Автономная зарядка для мобильника на батарейках или аккумуляторах. Схема, описание

Бесплатная техническая библиотека

ЭНЦИКЛОПЕДИЯ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ И ЭЛЕКТРОТЕХНИКИ
Бесплатная библиотека / Схемы радиоэлектронных и электротехнических устройств

Автономная зарядка для мобильника на батарейках или аккумуляторах. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Бесплатная техническая библиотека

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Зарядные устройства, аккумуляторы, гальванические элементы

Комментарии к статье

Ситуация, когда мобильный телефон разряжается, а его "нечем покормить", поскольку поблизости нет электрической сети (220 В), встречается не так уж редко.

Предлагаю автономное зарядное устройство для мобильных телефонов. Оно может работать от гальванических элементов любого типа: пальчиковых типоразмера АА или ААА, дисковых аккумуляторов типа Д-0,5 или Д-0,25 и т.п.

Устройство построено на основе DC-DC преобразователя на микросхеме МС34063А или ее аналога КР1156ЕУ5. Возможна замена МС34063А на АР34063, NJM2360, KS34063. Эти микросхемы являются полными аналогами. Микросхема МС34063А специально разработана для работы в импульсных источниках питания с использованием минимального числа внешних компонентов.

Она состоит из компаратора, генератора импульсов, драйвера, внутреннего температурно-компенсированного источника опорного напряжения и мощного выходного ключа (рис.1).

Автономная зарядка для мобильника на батарейках или аккумуляторах

Входное напряжение микросхемы - от 3 до 40 В, максимальный выходной ток - 0,3...0,4 А.

Схема зарядного устройства представлена на рис.2.

(нажмите для увеличения)

ЗУ содержит блок зарядки внутренней батареи GB1 из двух аккумуляторов на основе микросхемы LM7805 (DA1) и DC-DC преобразователь на микросхеме МС34063А (DA2). На вход напряжение подается от любого источника питания. Светодиод HL1 индицирует ход процесса.

После зарядки GB1 ЗУ готово к работе в качестве зарядного устройства мобильного телефона.

Для этого необходимо подсоединить телефон к разъему XS1 и включить устройство с помощью выключателя SA1. Светодиод HL2 сигнализирует о зарядке телефона. Напряжение на выходе зарядного устройства - 6 В. Расчет этого напряжения осуществляется по формуле

Вместо аккумуляторов в ЗУ можно установить обычные батареи типоразмера АА или AAA. Работоспособность устройства сохраняется при напряжении GB1 около 2,8 В. Выходной ток заряда ограничен на уровне 0,3...0,4 А.

Детали и конструкция. В зарядном устройстве использованы резисторы МЛТ или аналогичные импортные. Резистор R3 составлен из 4-х резисторов по 1 Ом, соединенных параллельно. Конденсатор С4 - танталовый, конденсаторы С1...С3, С5 и С6 - электролитические. Светодиоды HL1, HL2 - любые, но с разным цветом свечения, например, красным и зеленым. В качестве диода VD5 используют диод Шоттки 1N5819. Его можно заменить на диоды 1N5817 или 1N5818. Выключатель SA1 - любой малогабаритный.

Дроссель L1 представляет собой катушку (со щечками) на стержне длиной 10 мм из феррита типа 2000НЦ. Она содержит 40 витков провода ПЭВ 0,75 мм. Слои катушки изолированы скотчем и пропитаны цапонлаком. Ее можно изготовить и на ферритовом кольце с внешним диаметром 28...32 мм, на который наматывается 50 витков провода ПЭВ 0,75 мм. Дроссель L1должен выдерживать ток порядка 1 А. Дроссель L2 наматывают на ферритовом стержне диаметром 2 и длиной 5...6 мм. Он имеет 10 витков провода 0,75 мм.

Можно использовать также промышленные дроссели серии. ДМ со стержневым магнитопроеодом и допустимым током не менее 1 А, активное сопротивление обмотки дросселя L1 не должно превышать 0,1 Ом.

Аккумуляторы размещены в ячейке для батареек от пульта дистанционного управления.

Гнездо XS1 - миниатюрное, с замыкающимися контактами. Такое гнездо дает возможность автоматически включать зарядное устройство при присоединении переходного кабеля для подключения устройства к телефону. Для зарядки разных телефонов понадобится изготовить несколько переходных кабелей для каждой модели.

Автор: П.Бобонич, г.Ужгород, Украина

Смотрите другие статьи раздела Зарядные устройства, аккумуляторы, гальванические элементы.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Искусственная кожа для эмуляции прикосновений 15.04.2024

В мире современных технологий, где удаленность становится все более обыденной, сохранение связи и чувства близости играют важную роль. Недавние разработки немецких ученых из Саарского университета в области искусственной кожи представляют новую эру в виртуальных взаимодействиях. Немецкие исследователи из Саарского университета разработали ультратонкие пленки, которые могут передавать ощущение прикосновения на расстоянии. Эта передовая технология предоставляет новые возможности для виртуального общения, особенно для тех, кто оказался вдали от своих близких. Ультратонкие пленки, разработанные исследователями, толщиной всего 50 микрометров, могут быть интегрированы в текстильные изделия и носиться как вторая кожа. Эти пленки действуют как датчики, распознающие тактильные сигналы от мамы или папы, и как исполнительные механизмы, передающие эти движения ребенку. Прикосновения родителей к ткани активируют датчики, которые реагируют на давление и деформируют ультратонкую пленку. Эта ...>>

Кошачий унитаз Petgugu Global 15.04.2024

Забота о домашних животных часто может быть вызовом, особенно когда речь заходит о поддержании чистоты в доме. Представлено новое интересное решение стартапа Petgugu Global, которое облегчит жизнь владельцам кошек и поможет им держать свой дом в идеальной чистоте и порядке. Стартап Petgugu Global представил уникальный кошачий унитаз, способный автоматически смывать фекалии, обеспечивая чистоту и свежесть в вашем доме. Это инновационное устройство оснащено различными умными датчиками, которые следят за активностью вашего питомца в туалете и активируются для автоматической очистки после его использования. Устройство подключается к канализационной системе и обеспечивает эффективное удаление отходов без необходимости вмешательства со стороны владельца. Кроме того, унитаз имеет большой объем смываемого хранилища, что делает его идеальным для домашних, где живут несколько кошек. Кошачий унитаз Petgugu разработан для использования с водорастворимыми наполнителями и предлагает ряд доп ...>>

Привлекательность заботливых мужчин 14.04.2024

Стереотип о том, что женщины предпочитают "плохих парней", долгое время был широко распространен. Однако, недавние исследования, проведенные британскими учеными из Университета Монаша, предлагают новый взгляд на этот вопрос. Они рассмотрели, как женщины реагируют на эмоциональную ответственность и готовность помогать другим у мужчин. Результаты исследования могут изменить наше представление о том, что делает мужчин привлекательными в глазах женщин. Исследование, проведенное учеными из Университета Монаша, приводит к новым выводам о привлекательности мужчин для женщин. В рамках эксперимента женщинам показывали фотографии мужчин с краткими историями о их поведении в различных ситуациях, включая их реакцию на столкновение с бездомным человеком. Некоторые из мужчин игнорировали бездомного, в то время как другие оказывали ему помощь, например, покупая еду. Исследование показало, что мужчины, проявляющие сочувствие и доброту, оказались более привлекательными для женщин по сравнению с т ...>>

Случайная новость из Архива

Архитектура ячейки SRAM на одном транзисторе 18.12.2015

На конференции International Electron Devices Meeting 2015 компания Zeno Semiconductor представила биполярный NMOS-транзистор, который при ближайшем рассмотрении оказался составлен из структур двух транзисторов с открытой базой. Получился этакий виртуальный транзистор с возможностью работать подобно двухтранзисторной ячейке SRAM.

Разработчик предлагает создавать из подобных транзисторов энергоэффективные однотранзисторные ячейки SRAM и производительные двухтранзисторные. В обоих случаях площадь ячейки SRAM Zeno окажется в разы меньше площади классической 6T-SRAM. Это экономия места и энергопотребления, включая выигрыш на снижении утечек.

Сообщается, что площадь ячейки SRAM Zeno в 28-нм техпроцессе равна 0,025 кв. мкм. Типичная 6T-SRAM в данном техпроцессе занимает 0,127 кв. мкм. Интересно отметить, что новая ячейка даже меньше 10-нм FinFET SRAM Samsung с площадью 0,040 кв. мкм.

Также разработчики сообщают, что надежность инновационной однотранзисторной ячейки окажется не хуже показателя SEU (Single Event Upsets) для 6T-SRAM.

Другие интересные новости:

▪ DSP семейства Blackfin с Flash-naмятью от Analog Devices

▪ Создание идеальной текстуры шоколада

▪ Наушники в виде губной помады

▪ Новые цифровые потенциометры

▪ 800V MOSFET P7 CoolMOS от Infineon

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Металлоискатели. Подборка статей

▪ статья Модернизированная совковая лопата. Чертеж, описание

▪ статья Когда возникли первые государства? Подробный ответ

▪ статья Душица обыкновенная. Легенды, выращивание, способы применения

▪ статья Клей и мазь для приводных ремней. Простые рецепты и советы

▪ статья Мощный источник питания, рассчитанный на ток в нагрузке до 10 ампер. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

All languages of this page

Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте