Menu Home

Бесплатная техническая библиотека для любителей и профессионалов Бесплатная техническая библиотека


ШИ-стабилизатор тока

Бесплатная техническая библиотека

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Радиолюбителю-конструктору

Комментарии к статье Комментарии к статье

Устройство, о котором идет речь в этой статье, обеспечивает стабильный ток в нагрузке (среднее значение). Его выходной ток - импульсы с постоянной амплитудой и переменной скважностью. Подобные устройства, по мнению авторов, можно использовать, например, для зарядки аккумуляторов и в электрохимии.

В настоящее время импульсные стабилизаторы благодаря своей высокой экономичности и оптимальным массогабаритным показателям вытесняют устройства линейного регулирования. Один из эффективных способов регулирования напряжения и мощности на нагрузке - широтно-импульсное (ШИ) управление, когда частота импульсов остается неизменной, а варьируется их скважность. Именно так регулируется выходное напряжение в большинстве импульсных источников питания, в том числе и самых современных телевизионных приемниках и другой аппаратуре. Тем не менее существуют устройства, где необходимо стабилизировать не напряжение, а ток в нагрузке - нити накаливания (подогревателя) в кинескопе и осветительных приборах, при управлении процессами гальванизации и электролиза и для зарядки автомобильных аккумуляторных батарей.

Описываемый ШИ-стабилизатор тока может быть использован при решении перечисленных задач.

ШИ-стабилизатор тока

Основные технические параметры

  • Входное напряжение, В......17...18
  • Среднее значение выходного тока, А......3
  • Частота коммутирующих импульсов, Гц......200
  • Ток срабатывания защиты от замыкания, А......20

Принцип действия такого стабилизатора, функциональная схема которого представлена на рис. 1, чрезвычайно прост.

Генератор постоянного тока G1 через измерительный элемент Е1 и коммутатор S1 подключен к нагрузке Rн. Коммутатор управляется формирователем длительности импульса E2. Сигнал включения формирователя (а следовательно, и коммутатора) вырабатывает генератор импульсов G2. При достижении требуемого значения выходного тока сигнал с измерительного элемента Е1 через усилитель A1 воздействует на формирователь E2, который отключает коммутатор. Генератор G2 управляет частотой импульсов, а формирователь E2 - их скважностью. Таким образом, изменяя скважность коммутирующих импульсов, можно регулировать среднее значение выходного тока в цепи нагрузки.

Как видно из рис. 1, ШИ-стабилизатор тока состоит всего из пяти элементов. Но необходимость в некоторых сервисных функциях (защита от замыканий в цепи нагрузки, индикация рабочего и аварийного режимов) несколько усложняет устройство (рис. 2).

ШИ-стабилизатор тока
(нажмите для увеличения)

Импульсные помехи входного напряжения сглаживает конденсатор фильтра С1. Поскольку входное напряжение превышает допустимое для питания микросхемы DD1, резистор R22 и стабилитрон VD1 формируют необходимое напряжение, которое дополнительно фильтруют конденсаторы С2 и C3. Генератор на однопереходном транзисторе VT1 вырабатывает импульсы экспоненциальной формы с частотой следования около 200 Гц (рис. 3, диаграмма 1). Частоту импульсов можно регулировать подборкой резистора R1, конденсатора C4, а также изменением сопротивления резистора R2. Транзисторы VT2, VT3 формируют более крутые фронты и спады этих импульсов и доводят их амплитуду до напряжения питания микросхемы (рис. 3, диаграмма 2) для управления триггером (входы S1 и R1 микросхемы DD1). Поскольку при включении напряжения питания задержанный на небольшое время цепью C5L1 импульс, подаваемый на входы S1, S3, S4 триггеров, устанавливает на их выходах 1, 3, 4 высокий уровень, транзистор VT7 закрыт, а открытый транзистор VT8 через резистор R20 подключает к минусу вторичного источника питания базу транзистора VT9. Ток от блока питания начинает проходить по цепи: измерительный резистор R11, транзистор VT9, нагрузка.

После зарядки конденсатора С4 первый импульс от генератора по входу S1 не изменит состояние триггера (S1-R1), на выходе 1 микросхемы остается высокий уровень. Ток нагрузки создает на измерительном резисторе R11 падение напряжения, которое через резисторы R12, R13 приложено к зашунтированному конденсатором С6 эмиттерному переходу транзистора VT5. Форма напряжения на его базе показана на рис. 3, диаграмма 3. В начальный момент конденсатор разряжен, а транзистор VT5 закрыт. Через некоторое время после начала зарядки напряжение на эмиттерном переходе транзистора VT5 достигает уровня его открывания. Конденсатор С6 разряжается. На резисторе R9, а следовательно, и на входе R1 микросхемы DD1 формируется импульс напряжения (рис. 3, диаграмма 4). На выходе 1 устанавливается низкий уровень, транзистор VT7 открывается и замыкает эмиттерный переход транзистора VT9. Ток через нагрузку прекращается. С приходом от генератора на транзисторе VT1 следующего импульса процесс повторяется. Подстроечным резистором R13 изменяют момент открывания транзистора VT5 и, следовательно, регулируют среднее значение тока нагрузки, форма импульсов которого показана на рис. 3, диаграмма 5. Так как выбранное амплитудное значение выходного тока составляет 6 А, для импульсного тока со скважностью, равной 2, следует отрегулировать его среднее значение 3 А.

Стабилизация тока осуществляется следующим образом. С уменьшением сопротивления нагрузки выходной ток увеличивается. Это вызовет увеличение падения напряжения на измерительном резисторе R11, что приведет к более раннему открыванию транзистора VT5 и уменьшению длительности импульсов выходного тока. В результате среднее значение тока нагрузки останется постоянным, равным 3 А. Аналогично происходит стабилизация при увеличении выходного тока, вызванном повышением питающего напряжения на входе устройства. С уменьшением амплитудного значения тока нагрузки, обусловленным либо уменьшением питающего напряжения, либо увеличением сопротивления нагрузки, скважность импульсов тока уменьшается, и его среднее значение остается прежним.

Функцию защиты стабилизатора от замыканий в нагрузке выполняет узел на транзисторе VT4. В случае увеличения выходного тока до 20 А падение напряжения на резисторе R11 становится достаточным для включения стабилитрона VD2. Открывшийся транзистор VT4 формирует на резисторе R14 импульс напряжения, подаваемый на входы R3, R4 микросхемы DD1. Конденсатор С7, шунтирующий резистор R14, ослабляет импульсные помехи в цепи защиты. На выходе 3 микросхемы появляется низкий уровень. Ранее открытый транзистор VT8 закрывается, исключая прохождение базового тока транзистора VT9. Последующие импульсы по входу S1 микросхемы фиксируют высокий уровень на ее выходе 1 и закрытое состояние транзистора VT7, поэтому транзистор VT9 остается закрытым. Ток в нагрузке прекращается и становится возможным только после выключения и повторного включения стабилизатора.

Поскольку входы микросхемы S3, S4 и R3, R4 объединены попарно, на ее выходах 3 и 4 единичный и нулевой сигналы появляются синхронно. Открытому состоянию транзистора VT8 соответствует высокий уровень на выходе 4; светодиод HL1 выключен. При срабатывании защиты по цепи HL1, R18 протекает ток и светодиод сигнализирует об аварийном режиме.

Для индикации рабочего режима использован транзистор VT6: ток проходит по его коллекторной цепи - последовательно соединенным токоограничительному резистору R21 и светодиоду HL2, свечение которого свидетельствует о протекании тока нагрузки.

В стабилизаторе тока применены постоянные резисторы МЛТ; подстроечные резисторы R2 и R13 - СП3-38б. Резистор R11 может быть либо самодельный проволочный, либо заводского изготовления мощностью не менее 4 Вт. Конденсатор С2 - К50-35, остальные - керамические К10-17-1б, возможна их замена на КМ, КЛС и др. Дроссель L1 - высокочастотный - ДМ-0,2 индуктивностью от 60 до 200 мкГн. Стабилитрон VD1 - любой с напряжением стабилизации 12...14 В. Светодиод HL1 желательно выбрать с красным цветом свечения: АЛ307А, АЛ307АМ, АЛ307Б, АЛ307БМ или серии АЛ102, а светодиод HL2 - зеленым или желтым: АЛ307В-АЛ307Е. Вместо микросхемы К561ТР2 можно установить К564ТР2, если с помощью пинцета предварительно отформовать ее выводы. Однопереходный транзистор - КТ117 с любым буквенным индексом; в крайнем случае его можно заменить на общеизвестный аналог из двух маломощных кремниевых транзисторов различной структуры. Транзисторы КТ208А и КТ312В заменимы на приборы серий КТ361, КТ3107 и КТ315, КТ3102 соответственно, с любым буквенным индексом. По коэффициенту усиления подборка транзисторов не требуется. Мощный составной транзистор КТ825 тоже может быть с любым индексом, но если их несколько, желательно после измерений выбрать с наименьшим напряжением насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 3...6 А.

Все элементы, за исключением транзистора КТ825, смонтированы на печатной плате из одностороннего фольгированного стеклотекстолита толщиной 1...1,5 мм размерами 80x45 мм. Транзистор КТ825 устанавливают на теплоотвод с охлаждающей поверхностью около 200 см2.

Для налаживания устройства потребуется мощный лабораторный источник питания с допустимым током не менее 10 А, например Б5-21. Предположим, что при токе в нагрузке I = 6 А напряжение на ней достигает 15 В и более в зависимости от температуры окружающего воздуха (раствора) и концентрации раствора. Из закона Ома легко рассчитать сопротивление эквивалента нагрузки R = U/I = 2,5 Ом. Мощность резистора Р = I ( U = 90 Вт. Этому условию удовлетворяют четыре параллельно соединенных резистора ПЭВТ-25 сопротивлением 10 Ом. Для исключения повреждения элементов устройства большим током налаживание следует проводить в два этапа. На первом - подключают эквивалент нагрузки - резистор МЛТ-2 сопротивлением 100 Ом, ток нагрузки в этом случае составит около 150 мА. Чтобы создать на измерительном резисторе R11 падение напряжения около 1 В, его сопротивление следует выбрать равным 6,8 Ом, мощность - 0,25 Вт.

После подсоединения рассчитанных элементов (R11=6,8 Ом, Rн=100 Ом) начинается первый этап налаживания. Включают питание и измеряют напряжение на стабилитроне VD1, которое должно составлять 12...14 В. С помощью осциллографа контролируют импульсы на базе транзистора VT2, при необходимости резистором R2 регулируют период их следования Т=5 мс. При отсутствии усиленных импульсов на коллекторах транзисторов VT2 и VT3 придется подобрать резистор R5. Затем контролируют импульсы на коллекторе транзистора VT5 и определяют интервал регулирования резистором R13. Осциллографом проверяют наличие и форму импульсов тока на эквиваленте нагрузки: резистором R13 устанавливают форму импульсов "меандр", при этом должен светиться светодиод HL2 "Работа". Изменение напряжения от блока питания должно приводить к изменению скважности импульсов соответствующим образом. Кратковременно резистором сопротивлением 18 Ом шунтируют эквивалент нагрузки (такая нагрузка создает ток в выходной цепи 0,6 А и соответствующее ему падение напряжения на измерительном резисторе 4 В, которое равно падению напряжения на резисторе R11 сопротивлением 0,2 Ом при токе 20 А). Импульсы на нагрузке должны исчезнуть, и включится светодиод HL1 "Авария". После отключения блока питания и повторного включения нормальная работа устройства должна восстановиться. Если защита от замыканий не срабатывает, необходимо подобрать стабилитрон VD2 и резистор R10. На этом первый этап налаживания завершается.

На втором этапе устанавливают резистор R11 с указанным на рис. 2 сопротивлением и подключают эквивалент нагрузки сопротивлением 2,5 Ом. Резистор R20 временно переключают от коллектора транзистора VT8 к его эмиттеру. После включения блока питания измеряют падение напряжения на резисторе R11, нагрузке, участке эмиттер-коллектор транзистора VT9. Оно должно составить 1,2, 15 и 1,5...2,5 В соответственно. Изменяя напряжение на выходе блока питания по моменту вхождения транзистора VT9 в режим насыщения, определяют минимально необходимое напряжение питания устройства. Блок питания (для повышения КПД желательно применить импульсный), с которым предполагают эксплуатировать ШИ-стабилизатор, следует отрегулировать на это напряжение, а затем подключить его вместо лабораторного: падение напряжения на перечисленных элементах должно остаться прежним. Его несоответствие указывает на недостаточную мощность импульсного блока питания. Если мощность блока достаточна, восстанавливают подключение резистора R20, вместо эквивалента нагрузки подсоединяют реальную нагрузку и амперметр на 5 А. Резистором R13 ток нагрузки устанавливают равным 3 А, после чего амперметр можно отключить. Устройство готово к эксплуатации.

Авторы: В.Жуков, В.Косенко, С.Косенко, г.Воронеж

Смотрите другие статьи раздела Радиолюбителю-конструктору.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Расставание действительно может причинять физическую боль 16.09.2026

Разрыв отношений с близким человеком способно вызывать настолько сильные переживания, что привычное выражение "разбитое сердце" иногда воспринимается почти буквально. Человек может испытывать тревогу, тоску и эмоциональное напряжение, сопровождающиеся вполне реальными телесными ощущениями. Исследования работы мозга показывают, что такая связь между эмоциональными и физическими страданиями может иметь вполне определенную нейробиологическую основу. Эксперимент, позволивший изучить этот вопрос, провела команда психолога Итана Кросса из Мичиганского университета. В исследовании участвовали 40 человек, недавно переживших расставание по инициативе партнера. Все добровольцы продолжали остро реагировать на произошедшее, что позволило исследователям изучить мозговую активность в период наиболее сильных переживаний. Во время эксперимента участников помещали в аппарат магнитно-резонансной томографии. Испытуемым поочередно показывали фотографию бывшего партнера и подвергали предплечье воздей ...>>

Научно доказана невозможность создания нейтринного лазера 16.09.2026

Лазер давно перестал быть исключительно лабораторной технологией: сегодня он используется в связи, медицине, промышленности и научных исследованиях. Поэтому физики периодически предлагают необычные варианты устройств, способных работать по аналогичным принципам, но с другими типами частиц. В 2025 году появилась идея создать лазер, формирующий направленный поток нейтрино. Однако последующий теоретический анализ показал, что привлекательная на первый взгляд концепция сталкивается не просто с техническими трудностями, а с фундаментальными законами квантовой физики. Первоначальную концепцию предложили профессор Массачусетского технологического института (MIT) Джо Формаджио (Joe Formaggio) и Бен Джонс (Ben Jones) из Техасского университета в Арлингтоне. Согласно их замыслу, облако радиоактивных атомов следовало охладить до сверхнизких температур порядка нанокельвинов - миллиардных долей кельвина. В таких условиях атомы могли бы сформировать Бозе - Эйнштейновский конденсат, особое квантов ...>>

Индекс нижнего белья раскрыл состояние швейцарских почв 15.09.2026

Почва кажется обычной частью окружающего нас ландшафта, однако под ее поверхностью существует сложная экосистема, от состояния которой напрямую зависит жизнь человека. Миллиарды микроорганизмов, черви, грибы и другие обитатели почвы перерабатывают органические вещества и участвуют в круговороте питательных элементов. Чтобы привлечь внимание общества к этой мало заметной проблеме, исследователи из Цюрихского университета придумали весьма необычный эксперимент: они закопали более 2000 пар хлопкового нижнего белья в садах, на лугах, полях и газонах по всей Швейцарии. Проект получил название "Доказательство в виде нижнего белья" и представлял собой не массовую шутку, а научный эксперимент, позволяющий наглядно оценить биологическую активность почвы. Исследователи помещали хлопковые изделия в землю, а примерно через два месяца извлекали их и сравнивали степень разрушения ткани. Некоторые образцы за это время практически исчезали, оставляя лишь отдельные фрагменты швов, тогда как на други ...>>

Случайная новость из Архива

Новые 75V StrongIRFET транзисторы от IR со сверхнизким RDSon 17.12.2014

Серия промышленных StrongIRFETT транзисторов от International Rectifier со сверхнизким сопротивлением канала расширила диапазон своих рабочих напряжений новым 75 В семейством в дополнение к появившимся ранее семействам на 40 В и 60 В.

Основными сегментами использования данной серии MOSFET являются промышленные системы, такие как: электроинструмент, электрокары и другие промышленные транспортные средства с электрическим приводом, системы защиты аккумуляторных батарей, устройства с функцией "горячего подключения" и выходные каскады синхронного выпрямления в мощных импульсных ИП.

Транзисторы нового семейства 75 В StrongIRFETT обладают сверхнизким сопротивлением открытого канала для повышения КПД систем, работающих в диапазоне низких частот, обеспечивают высокие рабочие и импульсные токи, содержат встроенный антипараллельный диод с мягкой характеристикой восстановления и обладают 3 В порогом включения, что улучшает их устойчивость к внешним помехам. Каждый изготовленный транзистор тестируется на самых высоких уровнях допустимого лавинного тока, что позволяет производителю гарантировать максимальную надежность MOSFET данной серии для промышленного применения.

Транзисторы StrongIRFETT выпускаются в стандартных выводных корпусах и в корпусах для поверхностного монтажа. Применение высокотехнологичных корпусов, например D2-Pak-7 (TO-263-7), позволяет добиться полного сопротивления открытого транзистора менее 2 мОм и обеспечивает пиковый рабочий ток до 240 А. Все транзисторы серии имеют расширенный диапазон рабочих температур кристалла: от -55 до +175°С.

Другие интересные новости:

▪ Transcend представила карты памяти с защитой от копирования

▪ Сердцу не прикажешь

▪ Статины против депрессии

▪ Игровая портативная консоль GPD WIN4 2023

▪ Самый яркий флуоресцентный материал

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

 

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Цифровая техника. Подборка статей

▪ статья Отрясти прах от ног своих. Крылатое выражение

▪ статья Сколько существует видов мух? Подробный ответ

▪ статья Фасовщик. Должностная инструкция

▪ статья Детектор инфракрасного излучения. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Монета убежала. Секрет фокуса

Оставьте свой комментарий к этой статье:

Имя:


E-mail (не обязательно):


Комментарий:





Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте

www.diagram.com.ua

www.diagram.com.ua
2000-2026