Импульсный понижающий стабилизатор, 35-46/5,1-30 вольт 4 ампера. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Стабилизаторы напряжения

 Комментарии к статье

Вашему вниманию предлагается лабораторный источник питания, разработанный на основе микросхемы КР1155ЕУ2.

Схема устройства приведена на рис. 4.63. Она мало отличается от стандартной схемы включения, причем позиционные обозначения элементов совпадают. В этой схеме реализован способ управления с фиксированным периодом следования импульсов, т.е. щиротноимпульсное управление. Конденсатор С1 - входной фильтр. Он имеет большую, чем указано в типовой схеме включения, емкость, что обусловлено сравнительно большим потребляемым током.

Основные технические характеристики:

• входное нестабилизированное напряжение, В.....35...46;
• интервал регулирования выходного стабилизированного напряжения, В.....5,1...30;
• максимальный ток нагрузки, А.....4;
• размах (двойная амплитуда) пульсаций выходного напряжения при максимальной нагрузке, мВ.....30;
• интервал регулирования срабатывания защиты по току, А.....1...4.

Резисторы R1 и R2 управляют уровнем защиты по току. Максимальному суммарному их сопротивлению соответствует максимальный ток срабатывания защиты, а минимальному сопротивлению - минимальный ток. С помощью конденсатора С4 осуществляется плавный запуск стабилизатора. Кроме того, его емкость определяет период перезапуска при превышении порога защиты по току.

Резистор R5 и конденсаторы С5, С6 - элементы частотной компенсации внутреннего усилителя ошибки. Конденсатор С3 и резистор R3 определяют несущую частоту широтно-импульсного преобразователя. Конденсатор С2 задает время между резким уменьшением выходного напряжения (вызванного внешними причинами, например, кратковременной перегрузкой по выходу) и переходом сигнала RESO (вывод 14 DA1) в состояние, соответствующее нормальной работе, когда транзистор, включенный между выводами RESO и GND внутри микросхемы, закрывается.

Резистор R6 обеспечивает нагрузку открытого коллектора этого транзистора. Если планируется использовать сигнал RESO с привязкой его к напряжению, отличному от выходного напряжения стабилизатора, то резистор R6 не устанавливают, а нагрузку открытого коллектора подключают внутри приемника сигнала RESO. Резистор R4 обеспечивает нулевой потенциал на входе IN HI (вывод 6 DAI), что соответствует нормальной работе микросхемы. Стабилизатор можно выключить внешним сигналом высокого ТТЛ уровня, подав его на этот вывод.

Применение диода КД636АС (его суммарный допустимый ток значительно превосходит требуемый в этом стабилизаторе) позволяет увеличить КПД на 3...5% при незначительном удорожании устройства. Это приводит к снижению температуры теплоотвода и, следовательно, к уменьшению его габаритов и массы.

Резисторы R7 и R8 служат для регулирования выходного напряжения. Когда движок резистора R7 находится в нижнем по схеме положении, напряжение на выходе минимально и равно образцовому напряжению микросхемы DA1, соответственно, когда в верхнем - выходное напряжение максимально. Тринистор VS1 открывается сигналом СВО (вывод 15 DA1), если напряжение на входе CBI (вывод 1 DA1) превышает внутреннее образцовое напряжение микросхемы DA1 приблизительно на 20%. Так осуществляется защита нагрузки от превышения напряжения на выходе.

Все оксидные конденсаторы К50-35, кроме С1 - К50-53. Конденсатор С6 - керамический К10-176, остальные пленочные (К73-9, К73-17 и т.д.). Все постоянные резисторы - С2-23.Переменные резисторы R2 и R7 - СПЗ~4а мощностью 0,25 Вт. Их устанавливают на плате с помощью кронштейнов. Дроссель L1 наматывают на двух сложенных кольцевых магнитопроводах К20х12x6,5 из пермаллоя МП 140. Обмотка содержит 42 витка провода ПЭТВ-2-1,12, намотанных в два слоя: первый - 27-28 витков, второй слой - все остальные.

Стабилизатор собран на плате из одностороннего фольгированного стеклотекстолита. Чертеж платы показан на рис. 4.64.

Микросхему, диод и тринистор закрепляют на одном теплоотводе. При этом микросхему в большинстве случаев можно не изолировать от поверхности теплоотвода, поскольку ее фланец соединен с выводом 8 (GND). Диод и тринистор необходимо изолировать от радиатора. Следует уделить особое внимание сетевому трансформатору и выпрямителю. Трансформатор рассчитывают на выходную мощность не менее 150 Вт и выходное напряжение холостого хода приблизительно 33 В.

При максимальной нагрузке допустимо уменьшение выходного напряжения не более чем на 1,5 В относительно напряжения холостого хода. Выпрямитель выбирают на ток 3...3,5 А при суммарном падении напряжения на его диодах не более 2 В. Выпрямитель (в случае монолитного исполнения) или отдельные диоды можно закрепить на том же теплоотводе, что и стабилизатор.

Автор: Семьян А.П.

Смотрите другие статьи раздела Стабилизаторы напряжения.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Атомный секрет вечного блеска золота 20.06.2026

Золото издавна считается символом вечности и благородства не только из-за своей редкости, но и благодаря удивительной химической стойкости. В отличие от большинства металлов, оно не окисляется на воздухе, не тускнеет и не покрывается ржавчиной даже спустя тысячелетия. Эта уникальная инертность позволила золотым артефактам сохранять первозданный блеск с древних времен. Однако точный механизм такой защиты долго оставался загадкой для ученых. Недавнее исследование американских химиков-вычислителей раскрыло, что дело не просто в слабом взаимодействии с кислородом, а в особой атомной структуре поверхности металла. Сотрудники Тулейнского университета Санту Бисвас и Мэтью М. Монтемор провели детальное компьютерное моделирование, чтобы понять, как молекулы кислорода взаимодействуют с поверхностью золота. Ученые сравнили два основных типа атомных структур: "реконструированные" и "нереконструированные" поверхности. Было доказано, что природная способность золота к перестройке атомов играет кл ...>>

Смарфон Realme 16T 5G 20.06.2026

В сегменте доступных смартфонов с акцентом на длительную работу без подзарядки компания Realme представила интересную новинку - модель Realme 16T 5G. Главным преимуществом устройства стала по-настоящему впечатляющая батарея емкостью 8000 мАч, которая способна обеспечить до трех дней автономной работы при умеренном использовании. При этом инженерам удалось сохранить относительно компактный корпус толщиной менее 9 мм и вес всего 224 грамма, что делает смартфон удобным для повседневного ношения несмотря на внушительный аккумулятор. Смартфон оснащен большим 6,8-дюймовым LCD-дисплеем с высокой частотой обновления 144 Гц и пиковой яркостью до 1200 нит. Такое сочетание обеспечивает плавную картинку в динамичных сценах и комфортное восприятие контента даже под прямыми солнечными лучами. За производительность отвечает энергоэффективный процессор MediaTek Dimensity 6300, дополненный оперативной памятью LPDDR4X и накопителем UFS 2.2. Для эффективного отвода тепла во время продолжительных нагру ...>>

Проблема набора веса после 40 19.06.2026

С возрастом многие люди замечают, что поддерживать привычный вес становится все сложнее, даже если рацион и уровень активности существенно не меняются. Ученые из Каролинского института в Швеции раскрыли одну из ключевых биологических причин этого явления. Они показали, что с годами в жировой ткани замедляется процесс обновления липидов, из-за чего организм постепенно накапливает жир. Это естественное возрастное изменение объясняет, почему после 40 лет тело начинает "работать" иначе, способствуя набору веса. В долгосрочном исследовании специалисты наблюдали за жировой тканью 54 мужчин и женщин на протяжении в среднем 13 лет. Независимо от того, набирали участники вес или, наоборот, худели, у всех без исключения скорость липидного обмена в жировых клетках заметно снижалась. Жир в клетках обновляется все медленнее, и этот процесс происходит автоматически с течением времени. Те, кто не компенсировал замедление уменьшением калорийности питания, в среднем набирали около 20% от исходного в ...>>

Случайная новость из Архива Человеческий мозг соединили с интернетом 19.09.2017 Команда исследователей Витватерсрандского университета (University of the Witwatersrand) в Йоханнесбурге в ходе своего новейшего эксперимента подключили человеческий мозг напрямую к сети Интернет. Ученые заявили, что соединение человеческого мозга напрямую с интернетом в режиме реального времени было осуществлено впервые в истории. Проект получил название Brainternet, собранные в ходе эксперимента данные должны помочь разработчикам при создании интерфейсов нового поколения. Разработчики использовали электроэнцефалограф, получивший название Emotiv, который считывает сигналы, генерируемые мозгом. Эти сигналы передавались на бюджетный компьютер на базе Raspberry Pi, который в прямом эфире переводил их в данные, транслируемые на открытом веб-сайте, на котором любой желающий мог наблюдать за экспериментом. Руководитель проекта Адам Пантанович (Adam Pantanowitz) отметил, что Brainternet - это новый рубеж в разработке систем взаимодействия между компьютером и человеческим мозгом: "В данный момент сохраняется нехватка знаний о том, как обрабатывает информацию человеческий мозг. Brainternet должен облегчить понимание того, как работает мозг, регулярно отслеживая его активность и предоставляя пользователям некоторую интерактивность".

Другие интересные новости:

▪ Мультикоптер - многовинтовой электрический вертолет

▪ Предложена структура 1-нм транзистора с затвором из углеродной нанотрубки

▪ Литий-ионный транзистор с твердым электролитом

▪ Управляемый мозгом слуховой аппарат

▪ Нанотехнологии для укрепления бетона

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Ваши истории. Подборка статей

▪ статья Есть многое на свете, друг Горацио, что и не снилось нашим мудрецам. Крылатое выражение

▪ статья Какие слабости и недостатки были у известных людей прошлого? Подробный ответ

▪ статья Штабелевщик древесины. Типовая инструкция по охране труда

▪ статья Многоканальное усилительное устройство. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Преобразователь напряжения для фотовспышки. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026