Индикатор разрядки аккумуляторов

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Зарядные устройства, аккумуляторы, гальванические элементы

 Комментарии к статье

Схема индикатора разрядки аккумуляторов с номинальным напряжением 12,6 В и приведена на рисунке. Порог его срабатывания выбран равным 11,3 В. Микросхема DA1 обеспечивает стабильную работу индикатора благодаря входящему в ее состав источнику опорного напряжения (7,15 В), изменения которого в диапазоне температур 0...75°С не превышают 15 мВ. Выход этого источника (выв. 6 DA1) подключен к неинвертирующему входу (выв. 5) компаратора микросхемы. На ее инвертирующий вход (выв. 4) через делитель R1R2 подается напряжение от аккумулятора. Сопротивления резисторов делителя выбраны таким образом, чтобы при снижении напряжения питания до порогового уровня напряжение на выв. 4 микросхемы оказывалось равным опорному напряжению. Если же напряжение на выв. 4 уменьшается ниже опорного, компаратор изменяет свое состояние и сигнал, появляющийся при этом на выв. 9 микросхемы DA1, включает узел индикации (VT1, R4, HL1).

Отрегулировать индикатор можно с помощью любого лабораторного стабилизированного блока питания. Его следует подключить к индикатору напряжения вместо аккумулятора (+12 В). Напряжение блока питания должно регулироваться в пределах от 10 до 15 В, его следует контролировать цифровым вольтметром. При снижении напряжения до порогового значения светодиод HL1 должен загореться. Если этого не произойдет, необходимо изменить номинал одного из резисторов делителя R1R2, либо подключить параллельно одному из них дополнительный резистор сопротивлением 50...500 кОм. Подключение такого резистора параллельно резистору R1 снизит порог срабатывания индикатора, а параллельно R2 - повысит его.

При номинальном напряжении аккумулятора (12 В) светодиод не светится, индикатор потребляет ток не более 2 мА.

В устройстве можно использовать микросхемы КР142ЕН14 или m mА723, транзисторы серии КТ3102 с любыми буквенными индексами, светодиоды AЛ307БМ.

Автор: M. Kroszka

Смотрите другие статьи раздела Зарядные устройства, аккумуляторы, гальванические элементы.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Расставание действительно может причинять физическую боль 16.09.2026

Разрыв отношений с близким человеком способно вызывать настолько сильные переживания, что привычное выражение "разбитое сердце" иногда воспринимается почти буквально. Человек может испытывать тревогу, тоску и эмоциональное напряжение, сопровождающиеся вполне реальными телесными ощущениями. Исследования работы мозга показывают, что такая связь между эмоциональными и физическими страданиями может иметь вполне определенную нейробиологическую основу. Эксперимент, позволивший изучить этот вопрос, провела команда психолога Итана Кросса из Мичиганского университета. В исследовании участвовали 40 человек, недавно переживших расставание по инициативе партнера. Все добровольцы продолжали остро реагировать на произошедшее, что позволило исследователям изучить мозговую активность в период наиболее сильных переживаний. Во время эксперимента участников помещали в аппарат магнитно-резонансной томографии. Испытуемым поочередно показывали фотографию бывшего партнера и подвергали предплечье воздей ...>>

Научно доказана невозможность создания нейтринного лазера 16.09.2026

Лазер давно перестал быть исключительно лабораторной технологией: сегодня он используется в связи, медицине, промышленности и научных исследованиях. Поэтому физики периодически предлагают необычные варианты устройств, способных работать по аналогичным принципам, но с другими типами частиц. В 2025 году появилась идея создать лазер, формирующий направленный поток нейтрино. Однако последующий теоретический анализ показал, что привлекательная на первый взгляд концепция сталкивается не просто с техническими трудностями, а с фундаментальными законами квантовой физики. Первоначальную концепцию предложили профессор Массачусетского технологического института (MIT) Джо Формаджио (Joe Formaggio) и Бен Джонс (Ben Jones) из Техасского университета в Арлингтоне. Согласно их замыслу, облако радиоактивных атомов следовало охладить до сверхнизких температур порядка нанокельвинов - миллиардных долей кельвина. В таких условиях атомы могли бы сформировать Бозе - Эйнштейновский конденсат, особое квантов ...>>

Индекс нижнего белья раскрыл состояние швейцарских почв 15.09.2026

Почва кажется обычной частью окружающего нас ландшафта, однако под ее поверхностью существует сложная экосистема, от состояния которой напрямую зависит жизнь человека. Миллиарды микроорганизмов, черви, грибы и другие обитатели почвы перерабатывают органические вещества и участвуют в круговороте питательных элементов. Чтобы привлечь внимание общества к этой мало заметной проблеме, исследователи из Цюрихского университета придумали весьма необычный эксперимент: они закопали более 2000 пар хлопкового нижнего белья в садах, на лугах, полях и газонах по всей Швейцарии. Проект получил название "Доказательство в виде нижнего белья" и представлял собой не массовую шутку, а научный эксперимент, позволяющий наглядно оценить биологическую активность почвы. Исследователи помещали хлопковые изделия в землю, а примерно через два месяца извлекали их и сравнивали степень разрушения ткани. Некоторые образцы за это время практически исчезали, оставляя лишь отдельные фрагменты швов, тогда как на други ...>>

Случайная новость из Архива Высоковольтные МОП-транзисторы для быстродействующих коммутационных устройств 12.04.2016 Компания Toshiba Electronics Europe (TEE), европейское подразделение по производству электронных компонентов корпорации Toshiba Corporation, представила новую серию быстродействующих высоковольтных МОП-транзисторов для создания импульсных регуляторов напряжения. Четыре устройства с номинальным напряжением 800 и 900 В с каналом n-типа обладают низким типовым сопротивлением в открытом состоянии (RDS(ON)) вплоть до 1,9 Ом. Целевые области применения новых устройств - обратноходовые преобразователи для светодиодных осветительных приборов, дополнительные источники питания и другие схемы, в которых требуется коммутация токов ниже 5 А. Новые МОП-транзисторы, работающие в режиме обогащения, выпускаются с применением планарного технологического процесса производства полупроводников компании Toshiba восьмого поколения Pi-MOS-8, который сочетает высокий уровень интеграции и оптимизированную структуру ячеек. Эта технология обеспечивает снижение заряда и емкости затвора без потери преимуществ низкого значения RDS(ON), указали в компании. По задумке Toshiba, эти МОП-транзисторы дополнят слаботочными устройствами существующую серию приборов DTMOS IV с номинальным напряжением 800 В и технологией DTMOS4 Super Junction. Транзисторы TK3A90E на 2,5 А и TK5A90E на 4,5 А имеют номинальное значение VDSS 900 В и типовые номинальные значения RDS(ON) 3,7 и 2,5 Ом соответственно. Транзисторы TK4A80E на 4,0 А и TK5A80E на 5,0 А имеют номинальное значение VDSS 800 В и типовые номинальные значения RDS(ON) 2,8 и 1,9 Ом соответственно. Новые МОП-транзисторы Toshiba обладают сверхнизким максимальным током утечки, составляющим всего 10 мкА (VDS = 60 В), и диапазоном порогового напряжения затвора от 2,5 до 4,0 В (при VDS = 10 В и токе стока 0,4 мА). Все устройства поставляются в корпусах TO-220SIS стандартного форм-фактора.

Другие интересные новости:

▪ Ткань уничтожает запахи

▪ Робот-паук

▪ Daimler превратил угольную электростанцию в хранилище энергии

▪ Имплантат для подключения мозга к компьютеру

▪ Амеба в янтаре

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Альтернативные источники энергии. Подборка статей

▪ статья Исторический путь - не тротуар Невского проспекта. Крылатое выражение

▪ статья Зачем людям понадобились школы? Подробный ответ

▪ статья Пажитник сенной. Легенды, выращивание, способы применения

▪ статья Усилитель низкой частоты на микросхеме К174УН4. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Выбранные карты из определенного места колоды. Секрет фокуса

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026