Зарядное устройство DC-to-DC с повышением напряжения. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Зарядные устройства, аккумуляторы, гальванические элементы

 Комментарии к статье

Устройство представляет собой малогабаритный экономичный преобразователь DC-to-DC с повышением напряжения. Основная область применения таких устройств - это цепи питания различных электронных устройств, устройства заряда сотовых телефонов от стандартных элементов типа АА или ААА, когда габариты устройства или другие технические причины не позволяют собрать батарею элементов на нужное напряжение. Ток во вторичной цепи может быть до 300-400 mA.

(нажмите для увеличения)

Коэффициент полезного действия устройства находится в пределах 80%, что является хорошим показателем для подобных устройств. Следует обратить внимание, что коэффициент полезного действия устройства увеличивается с уменьшением разницы между входным и выходным напряжением.

Если устройство предполагается использовать как зарядное, то перед началом изготовления устройства необходимо рассчитать величину напряжения в конце заряда и величину тока заряда. Вкратце: величина выходного напряжения рассчитывается по принципу 1.45 В умножить на количество элементов аккумулятора. Величина тока заряда определяется как 1/10 от емкости батареи в А/ч.

Такие параметры считаются оптимальными, не вредят батарее, дают возможность провести с аккумуляторами до 700 циклов (заряд - разряд) при сохранении их параметров в нормах декларируемых изготовителями. Верно при температуре окружающей среды до 25 С. При более высоких температурах необходимо предпринимать определенные меры для исключения превышения температуры во время заряда выше 35 С.

Величину требуемого выходного напряжения устанавливают подбором подстроечного резистора R4. Светодиод D2 сигнализирует о наличии тока заряда. Выходное напряжение при существующих номиналах элементов может быть увеличенно до 9 Вольт.

Смотрите другие статьи раздела Зарядные устройства, аккумуляторы, гальванические элементы.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Впервые преоодолена передача ВИЧ от матери к ребенку 02.01.2026

Проблема вертикальной передачи ВИЧ - от матери к ребенку - остается одной из ключевых задач глобальной медицины. Недавний отчет Всемирной организации здравоохранения (ВОЗ) демонстрирует историческое достижение: Бразилия впервые в своей истории полностью преодолела этот путь передачи вируса. Страна стала 19-й в мире и первой с населением более 100 миллионов человек, которая достигла такого результата. Достижения Бразилии основаны на комплексных медицинских программах, обеспечивающих своевременный доступ к диагностике и терапии для всех слоев населения. ВОЗ официально подтвердило, что уровень передачи ВИЧ от матери к ребенку снизился до менее двух процентов. Более 95% беременных женщин в стране получают регулярный скрининг на ВИЧ и необходимое лечение в рамках стандартного ведения беременности. Изначально программа тестировалась в крупных муниципалитетах и штатах с населением более 100 тысяч человек, а затем была масштабирована на всю страну. Такой подход позволил унифицировать ста ...>>

Нанослой германия увеличивает эффективность солнечных батарей на треть 02.01.2026

Разработка высокоэффективных солнечных батарей остается одной из ключевых задач современной энергетики. Недавнее исследование южнокорейских ученых позволило повысить производительность тонкопленочных солнечных элементов почти на 30%, что открывает новые перспективы для возобновляемых источников энергии, гибкой электроники и сенсорных устройств. Команда исследователей сосредоточилась на элементах на основе моносульфида олова (SnS) - нетоксичного и доступного материала, который идеально подходит для гибких солнечных панелей. До настоящего времени эффективность SnS-устройств оставалась низкой из-за проблем на границе контакта с металлическим электродом. В этой области возникали структурные дефекты, диффузия элементов и электрические потери, что существенно ограничивало возможности таких батарей. "Этот интерфейс был главным барьером для достижения высокой производительности", - отмечает профессор Джейонг Хо из Национального университета Чоннам. Для решения этих проблем ученые предлож ...>>

Электростатическое решение для борьбы с льдом и инеем 01.01.2026

Борьба с льдом и инеем на транспортных средствах и критически важных поверхностях зимой остается сложной и затратной задачей. Ученые из Virginia Tech разработали инновационную технологию, способную разрушать лед и иней без использования тепла или химических реагентов, что открывает новые возможности для безопасной и экологичной зимней эксплуатации транспорта. Исследователи обнаружили, что лед и иней образуют кристаллическую решетку с так называемыми ионными дефектами - заряженными участками, способными перемещаться под воздействием электрического поля. Эти дефекты являются ключом к управлению прочностью льда и его удалением с поверхностей. Когда на замерзшую поверхность подается положительный электрический заряд, отрицательные ионные дефекты притягиваются к источнику поля. Это вызывает разрушение кристаллической решетки льда, в результате чего часть льда буквально "отскакивает" от поверхности. Такой эффект позволяет удалять лед без применения внешнего тепла или химических средств ...>>

Случайная новость из Архива Трехслойный датчик изображения с памятью DRAM для смартфонов 13.02.2017 Компания Sony сообщила о разработке первого в отрасли трехслойного датчика изображения типа CMOS со встроенной памятью DRAM. Датчик предназначен для камер смартфонов. По устройству датчик напоминает двухслойные датчики с обратной засветкой, в которых кристалл датчика со светочувствительными элементами расположен поверх кристалла с цепями обработки сигнала. Отличием является третий слой - кристалл памяти DRAM. Наличие памяти DRAM существенно повышает быстродействие датчика. В результате становятся доступными такие возможности, как съемка быстродвижущихся объектов с минимальными искажениями в фокальной плоскости, а также видеосъемка с кадровой частотой до 1000 к/с (примерно в восемь раз выше, чем у обычных датчиков) при разрешении Full HD (1920 x 1080 пикселей). Новая схема считывания обеспечивает скорость, позволяющую получить изображение разрешением 19,3 Мп всего за 1/120 с.

Другие интересные новости:

▪ Моноблок Sony VAIO J

▪ Мобильная ловушка для перемещения антиматерии между исследовательскими лабораториями

▪ Арбузный снег

▪ Если электромобиль попал в аварию

▪ Напитки из мяса

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Акустические системы. Подборка статей

▪ статья Кисейная барышня. Крылатое выражение

▪ статья Может ли день быть длиннее года? Подробный ответ

▪ статья Работа с антифризом. Типовая инструкция по охране труда

▪ статья Электроизоляционные материалы. Параметры электроизоляционных материалов. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Вч генератор на НЧ кварце. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2025