Menu Home

Бесплатная техническая библиотека для любителей и профессионалов Бесплатная техническая библиотека


Индикатор подключения нагрузки. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Бесплатная техническая библиотека

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Разные электроустройства

Комментарии к статье Комментарии к статье

Искать включатель освещения или розетку в темноте - занятие малоприятное. Гораздо приятнее, когда видишь в темноте светящийся индикатор и ориентируешься на него. Особенно полезно оснастить таким индикатором те розетки, от которых питаются устройства, не имеющие индикаторов включения и предохранителей. Предлагаю усовершенствованный вариант устройства, оснащенный индикатором перегорания предохранителя.

Когда между вилкой подключаемой нагрузки и розеткой отсутствует контакт, индикатор не светится, извещая об отсутствии "отбора мощности" нагрузкой. Если нагрузка "берет мощность", светится синий индикатор, а когда нагрузка потребляет чрезмерную мощность, сгорает предохранитель, и включается красный мигающий светодиод.

Индикатор подключения нагрузки (ИПН) состоит из (рис.1):

  • предохранителя FU1 с индикатором перегорания на элементах VD1, VD2, R1, HL1, C1;
  • силовой обводной цепи на диоде VD6;
  • датчика тока нагрузки на диодах VD4, VD5 и детектора VD7, R2, С2;
  • ключа на полевом транзисторе VT1;
  • блока индикации на элементах VD8, HL2, R4, R3, VD3.

Индикатор подключения нагрузки

Индикатор подключения нагрузки

При перегорании предохранителя FU1, если нагрузка подключена к розетке XS1, ток протекает через ранее шунтировавшиеся нулевым сопротивлением предохранителя элементы индикатора перегорания. Выпрямительный диод VD1 пропускает только отрицательные

полуволны сетевого напряжения, которые поступают через токоограничительный резистор R1 на накопительный конденсатор С1 и подключенную параллельно ему нагрузку - мигающий светодиод HL1. VD1 защищает HL1 от обратного напряжения, а стабилитрон VD2 предохраняет HL1 от перегрузки прямым током.

Когда к розетке XS1 не подключена нагрузка, через диоды VD4.VD6 ток не протекает, накопительный конденсатор С2 разряжен и полевой транзистор VT1 закрыт.

Сопротивление канала (исток-сток) очень велико, и индикатор HL2 не светится.

При подключении нагрузки к розетке XS1 ток нагрузки протекает через встречно-параллельно включенные диод VD6 и цепочку диодов VD4, VD5. Отрицательные полуволны сетевого напряжения с нижнего по схеме сетевого провода проходят через VD6, а положительные - через VD4 и VD5.

Прямое падение напряжения на диодах VD4 и VD5 через резистор R2 и диод VD7 поступает на С2 и заряжает его до величины, превышающей напряжение отсечки (+0,6 В) полевого транзистора VT1. Транзистор VT1 открывается и через его канал, параллельно включенные VD8, HL2, R4 и далее через R3 и VD3 протекает ток. Светодиод HL2 ярко светится, сигнализируя о подключении нагрузки. Резистор R3 - токоограничительный, диод VD3 запрещает протекание тока при обратных полупериодах сетевого напряжения. Резистор R4 устраняет подсветку HL2 при закрытом VT1 и при необходимости подбирается в пределах от 3 до 8,2 кОм.

Прямое падение напряжения на датчике тока (VD4, VD5) зависит от мощности подключенной нагрузки. Чтобы индикатор "реагировал" даже на маломощные (менее 1 Вт) устройства, в схеме применен сравнительно дефицитный полевой транзистор. КП504А. Он имеет максимальное напряжение исток-сток 240 В и позволяет коммутировать ток в цепи стока до 0,25 А. Управляющее напряжение на затворе относительно истока - от 0 до 10 В. Напряжение отсечки. КП504А составляет +0,6 В. Максимальная мощность нагрузки, подключаемой к розетке XS1, определяется предельным прямым током диодов VD4.VD6 (1,7 А) и не должна превышать 500.700 Вт.

В схеме применены резисторы типа ОМЛТ. Конденсатор С1 - типа К50-35 или зарубежного производства с рабочим напряжением не менее 16 В, С2 - КМ. Диоды VD1, VD3, VD8 - КД105Б, КД102А или другие миниатюрные с допустимым обратным напряжением не менее 200 В, VD4.VD6 - КД226В, КД226Г, КД226Д, VD7 - германиевый. Д2 или. Д9 с любой буквой. Стабилитрон VD2 - маломощный, с напряжением стабилизации 3,9...5,6 В, например, КС139, КС147А, КС447А, КС156А. Светодиод HL1 можно заменить 5-миллиметровым красным МСД ARL-5013URC-B или немигающим повышенной яркости, например, желтым ARL-5213UYC. В последнем случае конденсатор С1 можно исключить. Светодиод HL2 можно заменить любым низковольтным зеленого (ARL-5213PGC), белого (ARL-3214UWC) или голубого (ARL-3214UBC) цвета, желательно повышенной яркости.

Почти все элементы устройства размещаются на печатной плате, чертеж которой приведен на рис.2. Плата встраивается в сетевую розетку либо в переходник-разветвитель ("тройник"), включаемый непосредственно в розетку. Возможен вариант его размещения в корпусе блока розеток на конце удлинителя- "переноски". Предохранитель FU1 на ток. 3А - керамический, миниатюрный. Он устанавливается в головке держателя предохранителя типа. ДПБ и выносится на переднюю панель розетки так, чтобы не мешал включению вилок. При установке индикатора в розетку сетевые провода, подходившие к контактам розетки, аккуратно отсоединяются и через клеммные зажимные колодки подключаются к плате.

Чтобы при сгоревшем предохранителе FU1 светодиод HL1 включался даже при обрыве в цепи нагрузки, подключенной к розетке XS1. между анодами HL1 и VD4 следует включить 2-ваттный резистор Rд сопротивлением 22...36 кОм (на печатной плате место под него предусмотрено).

Автор: А.Ознобизин, г.Иркутск

Смотрите другие статьи раздела Разные электроустройства.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Власть является ключевым фактором счастья в отношениях 11.03.2026

Исследования семейных и романтических отношений показывают, что длительное счастье пары зависит не только от привычных факторов, таких как доверие, уважение и преданность, но и от более тонких психологических аспектов. Современные ученые ищут закономерности, которые отличают действительно счастливые пары от остальных, чтобы понять, какие механизмы поддерживают гармонию в отношениях. Группа исследователей из Университета Мартина Лютера в Галле-Виттенберге и Бамбергского университета провела опрос среди 181 пары, которые состояли в совместных отношениях более восьми лет и прожили вместе хотя бы месяц. Участники заполняли анкету, описывая различные аспекты своих отношений, включая распределение обязанностей, эмоциональную поддержку и степень вовлеченности в совместные решения. Анализ данных показал интересный паттерн: пары, где оба партнера ощущали высокий уровень личной власти, оказывались наиболее счастливыми и удовлетворенными. В данном контексте под властью понимается способност ...>>

Защищенная колонка-повербанк Anker Soundcore Boom Go 3i 11.03.2026

Компания Anker представила новую модель линейки Soundcore - колонку Soundcore Boom Go 3i, ориентированную на активное использование на улице. Новинка отличается высокой степенью защиты: корпус соответствует стандарту IP68, что обеспечивает водо- и пыленепроницаемость, а ударопрочный дизайн выдерживает падение с высоты до одного метра. За качество звука отвечает 15-ваттный драйвер, обеспечивающий пик громкости до 92 дБ, а технология BassUp 2.0 усиливает низкие частоты, делая звучание более насыщенным. Колонка обладает автономностью до 24 часов, а LED-индикатор позволяет контролировать уровень заряда батареи. Кроме того, Soundcore Boom Go 3i может выполнять функцию павербанка: согласно внутренним тестам, устройство способно зарядить iPhone 17 с нуля до 40% за один час, что делает его полезным аксессуаром в походах и поездках. Среди функциональных особенностей модели стоит выделить технологию Auracast, которая улучшает подключение и позволяет создавать стереопару из двух колонок ...>>

Раннее воздержание от алкоголя перестраивает мозг и иммунитет 10.03.2026

Алкогольная зависимость - хроническое расстройство с компульсивным употреблением спиртного, которое влияет не только на поведение, но и на функционирование мозга и иммунной системы. Недавние исследования показали, что даже на ранних этапах воздержания организм начинает перестраиваться, открывая новые возможности для терапии зависимости. Ученые сосредоточились на пациентах, находящихся в первые недели абстиненции, и зафиксировали значительные изменения в мозговой активности. С помощью функциональной магнитно-резонансной томографии они выявили перестройку сетей нейронных связей, отвечающих за контроль импульсов и принятие решений. Эти изменения могут быть ключевыми для восстановления самоконтроля и снижения риска рецидива. Одновременно с нейронной перестройкой исследователи наблюдали колебания иммунной системы. В крови повышался уровень цитокинов - сигнальных белков, регулирующих воспалительные процессы. Эти данные свидетельствуют о существовании нейроиммунного взаимодействия, при ...>>

Случайная новость из Архива

8-Гбит DDR4-чипы и 32-Гбайт DDR4-модули Samsung 23.10.2014

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства DDR4-чипов емкостью 8 Гбит по технологии 20-нм. Новые микросхемы памяти позволяют создавать модули объемом 32 Гбайт, чье производство уже началось. В перспективе Samsung сможет создать серверные модули объемом 128 Гбайт.

Новые 8-Гбит чипы DDR4-памяти Samsung сертифицированы на работу на частотах до 2400 МГц с напряжением питания в 1,2 В, что является наименьшим в индустрии. Хотя 8-Гбит чипы памяти и не будут работать на сверхвысоких частотах, как 4-Гбит варианты, они позволят создавать модули увеличенного объема, что важно для мощных серверов нового поколения на базе многоядерных процессоров Intel Xeon E5 v3 "Haswell-EP".

Компания Samsung уже начала производство серверных RDIMM объемом 32 Гбайт на базе новых чипов памяти. Данные модули будут работать на частотах до 2400 МГц, что на 29 % быстрее DDR3 RDIMM-модулей для серверов аналогичного объема, которые работают на 1866 МГц.

В перспективе компания Samsung планирует создавать многослойные чипы памяти, используя 8-Гбит микросхемы и соединения TSV (through silicon via). Чип, который будет включать в себя четыре 8-Гбит микросхемы, будет иметь объем в 32 Гбит, что позволит создать модули памяти объемом до 128 Гбайт.

Компания Samsung - первая среди производителей оперативной памяти для ПК, кто будет производить чипы DDR4 объемом 8 Гбит по технологии 20-нм. Подобный подход позволит снизить размеры чипов и, как следствие, их себестоимость. Маловероятно, что 8-Гбит чипы станут сколь-нибудь популярными на рынке ПК в ближайшее время, однако серверы и некоторые рабочие станции будут использовать модули на их базе.

Другие интересные новости:

▪ Огромные сенсорные дисплеи Microsoft

▪ Мобильные телефоны портят осанку

▪ Электричество с колес

▪ ИС Toshiba TC3567х с поддержкой стандарта Bluetooth Low Energy 4.1

▪ Ультразвук против диабета

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

 

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Звонки и аудио-имитаторы. Подборка статей

▪ статья Подноготная правда. Крылатое выражение

▪ статья Какое землетрясение было самым сильным? Подробный ответ

▪ статья Амла. Легенды, выращивание, способы применения

▪ статья Автоматический противослепляющий фонарь. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Распиновка сотовых телефонов Nokia. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

Имя:


E-mail (не обязательно):


Комментарий:





Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте

www.diagram.com.ua

www.diagram.com.ua
2000-2026