Прибор для проверки аккумуляторов. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Зарядные устройства, аккумуляторы, гальванические элементы

 Комментарии к статье

Автор публикуемой статьи работает на Таганрогском металлургическом заводе в мастерской по ремонту переносных радиостанций. Питают эти радиостанции от батареи из десяти дисковых никель-кадмиевых аккумуляторов Д-0,55. Для проверки состояния батареи и отдельных аккумуляторов автор пользуется несложным самодельным прибором, описание которого мы предлагаем вниманию наших читателей.

Основная проблема состоит в том, что во время эксплуатации радиостанций, питаемых от батареи никель-кадмиевых аккумуляторов, вследствие попадания пыли и окисления контактов увеличивается сопротивление между аккумуляторами. Вольтметр, подключаемый к батарее, в этом случае покажет нормальное напряжение, но радиостанция может в самый неподходящий момент отказать. При проверке таких батарей, например, с помощью низковольтной нагрузочной лампы, их иногда принимают за разряженные и продолжают зарядку, которая нередко заканчивается выходом из строя и даже разрушением отдельных аккумуляторов. Во время зарядки некоторые аккумуляторы перезаряжаются, а некоторые, наоборот, недозаряжаются и при разрядке происходит их смена полярности. Это, как показывает практика, основная причина выхода из строя батарей даже при соблюдении всех норм зарядки-разрядки.

Назначение предлагаемого прибора - проверить степень заряженности и отличить разряженные аккумуляторы от неисправных. Прибор позволяет измерять напряжение на батарее и отдельных аккумуляторах при максимальной и минимальной нагрузке. Чем больше разность показаний, тем больше внутреннее сопротивление аккумулятора. На основании этой информации можно сделать вывод о его исправности и степени заряженности. У свежезаряженных аккумуляторов напряжение, как правило, может быть несколько выше, а затем в течение примерно часа оно уменьшается и по установившемуся значению можно судить о степени заряженности.

Прибор очень простой, может использоваться для проверки любых аккумуляторов и батарей. Его под силу собрать даже начинающему радиолюбтелю. Схема устройства показана на рисунке. Для повышения точности измерения в приборе применен вольтметр с "растянутой" шкалой от 10 до 15 В. Пределы измерения зависят от напряжения стабилизации стабилитрона VD3 и сопротивления резисторов R2 и R3. Резистор R1 задает номинальный ток стабилизации стабилитрона. Сопротивления резисторов R2 и R3, указанные на схеме, подобраны для микроамперметра М4256 с током полного отклонения 50 мкА. Можно использовать и другие микро- и миллиамперметры на ток до 15 мА. В этом случае придется подобрать сопротивление резисторов R2 и R3, а резистор R1 можно исключить. Кнопка SB2 служит для подключения нагрузки - лампы HL2 и резисторов R4-R6 - собранной батареи, а кнопка SB1 - для подключения нагрузки - лампы HL2 и резистора R4 - при проверке отдельных аккумуляторов.

Конструкция корпуса аккумуляторной батареи не исключает неправильной ее сборки и подключения, что опасно для радиостанции. Поэтому не лишней будет цепь из диода VD6 и лампы HL3, которая загорится при подключении батареи в обратной полярности. В этом случае диод VD4 защитит микроамперметр от перегрузки. Аналогично через диод VD2 включится и лампа HL1, сигнализирующая о неправильной полярности подключения отдельных аккумуляторов. Микроамперметр от перегрузки в этом случае защитит диод VD1.

Чтобы проверить батарею, к ее контактам подключают прибор и измеряют напряжение без нагрузки. Затем, нажимая на кнопку SB2, измеряют напряжение под нагрузкой. Проверка отдельных аккумуляторов еще проще. Дисковый аккумулятор вставляют между закрепленными на корпусе контактными пластинами (+1,5 В-Общ.). Вольтметр прибора покажет напряжение без нагрузки на пределе 1,5 В. Если аккумулятор продвинуть дальше до упора, замкнутся контакты SF1, которые подключат нагрузку - лампу HL2 и резистор R4. Если разность показаний будет большой, следует очистить контакты аккумулятора и прибора и затем повторить измерение. Вышедшие из строя, а также элементы со значительно увеличенным внутренним сопротивлением отбраковывают. Важно, чтобы в батарее были собраны аккумуляторы близкие по параметрам.

В устройстве применены диоды Шотки N5819 (VD1, VD2, VD4, VD5) с малым прямым падением напряжения. Лампы - МН1,25-0,26 (HL1, HL2) и МН13.5-0.16 (HL3), кнопки SB1, SB2 - КМ 1-1, выключатель SF - МПЗ-1.

По приведенной схеме можно изготовить и прибор для проверки, например, автомобильных аккумуляторов. Необходимо только заменить нагрузку более мощной и применить кнопку, контакты которой рассчитаны на соответствующий ток нагрузки. Если нужен прибор для измерения напряжения на других пределах, следует заменить стабилитрон.

Для проверки источников питания разных размеров, например, гальванических элементов или автомобильных аккумуляторов, на корпусе прибора необходимо предусмотреть три гнезда для подключения гибких проводов. Напротив гнезда +15 В расположена кнопка подключения нагрузки SB2, а напротив гнезда 1,5 В - кнопка подключения нагрузки SB1.

В любом случае налаживание прибора заключается в подборе добавочных резисторов R2, R3 и градуировке шкалы по образцовому вольтметру. Для удобства налаживания резисторы R2 и R3 можно заменить подстроечными и градуировку начинать с предела 1,5 В.

Автор: С.Горенко, г.Таганрог Ростовской обл.

Смотрите другие статьи раздела Зарядные устройства, аккумуляторы, гальванические элементы.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Экраны влияют на детей неравномерно в разном возрасте 01.08.2026

Планшеты и смартфоны давно стали привычной частью повседневной жизни даже самых маленьких детей. Родители часто используют гаджеты, чтобы успокоить малыша или занять его на время, однако ученые все чаще задаются вопросом, как экранное время сказывается на развитии мозга и будущей способности к обучению. Новое исследование показывает, что значение имеет не только продолжительность просмотра, но и возраст, в котором ребенок проводит время перед экраном. Ученые наблюдали детей от рождения до 8 лет. Оказалось, что больше всего экраны влияют на мозг в два периода - в раннем младенческом возрасте и перед поступлением в школу. У детей, много времени проводивших перед экранами в эти возрастные точки, в 9 лет были несколько хуже успехи в обучении, а в 10,5 лет хуже работала рабочая память - способность удерживать и обрабатывать информацию здесь и сейчас. Исследователи из Франции и Сингапура проанализировали данные 502 детей и выделили два ключевых этапа. У младенцев мозг развивается очень ...>>

Умные жилеты, спасающие от жары 01.08.2026

Летняя жара в больших городах все чаще становится серьезным испытанием для людей, работающих на открытом воздухе. Мусорщики, строители и другие специалисты вынуждены проводить часы под палящим солнцем, рискуя перегревом. Китайские инженеры предложили практичное решение - специальные охлаждающие жилеты, которые помогают снизить ощущаемую температуру примерно на 10 градусов. Пока мир страдает от сильной жары, китайские инженеры разработали "умные" жилеты с климат-контролем. Жилеты с кондиционированием почти не отличаются от обычной рабочей одежды. Главное отличие - в системе охлаждения. В городе Нанкин в жилет вмонтированы два вентилятора, работающих от портативных аккумуляторов. Одного заряда хватает на 3-4 часа непрерывной работы. В Чанчжоу решили разместить в карманах охлаждающие элементы с материалом, который при нагревании переходит из твердого состояния в жидкое, активно поглощая тепло. Это поддерживает комфортную температуру в течение 2,5-4 часов. Такие жилеты выглядят почти ...>>

Летающие ветротурбины 3 МВт вышли в серию 31.07.2026

Традиционные ветряные электростанции зависят от силы и стабильности ветра у поверхности земли, где воздушные потоки часто бывают слабыми и порывистыми. На больших высотах ветер обычно сильнее и постояннее, поэтому инженеры уже давно рассматривают возможность подъема турбин в воздух. Китайская компания сделала важный шаг в этом направлении, перейдя от испытаний к мелкосерийному производству. Компания Beijing Linyi Yunchuan Energy Technology запустила мелкосерийное производство летающей ветротурбины S2000, а в провинции Чжэцзян возводят отдельный завод по производству материалов для оболочки аппарата. У компании уже есть предварительные договоренности с прибрежными городами и горными регионами, которые рассматривают возможность использования этой технологии для удовлетворения собственных энергетических потребностей. Прототип, который полгода назад только что поднялся в небо над Сычуанем, теперь превращается в целую отрасль. Идея S2000 проста: вместо того чтобы устанавливать ветряну ...>>

Случайная новость из Архива Микросхемы SRAM Renesas RMLV0816B и RMLV0808B с высокой радиационной стойкостью 21.12.2014 Компания Renesas Electronics объявила о выпуске пяти новых моделей микросхем статической памяти с произвольным доступом с пониженным энергопотреблением (Advanced LP SRAM), относящихся к сериям RMLV0816B и RMLV0808B. Они имеют плотность 8 Мбит и изготавливаются по нормам 110 нм. Зачем же использовать такой "грубый" техпроцесс, когда микросхемы для потребительской мобильной электроники уже давно выпускаются по гораздо более тонким нормам? Все дело в том, что за счет увеличения элементов удается повысить радиационную стойкость. По словам производителя, в новой памяти исключены однократные сбои (Soft Error или Single-Event Upset, SEU) и защелкивание транзисторов (Latch-up). Причиной однократных сбоев является импульс тока, возникающий при попадании в ячейку иона. Он переводит ячейку в противоположное состояние, но схема остается в работоспособном состоянии. Поскольку размеры транзистора в новых микросхемах сравнительно велики, для переключения требуется такой большой заряд, что вероятность возникновения сбоя стремится к нулю. Кроме того, в схему ячейки введен специальный конденсатор. В отличие от коррекции ошибок с помощью ECC, такой подход позволяет предотвратить одновременное возникновение нескольких ошибок. Применение этого и других приемов, по оценке Renesas, позволило получить такую же степень радиационной стойкости, как и в случае микросхем, выпускаемых по нормам 150 нм. Что касается защелкивания транзисторов, его причиной является вызванный ионом импульс тока, который приводит к открытию напоминающей тиристор схемы, образуемой паразитными структурами из пар транзисторов разного типа. В результате защелкивания ток через транзисторы растет даже после прекращения воздействия иона, что может привести к перегреву и выходу микросхемы из строя. В новой памяти на монокристаллической подложке сформированы только транзисторы с каналом n-типа, а транзисторы с каналом p-типа сформированы как тонкопленочные транзисторы с использованием поликристаллического кремния, что исключает образование тиристора из паразитных структур и принципиально устраняет риск защелкивания транзисторов. Попутно это позволило уменьшить площадь ячейки и размеры кристалла, приблизив эти показатели к показателям памяти, выпускаемой по нормам 65 нм. Потребляемый ток в режиме ожидания не превышает 2 мкА при температуре 25°C, что делает микросхемы подходящими для хранения данных в устройствах с резервным батарейным питанием. В планах Renesas - выпуск такой памяти плотностью 16 Мбит.

Другие интересные новости:

▪ Астероид нашелся

▪ Протез памяти

▪ Марсианский грунт доставят на Землю

▪ Неразрушимое композитное стекло для смартфонов и телевизоров

▪ Прототип видеокамеры с поддержкой 8K

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Музыканту. Подборка статей

▪ статья Россия может быть побеждена только Россией. Крылатое выражение

▪ статья Какая тема в советской фантастике была настолько заезжена, что рассказы по ней не принимались журналами для публикации? Подробный ответ

▪ статья Лаборант дорожной лаборатории. Типовая инструкция по охране труда

▪ статья Простые эффективные антенны для дальних связей. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Веревка осталась целой. Секрет фокуса

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026