Заземляющие устройства

Бесплатная техническая библиотека

ЭНЦИКЛОПЕДИЯ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ И ЭЛЕКТРОТЕХНИКИ
Бесплатная библиотека / Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Электрику

Приложение 3. Нормы испытаний электрооборудования и аппаратов электроустановок потребителей

Заземляющие устройства

Бесплатная техническая библиотека

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Правила технической эксплуатации электроустановок потребителей (ПТЭ)

Комментарии к статье

К, Т, М - производятся в сроки, устанавливаемые системой ППР.

Наименование испытания	Вид испытания	Нормы испытания	Указания
26.1. Проверка соединений заземлителей с заземляемыми элементами, в том числе с естественными заземлителями	К, М	Проверка производится для выявления обрывов и других дефектов путем осмотра, простукивания молотком и измерения переходных сопротивлений. Проверка соединения с естественными заземлителями производится после ремонта заземлителей	В случае измерения переходных сопротивлений следует учитывать, что сопротивление исправного соединения не превышает 0,05 Ом У кранов проверка наличия цепи должна производится не реже 1 раза в год
26.2. Проверка напряжения прикосновения на территории электроустановки и напряжения на заземляющем устройстве	К, М	Наибольшее напряжение не должно превышать: 500 В при длительности воздействия 0,1 с 400 В при длительности воздействия 0,2 с 200 В при длительности воздействия 0,5 с 130 В при длительности воздействия 0,7 с 100 В при длительности воздействия 1 с 65 В при длительности воздействия от 1 с до 5 с	Производится в электроустановках, выполненных по нормам на напряжение прикосновения в контрольных точках, в которых значения напряжения прикосновения определены при проектировании, после капитального ремонта заземлителей За длительность воздействия принимается суммарное время действия резервной релейной защиты и собственного времени отключения выключателей
	М	Промежуточные допустимые напряжения в интервале времени от 0,1 с до 1 с следует определять интерполяцией
26.3. Проверка состояния элементов заземляющего устройства, находящихся в земле:		Проверка коррозионного состояния производится не реже 1 раза в 12 лет. Элемент заземлителя должен быть заменен, если разрушено более 50 % его сечения
1) электроустановок, кроме ВЛ		Проверка заземлителей в ОРУ электростанций и подстанций производится выборочно, в местах, наиболее подверженных коррозии, а также вблизи мест заземления нейтралей силовых трансформаторов, присоединений разрядников и ограничителей перенапряжений	В ЗРУ осмотр элементов заземлителей производится по решению технического руководителя Потребителя
2) ВЛ		На ВЛ выборочная проверка со вскрытием грунта производится не менее чем у 2 % опор от общего числа опор с заземлителями	Проверку следует производить в населенной местности, на участках с наиболее агрессивными, выдуваемыми и плохопроводящими грунтами
26.4. Измерение сопротивлений заземляющих устройств:
1) опор воздушных линий электропередачи	К, Т, М	Значения сопротивлений заземлителей опор приведены в табл. 35 (Приложение3.1)	Производятся после ремонтов, но не реже 1 раза в 6 лет для ВЛ напряжением до 1000 В и 12 лет для ВЛ выше 1000 В на опорах с разрядниками и другим электрооборудованием и выборочно у 2 % металлических и железобетонных опор на участках в населенной местности. Измерения производятся также после реконструкции и ремонта заземляющих устройств, а также при обнаружении разрушения или следов перекрытия изоляторов электрической дугой
2) электроустановок, кроме воздушных линий электропередачи	К, Т, М	Значения сопротивлений заземляющих устройств электроустановок приведены в табл. 36 (Приложение 3.1)
26.5. Проверка состояния пробивных предохранителей в установках напряжением до 1000 В	К, Т	Предохранители должны быть исправными и соответствовать номинальному напряжению сети	Производится не реже 1 раза в 6 лет, а также при предположении о срабатывании

Смотрите другие статьи раздела Правила технической эксплуатации электроустановок потребителей (ПТЭ).

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Донорское сердце способно быстро перенимать биологический возраст реципиента 12.10.2026

Возраст органов определяется не только количеством прожитых лет. На молекулярном уровне ткани могут стареть с разной скоростью, а после пересадки, как показывают новые эксперименты, их биологические характеристики способны заметно меняться под воздействием организма, в который они попадают. Исследователи из Бостона обнаружили, что молодые донорские сердца после трансплантации довольно быстро приобретают признаки биологического возраста реципиента, тогда как более старые органы могут, напротив, демонстрировать признаки омоложения. Чтобы оценить эти изменения, ученые применили три так называемых "часа старения" - молекулярных инструмента, позволяющих приблизительно определять биологический возраст клеток и тканей. В отличие от обычного календарного возраста, такие показатели отражают состояние организма на уровне определенных молекулярных изменений. Именно их анализ позволил специалистам проследить, как меняются пересаженные сердца спустя несколько месяцев после операции. Основные ...>>

Samsung Galaxy Buds On: клипсы с искусственным интеллектом вместо внутриканальных наушников 12.10.2026

Беспроводные наушники превратились в одно из самых привычных персональных электронных устройств, однако их конструкция по-прежнему во многом определяется необходимостью размещать излучатель внутри или непосредственно у слухового канала. Компания Samsung решила попробовать другой подход. Представленная модель Galaxy Buds On получила формат наушников-клипсов, которые закрепляются непосредственно на ухе и оставляют слуховой канал открытым. Samsung позиционирует новинку как устройство для продолжительного ношения, тренировок и прогулок, а также для ситуаций, когда пользователю важно одновременно слушать музыку и не терять связь с окружающей обстановкой. В отличие от традиционных внутриканальных моделей, Galaxy Buds On практически не изолируют человека от внешнего мира. При этом речь идет не об экспериментальном прототипе или утечке: официальная информация об устройстве уже опубликована в Samsung Newsroom. Открытая конструкция имеет и очевидный недостаток - добиться такой же глубины н ...>>

Ферроэлектрики научились выдерживать более 10 миллиардов циклов перезаписи 11.10.2026

Энергонезависимая память должна не только быстро записывать и сохранять информацию без постоянного питания, но и выдерживать огромное количество циклов перезаписи. Одним из перспективных вариантов такой технологии считаются ферроэлектрические материалы, однако их практическое применение долгое время ограничивалось сравнительно быстрым разрушением. Исследователям удалось установить механизм этого процесса на атомном уровне и предложить способ, который значительно увеличивает срок службы таких материалов. Работу выполнила группа ученых из Университета электронной науки и техники Сианя (Xidian University) совместно с коллегами из Гонконгского университета и Фуданского университета. Особый интерес специалистов вызвали ферроэлектрики со структурой вюрцита, в частности нитрид алюминия-скандия (AlScN). Эти материалы способны сохранять информацию благодаря изменению направления электрической поляризации на атомном уровне и хорошо совместимы с современными технологиями производства микросхем ...>>

Случайная новость из Архива

Прозрачный чип памяти 12.04.2012

Ученые из американского Университета Райса создали гибкий прозрачный чип памяти. В качестве основы чипа используется распространенный оксид кремния, что позволит в будущем создавать недорогие гибкие прозрачные мобильные телефоны, "умную" бумагу и оригинальные накопители информации. В ходе презентации изобретения на 243-м национальном собрании Американского химического общества в Сан-Диего разработчики пояснили, что новый тип памяти может сочетаться с прозрачными электродами для гибких сенсорных экранов и прозрачными интегральными схемами и аккумуляторами, разработанными в последние годы в других лабораториях.

Прозрачная память базируется на открытии 2010 года. Тогда ученые обнаружили, что мощный электрический заряд, пропущенный через обычный оксид кремния, формирует каналы из чистых кристаллов кремния размером менее 5 нанометров.

Электрический ток сначала лишает оксид кремния атомов кислорода, а затем повторно формирует электрические цепи и превращает кремний в энергонезависимую память. При этом слабый электрический ток не меняет структуру оксида кремния и позволяет многократно считывать информацию. Забавно, но поначалу ученые применяли сочетание графена и оксида кремния и полагали, что "чудесные" свойства новой памяти связаны именно с графеном. Однако впоследствии выяснилось, что свойства сохраняются и в отсутствии графеновой пленки.

Плюсом данной технологии является использование широко распространенного в электронной промышленности оксида кремния, который в настоящее время в основном применяется в качестве изолятора. Новые чипы памяти не только гибкие и прозрачные, также они довольно прочны. Например, их можно складывать, как лист бумаги, или нагревать до температуры более 500 градусов Цельсия. Более того, благодаря трехмерной архитектуре, новые чипы при тех же размерах и даже меньше, что и обычная флэш-память, имеют емкость на 1 гигабайт больше. Благодаря прозрачности нового типа памяти дизайнерам электронных устройств открываются огромные возможности. Так, из "умного" стекла, состоящего из прозрачной электроники, можно изготавливать планшетные компьютеры, "флэшки", мобильные телефоны, оконные стекла, очки, сложные оптические приборы, механических насекомых, лобовые стекла самолетов, возможно, иллюминаторы космических кораблей и множество другой электроники. Кроме того, если оснастить такие приборы солнечными панелями, они смогут заряжаться даже во время использования.

Новую прозрачную память планировалось испытать на борту Международной космической станции - для оценки работоспособности в условиях космического излучения. В прошлом году 44 чипа были погружены на российский грузовой корабль Прогресс, но в августе 2011 года он не смог взлететь и разбился. Ученые планируют отправить чипы на МКС в июле 2012 года.

Другие интересные новости:

▪ 28-нанометровая встраиваемая флэш-память для микроконтроллеров

▪ Панорамная приставка для цифровой фотокамеры

▪ Разработка стандарта связи 6G

▪ Телефон управляется взгядом

▪ TWS-наушники Urbanista Phoenix с встроенной солнечной батареей

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Радиолюбителю-конструктору. Подборка статей

▪ статья Каин. Крылатое выражение

▪ статья Кто первый испек хлеб на дрожжах? Подробный ответ

▪ статья Коровяк. Легенды, выращивание, способы применения

▪ статья Схема коммутации механического реле RX-TX. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Простой регенератор КВ диапазона. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте