Лента новостей науки и техники, новинок электроники
Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:
▪ раздел сайта Устройства защитного отключения. Подборка статей
▪ статья Ночь нежна. Крылатое выражение
▪ статья Откуда у морей цветные названия? Подробный ответ
▪ статья Зигзаговый узел. Советы туристу
▪ статья Усилители мощности транзисторные. Справочник
▪ статья Радиоприем… без радиоприемника. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники
Оставьте свой комментарий к этой статье:
Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте

www.diagram.com.ua
2000-2026