УКВ радиоприемник на КХА-058. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Радиоприем

 Комментарии к статье

Два года назад у нас в продаже появилась микросхема КХА-058. На ее базе я сделал УКВ радиоприемник, схему которого представляю вашему вниманию. Приемник был задуман для работы на наушники от плейера. Он минимальных размеров и удобен для переноски в нагрудном кармане куртки, рубашки. Так как микросхема потребляет сравнительно большой ток (8...14 мА), в качестве источника питания я применил три цилиндрические батарейки размером 14 х 50 мм. Остальная часть схемы была выбрана с учетом пониженного напряжения питания и малого потребления тока.

(нажмите для увеличения)

В качестве УНЧ использовалась микросхема К538УН3А [1]. Она обеспечивает достаточную мощность на нагрузке. Для согласования микросхемы с низкоомной нагрузкой необходимо включить последовательно с ней резистор 100 Ом. Для работы на громкоговоритель можно применить микросхему К157УД1 [2]. Обе микросхемы сохраняют работоспособность при снижении напряжения питания до 3 В. Для перестройки приемника по диапазону используется варикап КВ134АТ (можно использовать КВ132АТ), который включается в контур гетеродина через разделительный конденсатор. В качестве такого конденсатора я использовал свободный конденсатор микросхемы между ее третьей и четвертой ножками.

Для стабилизации опорного напряжения варикапа служит схема микромощного стабилизатора на трех транзисторах. Транзистор VT3 должен быть германиевым. Все это немного усложняет схему, но значительно экономичнее и стабильнее. Коэффициент стабилизации составляет примерно 10. Напряжение стабилизации можно изменять от 1,5 В до 2 В без заметного ухудшения коэффициента стабилизации, подбирая резистор R7. При номиналах, указанных на схеме,опорное напряжение составляет 2 В. Катушка индуктивности в контуре гетеродина содержит 14 витков провода ПЭВ 0,4 мм, намотанных виток к витку на ребристом каркасе 6х6 мм с ферритовым подстроечником диаметром 3 мм.

Элементом настройки является резистор R6 типа СП3-36 и т.п. Такой резистор удобен тем, что он миниатюрный, многооборотный и имеет ползунок с меткой, которую можно использовать в качестве шкалы.

Литература

1. Булычев А., Галкин В., Прохоренко В.Аналоговые интегральные схемы.
2. Приемник на аналоговых микросхемах//В помощь радиолюбителю. Вып.106.-С.73.

Автор: В.Ильюкевич

Смотрите другие статьи раздела Радиоприем.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Расставание действительно может причинять физическую боль 16.09.2026

Разрыв отношений с близким человеком способно вызывать настолько сильные переживания, что привычное выражение "разбитое сердце" иногда воспринимается почти буквально. Человек может испытывать тревогу, тоску и эмоциональное напряжение, сопровождающиеся вполне реальными телесными ощущениями. Исследования работы мозга показывают, что такая связь между эмоциональными и физическими страданиями может иметь вполне определенную нейробиологическую основу. Эксперимент, позволивший изучить этот вопрос, провела команда психолога Итана Кросса из Мичиганского университета. В исследовании участвовали 40 человек, недавно переживших расставание по инициативе партнера. Все добровольцы продолжали остро реагировать на произошедшее, что позволило исследователям изучить мозговую активность в период наиболее сильных переживаний. Во время эксперимента участников помещали в аппарат магнитно-резонансной томографии. Испытуемым поочередно показывали фотографию бывшего партнера и подвергали предплечье воздей ...>>

Научно доказана невозможность создания нейтринного лазера 16.09.2026

Лазер давно перестал быть исключительно лабораторной технологией: сегодня он используется в связи, медицине, промышленности и научных исследованиях. Поэтому физики периодически предлагают необычные варианты устройств, способных работать по аналогичным принципам, но с другими типами частиц. В 2025 году появилась идея создать лазер, формирующий направленный поток нейтрино. Однако последующий теоретический анализ показал, что привлекательная на первый взгляд концепция сталкивается не просто с техническими трудностями, а с фундаментальными законами квантовой физики. Первоначальную концепцию предложили профессор Массачусетского технологического института (MIT) Джо Формаджио (Joe Formaggio) и Бен Джонс (Ben Jones) из Техасского университета в Арлингтоне. Согласно их замыслу, облако радиоактивных атомов следовало охладить до сверхнизких температур порядка нанокельвинов - миллиардных долей кельвина. В таких условиях атомы могли бы сформировать Бозе - Эйнштейновский конденсат, особое квантов ...>>

Индекс нижнего белья раскрыл состояние швейцарских почв 15.09.2026

Почва кажется обычной частью окружающего нас ландшафта, однако под ее поверхностью существует сложная экосистема, от состояния которой напрямую зависит жизнь человека. Миллиарды микроорганизмов, черви, грибы и другие обитатели почвы перерабатывают органические вещества и участвуют в круговороте питательных элементов. Чтобы привлечь внимание общества к этой мало заметной проблеме, исследователи из Цюрихского университета придумали весьма необычный эксперимент: они закопали более 2000 пар хлопкового нижнего белья в садах, на лугах, полях и газонах по всей Швейцарии. Проект получил название "Доказательство в виде нижнего белья" и представлял собой не массовую шутку, а научный эксперимент, позволяющий наглядно оценить биологическую активность почвы. Исследователи помещали хлопковые изделия в землю, а примерно через два месяца извлекали их и сравнивали степень разрушения ткани. Некоторые образцы за это время практически исчезали, оставляя лишь отдельные фрагменты швов, тогда как на други ...>>

Случайная новость из Архива 64-слойная флэш-память V-NAND и SSD 14.08.2016 Компания Samsung Electronics представила на мероприятии Flash Memory Summit 2016 новейшие решения на базе флэш-памяти. В частности, показаны микросхемы флэш-памяти с объемной компоновкой V-NAND четвертого поколения и накопители большого объема. Новая флэш-память V-NAND включает 64 слоя - на 30% больше по сравнению с ее предшественницей. Каждая ячейка способна хранить три бита информации. Плотность кристалла составляет 512 Гбит, а поддерживаемая им скорость передачи данных достигает 800 Мбит/с. Эти параметры являются рекордными для отрасли. В серийных изделиях новая память начнет появляться уже в следующем квартале. Первым примером использования новой памяти стал твердотельный накопитель типоразмера 2,5 дюйма объемом 32 ТБ с интерфейсом SAS. По данным Samsung, это самый емкий SSD в своей категории. В нем используется 512 новых микросхем V-NAND, которые сгруппированы по 16 штук в 32 корпусах. Серийный выпуск таких SSD планируется начать в 2017 году, а к 2020 году Samsung рассчитывает начать выпуск SSD объемом более 100 ТБ. Завершает экспозицию Samsung однокорпусный SSD объемом 1 ТБ в корпусе типа BGA. Он включает кристаллы V-NAND, LPDDR4 DRAM и контроллера. Этот накопитель демонстрирует скорость чтения до 1500 МБ/с и скорость записи до 900 МБ/с. Кроме того, производитель сообщил о создании твердотельных накопителей Z-SSD, которые характеризуются очень малыми задержками и высокой скоростью передачи данных, преодолевая ограничения современных моделей с интерфейсом NVMe. Эти накопители Samsung обещает представить в будущем году.

Другие интересные новости:

▪ Крылья сложные и сложенные

▪ Сверхпрочный искусственный шелк

▪ Бактерии на электродах из нановолокна очистят сточные воды

▪ Очиститель воздуха Huawei Smart Life Air Purifier 1Pro

▪ Шоколад против кашля

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Чудеса природы. Подборка статей

▪ статья Быть человеком значит быть борцом. Крылатое выражение

▪ статья Где и когда в театре совершались настоящие убийства на сцене в соответствии со сценарием? Подробный ответ

▪ статья Фитолакка съедобная. Легенды, выращивание, способы применения

▪ статья Устройство защиты накала ЭЛТ. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Умножитель добротности магнитной антенны. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026