Menu Home

Бесплатная техническая библиотека для любителей и профессионалов Бесплатная техническая библиотека


Преобразователь напряжения, 220/30 вольт 200 ватт. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Бесплатная техническая библиотека

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Преобразователи напряжения, выпрямители, инверторы

Комментарии к статье Комментарии к статье

Преобразователь предназначен для питания мощной нагрузки, например мощного УНЧ. Схема выпрямителя сетевого напряжения приведена на рис.1, а на рис.2 дана схема преобразователя и выпрямителей выходного напряжения. Источник питания нестабилизирован.

Преобразователь напряжения, 220/30 вольт 200 ватт
(нажмите для увеличения)

Преобразователь напряжения, 220/30 вольт 200 ватт
(нажмите для увеличения)

Основные параметры преобразователя:

  • Номинальная мощность в нагрузке, не менее.......200 Вт.
  • Выходное напряжение каждого из выпрямителей при номинальной мощности.......30 В.
  • Выходное напряжение каждого из выпрямителей на холостом ходу, не более.......40 В.
  • К.П.Д. (при Рн=200 Вт.), не менее.......80%
  • Частота преобразования.......25...35 кГц.

Для ограничения пускового тока в блоке питания предусмотрен режим ступенчатого повышения мощности до номинальной. С этой целью в него введены ограничивающий резистор R2 и тринистор VD6

В начальный момент времени тринистор VD6 закрыт, ток зарядки конденсатора С6 ограничивается резистором R2 и преобразователь запускается при пониженном напряжении. После этого с обмотки IV трансформатора Т3 (см. рис.2) на диод VD7 (см.рис.1) поступает управляющее напряжение, которое открывает тринистор. Он шунтирует резистор R2, и преобразователь выходит на номинальный режим работы. Диод VD5 защищает тринистор VD6. Цепь R1,C2, ограничивающая скорость нарастания напряжения на аноде тринистора VD6, исключает его самопроизвольное включение. Элементы L1, L2, C3, C4 образуют фильтр, который подавляет импульсные помехи, создаваемые генератором блока питания.

Намоточные данные трансформаторов Т1 - Т3 приведены в таблице. Рекомендуемый порядок намотки трансформатора Т3 следующий: обмотка I, экранирующая, обмотки V-XII, экранирующая, обмотки II, III, IV. Вторичные обмотки V-XII наматывают одновременно в четыре провода.

Трансформатор Т4 выполнен на магнитопроводе Ш6х6 из феррита 2000НМС, каждая из его обмоток содержит по 40 витков провода ПЭВ-2 0,41. Все дроссели типа ДМ.

№ Магнитопровод Марка и диаметр провода Число витков, номера обмоток
V - I II III IV XII
Т1 К10Х6Х3 
Феррит 3000НМС
ПЭВ-2 0,56 4 4 9 2 --
Т2 К10Х6Х3 
Феррит 2000НМ-А
ПЭВ-2 0,56 4 2 -- -- --
Т3 ПК30Х16 
Феррит 3000НМС
ПЭВ-2 0,9 48 48 6 6 19*

Плата преобразователя помещена в перфорированный кожух. За его пределами, на выходе каждого канала источника питания 30 вольт установлены электролитические конденсаторы типа К50-16 емкостью 1000 мкФ.

Обмотки V-XII трансформатора Т3 намотаны проводом ПЭВ-2 0,56.

Смотрите другие статьи раздела Преобразователи напряжения, выпрямители, инверторы.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Донорское сердце способно быстро перенимать биологический возраст реципиента 12.10.2026

Возраст органов определяется не только количеством прожитых лет. На молекулярном уровне ткани могут стареть с разной скоростью, а после пересадки, как показывают новые эксперименты, их биологические характеристики способны заметно меняться под воздействием организма, в который они попадают. Исследователи из Бостона обнаружили, что молодые донорские сердца после трансплантации довольно быстро приобретают признаки биологического возраста реципиента, тогда как более старые органы могут, напротив, демонстрировать признаки омоложения. Чтобы оценить эти изменения, ученые применили три так называемых "часа старения" - молекулярных инструмента, позволяющих приблизительно определять биологический возраст клеток и тканей. В отличие от обычного календарного возраста, такие показатели отражают состояние организма на уровне определенных молекулярных изменений. Именно их анализ позволил специалистам проследить, как меняются пересаженные сердца спустя несколько месяцев после операции. Основные ...>>

Samsung Galaxy Buds On: клипсы с искусственным интеллектом вместо внутриканальных наушников 12.10.2026

Беспроводные наушники превратились в одно из самых привычных персональных электронных устройств, однако их конструкция по-прежнему во многом определяется необходимостью размещать излучатель внутри или непосредственно у слухового канала. Компания Samsung решила попробовать другой подход. Представленная модель Galaxy Buds On получила формат наушников-клипсов, которые закрепляются непосредственно на ухе и оставляют слуховой канал открытым. Samsung позиционирует новинку как устройство для продолжительного ношения, тренировок и прогулок, а также для ситуаций, когда пользователю важно одновременно слушать музыку и не терять связь с окружающей обстановкой. В отличие от традиционных внутриканальных моделей, Galaxy Buds On практически не изолируют человека от внешнего мира. При этом речь идет не об экспериментальном прототипе или утечке: официальная информация об устройстве уже опубликована в Samsung Newsroom. Открытая конструкция имеет и очевидный недостаток - добиться такой же глубины н ...>>

Ферроэлектрики научились выдерживать более 10 миллиардов циклов перезаписи 11.10.2026

Энергонезависимая память должна не только быстро записывать и сохранять информацию без постоянного питания, но и выдерживать огромное количество циклов перезаписи. Одним из перспективных вариантов такой технологии считаются ферроэлектрические материалы, однако их практическое применение долгое время ограничивалось сравнительно быстрым разрушением. Исследователям удалось установить механизм этого процесса на атомном уровне и предложить способ, который значительно увеличивает срок службы таких материалов. Работу выполнила группа ученых из Университета электронной науки и техники Сианя (Xidian University) совместно с коллегами из Гонконгского университета и Фуданского университета. Особый интерес специалистов вызвали ферроэлектрики со структурой вюрцита, в частности нитрид алюминия-скандия (AlScN). Эти материалы способны сохранять информацию благодаря изменению направления электрической поляризации на атомном уровне и хорошо совместимы с современными технологиями производства микросхем ...>>

Случайная новость из Архива

LPS33HW - датчик давления с защитой от воды 31.07.2018

Новый датчик атмосферного давления LPS33HWTR от ST Microelectronics является компактным пьезорезистивным цифровым сенсором с пределами измерения от 260 до 1260 гПа, что эквивалентно измерению высоты до 10 километров.

Датчик имеет керамический корпус и металлический порт для подведения давления. Герметизация остальной части платы может выполняться с помощью резинового кольца-уплотнителя. Конструкция сенсора позволяет создавать устройства, выдерживающие погружение в воду, т.к. сама микросхема может подвергаться давлению до 10 атмосфер. Для защиты чувствительного элемента внутреннее пространство датчика заполнено специальным гелем.

Наполнитель устойчив к различным коррозийным средам - проведенный тест показал полную работоспособность датчика после воздействия соленой морской воды с повышенным содержанием хлора и брома. Испытание длилось 34 дня, причем каждый день датчик помещался в жидкость на 6 часов.

Для работы с датчиком можно использовать SPI или I2C интерфейс. Измеряемы параметры доступны через набор внутренних регистров. Благодаря встроенному буферу FIFO, можно увеличить период считывания данных хостом, при этом, не теряя промежуточные отсчеты. В режиме максимального энергосбережения, при измерении давления 1 раз в секунду, датчик потребляет лишь 3 мкА. Каждый датчик проходит индивидуальную калибровку при производстве, что гарантирует заявленную производителем относительную точность +-0,1 гПа.

Особенности LPS33HW:

Датчик давления в водозащищенном исполнении;
Измерение абсолютного давления от 260 до 1260 гПа;
Низкое потребление тока (от 3 мкA);
Перегрузочная способность в 20 раз от полной шкалы;
Встроенная температурная компенсация;
Выход данных давления 24 бит;
Датчик температуры 16 бит;
Частота выдачи данных от 1 до 75 Гц;
Интерфейсы SPI и I2C;
Встроенный буфер FIFO;
Прерывания по готовности данных, состоянию FIFO или уровню давления;
Рабочее напряжение от 1,7 до 3,6 В.

Другие интересные новости:

▪ Солончаковые микробы для водородной энергетики

▪ Простой метод получения черного кремния для солнечных панелей

▪ Обнаружена самая глубоководная рыба в мире

▪ Злоупотребление солью задерживает половое созревание

▪ Путеводитель по звездному небу

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

 

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Дозиметры. Подборка статей

▪ статья Плох тот солдат, который не мечтает быть генералом. Крылатое выражение

▪ статья Насколько поднялся бы уровень океана, если бы растаяли ледники Антарктиды и Гренландии? Подробный ответ

▪ статья Бузина карликовая. Легенды, выращивание, способы применения

▪ статья Экстрактивные чернила. Простые рецепты и советы

▪ статья Токопроводы напряжением до 35 кВ. Гибкие токопроводы напряжением выше 1 кВ. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

Имя:


E-mail (не обязательно):


Комментарий:





Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте

www.diagram.com.ua

www.diagram.com.ua
2000-2026