Menu Home

Бесплатная техническая библиотека для любителей и профессионалов Бесплатная техническая библиотека


Импульсный понижающий стабилизатор, 35-46/5,1-30 вольт 4 ампера. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Бесплатная техническая библиотека

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Стабилизаторы напряжения

Комментарии к статье Комментарии к статье

Вашему вниманию предлагается лабораторный источник питания, разработанный на основе микросхемы КР1155ЕУ2.

Схема устройства приведена на рис. 4.63. Она мало отличается от стандартной схемы включения, причем позиционные обозначения элементов совпадают. В этой схеме реализован способ управления с фиксированным периодом следования импульсов, т.е. щиротноимпульсное управление. Конденсатор С1 - входной фильтр. Он имеет большую, чем указано в типовой схеме включения, емкость, что обусловлено сравнительно большим потребляемым током.

Импульсный понижающий стабилизатор, 35-46/5,1-30 вольт 4 ампера

Основные технические характеристики:

  • входное нестабилизированное напряжение, В.....35...46;
  • интервал регулирования выходного стабилизированного напряжения, В.....5,1...30;
  • максимальный ток нагрузки, А.....4;
  • размах (двойная амплитуда) пульсаций выходного напряжения при максимальной нагрузке, мВ.....30;
  • интервал регулирования срабатывания защиты по току, А.....1...4.

Резисторы R1 и R2 управляют уровнем защиты по току. Максимальному суммарному их сопротивлению соответствует максимальный ток срабатывания защиты, а минимальному сопротивлению - минимальный ток. С помощью конденсатора С4 осуществляется плавный запуск стабилизатора. Кроме того, его емкость определяет период перезапуска при превышении порога защиты по току.

Резистор R5 и конденсаторы С5, С6 - элементы частотной компенсации внутреннего усилителя ошибки. Конденсатор С3 и резистор R3 определяют несущую частоту широтно-импульсного преобразователя. Конденсатор С2 задает время между резким уменьшением выходного напряжения (вызванного внешними причинами, например, кратковременной перегрузкой по выходу) и переходом сигнала RESO (вывод 14 DA1) в состояние, соответствующее нормальной работе, когда транзистор, включенный между выводами RESO и GND внутри микросхемы, закрывается.

Резистор R6 обеспечивает нагрузку открытого коллектора этого транзистора. Если планируется использовать сигнал RESO с привязкой его к напряжению, отличному от выходного напряжения стабилизатора, то резистор R6 не устанавливают, а нагрузку открытого коллектора подключают внутри приемника сигнала RESO. Резистор R4 обеспечивает нулевой потенциал на входе IN HI (вывод 6 DAI), что соответствует нормальной работе микросхемы. Стабилизатор можно выключить внешним сигналом высокого ТТЛ уровня, подав его на этот вывод.

Применение диода КД636АС (его суммарный допустимый ток значительно превосходит требуемый в этом стабилизаторе) позволяет увеличить КПД на 3...5% при незначительном удорожании устройства. Это приводит к снижению температуры теплоотвода и, следовательно, к уменьшению его габаритов и массы.

Резисторы R7 и R8 служат для регулирования выходного напряжения. Когда движок резистора R7 находится в нижнем по схеме положении, напряжение на выходе минимально и равно образцовому напряжению микросхемы DA1, соответственно, когда в верхнем - выходное напряжение максимально. Тринистор VS1 открывается сигналом СВО (вывод 15 DA1), если напряжение на входе CBI (вывод 1 DA1) превышает внутреннее образцовое напряжение микросхемы DA1 приблизительно на 20%. Так осуществляется защита нагрузки от превышения напряжения на выходе.

Все оксидные конденсаторы К50-35, кроме С1 - К50-53. Конденсатор С6 - керамический К10-176, остальные пленочные (К73-9, К73-17 и т.д.). Все постоянные резисторы - С2-23.Переменные резисторы R2 и R7 - СПЗ~4а мощностью 0,25 Вт. Их устанавливают на плате с помощью кронштейнов. Дроссель L1 наматывают на двух сложенных кольцевых магнитопроводах К20х12x6,5 из пермаллоя МП 140. Обмотка содержит 42 витка провода ПЭТВ-2-1,12, намотанных в два слоя: первый - 27-28 витков, второй слой - все остальные.

Стабилизатор собран на плате из одностороннего фольгированного стеклотекстолита. Чертеж платы показан на рис. 4.64.

Импульсный понижающий стабилизатор, 35-46/5,1-30 вольт 4 ампера

Микросхему, диод и тринистор закрепляют на одном теплоотводе. При этом микросхему в большинстве случаев можно не изолировать от поверхности теплоотвода, поскольку ее фланец соединен с выводом 8 (GND). Диод и тринистор необходимо изолировать от радиатора. Следует уделить особое внимание сетевому трансформатору и выпрямителю. Трансформатор рассчитывают на выходную мощность не менее 150 Вт и выходное напряжение холостого хода приблизительно 33 В.

При максимальной нагрузке допустимо уменьшение выходного напряжения не более чем на 1,5 В относительно напряжения холостого хода. Выпрямитель выбирают на ток 3...3,5 А при суммарном падении напряжения на его диодах не более 2 В. Выпрямитель (в случае монолитного исполнения) или отдельные диоды можно закрепить на том же теплоотводе, что и стабилизатор.

Автор: Семьян А.П.

Смотрите другие статьи раздела Стабилизаторы напряжения.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Атомный секрет вечного блеска золота 20.06.2026

Золото издавна считается символом вечности и благородства не только из-за своей редкости, но и благодаря удивительной химической стойкости. В отличие от большинства металлов, оно не окисляется на воздухе, не тускнеет и не покрывается ржавчиной даже спустя тысячелетия. Эта уникальная инертность позволила золотым артефактам сохранять первозданный блеск с древних времен. Однако точный механизм такой защиты долго оставался загадкой для ученых. Недавнее исследование американских химиков-вычислителей раскрыло, что дело не просто в слабом взаимодействии с кислородом, а в особой атомной структуре поверхности металла. Сотрудники Тулейнского университета Санту Бисвас и Мэтью М. Монтемор провели детальное компьютерное моделирование, чтобы понять, как молекулы кислорода взаимодействуют с поверхностью золота. Ученые сравнили два основных типа атомных структур: "реконструированные" и "нереконструированные" поверхности. Было доказано, что природная способность золота к перестройке атомов играет кл ...>>

Смарфон Realme 16T 5G 20.06.2026

В сегменте доступных смартфонов с акцентом на длительную работу без подзарядки компания Realme представила интересную новинку - модель Realme 16T 5G. Главным преимуществом устройства стала по-настоящему впечатляющая батарея емкостью 8000 мАч, которая способна обеспечить до трех дней автономной работы при умеренном использовании. При этом инженерам удалось сохранить относительно компактный корпус толщиной менее 9 мм и вес всего 224 грамма, что делает смартфон удобным для повседневного ношения несмотря на внушительный аккумулятор. Смартфон оснащен большим 6,8-дюймовым LCD-дисплеем с высокой частотой обновления 144 Гц и пиковой яркостью до 1200 нит. Такое сочетание обеспечивает плавную картинку в динамичных сценах и комфортное восприятие контента даже под прямыми солнечными лучами. За производительность отвечает энергоэффективный процессор MediaTek Dimensity 6300, дополненный оперативной памятью LPDDR4X и накопителем UFS 2.2. Для эффективного отвода тепла во время продолжительных нагру ...>>

Проблема набора веса после 40 19.06.2026

С возрастом многие люди замечают, что поддерживать привычный вес становится все сложнее, даже если рацион и уровень активности существенно не меняются. Ученые из Каролинского института в Швеции раскрыли одну из ключевых биологических причин этого явления. Они показали, что с годами в жировой ткани замедляется процесс обновления липидов, из-за чего организм постепенно накапливает жир. Это естественное возрастное изменение объясняет, почему после 40 лет тело начинает "работать" иначе, способствуя набору веса. В долгосрочном исследовании специалисты наблюдали за жировой тканью 54 мужчин и женщин на протяжении в среднем 13 лет. Независимо от того, набирали участники вес или, наоборот, худели, у всех без исключения скорость липидного обмена в жировых клетках заметно снижалась. Жир в клетках обновляется все медленнее, и этот процесс происходит автоматически с течением времени. Те, кто не компенсировал замедление уменьшением калорийности питания, в среднем набирали около 20% от исходного в ...>>

Случайная новость из Архива

Старые деревья более устойчивы к засухе 30.12.2022

Защита старых деревьев имеет решающее значение в условиях изменения климата, поскольку старые деревья более устойчивы к засухе. Это показало новое масштабное исследование.

Ученые из Мичиганского университета (США) изучили состояние более 20 тыс. деревьев на пяти континентах и увидели, что в условиях засухи старые деревья растут лучше молодых. Ученые заключили, что старые деревья могут эффективнее справляться с текущими изменениями климата.

Учитывая такую находку, ученые подчеркнули, что особое внимание следует уделять охране старых лесных комплексов, назвав их "оплотом биоразнообразия".

Специалисты проанализировали данные о деревьях из Международного банка данных, собирающего информацию о росте древесных колец (International Tree-Ring Data Bank). Учли 119 видов и их развитие во время и после засухи, сосредоточившись на деревьях, кроны которых развиваются в самом верхнем ярусе леса.

Деревья каждого вида разделили на молодые, средние и возрастные. В ходе исследования выявили, что засушливые периоды оказали наибольшее негативное влияние на скорость роста молодых деревьев, а затем и количество поглощенного ими углекислого газа.

Другие интересные новости:

▪ Вечная мерзлота под угрозой

▪ Игры, фильмы и рост насилия

▪ Новый метод создания мощных батарей

▪ Эффективное использование опилок

▪ Технология идентификации по ЭКГ

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

 

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Регуляторы тока, напряжения, мощности. Подборка статей

▪ статья Из мухи делать слона. Крылатое выражение

▪ статья Какой японец сумел пережить две атомные бомбардировки подряд? Подробный ответ

▪ статья Весло для пловца. Личный транспорт

▪ статья Антенный переключатель. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Мостовой измеритель КСВ. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

Имя:


E-mail (не обязательно):


Комментарий:





Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте

www.diagram.com.ua

www.diagram.com.ua
2000-2026