Простой импульсный стабилизатор. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Стабилизаторы напряжения

 Комментарии к статье

Импульсный стабилизатор, описанный в статье С. Косенко "Проектирование импульсного стабилизированного понижающего преобразователя" ("Радио", 2005, № 9, с. 31-33), обладает неплохими параметрами. Однако некоторые из них можно улучшить при одновременном упрощении устройства.

Схема предлагаемого варианта стабилизатора представлена на рис. 1.

В качестве коммутирующего транзистора (VT4) применен n-канальный IRL2505 с очень малым (8 мОм) сопротивлением канала в открытом состоянии. Управляет им генератор, содержащий два инвертора. Первый выполнен на транзисторах VT1, VT2, второй - на микросборке VT3, содержащей два относительно мощных комплементарных МОП-транзистора, обеспечивающих быстрое переключение VT4. Все это позволило повысить КПД преобразователя и получить более широкий (6...20 против 12...20 В в прототипе) интервал входных напряжений. Выходное напряжение устройства - 5 В, максимальный ток нагрузки - 4...5 А (определяется сопротивлением резистора R5).

Частота преобразования (задана элементами R1, R2, С2) - около 70 кГц, скважность - около 8. В режиме стабилизации частота и скважность могут незначительно увеличиваться. Время нахождения ключевого транзистора VT4 в открытом состоянии не превышает 2 мкс.

После подачи входного напряжения коммутирующий транзистор VT4 начинает периодически открываться и на выход поступает питающее напряжение через фильтр C3L2C5. При увеличении тока, протекающего через открытый транзистор VT4, до значения, превышающего 4...5 А, падение напряжения на резисторе R5 становится достаточным для открывания фототранзистора U1.1 оптрона U1. В результате VT1 и нижний (по схеме) транзистор сборки VT3 открываются, a VT2 и верхний транзистор сборки закрываются. Резкое уменьшение сопротивления канала нижнего транзистора сборки обеспечивает быструю разрядку емкости затвор-исток VT4 и, как следствие, его форсированное закрывание. При открытом транзисторе VT4 ток протекает через его участок сток-исток, а при закрытом ток, вызванный ЭДС дросселя, - через диод VD3.

Если по какой-либо причине напряжение на нагрузке превысит 5 В, падение напряжения на резисторе R7 станет больше 2,5 В, что, в свою очередь, приведет к резкому увеличению тока, проходящего через интегральный стабилизатор DA1 и светодиод оптрона U1.2. В результате фототранзистор оптрона U 1.1 будет облучен и сопротивление его участка эмиттер-коллектор уменьшится, вызывая, как и в рассмотренном выше случае, быстрое закрывание коммутирующего транзистора VT4 и уменьшение выходного напряжения стабилизатора. Снижение выходного напряжения (относительно заданного уровня) возобновит работу генератора и оно восстановится до прежнего значения.

Устройство собирают на печатной плате из односторонне фольгированного стеклотекстолита, чертеж которой показан на рис. 2.

Все резисторы - МЛТ, конденсаторы - KM (C2, С4) и малогабаритные оксидные фирмы Jamicon (остальные). Микросборку VT3 монтируют на стороне печатных проводников. Теплоотвод для транзистора VT4 и диода VD3 - пластина размерами 30x30 мм из листового алюминиевого сплава толщиной 2,5 мм. Дроссели L1 и L2 при самостоятельном изготовлении можно намотать на пермаллоевых (марки МП140) кольцах типоразмеров К19x11x4,8 и К10x6x4,5 соответственно. Обмотка дросселя L1 должна содержать 18 витков жгута из пяти отрезков провода ПЭВ-2 0,5, а дросселя L2 - 7 витков жгута из четырех отрезков такого же провода.

При исправных деталях и отсутствии ошибок в монтаже устройство налаживания не требует и начинает работать сразу после включения питания.

Автор: М.Озолин, с.Красный Яр Томской обл.

Смотрите другие статьи раздела Стабилизаторы напряжения.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Расставание действительно может причинять физическую боль 16.09.2026

Разрыв отношений с близким человеком способно вызывать настолько сильные переживания, что привычное выражение "разбитое сердце" иногда воспринимается почти буквально. Человек может испытывать тревогу, тоску и эмоциональное напряжение, сопровождающиеся вполне реальными телесными ощущениями. Исследования работы мозга показывают, что такая связь между эмоциональными и физическими страданиями может иметь вполне определенную нейробиологическую основу. Эксперимент, позволивший изучить этот вопрос, провела команда психолога Итана Кросса из Мичиганского университета. В исследовании участвовали 40 человек, недавно переживших расставание по инициативе партнера. Все добровольцы продолжали остро реагировать на произошедшее, что позволило исследователям изучить мозговую активность в период наиболее сильных переживаний. Во время эксперимента участников помещали в аппарат магнитно-резонансной томографии. Испытуемым поочередно показывали фотографию бывшего партнера и подвергали предплечье воздей ...>>

Научно доказана невозможность создания нейтринного лазера 16.09.2026

Лазер давно перестал быть исключительно лабораторной технологией: сегодня он используется в связи, медицине, промышленности и научных исследованиях. Поэтому физики периодически предлагают необычные варианты устройств, способных работать по аналогичным принципам, но с другими типами частиц. В 2025 году появилась идея создать лазер, формирующий направленный поток нейтрино. Однако последующий теоретический анализ показал, что привлекательная на первый взгляд концепция сталкивается не просто с техническими трудностями, а с фундаментальными законами квантовой физики. Первоначальную концепцию предложили профессор Массачусетского технологического института (MIT) Джо Формаджио (Joe Formaggio) и Бен Джонс (Ben Jones) из Техасского университета в Арлингтоне. Согласно их замыслу, облако радиоактивных атомов следовало охладить до сверхнизких температур порядка нанокельвинов - миллиардных долей кельвина. В таких условиях атомы могли бы сформировать Бозе - Эйнштейновский конденсат, особое квантов ...>>

Индекс нижнего белья раскрыл состояние швейцарских почв 15.09.2026

Почва кажется обычной частью окружающего нас ландшафта, однако под ее поверхностью существует сложная экосистема, от состояния которой напрямую зависит жизнь человека. Миллиарды микроорганизмов, черви, грибы и другие обитатели почвы перерабатывают органические вещества и участвуют в круговороте питательных элементов. Чтобы привлечь внимание общества к этой мало заметной проблеме, исследователи из Цюрихского университета придумали весьма необычный эксперимент: они закопали более 2000 пар хлопкового нижнего белья в садах, на лугах, полях и газонах по всей Швейцарии. Проект получил название "Доказательство в виде нижнего белья" и представлял собой не массовую шутку, а научный эксперимент, позволяющий наглядно оценить биологическую активность почвы. Исследователи помещали хлопковые изделия в землю, а примерно через два месяца извлекали их и сравнивали степень разрушения ткани. Некоторые образцы за это время практически исчезали, оставляя лишь отдельные фрагменты швов, тогда как на други ...>>

Случайная новость из Архива CMOS-сенсор Sony IMX487 03.10.2021 Подразделение Sony, занимающееся разработкой полупроводниковых решений, в первую очередь датчиков изображения, Sony Semiconductor Solutions, объявило о начале продаж CMOS-сенсора IMX487 формата 2/3", предназначенного для промышленного оборудования. Матрица поддерживает рекордное для решений аналогичного назначения число эффективных пикселей и функцию т. н. "глобального затвора". Датчик IMX487 обладает высоким уровнем чувствительности к ультрафиолету и обеспечивает минимальный уровень шума благодаря компонентам, оптимизированным под работы со светом ультрафиолетового диапазона. Применяются самые компактные в индустрии пиксели размером 2,74 мкм. IMX487 поддерживает приблизительное разрешение 8,13 Мп эффективных пикселей, а функция глобального затвора Pregius S использует технологию задней засветки пикселей и поддерживает высокую скорость работы без ущерба качеству снимков даже при съемке объектов в движении, со скоростью до 193 кадров в секунду (в 10-битном режиме). В Sony рассчитывают, что новый сенсор будет полезен в различных отраслях, включая поиск дефектов при проверке полупроводниковых решений - это поможет усовершенствовать производственные процессы. В целом камеры с распознаванием ультрафиолета позволяют сортировать материалы, отбор которых затруднен в видимом свете. Более того, технология позволяет заметить мельчайшие царапины и дефекты на поверхности объектов. Подобные сенсоры давно используются при проверке полупроводников, но теперь запросы индустрии значительно выросли - требуются не просто решения с поддержкой ультрафиолета, они должны обеспечивать высокое разрешение, низкий уровень шума и высокую скорость работы. Помимо отбраковки полупроводников сенсор подходит и для других сфер промышленного применения, например - сортировки пластика и других материалов на перерабатывающих вторичное сырье предприятиях с помощью ультрафиолетовой подсветки, поиска микротрещин и царапин на поверхности всевозможных деталей и даже поиска источников ультрафиолетового света, появляющегося в результате разрядов в ходе утечек электричества на воздушных линиях электропитания. Ультрафиолетовый свет имеет длину волны 10-400 нм, а видимый - 400-780 нм. Новый продукт способен фиксировать излучение в диапазоне 200-400 нм, наиболее подходящем для промышленных проверок.

Другие интересные новости:

▪ Батареи на основе бумаги

▪ Самый легкий планшет в мире

▪ Если не лечить, болезнь исчезнет

▪ Freescale начала продажи микросхем памяти MRAM

▪ Обнаружен самый медленный пульсар

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Шпионские штучки. Подборка статей

▪ статья Афанасий Иванович и Пульхерия Ивановна. Крылатое выражение

▪ статья Почему на заре эпохи телевидения дикторши красились зеленой помадой? Подробный ответ

▪ статья Мягкий и ручной велосипед. Личный транспорт

▪ статья Телефонный усилитель с индуктивным датчиком. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Переключатель мощности паяльника. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026