Регулируемый стабилизатор напряжения, 35/32 вольта 3 ампера. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Стабилизаторы напряжения

 Комментарии к статье

Этот простой стабилизатор напряжения (рис. 3.36) выполнен на микросхеме LM317, для увеличения максимального тока нагрузки применен транзистор VT1.

Выходное напряжение регулируется резистором R4 в диапазоне 1,8...32 В. Следует отметить, что схема очень проста и не имеет защиты от короткого замыкания на выходе.

Отечественный аналог микросхемы - КР142ЕН12.

Автор: Семьян А.П.

Смотрите другие статьи раздела Стабилизаторы напряжения.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Экраны влияют на детей неравномерно в разном возрасте 01.08.2026

Планшеты и смартфоны давно стали привычной частью повседневной жизни даже самых маленьких детей. Родители часто используют гаджеты, чтобы успокоить малыша или занять его на время, однако ученые все чаще задаются вопросом, как экранное время сказывается на развитии мозга и будущей способности к обучению. Новое исследование показывает, что значение имеет не только продолжительность просмотра, но и возраст, в котором ребенок проводит время перед экраном. Ученые наблюдали детей от рождения до 8 лет. Оказалось, что больше всего экраны влияют на мозг в два периода - в раннем младенческом возрасте и перед поступлением в школу. У детей, много времени проводивших перед экранами в эти возрастные точки, в 9 лет были несколько хуже успехи в обучении, а в 10,5 лет хуже работала рабочая память - способность удерживать и обрабатывать информацию здесь и сейчас. Исследователи из Франции и Сингапура проанализировали данные 502 детей и выделили два ключевых этапа. У младенцев мозг развивается очень ...>>

Умные жилеты, спасающие от жары 01.08.2026

Летняя жара в больших городах все чаще становится серьезным испытанием для людей, работающих на открытом воздухе. Мусорщики, строители и другие специалисты вынуждены проводить часы под палящим солнцем, рискуя перегревом. Китайские инженеры предложили практичное решение - специальные охлаждающие жилеты, которые помогают снизить ощущаемую температуру примерно на 10 градусов. Пока мир страдает от сильной жары, китайские инженеры разработали "умные" жилеты с климат-контролем. Жилеты с кондиционированием почти не отличаются от обычной рабочей одежды. Главное отличие - в системе охлаждения. В городе Нанкин в жилет вмонтированы два вентилятора, работающих от портативных аккумуляторов. Одного заряда хватает на 3-4 часа непрерывной работы. В Чанчжоу решили разместить в карманах охлаждающие элементы с материалом, который при нагревании переходит из твердого состояния в жидкое, активно поглощая тепло. Это поддерживает комфортную температуру в течение 2,5-4 часов. Такие жилеты выглядят почти ...>>

Летающие ветротурбины 3 МВт вышли в серию 31.07.2026

Традиционные ветряные электростанции зависят от силы и стабильности ветра у поверхности земли, где воздушные потоки часто бывают слабыми и порывистыми. На больших высотах ветер обычно сильнее и постояннее, поэтому инженеры уже давно рассматривают возможность подъема турбин в воздух. Китайская компания сделала важный шаг в этом направлении, перейдя от испытаний к мелкосерийному производству. Компания Beijing Linyi Yunchuan Energy Technology запустила мелкосерийное производство летающей ветротурбины S2000, а в провинции Чжэцзян возводят отдельный завод по производству материалов для оболочки аппарата. У компании уже есть предварительные договоренности с прибрежными городами и горными регионами, которые рассматривают возможность использования этой технологии для удовлетворения собственных энергетических потребностей. Прототип, который полгода назад только что поднялся в небо над Сычуанем, теперь превращается в целую отрасль. Идея S2000 проста: вместо того чтобы устанавливать ветряну ...>>

Случайная новость из Архива Карбид-кремниевые MOSFET-транзисторы CoolSiC 1200 В в корпусе TO247-3/-4 16.01.2020 Новые MOSFET-транзисторы от компании Infineon линейки CoolSiC 1200 В в корпусе TO247-3/-4 основаны на современных технологиях построения полупроводников и оптимизированы для обеспечения высоких показателей производительности и надежности. Преимущество использования SiC-транзисторов по сравнению с Si-решениями - это более высокий КПД, что особенно важно для систем преобразования энергии. По сравнению с IGBT и MOSFET на основе Si, SiC MOSFET имеют ряд преимуществ: самые низкие уровни заряда затвора и емкости среди 1200 В переключателей, отсутствие потерь на восстановление внутреннего диода, низкие потери при переключении, не зависящие от температуры, и беспороговая характеристика. MOSFET линейки CoolSiC прекрасно подходят для топологий с жесткой и резонансной коммутацией, таких как схемы коррекции коэффициента мощности (ККМ), двунаправленные топологии, DC/DC-преобразователи или DC/AC-инверторы. Особенности: Низкие потери при переключении; Беспороговая характеристика; Широкий диапазон напряжений "затвор-исток"; Пороговое напряжение затвора VGS(th) = 4,5 В; Контролируемая скорость нарастания напряжения (dV/dT); Надежный токопроводящий диод для жесткой коммутации; Потери при переключении не зависят от температуры; Сохранение работоспособности при возникновении КЗ в течение 3 мкс при напряжении на затворе 15 В. Доступны для заказа в корпусах TO247-4. Данный корпус имеет дополнительный сигнальный вывод истока для оптимизации процесса переключения. Применение: Системы преобразования солнечной энергии; Системы зарядки электромобилей; Источники бесперебойного питания (ИБП); Блоки питания; Управление двигателем.

Другие интересные новости:

▪ Миниатюрное зарядное устройство 30 Вт

▪ Очки с массажем

▪ IT-писсуар

▪ Сжатый свет для цветных фотографий наноматериалов

▪ Протез памяти

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Справочник электрика. Подборка статей

▪ статья Маммона. Крылатое выражение

▪ статья Меняется ли у нас кожа? Подробный ответ

▪ статья Помощник руководителя предприятия. Должностная инструкция

▪ статья Индикатор напряженности поля. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Преобразователь полярности напряжения. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026