Простой ключевой стабилизатор напряжения, 15-25/5 вольт 4 ампера. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Стабилизаторы напряжения

 Комментарии к статье

Электронные устройства, выполненные на цифровых микросхемах, не предъявляют слишком высоких требований к стабильности и уровню пульсаций питающего напряжения. Поэтому для питания таких устройств можно с успехом применять простейшие ключевые стабилизаторы напряжения. Они имеют высокий КПД, меньшие габариты и массу по сравнению с непрерывными стабилизаторами. Правильное конструктивное исполнение ключевого стабилизатора позволяет избежать проникновения высокочастотных помех в питаемое устройство.

На рис. 5.28 показана принципиальная схема простого ключевого стабилизатора. При высоких энергетических показателях качество выходного напряжения позволяет подключать к стабилизатору устройства, выполненные на цифровых микросхемах серий К130, КПЗ, К134, К155, К156, К561 и др.

(нажмите для увеличения)

Печатная плата устройства приводится на рис. 5.29.

Рис. 5.29

Основные технические характеристики:

• входное напряжение, В.....15...25;
• выходное напряжение, В.....5;
• максимальный ток нагрузки, А.....4;
• пульсации выходного напряжения при токе нагрузки 4 А во всем интервале питающего напряжения, мВ, не более.....50;
• КПД, %, не хуже.....60;
• рабочая частота, кГц.....>20.

При подаче на вход устройства напряжения питания в цепи базы составного транзистора VT2, VT3 появляется ток, вследствие чего он открывается. Цепь R3, С2 обеспечивает импульсный характер возникновения этого тока, что способствует форсированному открыванию составного транзистора. После его открывания через дроссель L1 начинает протекать возрастающий ток, заряжающий накопительные конденсаторы С3, С4.

Когда напряжение на этих конденсаторах достигает некоторого уровня, открываются транзисторы VT4 и VT1. Последний из них, насыщаясь, подключает к эмиттерному переходу транзистора VT2 заряженный в закрывающей полярности конденсатор С2. Это способствует быстрому закрыванию составного транзистора. Ток в дросселе L1 не может мгновенно прерваться, поэтому после закрывания транзисторов VT2, VT3 открывается диод VD1, который замыкает цепь тока через дроссель L1 В этот отрезок времени ток в дросселе уменьшается, а с момента, когда он сравняется с током нагрузки, начинает уменьшаться и напряжение на конденсаторах С3, С4. При некотором его значении транзисторы VT4 и VT1 закрываются, а VT2 и VT3 - открываются, и ток в дросселе L1 начинает снова увеличиваться, диод VD1 закрывается.

Напряжение на конденсаторах С3, С4 продолжает уменьшаться, и, когда ток в дросселе L1 становится равным току нагрузки, напряжение на конденсаторах С3, С4 снова начинает увеличиваться, и цикл работы стабилизатора повторяется. Конденсатор С5 создает на базе транзистора VT4 необходимый фазовый сдвиг сигнала обратной связи, определяющий частоту следования рабочих циклов. Фильтр L2, С6 служит для уменьшения пульсаций выходного напряжения. Мощность, рассеиваемая на транзисторе VT3 и диоде VD1, незначительна. Это позволяет получить значительный ток нагрузки без применения теплоотводов для мощных элементов. Однако при длительной работе с током нагрузки свыше 3,5 А необходима установка этих элементов на теплоотводы.

Автор: Семьян А.П.

Смотрите другие статьи раздела Стабилизаторы напряжения.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Особенности почек помогают легче переносить высоту 18.01.2025

Высокогорные регионы всегда привлекали внимание исследователей, изучающих, как человек адаптируется к жизни в условиях разреженного воздуха. Недавнее исследование группы ученых из Университета Маунт-Ройал в Канаде, возглавляемое доктором Тревором Деем, проливает свет на важную роль почек в акклиматизации к большим высотам. Работы канадских ученых объясняют, почему представители народности шерпа, которые веками живут в высокогорных районах Тибета, значительно лучше переносят высокогорье. В своем исследовании ученые наблюдали за дыханием и составом крови участников во время их подъема на высоту 4300 метров в Гималаях, в Непале. Эксперимент проводился с участием двух групп: одна состояла из жителей низменностей, не привыкших к горной среде, а другая - из шерпов, чей организм приспособлен к жизни на большой высоте. Основное различие между этими группами было в том, как их организмы реагировали на дефицит кислорода в воздухе. У шерпов наблюдалась более быстрая и масштабная адаптация к ...>>

Производство электричества с помощью термоядерного синтеза 18.01.2025

Американская компания Commonwealth Fusion Systems (CFS) нацелена на создание первой в мире термоядерной электростанции, способной подключаться к электрической сети. Этот амбициозный проект, известный как ARC (Affordable, Robust, Compact), будет построен вблизи города Ричмонд, штат Вирджиния. В соответствии с планами, новая электростанция сможет производить до 400 мегаватт чистой энергии, что вполне хватит для обеспечения электричеством 150 тысяч домохозяйств. Прогнозируется, что станция начнет работу в 2030-х годах. Принцип работы термоядерной электростанции основан на процессе термоядерного синтеза, который происходит в ядре звезд. В отличие от традиционной атомной энергетики, где используется деление ядер атомов с образованием радиоактивных отходов, термоядерный синтез создает в качестве побочного продукта безопасный гелий. Для того чтобы удерживать плазму с температурой свыше 100 миллионов градусов Цельсия, установка будет использовать мощные магнитные поля. Тем не менее, н ...>>

Экологическая защита для овощей и фруктов 17.01.2025

Исследователи из женского колледжа Шри Нараяна в Колламе, Керала, Индия, разработали инновационный способ продления свежести фруктов и овощей. Группа под руководством Пурнимы Виджаян предложила использовать съедобное покрытие, созданное на основе целлюлозных нановолокон (CNF), полученных из луковой шелухи. Этот подход не только продлевает срок хранения продуктов, но и способствует их безопасности благодаря включению нанокуркумина, известного своими антимикробными свойствами. Основным компонентом покрытия являются CNF, полученные из переработанных отходов лука. Эти нановолокна соединяются с синтетическим биополимером, который улучшает структуру покрытия, устраняя проблемы с водостойкостью и термической стабильностью, ранее свойственные материалам на основе CNF. Кроме того, добавление нанокуркумина усиливает антимикробные свойства покрытия, делая его особенно эффективным для предотвращения порчи. Для проверки эффективности этой разработки ученые провели эксперимент с апельсинами. П ...>>

Случайная новость из Архива Стеклянные подкладки для чипов 28.03.2024 Революционные технологии постоянно меняют промышленность электроники, обеспечивая новые возможности и улучшения в производстве компонентов. Одним из последних инновационных разработок стала идея использования стеклянных подложек для чипов. Компании Samsung и Intel активно работают над этой технологией, что может привести к значительным изменениям в сфере производства электроники. Стеклянные подложки обещают преобразовать процесс производства чипов, обеспечивая значительные преимущества в электронной промышленности. Они характеризуются высокой термической и механической устойчивостью, что делает их идеальным материалом для использования в приборах центров обработки данных. Кроме того, стеклянные подложки обладают высокой плоскостью, что способствует повышению качества и точности процесса литографии, а также стабильности размеров межсоединений. Intel уже десять лет активно работает над технологией стеклянных подложек и планирует внедрить их в коммерческие продукты к 2030 году. Ожидается, что это позволит значительно увеличить плотность межсоединений, что имеет критическое значение для эффективной работы сигналов и подачи питания в чипы. Соревнуясь с Intel, Samsung также активно разрабатывает эту технологию и планирует начать массовое производство чипов на стеклянных подложках к 2026 году. Для этого компания собрала команду экспертов по исследованиям, разработке и внедрению данной технологии. При этом Samsung Electronics сосредоточится на интеграции полупроводников и подложек, в то время как Samsung Display будет специализироваться на обработке стекла. Использование стеклянных подложек для чипов представляет собой важный шаг в электронной промышленности. Эта технология обещает улучшить производственные процессы, повысить эффективность и качество чипов, а также привести к новым возможностям в области электроники. Сотрудничество ведущих компаний, таких как Samsung и Intel, позволяет надеяться на успешное внедрение этой инновационной технологии в ближайшие годы.

Другие интересные новости:

▪ Чистка лазером

▪ Антидепрессанты против алкоголизма

▪ Биоразлагаемые печатные платы для электроники

▪ Игры в куклы развивают эмпатию

▪ Хранение газа внутри угля

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Типовые инструкции по охране труда (ТОИ). Подборка статей

▪ статья Закаливание организма и его значение. Основы безопасной жизнедеятельности

▪ статья Чем отличается стиль рэп? Подробный ответ

▪ статья Педальная мини-лодка. Личный транспорт

▪ статья Об источниках радиопомех в системе зажигания. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Носовой платок и исчезающие деньги. Секрет фокуса

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2025