Автономная зарядка для мобильника на батарейках или аккумуляторах. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Зарядные устройства, аккумуляторы, гальванические элементы

 Комментарии к статье

Ситуация, когда мобильный телефон разряжается, а его "нечем покормить", поскольку поблизости нет электрической сети (220 В), встречается не так уж редко.

Предлагаю автономное зарядное устройство для мобильных телефонов. Оно может работать от гальванических элементов любого типа: пальчиковых типоразмера АА или ААА, дисковых аккумуляторов типа Д-0,5 или Д-0,25 и т.п.

Устройство построено на основе DC-DC преобразователя на микросхеме МС34063А или ее аналога КР1156ЕУ5. Возможна замена МС34063А на АР34063, NJM2360, KS34063. Эти микросхемы являются полными аналогами. Микросхема МС34063А специально разработана для работы в импульсных источниках питания с использованием минимального числа внешних компонентов.

Она состоит из компаратора, генератора импульсов, драйвера, внутреннего температурно-компенсированного источника опорного напряжения и мощного выходного ключа (рис.1).

Входное напряжение микросхемы - от 3 до 40 В, максимальный выходной ток - 0,3...0,4 А.

Схема зарядного устройства представлена на рис.2.

(нажмите для увеличения)

ЗУ содержит блок зарядки внутренней батареи GB1 из двух аккумуляторов на основе микросхемы LM7805 (DA1) и DC-DC преобразователь на микросхеме МС34063А (DA2). На вход напряжение подается от любого источника питания. Светодиод HL1 индицирует ход процесса.

После зарядки GB1 ЗУ готово к работе в качестве зарядного устройства мобильного телефона.

Для этого необходимо подсоединить телефон к разъему XS1 и включить устройство с помощью выключателя SA1. Светодиод HL2 сигнализирует о зарядке телефона. Напряжение на выходе зарядного устройства - 6 В. Расчет этого напряжения осуществляется по формуле

Вместо аккумуляторов в ЗУ можно установить обычные батареи типоразмера АА или AAA. Работоспособность устройства сохраняется при напряжении GB1 около 2,8 В. Выходной ток заряда ограничен на уровне 0,3...0,4 А.

Детали и конструкция. В зарядном устройстве использованы резисторы МЛТ или аналогичные импортные. Резистор R3 составлен из 4-х резисторов по 1 Ом, соединенных параллельно. Конденсатор С4 - танталовый, конденсаторы С1...С3, С5 и С6 - электролитические. Светодиоды HL1, HL2 - любые, но с разным цветом свечения, например, красным и зеленым. В качестве диода VD5 используют диод Шоттки 1N5819. Его можно заменить на диоды 1N5817 или 1N5818. Выключатель SA1 - любой малогабаритный.

Дроссель L1 представляет собой катушку (со щечками) на стержне длиной 10 мм из феррита типа 2000НЦ. Она содержит 40 витков провода ПЭВ 0,75 мм. Слои катушки изолированы скотчем и пропитаны цапонлаком. Ее можно изготовить и на ферритовом кольце с внешним диаметром 28...32 мм, на который наматывается 50 витков провода ПЭВ 0,75 мм. Дроссель L1должен выдерживать ток порядка 1 А. Дроссель L2 наматывают на ферритовом стержне диаметром 2 и длиной 5...6 мм. Он имеет 10 витков провода 0,75 мм.

Можно использовать также промышленные дроссели серии. ДМ со стержневым магнитопроеодом и допустимым током не менее 1 А, активное сопротивление обмотки дросселя L1 не должно превышать 0,1 Ом.

Аккумуляторы размещены в ячейке для батареек от пульта дистанционного управления.

Гнездо XS1 - миниатюрное, с замыкающимися контактами. Такое гнездо дает возможность автоматически включать зарядное устройство при присоединении переходного кабеля для подключения устройства к телефону. Для зарядки разных телефонов понадобится изготовить несколько переходных кабелей для каждой модели.

Автор: П.Бобонич, г.Ужгород, Украина

Смотрите другие статьи раздела Зарядные устройства, аккумуляторы, гальванические элементы.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Впервые преоодолена передача ВИЧ от матери к ребенку 02.01.2026

Проблема вертикальной передачи ВИЧ - от матери к ребенку - остается одной из ключевых задач глобальной медицины. Недавний отчет Всемирной организации здравоохранения (ВОЗ) демонстрирует историческое достижение: Бразилия впервые в своей истории полностью преодолела этот путь передачи вируса. Страна стала 19-й в мире и первой с населением более 100 миллионов человек, которая достигла такого результата. Достижения Бразилии основаны на комплексных медицинских программах, обеспечивающих своевременный доступ к диагностике и терапии для всех слоев населения. ВОЗ официально подтвердило, что уровень передачи ВИЧ от матери к ребенку снизился до менее двух процентов. Более 95% беременных женщин в стране получают регулярный скрининг на ВИЧ и необходимое лечение в рамках стандартного ведения беременности. Изначально программа тестировалась в крупных муниципалитетах и штатах с населением более 100 тысяч человек, а затем была масштабирована на всю страну. Такой подход позволил унифицировать ста ...>>

Нанослой германия увеличивает эффективность солнечных батарей на треть 02.01.2026

Разработка высокоэффективных солнечных батарей остается одной из ключевых задач современной энергетики. Недавнее исследование южнокорейских ученых позволило повысить производительность тонкопленочных солнечных элементов почти на 30%, что открывает новые перспективы для возобновляемых источников энергии, гибкой электроники и сенсорных устройств. Команда исследователей сосредоточилась на элементах на основе моносульфида олова (SnS) - нетоксичного и доступного материала, который идеально подходит для гибких солнечных панелей. До настоящего времени эффективность SnS-устройств оставалась низкой из-за проблем на границе контакта с металлическим электродом. В этой области возникали структурные дефекты, диффузия элементов и электрические потери, что существенно ограничивало возможности таких батарей. "Этот интерфейс был главным барьером для достижения высокой производительности", - отмечает профессор Джейонг Хо из Национального университета Чоннам. Для решения этих проблем ученые предлож ...>>

Электростатическое решение для борьбы с льдом и инеем 01.01.2026

Борьба с льдом и инеем на транспортных средствах и критически важных поверхностях зимой остается сложной и затратной задачей. Ученые из Virginia Tech разработали инновационную технологию, способную разрушать лед и иней без использования тепла или химических реагентов, что открывает новые возможности для безопасной и экологичной зимней эксплуатации транспорта. Исследователи обнаружили, что лед и иней образуют кристаллическую решетку с так называемыми ионными дефектами - заряженными участками, способными перемещаться под воздействием электрического поля. Эти дефекты являются ключом к управлению прочностью льда и его удалением с поверхностей. Когда на замерзшую поверхность подается положительный электрический заряд, отрицательные ионные дефекты притягиваются к источнику поля. Это вызывает разрушение кристаллической решетки льда, в результате чего часть льда буквально "отскакивает" от поверхности. Такой эффект позволяет удалять лед без применения внешнего тепла или химических средств ...>>

Случайная новость из Архива Лазерный кулер для электроники 28.01.2013 Группа физиков под руководством Цихуа Сюна (Qihua Xiong) из Технологического университета Наньян в Сингапуре разработала новую методику лазерного охлаждения, наблюдая за тем, как нанополоски из другого типа полупроводника, соединения серы и кадмия, реагировали на луч лазера. Лазерные системы охлаждения широко используются в ядерной физике и в исследованиях квантовых свойств микромира. Особые лазерные ловушки и охладители позволяют достичь температур, близких к абсолютному нулю, что практически невозможно при использовании других методов охлаждения. Несмотря на высокую развитость этой технологии, ее так и не удалось адаптировать для работы с полупроводниковой электроникой на базе кремния и арсенида галлия. Как объясняют ученые, при облучении лазером атомы материи, на которую направлен прибор, поглощают фотоны его излучения. При некоторых условиях часть из этих фотонов испускается обратно с более высокой частотой, на что расходуется дополнительная энергия, извлекаемая из тепловых колебаний атомов. Благодаря этому облучение лазером охлаждает материю, а не нагревает ее. Данный эффект - так называемая антистоксовая люминесценция - широко используется в системах лазерного охлаждения атомов. Сюн и его коллеги обнаружили, что антистоксовая люминесценция возникает в полосках из сульфида кадмия со специально подобранной толщиной и структурой. Пытаясь достичь максимального охлаждения, ученые перебрали несколько вариантов лазерных излучателей, пока не остановились на обычном зеленом лазере с длиной волны в 514 нм. По словам исследователей, зеленый лазер смог охладить закрученные в кольца полоски из сульфида кадмия на 40 градусов Цельсия при комнатной температуре. По мере понижения температуры материала и окружающей среды эффективность охлаждения постепенно снижается, пока она не достигает минимума при 93 градусах Цельсия ниже нуля. Как отмечают исследователи, аналогичную методику охлаждения можно будет применять и для кремниевых микрочипов после проведения дополнительных исследований. Сюн и его коллеги полагают, что подобные лазерные "кулеры" можно будет встраивать в миниатюрные электронные приборы, благодаря небольшому расходу энергии и компактности современных лазеров.

Другие интересные новости:

▪ Побит рекорд передачи данных по оптоволокну

▪ Сила мышц влияет на здоровье мозга

▪ Мозговой имплантат для восстановления памяти

▪ Предсказание цунами

▪ MAX17509 - двухканальный 16V 3А DC/DC регулятор

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Микроконтроллеры. Подборка статей

▪ статья Дуговая электроплавильная печь. История изобретения и производства

▪ статья Почему у людей на теле растут волосы? Подробный ответ

▪ статья Арника горная. Легенды, выращивание, способы применения

▪ статья Структурная схема электронного балласта. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Расчет синтезатора на основе ФАПЧ с ДПКД. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2025