Стабилизатор напряжения с защитой от перегрузок, 10 ампер. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Стабилизаторы напряжения

 Комментарии к статье

Стабилизатор обеспечивает максимальный ток нагрузки до 10 А при напряжении пульсаций менее 1 мВ, выходное сопротивление 0,01 Ом. Стабилизатор (рис. 3.25) собран по схеме моста в выходной цепи, образованного резисторами R4, R5, стабилитронами VD1, VD2 и светодиодом HL1. В диагональ моста включен эмиттерный переход транзистора VT4, управляющего регулирующим составным транзистором VT1...VT3. Составной транзистор включен по схеме с общим эмиттером.

Более высокое по сравнению с эмиттерным повторителем выходное сопротивление оконечного каскада компенсируется в этой схеме тем, что выходной каскад имеет высокий коэффициент усиления по напряжению, последнее заметно повышает коэффициент усиления схемы стабилизатора. Так как напряжение на базе управляющего транзистора VT4 по отношению к плюсовому проводу оказывается стабилизированным, то изменения выходного напряжения передаются на эмиттерный переход этого транзистора без ослабления делителем.

Максимальный ток нагрузки задается резистором R4. Ток базы транзистора VT3 не может превысить значения тока, текущего через резистор R4. Следовательно, подбором этого резистора можно установить требуемый ток защиты. Стабилизатор защищен и от коротких замыканий в цепи нагрузки. Ток короткого замыкания зависит от значения запускающего тока, текущего через резистор R3. Этот резистор подбирается при минимальном сопротивлении нагрузки по устойчивому запуску стабилизатора.

Такая система обеспечивает надежный запуск стабилизатора и практически не ухудшает параметров, поскольку в рабочем режиме ток через резистор R3 замыкается через малое сопротивление открытого стабилитрона VD2. Минимальное падение на транзисторах VT1, VT2 равно напряжению насыщения коллектор-эмиттер этого транзистора (0,1...0,5 В в зависимости от тока нагрузки). Напряжение на выходе стабилизатора определяется суммарным напряжением стабилизации стабилитронов VD1 и VD2 за минусом падения напряжения на эмиттерном переходе транзистора VT4. Температурные изменения падения напряжения на светодиоде HL1 и стабилитроне VD1 компенсируются с температурным изменением падения напряжения на эмиттерном переходе транзистора VT4.

Чтобы снизить зависимость порога срабатывания защиты и тока короткого замыкания от температуры, радиатор регулирующих транзисторов выбирают с запасом по эффективной площади теплового рассеивания не менее 1000 см2.

Автор: Семьян А.П.

Смотрите другие статьи раздела Стабилизаторы напряжения.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Токсичность интернета преувеличена 07.01.2026

Социальные сети нередко воспринимаются как арена постоянной агрессии, оскорблений и распространения фейковой информации. Новое исследование Стэнфордского университета показывает, что реальность значительно отличается от популярного представления: интернет гораздо менее токсичен, чем многие пользователи считают. Ученые опросили более тысячи американцев, попросив их оценить долю пользователей соцсетей, которые ведут себя агрессивно или распространяют ненависть. Оказалось, что впечатления людей сильно преувеличивают масштабы проблемы. Например, респонденты считали, что почти половина пользователей Reddit хотя бы раз оставляла оскорбительные комментарии, тогда как фактические данные платформы показывают, что таких людей не более 3%. Аналогичная ситуация наблюдается с дезинформацией. Опрос показал, что большинство участников считали почти половину аудитории Facebook распространителями фейковых новостей, однако статистика говорит об обратном: фактическая доля таких пользователей состав ...>>

Процессоры Ryzen AI 400 07.01.2026

Современные вычисления все больше ориентируются на интеграцию искусственного интеллекта и высокую производительность в компактных устройствах, таких как ноутбуки и мини-ПК. Новая линейка процессоров AMD Ryzen AI 400 демонстрирует, как разработчики объединяют мощные центральные ядра, графику и нейросетевые ускорители в одном чипе, чтобы удовлетворять растущие потребности пользователей в играх, контенте и ИИ-приложениях. AMD представила процессоры серии Gorgon Point, которые включают до 12 ядер Zen 5 и до 24 потоков вычислений. Чипы поддерживают интегрированную графику RDNA 3.5, обеспечивают максимальную тактовую частоту до 5,2 ГГц и имеют энергопотребление от 15 Вт до 54 Вт. Особое внимание уделено NPU, способному обрабатывать до 60 триллионов операций в секунду (TOPS), что делает эти процессоры эффективными для задач с искусственным интеллектом. Конструкция Ryzen AI 400 сочетает ядра Zen 5 и Zen 5c, обеспечивая высокую гибкость и производительность. Несмотря на то, что архитектур ...>>

Женщины лучше распознают признаки болезни по лицу 06.01.2026

Способность распознавать, что кто-то нездоров, часто проявляется интуитивно: бледная кожа, опущенные веки, уставшее выражение лица могут сигнализировать о недомогании. Новое исследование международной группы ученых показало, что женщины в среднем точнее мужчин улавливают такие тонкие невербальные признаки болезни, что может иметь эволюционные и социальные объяснения. В отличие от предыдущих работ, где использовались отредактированные фотографии или имитация больных лиц, ученые решили проверить, насколько люди способны распознавать естественные признаки недомогания. Такой подход позволил оценить реальную чувствительность к изменениям в лицах, возникающим при болезни. В исследовании приняли участие 280 студентов, поровну мужчин и женщин. Участникам предложили оценить 24 фотографии, на которых изображены люди как в здоровом состоянии, так и во время болезни. Это дало возможность сравнить восприятие естественных признаков недомогания в реальных лицах. Для анализа состояния каждого ...>>

Случайная новость из Архива FUJITSU разработала чип RFID с памятью FRAM 29.08.2005 Fujitsu анонсировала чип FerVID MB89R119, предназначенный для использования в системах беспроводной идентификации (RFID), набирающих все большую популярность. Основным отличием новой разработки от существующих реализаций является применение ферроэлектрической памяти (FRAM). Объем ее совсем невелик - всего 256 байт, однако для задач идентификации этого вполне хватает. По сравнению с обычно применяемой в подобных чипах памятью типа EEPROM, FRAM имеет преимущество по скорости считывания до 50 раз, а по скорости записи - вдвое. Кроме того, применение FRAM устраняет необходимость в цепях прожига, необходимых в EEPROM, что позволяет сократить занимаемую на подложке площадь. Чип МВ8 9R119 производится по 0,35 мкм процессу, работает на частоте 13,56 МГц, дальность действия - 70 см, пропускная способность - 26,48 Кбит/с. Образцы предлагаются уже сейчас по цене $0,46, массовое производство начнется с 1 августа, планируемый объем выпуска - 5 млн. единиц в месяц.

Другие интересные новости:

▪ Графен из древесины

▪ Самолеты и погода

▪ Иммунитет беременных реагирует на пол ребенка

▪ Выращивание томатов из семян неспелых растений

▪ Биопленки в шприцах для контурной пластики

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Измерительная техника. Подборка статей

▪ статья Как сделать маленький бокс большим или кое-что о заполнении. Искусство аудио

▪ статья Почему дождь идет только в определенные дни, а не в другие? Подробный ответ

▪ статья Спортсмен-инструктор. Должностная инструкция

▪ статья Внутренние источники электромагнитного излучения. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Преобразователь напряжения на микроконтроллере для питания измерительного прибора. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026