Простейшие схемы однотактных преобразователей. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Преобразователи напряжения, выпрямители, инверторы

 Комментарии к статье

На рис. 4.7-4.9 приведены довольно простые схемы, которые нередко используются для питания стробоскопической или маломощной люминисцентной лампы в конструкциях, где не предъявляются высокие требования к параметрам, а главным является низкая цена.

Такие устройства могут найти немало и других применений, например, в качестве первичного повышающего напряжение преобразователя для электрошокового устройства. Они позволяют из постоянного напряжения 3...15 В получать 400 В и более.

Самый простой преобразователь можно выполнить по одноактной схеме. Принцип работы ее основан на свойстве индуктивности накапливать энергию, когда протекает через обмотку ток (при открытом состоянии ключа), а при закрывании ключа - отдавать в нагрузку через вторичную обмотку. Такой режим работы схемы обеспечивается при соответствующей фразировке включения вторичной обмотки. За счет работы преобразователя на повышенной частоте конструкция трансформатора получается малогабаритной.

На рис. 4.7 показана схема преобразователя, выполненного на одном мощном универсальном транзисторе 2N3055 (отечественные аналоги КТ819ГМ, КТ8150А). Подойдут также и другие мощные n-p-n транзисторы с допустимым напряжением Uкэ>80 В и током Iк>2 А. Диод VD1 предохраняет переход эмиттер-база транзистора от воздействия большого обратного напряжения. Этот диод должен быть быстродействующим, например, из серии 1N4007 или КД247. Диод 1N4S4S может быть заменен двумя включенными последовательно диодами КД257Д.

Рис. 4.7. Схема преобразователя для питания стробоскопической лампы

В схеме можно использовать транзистор и другой проводимости. Потребуется только изменить полярность подачи напряжения и включения диода VD1.

Резистор R1 обеспечивает нужное положение рабочей точки транзистора и его величину надо подбирать. Резистор R2 ограничивает ток диода VD2 при зарядке конденсатора С3.

Конденсатор С2 подойдет любой неполярный (от него зависит рабочая частота преобразователя). Лучше выбирать частоту не менее 10...30 кГц. А если схема будет работать со стробоскопической лампой, конденсатор С3 должен быть рассчитан на длительную работу с большими пульсациями тока, например типа МБМ или взять более современные, изготовленные на основе полистироловой пленки. К78-17,К71-7идр.

Для изготовления трансформатора Т1 подойдет броневой магнитопровод БЗО. Намотка выполняется проводом ПЭЛ. Обмотки 1 и 2 содержат по 18 витков проводом диаметром 0,51 мм (обмотка 1 может быть выполнена более тонким проводом - 0,13 мм), 3 - 350 витков проводом 0,13 мм (число витков во вторичной обмотке зависит от необходимой величины напряжения).

Если от схемы требуется длительная работа, транзистор VT1 должен быть установлен на радиатор.

Схема, показанная на рис. 4.8, является вариантом предыдущей. Она предназначена для питания малогабаритной переносной люминесцентной лампы от 8 батареек АА).

Рис. 4.8. Схема для питания переносной люминесцентной лампы

Трансформатор Т1 имеет следующие намоточные данные: обмотка 1 - 15 витков проводом диаметром 0,14 мм, 2 - 20 витков (0,51 мм), 3 - 350 витков (0,14 мм). Магнитопровод можно взять такой же, как и для схемы, приведенной выше, или от применяемых в цветных телевизорах импульсных трансформаторов.

Однотактный преобразователь можно выполнить и на полевом ключе, как это показано на рис. 4.9.

Рис. 4.9. Преобразователь на полевом транзисторе

Делитель из резисторов R1-R2 обеспечивает такое начальное положение рабочей точки на выходной характеристике транзисторов, при которой возникает автогенерация.

Так как все приведенные выше схемы работают при относительно небольших токах, магнитопровод трансформатора обычно не входит в область насыщения и выполнять зазор между сердечниками нет необходимости.

Лучших характеристик от преобразователя удается добиться применением специализированных микросхем.

Автор: Шелестов И.П.

Смотрите другие статьи раздела Преобразователи напряжения, выпрямители, инверторы.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Экраны влияют на детей неравномерно в разном возрасте 01.08.2026

Планшеты и смартфоны давно стали привычной частью повседневной жизни даже самых маленьких детей. Родители часто используют гаджеты, чтобы успокоить малыша или занять его на время, однако ученые все чаще задаются вопросом, как экранное время сказывается на развитии мозга и будущей способности к обучению. Новое исследование показывает, что значение имеет не только продолжительность просмотра, но и возраст, в котором ребенок проводит время перед экраном. Ученые наблюдали детей от рождения до 8 лет. Оказалось, что больше всего экраны влияют на мозг в два периода - в раннем младенческом возрасте и перед поступлением в школу. У детей, много времени проводивших перед экранами в эти возрастные точки, в 9 лет были несколько хуже успехи в обучении, а в 10,5 лет хуже работала рабочая память - способность удерживать и обрабатывать информацию здесь и сейчас. Исследователи из Франции и Сингапура проанализировали данные 502 детей и выделили два ключевых этапа. У младенцев мозг развивается очень ...>>

Умные жилеты, спасающие от жары 01.08.2026

Летняя жара в больших городах все чаще становится серьезным испытанием для людей, работающих на открытом воздухе. Мусорщики, строители и другие специалисты вынуждены проводить часы под палящим солнцем, рискуя перегревом. Китайские инженеры предложили практичное решение - специальные охлаждающие жилеты, которые помогают снизить ощущаемую температуру примерно на 10 градусов. Пока мир страдает от сильной жары, китайские инженеры разработали "умные" жилеты с климат-контролем. Жилеты с кондиционированием почти не отличаются от обычной рабочей одежды. Главное отличие - в системе охлаждения. В городе Нанкин в жилет вмонтированы два вентилятора, работающих от портативных аккумуляторов. Одного заряда хватает на 3-4 часа непрерывной работы. В Чанчжоу решили разместить в карманах охлаждающие элементы с материалом, который при нагревании переходит из твердого состояния в жидкое, активно поглощая тепло. Это поддерживает комфортную температуру в течение 2,5-4 часов. Такие жилеты выглядят почти ...>>

Летающие ветротурбины 3 МВт вышли в серию 31.07.2026

Традиционные ветряные электростанции зависят от силы и стабильности ветра у поверхности земли, где воздушные потоки часто бывают слабыми и порывистыми. На больших высотах ветер обычно сильнее и постояннее, поэтому инженеры уже давно рассматривают возможность подъема турбин в воздух. Китайская компания сделала важный шаг в этом направлении, перейдя от испытаний к мелкосерийному производству. Компания Beijing Linyi Yunchuan Energy Technology запустила мелкосерийное производство летающей ветротурбины S2000, а в провинции Чжэцзян возводят отдельный завод по производству материалов для оболочки аппарата. У компании уже есть предварительные договоренности с прибрежными городами и горными регионами, которые рассматривают возможность использования этой технологии для удовлетворения собственных энергетических потребностей. Прототип, который полгода назад только что поднялся в небо над Сычуанем, теперь превращается в целую отрасль. Идея S2000 проста: вместо того чтобы устанавливать ветряну ...>>

Случайная новость из Архива Карты памяти стандарта UFS 05.04.2016 Комитет JEDEC опубликовал спецификации нового стандарта карточек флеш-памяти. Это карты и стандарт Universal Flash Storage (UFS) Removable Card Standard. Спецификации интерфейса новых карт опираются на вторую (последнюю) версию спецификаций встраиваемой памяти Universal Flash Storage 2.0 (UFS). Стандарт UFS предложен примерно шесть лет назад в качестве замены устаревшего параллельного интерфейса eMMC. Интерфейс передачи данных в стандарте UFS последовательный и по одной линии в версии UFS 2.0 можно передавать информацию со скоростью до 600 Мбайт/с. Фактически в лице карточек памяти UFS Removable Card мы получаем внешние SSD для смартфонов и гаджетов. Как следует из спецификаций, внешние размеры карт UFS точно такие же, как у карточек памяти формфактора microSD - 11 на 15 мм. При этом расположение контактов совершенно другое и все углы у карты UFS скругленные! Кстати, стандарт UFS и соответствующие карты памяти защищены без малого десятком патентов компании Samsung. По-видимому, именно этим можно объяснить медленное внедрение накопителей с шиной UFS в смартфоны и планшеты. До сих пор микросхемы памяти с шиной UFS кроме компании Samsung относительно массово выпускала только Toshiba (SK Hynix приступила к выпуску чипов с шиной UFS только осенью прошлого года), а в смартфонах память UFS начала появляться лишь в прошлом году и то в единичных моделях. Карты памяти UFS поддерживают скорость обмена до 600 Мбайт/с сразу в обоих направлениях (полный дуплекс). При этом интерфейс создает гибкую очередь команд для обеспечения пропускной способности по требованию приложений. Подобные возможности, уверены в комитете, будут важны для бесперебойной записи видео с качеством 4K/8K, для панорамных съемок и для съемок с помощью дронов.

Другие интересные новости:

▪ Лазерная линза для электронов

▪ Мощный усилитель MSA260 с ШИМ модуляцией

▪ Искусственная кожа для астронавтов

▪ Основа для микросхем памяти ReRAM плотностью 100 Гбит

▪ Копирование человеческого мозга в чип

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта И тут появился изобретатель (ТРИЗ). Подборка статей

▪ статья Безопасность жизнедеятельности. Конспект лекций

▪ статья Как кардинал Ришелье относился к всеобщему образованию? Подробный ответ

▪ статья Разделка в металлолом вагонов, исключенных из инвентаря. Типовая инструкция по охране труда

▪ статья Окончательная отделка слесарных изделий. Простые рецепты и советы

▪ статья Блок питания с защитой от перегрузки по току. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026