Стабилизатор напряжения в сетевом адаптере. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Стабилизаторы напряжения

 Комментарии к статье

Большая часть импортных малогабаритных сетевых блоков питания, называемых адаптерами, не имеет в своем составе стабилизаторов выпрямленного напряжения. Поэтому для них характерны высокий уровень пульсаций и низкая стабильность выходного напряжения, что не годится для многих бытовых электро- и радиоприборов. Выходом из такой ситуации, по мнению автора, может быть установка в адаптер малогабаритного стабилизатора напряжения. Для этого потребуется минимум деталей широкого применения.

Схема одного из таких устройств приведена на рис. 1. Его образуют два транзистора и два резистора. Полевой транзистор VT1 выполняет функцию генератора тока, а биполярный составной транзистор VT2, включенный змиттерным повторителем, - усилителя тока. Через резистор R1 протекает относительно стабильный ток, поэтому изменением его сопротивления можно регулировать и значение выходного напряжения (Uвых) практически от нуля. Резистор R2 задает небольшой начальный ток, необходимый для исключения повышения выходного напряжения при питании нагрузки, потребляющей ток в несколько миллиампер.

Максимальное напряжение на выходе стабилизатора определяют по приближенной формуле Uвых(в вольтах) = R1·IVT1(A) - 1,5, где R1 - в килоомах, а IVT1 - начальный ток стока полевого транзистора в милиамперах.

Для нормальной работы полевого транзистора необходимо, чтобы постоянное напряжение на нем было не менее 3 В, примерно такое же напряжение должно быть и для нормальной работы биполярного транзистора VT2. Это означает, что напряжение на входе стабилизатора (UBX) должно превышать выходное адаптера не менее чем на 3 В. По той же формуле можно определить и необходимое номинальное сопротивление переменного резистора R1, обеспечивающего требуемый диапазон изменения выходного напряжения. Вал этого резистора следует снабдить ручкой - "Клювиком" и проградуированной шкалой.

Коэффициент стабилизации такого варианта стабилизатора - 50...60 при выходном токе 200 мА, выходное сопротивление - примерно 0,5 Ом.

Полевой транзистор VT1 подбирают из серий КП303, КП305 или КП307 с начальным током стока 5... 10 мА. Статический коэффициент передачи тока базы транзистора VT2 - не менее 1000, поэтому он должен быть составным - КТ829 с буквенными индексами А - Г, КТ973А, КТ973Б, а если позволяет корпус адаптера, то и КТ827А - В. Можно также использовать два биполярных, включив их по схеме составного транзистора: первый из них - маломощный из серий КТ315, КТ312, КТ3102, а второй - мощный из серий КТ815, КТ817.

Более практичным может оказаться стабилизатор с переключаемыми фиксированными значениями выходного напряжения, выполненный, например, по схеме на рис. 2. В нем переменный резистор (R1 по схеме на рис. 1) заменен цепочкой постоянных резисторов R1 - R6, коммутируемых переключателем SA1. Подбором каждого из этих резисторов, начиная с резистора R1, устанавливают желаемые значения выходных напряжений.

Пользуясь адаптерами с такими стабилизаторами, следует учитывать, что при неизменном входном напряжении, например 12 В, и при малом выходном напряжении, например 3 В, значительная часть полезной мощности выделяется на транзисторе VT2. Это приводит не только к дополнительному нагреву транзистора, но к снижению КПД всего блока питания. Избежать этого можно одновременной коммутацией выходного стабилизированного напряжения (как в стабилизаторе по схеме на рис. 2) и напряжения вторичной обмотки сетевого трансформатора, как показано на схеме, приведенной на рис. 3. Для этого потребуются двухсекционный переключатель на несколько положений, например ПД - 41, и, конечно, тщательная проработка монтажа блока питания. И если он окажется склонным к самовозбуждению, тогда параллельно выходному резистору R7 придется подключить керамический конденсатор емкостью 0,01...0,1 мкФ - он устранит это неприятное явление.

Для уменьшения пульсаций выходного напряжения полезно соединить базу транзистора VT2 (рис. 1 и 2) с общим проводом через оксидный конденсатор емкостью не менее 47 мкФ на напряжение 16 В, а выводы моста VD1, подключаемые к трансформатору, - керамическим конденсатором емкостью не менее 0,01 мкФ.

Для вольтметра вполне достаточно двух поддиапазонов: 0...1 и 0...15 В (или 0...20 В), причем первый из них можно вообще отвести только для измерения угла ЗСК.

Описанный прибор обеспечивает установку угла ЗСК прерывателя батарейной системы зажигания с необходимой точностью, что проверено автором на практике. Если автомобиль оснащен электронным блоком зажигания, то для установки угла необходимо на время вернуться к батарейной системе.

Литература

1. Затуловский М. Прибор автолюбителя. - Радио, 1981, № 2, с. 21, 22.
2. Хухтиков Н. Простой прибор автолюбителя. - Радио, 1994, № 2, с. 34, 35.

Автор: И.Нечаев, г.Курск

Смотрите другие статьи раздела Стабилизаторы напряжения.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Оптимальная продолжительность сна 12.11.2025

Сон играет ключевую роль в поддержании здоровья, когнитивных функций и общего самочувствия. Несмотря на широко распространенный стереотип о восьмичасовом сне, последние исследования показывают, что оптимальная продолжительность сна для большинства здоровых взрослых ближе к семи часам. Эволюционный биолог из Гарварда, Дэниел Э. Либерман, утверждает, что традиционная норма восьми часов сна - это скорее культурное наследие индустриальной эпохи, чем биологическая необходимость. По его словам, полевые исследования, проведенные в сообществах, не использующих электричество, показывают, что средняя продолжительность сна составляет 6-7 часов, что значительно отличается от общепринятого стандарта. Современные эпидемиологические данные подтверждают этот взгляд. Исследования выявили так называемую "U-образную кривую" зависимости между продолжительностью сна и рисками для здоровья. Минимальные показатели заболеваемости и смертности наблюдаются именно у людей, спящих около семи часов в сутки. ...>>

Дефицит кислорода усиливает выброс закиси азота 12.11.2025

Парниковые газы играют ключевую роль в изменении климата, а закись азота (N2O) - один из наиболее опасных среди них. Этот газ не только втрое сильнее углекислого газа в удержании тепла, но и разрушает озоновый слой. Недавнее исследование американских ученых показало, что микробы в зонах с низким содержанием кислорода активно производят N2O, усиливая глобальные климатические риски. Команда из Университета Пенсильвании изучала прибрежные воды у Сан-Диего и провела наблюдения на глубинах от 40 до 120 метров в Восточной тропической северной части Тихого океана - одной из крупнейших зон дефицита кислорода. Исследователи сосредоточились на том, как морские микроорганизмы превращают нитраты в закись азота. В ходе работы выяснилось, что существует два пути образования N2O. Один путь начинается с нитрата, другой - с нитрита. На первый взгляд более короткий путь должен быть эффективнее, однако микробы, использующие нитрат, продуцируют больше газа, поскольку этот "сырьевой" источник более д ...>>

Омега-3 помогают молодым кораллам выживать 11.11.2025

Сохранение коралловых рифов становится все более актуальной задачей в условиях глобального изменения климата. Молодые кораллы особенно уязвимы на ранних стадиях развития, когда стрессовые условия и нехватка питательных веществ могут привести к высокой смертности. Недавнее исследование ученых из Технологического университета Сиднея показывает, что специальные пищевые добавки способны существенно повысить выживаемость личинок кораллов. В ходе работы исследователи разработали особый состав "детского питания" для коралловых личинок. В него вошли масла, богатые омега-3 жирными кислотами, а также важные стерины, необходимые для формирования клеточных мембран. Личинки, получавшие эти добавки, развивались быстрее, становились крепче и демонстрировали более высокую устойчивость к стрессовым факторам. Особое внимание ученые уделили липидам. Анализ показал, что личинки активно усваивают эти вещества, что напрямую влияет на их жизнеспособность. Стерины, содержащиеся в корме, повышают устойчи ...>>

Случайная новость из Архива 32-слойная флэш-память 3D V-NAND II поколения 06.06.2014 Компания Samsung Electronics сообщила о начале серийного производства первой в отрасли трехмерной (3D) флэш-памяти V-NAND, которая включает 32 слоя ячеек по вертикали (это второе поколение флэш-памяти V-NAND). 32-слойная память 3D V-NAND компании Samsung (также называется Vertical NAND) требует более высокого уровня технологий проектирования, чтобы разместить одну над другой матрицы элементов, по сравнению с ранее выпущенными 24-слойными модулями V-NAND, однако при этом она обеспечивает намного более высокую производительность, так как компания Samsung, в принципе, может использовать то же самое оборудование, которое использовалось для производства первого поколения памяти V-NAND. Кроме того, компания Samsung недавно запустила линейку твердотельных дисков премиум-уровня, произведенных с использованием флэш-памяти V-NAND 2-го поколения. Данные диски имеют емкость 128 ГБ, 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ. После выпуска твердотельных дисков на основе 3D V-NAND, предназначенных для центров обработки данных, в прошлом году сейчас компания Samsung расширяет свою линейку твердотельных дисков V-NAND и теперь предлагает продукты для ПК премиум-уровня, что позволит компании увеличить свою рыночную базу. "Мы сделали память 3D V-NAND более доступной, представив обширную линейку твердотельных дисков на основе V-NAND, которые также могут использоваться в ПК, помимо центров обработки данных, - рассказывает Юнг Хьюн Джун, исполнительный вице-президент, подразделение продаж и маркетинга решений памяти, Samsung Electronics. - Мы всегда готовы обеспечивать постоянные и своевременные поставки высокопроизводительных твердотельных дисков V-NAND высокой плотности, а также базовые чипы V-NAND для ИТ-клиентов по всему миру, что будет способствовать быстрому распространению на рынке технологии 3D NAND".

Другие интересные новости:

▪ 3D-монитор без очков ThinkVision 27 3D

▪ Микросхемы управления электропитанием для OMAP35хх

▪ К 2017 году ожидается бум микрогибридов

▪ Графический ускоритель AMD Radeon R7 260

▪ PT8 Neo - системная плата на чипсете VIA FSB800 от компании MSI

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Радиоуправление. Подборка статей

▪ статья Власть переменилась! Крылатое выражение

▪ статья Почему летом теплей, чем зимой? Подробный ответ

▪ статья Работа на термостате. Типовая инструкция по охране труда

▪ статья Автомат-эконом электроэнергии. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Дальний телевизионный прием. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2025