Источник питания для детских электрифицированных игрушек, 220/12 вольт. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Блоки питания

 Комментарии к статье

Большинство детских электрифицированных игрушек работает от гальванических элементов и батарей. Поэтому нередко наступает момент, когда энергия источника питания иссякает, а нового нет. Игрушка перестает действовать совсем, а дети начинают действовать вам на нервы с просьбами купить батарейки. Подобного не произойдет, если сделать предлагаемый источник питания и подключать к нему ту или иную игрушку. Особенно подойдет он для движущихся игрушек, например, для железной дороги. Тогда скорость и направление движения паровоза с вагончиками можно плавно изменять ручкой управления источника.

Источник (рис. 1.27) состоит из выпрямителя и двух одинаковых электронных регуляторов напряжения с защитой от перегрузки и короткого замыкания в нагрузке. Выпрямитель собран на диодном мосту VD1 по двухполупериодной схеме со средней точкой. Диодный блок подключен ко вторичной обмотке трансформатора питания Т1, состоящей из двух последовательно соединенных одинаковых обмоток, образующих общую обмотку со средним выводом - это и есть средняя точка выпрямителя. Выпрямленное напряжение фильтруется конденсаторами C1, C2, соединенными последовательно и подключенными к средней точке. В итоге на выходе выпрямителя получается разнополярное постоянное напряжение, составляющее 12 В относительно средней точки.

На выводе конденсатора С2 - минус 12 В. К этим источникам подключены электронные регуляторы, управляемые напряжением, снимаемым с движка переменного резистора R1. Каждый регулятор составлен из двух транзисторов (VT1, VT2 и VT4, VT5), образующих составной эмиттерный повторитель. В среднем положении движка резистора напряжение на нем будет близко к нулю относительно общего провода. Поэтому транзисторы регуляторов закрыты, напряжения на гнездах разъема XS1 нет.

Когда движок переменного резистора перемещают вниз по схеме, транзисторы VT1, VT2 остаются закрытыми, а VT4, VT5 открываются. На выходе источника питания (разъем XS1) появляется минусовое напряжение (на верхнем по схеме проводнике разъема по отношению к нижнему). Причем, чем ближе к нижнему выводу переменного резистора находится движок, тем больше выходное напряжение.

Если же начать перемещать движок переменного резистора от среднего положения к верхнему по схеме выводу, произойдет обратная картина, открываться будут транзисторы VT1, VT2, и на выходе источника появится плюсовое напряжение.

Узлы защиты от перегрузки или короткого замыкания выполнены на транзисторах VT3 и VT6. Пока протекающий, например, через резистор R4, ток находится в определенных пределах (в нашем случае - до 350 мА), транзистор VT3 закрыт. Как только ток нагрузки превысит заданное значение, падение напряжения на резисторе R4 возрастет и транзистор VT3 откроется. Эмиттерный переход составного транзистора (участок между базой транзистора VT2 и эмиттером транзистора VT1) будет зашунтирован, и транзистор почти закроется. Выходной ток нашего источника резко ограничится. Как только перегрузка или короткое замыкание исчезнет, нормальная работа устройства восстановится.

Вместо транзисторов КТ816, КТ817 подойдут, соответственно, КТ814, КТ815. Диодный блок КЦ405Е можно заменить на КЦ402Е или четырьмя диодами серий КД208, КД209.

Трансформатор питания может быть, кроме указанного на схеме, ТП20-14 или любой другой, мощностью не менее 10 Вт и с напряжением на вторичных обмотках 8...12 В при токе нагрузки до 0,7 А. Транзисторы устанавливают на радиаторы общей площадью поверхности около 35 см2, которые крепят винтами к плате. Ток срабатывания защиты зависит от сопротивлений резисторов R4, R5. Его можно увеличить с 350 до 500...600 мА, уменьшив сопротивление этих резисторов до 1,2...1 Ом, а также увеличив площадь радиаторов транзисторов VT1, VT5 до 50...60 см2. Печатная плата этого устройства приводится на рис. 1.28.

Автор: В.Андрушкевич

Смотрите другие статьи раздела Блоки питания.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Найдена химическая причина возрастных изменений запаха кожи 14.09.2026

Запах человеческого тела меняется на протяжении всей жизни, и особенно заметные изменения могут происходить в пожилом возрасте. Речь идет не только о привычном запахе пота или особенностях гигиены: старение сопровождается целым комплексом биохимических процессов в коже, способных влиять на ее естественный запах. Ученые обнаружили одно из веществ, которое связывают с характерным ароматом, часто называемым "запахом старости". Исследователи установили, что важную роль в этом процессе играет 2-ноненаль - органическое соединение из группы ненасыщенных жирных альдегидов. Это вещество обладает характерным запахом, который нередко описывают как сочетание прогорклого масла и затхлого картона. Его количество в коже увеличивается по мере старения организма, поэтому концентрация 2-ноненаля рассматривается специалистами как одна из биохимических причин возрастного изменения запаха. По словам дерматологов, заметные изменения начинают становиться более вероятными после 40 лет. Доктор Сонал Чоуд ...>>

Квантовая батарея с мгновенной зарядкой и кратким хранением 14.09.2026

Аккумуляторы постепенно совершенствуются, однако между скоростью зарядки и способностью долго хранить энергию по-прежнему существует заметный компромисс. Исследователи, работающие в области квантовой физики, ищут принципиально иные способы накопления энергии. Одно из таких направлений связано с квантовыми батареями, использующими необычные свойства света и материи. Новый прототип продемонстрировал впечатляющую скорость зарядки, хотя до полноценного практического устройства ему еще далеко. Разработанная специалистами система способна получать энергию за фемтосекунды - квадриллионные доли секунды. Для сравнения, одна фемтосекунда составляет 10^-15 секунды. После завершения зарядки прототип удерживает накопленную энергию в течение наносекунд, то есть миллиардных долей секунды. Это примерно в миллион раз дольше самой зарядки. Однако столь эффектные показатели времени пока не означают, что устройство способно заменить обычный аккумулятор: запас энергии остается крайне небольшим. В осн ...>>

Загрязнение воздуха ослабляет ледники Гималаев 13.09.2026

Ледники высокогорных районов долгое время считались одними из наиболее удаленных от человеческой деятельности природных объектов. Однако даже эти гигантские массивы льда не защищены от загрязнения атмосферы. Частицы сажи, минеральной пыли и других веществ переносятся на большие расстояния, оседают на снегу и льду и изменяют их способность отражать солнечную энергию. На фоне глобального потепления подобное воздействие способно ускорять таяние ледников и усиливать связанные с ним природные риски. Особое внимание специалистов привлекают Гималаи, где ледники играют важную роль в формировании речного стока и поддержании водных ресурсов. Один из наиболее показательных регионов - Лангтанг в Непале. Несмотря на удаленность и живописный высокогорный ландшафт, он расположен по направлению переноса воздушных масс от одних из наиболее загрязненных промышленных районов Южной Азии. Недавний обвал ледника в этой местности сопровождался разрушительными внезапными паводками. При этом точная причина ...>>

Случайная новость из Архива Карты памяти Adata ISC3E CFast спецификаций CFast 2.0 и SATA 3.1 22.06.2014 Ориентируясь на сегмент промышленной электроники, компания Adata Technology представила карты памяти ISC3E CFast, в которых форм-фактор CF объединен с высокоскоростным интерфейсом SATA. Карты памяти Adata ISC3E CFast соответствуют спецификациям CFast 2.0 и SATA 3.1. Они выпускаются в двух модификациях, различающихся типом используемой в них флэш-памяти NAND: MLC и SLC. Карты памяти Adata ISC3E CFast MLC демонстрируют скорости последовательного чтения и записи до 435 и 120 МБ/с, а карты памяти Adata ISC3E CFast SLC - 165 и 170 МБ/с соответственно. К особенностям карт относится повышенная устойчивость к механическим воздействиям, возможность работы в диапазоне температур от -40°C до +85°C, напряжение питания 3,3 В, поддержка ECC, S.M.A.R.T и энергосберегающего режима DEVSLP (Device Sleep). Заявленное время средней наработки на отказ - 2 млн часов. Карты ISC3E CFast SLC выпускаются объемом от 4 до 64 ГБ, ISC3E CFast MLC - от 4 до 128 ГБ. В числе областей их применения названо сетевое оборудование, промышленные компьютеры, медицинское оборудование, точки продажи и информационные киоски, игровые автоматы.

Другие интересные новости:

▪ Карта памяти microSD 1,5 ТБ

▪ Нарощены живые клетки на скелет робота

▪ Seagate представила высокоскоростные накопители Enterprise Turbo SSHD

▪ Электричество на Луне

▪ Мобильный телефон - друг туриста

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Компьютерные устройства. Подборка статей

▪ статья Фарадей Майкл. Биография ученого

▪ статья Как возникли города? Подробный ответ

▪ статья Василистник малый. Легенды, выращивание, способы применения

▪ статья Подключение трехфазного двигателя к однофазной сети. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Распайка разъема SCART. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026