Стабилизатор из двигателя, 5,5-14/5 вольт 150 миллиампер. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Стабилизаторы напряжения

 Комментарии к статье

В настоящее время заканчивают свой "жизненный цикл" многие импортные автомагнитолы выпуска 80-х...90-х годов прошлого века.

Износ механики и уход в прошлое компакт-кассет как носителя аудиоинформации сделал нецелесообразным использование автомагнитол в качестве магнитофонного плеера, а старение радиоэлементов и трудности с приобретением снятых с производства запчастей делают ремонт, восстановление и дальнейшую эксплуатацию таких аппаратов нецелесообразными.

В лентопротяжном механизме автомагнитолы можно найти от одного до трех малогабаритных электродвигателей. Из электродвигателя, предназначенного для протяжки магнитной ленты, можно извлечь миниатюрную плату стабилизатора частоты вращения.

Путем несложной переделки этого стабилизатора можно получить стабилизатор постоянного напряжения. На рис.1 представлена схема стабилизатора напряжения отрицательной полярности.

Электронная начинка использовалась из изношенного микроэлектродвигателя типа MC1-5U3LCKS выпуска 1997 г.

Для того чтобы этот узел стал работать в режиме стабилизатора напряжения, резистор R1 (нумерация условная) закорочен проволочной перемычкой.

Таким образом значительно снижается положительная обратная связь по току, когда при увеличении тока нагрузки выходное напряжение регулятора повышается. Кроме перемычки, для предотвращения самовозбуждения стабилизатора и уменьшения пульсаций выходного напряжения добавлены конденсаторы С2 и С4. После модернизации становятся ненужными резистор R2 и конденсатор С3, и, при желании, их можно удалить с платы. В состав стабилизатора входит интегральная микросхема с обозначением на корпусе 6605SP. предположительно AN6605SR. К ее теплоотводящему фланцу желательно припаять небольшой латунный или медный теллоотвод.

Внешний вид стабилизатора показан на рис.2.

Тонкая круглая монтажная плата, извлеченная из электродвигателя, приклеена быстросохнущим клеем к монтажному однослойному пластику размерами 50x30 мм. Таким же клеем приклеены конденсаторы С2 и С4. Для сохранения малой высоты устройства использованы плоские конденсаторы для поверхностного монтажа.

При входном напряжении 10 В стабилизатор потребляет ток около 4,2 мА. Выходное напряжение стабилизатора можно регулировать подстроечным резистором R3 в пределах 4,2...5,8 В. При изменении входного напряжения от 7 до 14 В выходное напряжение стабилизатора возрастает на 10 мВ при токе нагрузки 200 мА. При изменении тока нагрузки от 0 до 150 мА выходное напряжение возрастает на 100 мВ (при входном напряжении 10 В). Таким образом, выходное сопротивление стабилизатора - отрицательное, что позволяет при росте тока нагрузки компенсировать падение напряжения на соединительных проводах и тонких печатных дорожках. Рассеиваемая микросхемой тепловая мощность не должна превышать 1 Вт.

Если этот стабилизатор подключить к выходу выпрямителя, не имеющего сглаживающего пульсации конденсатора, то емкость С2 нужно увеличить в 20...50 раз. Уменьшив сопротивление R4 и установив подстроечный резистор R3 большего сопротивления, можно расширить диапазон регулировки выходного напряжения. При уменьшении сопротивления R3 выходное напряжение повышается.

Для увеличения выходного тока стабилизатора можно установить эмиттерный повторитель, например, на транзисторе из серии КТ819. При этом выходное сопротивление стабилизатора может стать положительным.

Автор: А.Бутов, с. Курба Ярославской обл.

Смотрите другие статьи раздела Стабилизаторы напряжения.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Впервые преоодолена передача ВИЧ от матери к ребенку 02.01.2026

Проблема вертикальной передачи ВИЧ - от матери к ребенку - остается одной из ключевых задач глобальной медицины. Недавний отчет Всемирной организации здравоохранения (ВОЗ) демонстрирует историческое достижение: Бразилия впервые в своей истории полностью преодолела этот путь передачи вируса. Страна стала 19-й в мире и первой с населением более 100 миллионов человек, которая достигла такого результата. Достижения Бразилии основаны на комплексных медицинских программах, обеспечивающих своевременный доступ к диагностике и терапии для всех слоев населения. ВОЗ официально подтвердило, что уровень передачи ВИЧ от матери к ребенку снизился до менее двух процентов. Более 95% беременных женщин в стране получают регулярный скрининг на ВИЧ и необходимое лечение в рамках стандартного ведения беременности. Изначально программа тестировалась в крупных муниципалитетах и штатах с населением более 100 тысяч человек, а затем была масштабирована на всю страну. Такой подход позволил унифицировать ста ...>>

Нанослой германия увеличивает эффективность солнечных батарей на треть 02.01.2026

Разработка высокоэффективных солнечных батарей остается одной из ключевых задач современной энергетики. Недавнее исследование южнокорейских ученых позволило повысить производительность тонкопленочных солнечных элементов почти на 30%, что открывает новые перспективы для возобновляемых источников энергии, гибкой электроники и сенсорных устройств. Команда исследователей сосредоточилась на элементах на основе моносульфида олова (SnS) - нетоксичного и доступного материала, который идеально подходит для гибких солнечных панелей. До настоящего времени эффективность SnS-устройств оставалась низкой из-за проблем на границе контакта с металлическим электродом. В этой области возникали структурные дефекты, диффузия элементов и электрические потери, что существенно ограничивало возможности таких батарей. "Этот интерфейс был главным барьером для достижения высокой производительности", - отмечает профессор Джейонг Хо из Национального университета Чоннам. Для решения этих проблем ученые предлож ...>>

Электростатическое решение для борьбы с льдом и инеем 01.01.2026

Борьба с льдом и инеем на транспортных средствах и критически важных поверхностях зимой остается сложной и затратной задачей. Ученые из Virginia Tech разработали инновационную технологию, способную разрушать лед и иней без использования тепла или химических реагентов, что открывает новые возможности для безопасной и экологичной зимней эксплуатации транспорта. Исследователи обнаружили, что лед и иней образуют кристаллическую решетку с так называемыми ионными дефектами - заряженными участками, способными перемещаться под воздействием электрического поля. Эти дефекты являются ключом к управлению прочностью льда и его удалением с поверхностей. Когда на замерзшую поверхность подается положительный электрический заряд, отрицательные ионные дефекты притягиваются к источнику поля. Это вызывает разрушение кристаллической решетки льда, в результате чего часть льда буквально "отскакивает" от поверхности. Такой эффект позволяет удалять лед без применения внешнего тепла или химических средств ...>>

Случайная новость из Архива Качественное выращивание на кремнии полупроводниковых лазеров 26.03.2016 Группа ученых из ряда британских университетов сообщила о новой методике выращивания на кремниевой подложке высоконадежного полупроводникового лазера на квантовых точках. Разработка направлена на развитие кремниевой фотоники - на интеграцию лазеров и оптических интерфейсов в микросхемы. Уход от передачи данных по медным соединениям сэкономит на потреблении и ускорит внутричиповый обмен информацией. Да и сопряжение с внешними оптическими каналами станет проще. Серьезным препятствием на пути коммерческого внедрения технологии выращивания полупроводниковых лазеров на кремнии было значительное число дефектов в кристаллической решетке в месте перехода кремния в лазер. Уточним, сегодня для лазера обычно используется комбинация арсенида галлия и арсенида индия (металлы из III-V групп периодической таблицы Менделеева). В этом плане ничего нового предложено не было. Более того, британские ученые не первые, кто предложил для бездефектоного выращивания лазера использовать промежуточный слой, предварительно нанесенный на кремниевую пластину - это так называемый зародышевый слой (nucleation layer). Открытие заключается в том, что предложен зародышевый слой с качественными практическими характеристиками. Тесты выращенного таким образом опытного 1,3-мкм лазера показали стабильность рабочих характеристик даже при нагреве до 120 градусов по Цельсию. Утверждается, что на рабочей мощности 105 мВт лазер может работать свыше 100 тыс. часов на отказ. Это примерно 11 лет эксплуатации, чего с головой хватит для коммерческого оборудования. Лазеры с длиной волны 1,3 мкм (1300 нм) хорошо зарекомендовали себя в традиционном телекоммуникационном оборудовании. Ожидается, что они также смогут проявить себя в кремниевой фотонике. На новом этапе исследований ученые будут учиться выпускать лазеры с разной длиной волны и интегрировать их в микросхемы.

Другие интересные новости:

▪ Уровень холестерина в крови может повышаться из-за шума

▪ Опасность газированных напитков

▪ Водородная батарейка от Apple

▪ Новая система для нанотераностики

▪ Прототип анода для натрий-ионных батарей

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Аккумуляторы, зарядные устройства. Подборка статей

▪ статья По капле выдавливать из себя раба. Крылатое выражение

▪ статья Как дерево превращается в пиломатериалы? Подробный ответ

▪ статья Боярышник сибирский. Легенды, выращивание, способы применения

▪ статья Стереофонический трехламповый усилитель. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Монета не падает с листа. Секрет фокуса

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2025