Габариты предлагаемого импульсного источника питания (ИИП) позволяют разместить его в спичечной коробке. От аналогичного устройства этот ИИП отличается в первую очередь тем, что имеет в 2,5 раза большую максимальную выходную мощность.

Получить такие параметры удалось благодаря применению специализированной микросхемы TOP200YAI. Эта микросхема содержит встроенную систему защиты от перегрева с порогом отключения 145°C и цепь ограничения выходного тока на уровне 415...585 мА.

Принципиальная схема устройства показана на рисунке.

Основные технические характеристики

Диодный мост VD1 выпрямляет переменное сетевое напряжение, а конденсатор С2 сглаживает пульсации выпрямленного напряжения. Терморезистор RK1 с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления ограничивает импульс зарядного тока конденсатора С2 что предотвращает выход из строя диодного моста VD1 в момент включения ИИП в сеть. Конденсатор С1 снижает уровень помех, поступающих в сеть от импульсного преобразователя. Собственно преобразователь собран на микросхеме DA1 и импульсном трансформаторе T1. Ограничительный диод VD2 защищает микросхему от импульсов напряжения самоиндукции, возникающих на первичной обмотке трансформатора T1. Вспомогательный выпрямитель на диоде VD3 предназначен для обеспечения питанием слаботочных узлов микросхемы DA1. Диод Шоттки VD4 выпрямляет импульсное напряжение на выходной обмотке III трансформатора Т1, а конденсатор С4 сглаживает пульсации выпрямленного напряжения.

В устройстве можно применить постоянный резистор С2-22, С2-23. МЛТ терморезистор - любой из серии SCK с сопротивлением в нормальных условиях 33. .68 Ом. Оксидные конденсаторы - малогабаритные импортные, конденсатор C1 - DEBB33D222KA2B или CD220025V. Диодный мост RS206 заменим на мосты W08M, КВР08 2W08 DB157, RB157, RC207. W10M, 2W10M RS207, диод SF12 - на SF11. ES1B ER1B, MUR120. MURS110. UF4002. ограничительный диод 1.5КЕ350СА - на 1.5КЕ300СА Р6КЕЗООСАили SMBJ200CA. Взамен диода Шоттки 31DQ10 можно применить диоды Э0ВQ100, SB3100, SB5100.

Для изготовления импульсного трансформатора Т1 применен магнитопровод Б18 из феррита 2000НМ с зазором 0,15...0.25 мм. Обмотка (160 витков) и обмотка II (21 виток) намотаны проводом ПЭВ-2. ПЭТВМ. ПЭТВ-2. ПЭТ-200-l диаметром 0,1 мм, а 3 - 37 витков такого же провода диаметром 0,51 мм. Между обмотками прокладывают три слоя тефлоновой или майларовой ленты. Микросхему необходимо установить на теплоотвод с площадью поверхности около 26 см2, при этом желательно применить теплопроводную пасту, например КПТ-8. Теплоотвод представляет собой алюминиевую пластину толщиной 0,8 мм, шириной 8 мм и длиной 162 мм, которая изогнута и закреплена по периметру печатной платы.

Устройство в налаживании не нуждается и при условии отсутствия ошибок в монтаже и использовании исправных компонентов начинает работать сразу.

Автор: Москатов Е.