Стабилизатор напряжения с защитой от перегрузок, 10 ампер. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Стабилизаторы напряжения

 Комментарии к статье

Стабилизатор обеспечивает максимальный ток нагрузки до 10 А при напряжении пульсаций менее 1 мВ, выходное сопротивление 0,01 Ом. Стабилизатор (рис. 3.25) собран по схеме моста в выходной цепи, образованного резисторами R4, R5, стабилитронами VD1, VD2 и светодиодом HL1. В диагональ моста включен эмиттерный переход транзистора VT4, управляющего регулирующим составным транзистором VT1...VT3. Составной транзистор включен по схеме с общим эмиттером.

Более высокое по сравнению с эмиттерным повторителем выходное сопротивление оконечного каскада компенсируется в этой схеме тем, что выходной каскад имеет высокий коэффициент усиления по напряжению, последнее заметно повышает коэффициент усиления схемы стабилизатора. Так как напряжение на базе управляющего транзистора VT4 по отношению к плюсовому проводу оказывается стабилизированным, то изменения выходного напряжения передаются на эмиттерный переход этого транзистора без ослабления делителем.

Максимальный ток нагрузки задается резистором R4. Ток базы транзистора VT3 не может превысить значения тока, текущего через резистор R4. Следовательно, подбором этого резистора можно установить требуемый ток защиты. Стабилизатор защищен и от коротких замыканий в цепи нагрузки. Ток короткого замыкания зависит от значения запускающего тока, текущего через резистор R3. Этот резистор подбирается при минимальном сопротивлении нагрузки по устойчивому запуску стабилизатора.

Такая система обеспечивает надежный запуск стабилизатора и практически не ухудшает параметров, поскольку в рабочем режиме ток через резистор R3 замыкается через малое сопротивление открытого стабилитрона VD2. Минимальное падение на транзисторах VT1, VT2 равно напряжению насыщения коллектор-эмиттер этого транзистора (0,1...0,5 В в зависимости от тока нагрузки). Напряжение на выходе стабилизатора определяется суммарным напряжением стабилизации стабилитронов VD1 и VD2 за минусом падения напряжения на эмиттерном переходе транзистора VT4. Температурные изменения падения напряжения на светодиоде HL1 и стабилитроне VD1 компенсируются с температурным изменением падения напряжения на эмиттерном переходе транзистора VT4.

Чтобы снизить зависимость порога срабатывания защиты и тока короткого замыкания от температуры, радиатор регулирующих транзисторов выбирают с запасом по эффективной площади теплового рассеивания не менее 1000 см2.

Автор: Семьян А.П.

Смотрите другие статьи раздела Стабилизаторы напряжения.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Власть является ключевым фактором счастья в отношениях 11.03.2026

Исследования семейных и романтических отношений показывают, что длительное счастье пары зависит не только от привычных факторов, таких как доверие, уважение и преданность, но и от более тонких психологических аспектов. Современные ученые ищут закономерности, которые отличают действительно счастливые пары от остальных, чтобы понять, какие механизмы поддерживают гармонию в отношениях. Группа исследователей из Университета Мартина Лютера в Галле-Виттенберге и Бамбергского университета провела опрос среди 181 пары, которые состояли в совместных отношениях более восьми лет и прожили вместе хотя бы месяц. Участники заполняли анкету, описывая различные аспекты своих отношений, включая распределение обязанностей, эмоциональную поддержку и степень вовлеченности в совместные решения. Анализ данных показал интересный паттерн: пары, где оба партнера ощущали высокий уровень личной власти, оказывались наиболее счастливыми и удовлетворенными. В данном контексте под властью понимается способност ...>>

Защищенная колонка-повербанк Anker Soundcore Boom Go 3i 11.03.2026

Компания Anker представила новую модель линейки Soundcore - колонку Soundcore Boom Go 3i, ориентированную на активное использование на улице. Новинка отличается высокой степенью защиты: корпус соответствует стандарту IP68, что обеспечивает водо- и пыленепроницаемость, а ударопрочный дизайн выдерживает падение с высоты до одного метра. За качество звука отвечает 15-ваттный драйвер, обеспечивающий пик громкости до 92 дБ, а технология BassUp 2.0 усиливает низкие частоты, делая звучание более насыщенным. Колонка обладает автономностью до 24 часов, а LED-индикатор позволяет контролировать уровень заряда батареи. Кроме того, Soundcore Boom Go 3i может выполнять функцию павербанка: согласно внутренним тестам, устройство способно зарядить iPhone 17 с нуля до 40% за один час, что делает его полезным аксессуаром в походах и поездках. Среди функциональных особенностей модели стоит выделить технологию Auracast, которая улучшает подключение и позволяет создавать стереопару из двух колонок ...>>

Раннее воздержание от алкоголя перестраивает мозг и иммунитет 10.03.2026

Алкогольная зависимость - хроническое расстройство с компульсивным употреблением спиртного, которое влияет не только на поведение, но и на функционирование мозга и иммунной системы. Недавние исследования показали, что даже на ранних этапах воздержания организм начинает перестраиваться, открывая новые возможности для терапии зависимости. Ученые сосредоточились на пациентах, находящихся в первые недели абстиненции, и зафиксировали значительные изменения в мозговой активности. С помощью функциональной магнитно-резонансной томографии они выявили перестройку сетей нейронных связей, отвечающих за контроль импульсов и принятие решений. Эти изменения могут быть ключевыми для восстановления самоконтроля и снижения риска рецидива. Одновременно с нейронной перестройкой исследователи наблюдали колебания иммунной системы. В крови повышался уровень цитокинов - сигнальных белков, регулирующих воспалительные процессы. Эти данные свидетельствуют о существовании нейроиммунного взаимодействия, при ...>>

Случайная новость из Архива Intel отказался от памяти Direct Rambus DRAM (DR DRAM) 27.02.2000 Intel отказался от публичного продвижения стандарта памяти Direct Rambus DRAM (DR DRAM), начатого им еще в октябре 1997 г. на Microprocessor Forum. Тогда Intel и Rambus объявили о своем намерении вывести эту технологию на рынок в 1999 г. Intel признал ошибкой свою попытку навязать рынку неверную идеологию и признал сложившийся на рынке стандарт памяти Double Date Rate DRAM (DDR DRAM). Теперь Intel предпринял попытку создать новую архитектуру памяти и возглавил разработку крупнейшими производителями памяти (Samsung Electronics, Hyundai MicroElectronics, Micron Technology, Infineon Technologies, NEC-Hitachi Memory Inc.) стандарта памяти, который придет на рынок уже после DDR II. Как и DR DRAM, новый стандарт памяти другим производителям памяти, не попавшим в список разработчиков, будет лицензирован за плату. Массовое производство нового стандарта памяти начнется в 2004-2005 гг.

Другие интересные новости:

▪ Модули флэш-памяти eMMC

▪ SSD накопитель Mushkin REACTOR 1 Тбайт

▪ Плащ-невидимка почти готов

▪ Генная терапия восстанавливает зрение

▪ Сверхбыстрая доставка грузов

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Сборка кубика Рубика. Подборка статей

▪ статья Балалайкин. Крылатое выражение

▪ статья Кто написал Матушку-Гусыню? Подробный ответ

▪ статья Кажу. Легенды, выращивание, способы применения

▪ статья Срок службы галогенных ламп накаливания. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Превращение одной карты в другую. Секрет фокуса

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026