Menu Home

Бесплатная техническая библиотека для любителей и профессионалов Бесплатная техническая библиотека


Плавное выключение дальнего света. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Бесплатная техническая библиотека

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Автомобиль. Электронные устройства

Комментарии к статье Комментарии к статье

О ночное время при разъезде двух - автомобилей переключение дальнего света фар своей машины на ближний в первый момент водитель воспринимает, как резкое уменьшение освещенности дороги, что заставляет его напрягать зрение и ведет к быстрому утомлению. Встречным водителям также труднее ориентироваться в обстановке при резких перепадах яркости света спереди. Это в конечном счете снижает безопасность движении.

Заметно уменьшить утомляемость водителя при ночной езде может плавное (в течение 3...4 с) выключение дальнего света при переключении его на ближний. Промышленность выпускает предназначенный для этой цели прибор ПДБ-1, однако он имеет большие габариты и массу, рассеивает значительную мощность и не может быть использован на автомобилях с галогенными лампами и четырехфарной системой освещения (подробнее об этом см. в статье "Без потери видимости",- За рулем, 1983, № 10, с. 30).

Плавное выключение дальнего света
Рис.1 (нажмите для увеличения)

На рис.1 показана схема свободного от этих недостатков автомата плавного выключения дальнего света. Временные диаграммы напряжения, поясняющие работу автомата, представлены на рис. 2.

Плавное выключение дальнего света
Рис.2

Генератор на операционном усилителе DA1.1 вырабатывает напряжение треугольной формы с частотой 150... 200 Гц (график 1 на рис. 2). которое поступает на неинвертирующий вход ОУ DA1.2. Пока включен дальний свет (в положении ножного переключателя света SA2, показанном на схеме), конденсатор С2 разряжен через резистор R7, диод VD3 и нить ближнего света лампы EL1 (на схеме показана одна лампа из двух) и напряжение на выходе ОУ DA1.2 около 10,5 В. Транзистор VT1 в это время открыт, а транзисторы VT2. VT3 выключены, так как коллектор и эмиттер транзистора VT3 замкнуты контактами переключателя SA2.

После переключения дальнего света на ближний спирали дальнего света остаются включенными через открывшиеся транзисторы VT2 и VT3. Конденсатор С2 начинает заряжаться (график 2 на рис. 2) через резисторы R7 и R9. На инвертирующем входе ОУ DA1.2 появляется увеличивающееся напряжение, а на выходе - прямоугольные импульсы с постоянной частотой и увеличивающейся скважностью (график 3). Они соответствующим образом переключают транзисторы VT1--VT3. и действующее значение напряжения на нитях ламп дальнего света плавно уменьшается до нуля.

При переключении света с ближнего на дальний конденсатор С2 быстро разряжается через цепь R7VD3. Диоды VD1, VD2 и резистор R6 служат для ограничения напряжения между входами ОУ DA1.2; стабистор VD4 и резисторы RIO, R12 - для надежного закрывания транзисторов. Подстроечный резистор R9 позволяет регулировать время погасания дальнего света в пределах от 1 до 4...5 с. Устройство можно выключить тумблером SA1.

Описываемое устройство подключают параллельно ножному переключателю света так, как показано на рис. 1. Сечение соединительных проводов не менее 1,5 мм2.

В устройстве использованы резисторы ОМЛТ и СПЗ-16 (R9), конденсаторы КМ-5 и К50-6 (С2). Транзистор ГТ806А можно заменить на любой другой из этой серии или на ГТ701А. Если потребляемый спиралями дальнего света ток не превышает 10 А (двухфарные автомобили с обычными лампами), то вместо ГТ806А могут быть использованы транзисторы П210А, ГТ810А. Вместо транзистора КТ816Б подойдут КТ816В, КТ816Г или ГТ905, ГТ906 с любым буквенным индексом; вместо КТ815Б - КТ815В, КТ815Г. КТ817Б, КТ817В. КТ817Г, КТ801Б. Стабистор КС119А можно заменить тремя последовательно соединенными диодами КД102А или Д220, Д223, КД522А. Заменять микросхему К157УД2 нежелательно, так как она способна работать в широком интервале питающего напряжения.

Все детали, кроме тумблера SA1, размешены на плате из стеклотекстолита размерами 110x65х2 мм. Монтаж выполнен с использованием луженых латунных втулок, развальцованных в отверстиях платы. Транзисторы VT2, VT3 установлены на теплоотвод с площадью поверхности не менее 40 см . Собранное устройство закрепляют под приборной панелью слева от рулевой колонки.

Сразу после переключения света яркость дальнего света скачком незначительно уменьшается из-за того. что нити ламп оказываются включенными через сопротивление открытого транзистора VT3, а затем лампы плавно гаснут.

Устройство можно применить и на автомобилях с напряжением бортовой сети 24 В. Для этого необходимо последовательно с резистором R11 включить резистор ОМЛТ-2 сопротивлением 120 Ом. заменить стабистор КС119А на стабилитрон Д814Г и использовать конденсатор С2 на напряжение 50 В. Устройство было испытано на автомобиле ГАЗ-24 и показало хорошие результаты.

Автор: А. Хрисанов; Публикация: Н. Большаков, rf.atnn.ru

Смотрите другие статьи раздела Автомобиль. Электронные устройства.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Власть является ключевым фактором счастья в отношениях 11.03.2026

Исследования семейных и романтических отношений показывают, что длительное счастье пары зависит не только от привычных факторов, таких как доверие, уважение и преданность, но и от более тонких психологических аспектов. Современные ученые ищут закономерности, которые отличают действительно счастливые пары от остальных, чтобы понять, какие механизмы поддерживают гармонию в отношениях. Группа исследователей из Университета Мартина Лютера в Галле-Виттенберге и Бамбергского университета провела опрос среди 181 пары, которые состояли в совместных отношениях более восьми лет и прожили вместе хотя бы месяц. Участники заполняли анкету, описывая различные аспекты своих отношений, включая распределение обязанностей, эмоциональную поддержку и степень вовлеченности в совместные решения. Анализ данных показал интересный паттерн: пары, где оба партнера ощущали высокий уровень личной власти, оказывались наиболее счастливыми и удовлетворенными. В данном контексте под властью понимается способност ...>>

Защищенная колонка-повербанк Anker Soundcore Boom Go 3i 11.03.2026

Компания Anker представила новую модель линейки Soundcore - колонку Soundcore Boom Go 3i, ориентированную на активное использование на улице. Новинка отличается высокой степенью защиты: корпус соответствует стандарту IP68, что обеспечивает водо- и пыленепроницаемость, а ударопрочный дизайн выдерживает падение с высоты до одного метра. За качество звука отвечает 15-ваттный драйвер, обеспечивающий пик громкости до 92 дБ, а технология BassUp 2.0 усиливает низкие частоты, делая звучание более насыщенным. Колонка обладает автономностью до 24 часов, а LED-индикатор позволяет контролировать уровень заряда батареи. Кроме того, Soundcore Boom Go 3i может выполнять функцию павербанка: согласно внутренним тестам, устройство способно зарядить iPhone 17 с нуля до 40% за один час, что делает его полезным аксессуаром в походах и поездках. Среди функциональных особенностей модели стоит выделить технологию Auracast, которая улучшает подключение и позволяет создавать стереопару из двух колонок ...>>

Раннее воздержание от алкоголя перестраивает мозг и иммунитет 10.03.2026

Алкогольная зависимость - хроническое расстройство с компульсивным употреблением спиртного, которое влияет не только на поведение, но и на функционирование мозга и иммунной системы. Недавние исследования показали, что даже на ранних этапах воздержания организм начинает перестраиваться, открывая новые возможности для терапии зависимости. Ученые сосредоточились на пациентах, находящихся в первые недели абстиненции, и зафиксировали значительные изменения в мозговой активности. С помощью функциональной магнитно-резонансной томографии они выявили перестройку сетей нейронных связей, отвечающих за контроль импульсов и принятие решений. Эти изменения могут быть ключевыми для восстановления самоконтроля и снижения риска рецидива. Одновременно с нейронной перестройкой исследователи наблюдали колебания иммунной системы. В крови повышался уровень цитокинов - сигнальных белков, регулирующих воспалительные процессы. Эти данные свидетельствуют о существовании нейроиммунного взаимодействия, при ...>>

Случайная новость из Архива

Сейсмические волны и аномалии в мантии Земли 28.08.2024

Изучение недр Земли с помощью сейсмических волн уже на протяжении многих десятилетий позволяет ученым раскрывать тайны, которые иначе остались бы скрытыми от нас. Одной из таких загадок являются так называемые предшественники PKP - сейсмические сигналы, которые возникают перед основными сейсмическими волнами, проходящими через ядро Земли. Эти сигналы вызывают множество вопросов, но недавнее исследование проливает новый свет на природу этой загадочной сейсмической энергии.

Предшественники PKP представляют собой волны, которые распространяются из глубин Земли, в частности, из областей под Северной Америкой и западной частью Тихого океана. Ученые связывают эти сигналы с "зонами сверхнизких скоростей" - тонкими слоями в мантии, где сейсмические волны значительно замедляются. Эти зоны считаются источниками вулканической активности в таких местах, как Йеллоустоун, Гавайи, Самоа, Исландия и Галапагосские острова.

Сейсмические волны уже давно используются для изучения внутреннего строения Земли. Например, благодаря анализу этих волн удалось охарактеризовать структуру твердого внутреннего ядра и даже отследить его движение. Однако предшественники PKP представляют особый интерес, поскольку они возникают, когда волны проходят через мантию - слой горячей породы толщиной около 2900 километров, находящийся между корой и металлическим ядром Земли.

Команда ученых под руководством Торна сосредоточила внимание на том, как сейсмические волны рассеиваются, проходя через нерегулярные структуры в мантии. Эти рассеянные волны, как предполагается, и являются источниками предшественников PKP. Особую сложность представляет то, что волны проходят через мантию дважды - до и после пересечения жидкого наружного ядра. Это двойное путешествие затрудняет определение точного места возникновения предшественников: с какой стороны мантийного пути они появились - на стороне источника или приемника.

Для решения этой задачи команда Торна, в которую входил ассистент профессора Сурья Пачхаи, разработала метод моделирования сейсмических волн. Этот метод позволил выявить важные эффекты, которые ранее оставались незамеченными. Используя передовые технологии и новые теоретические модели, исследователи проанализировали данные 58 землетрясений, произошедших вокруг Новой Гвинеи и зарегистрированных в Северной Америке.

Новый метод позволил точно определить место рассеяния волн вдоль границы между внешним жидким ядром и мантией, известной как граница ядра и мантии, расположенная на глубине 2900 километров под поверхностью Земли. Исследование показало, что предшественники PKP, вероятно, возникают в зонах сверхнизких скоростей, которые образуются там, где тектонические плиты сталкиваются с границей между ядром и мантией в океанической коре.

Работа ученых проливает свет на механизм формирования предшественников PKP и подчеркивает важность зон сверхнизких скоростей в мантийных процессах. Эти новые данные позволяют глубже понять внутренние процессы Земли и открывают новые перспективы для изучения ее недр.

Другие интересные новости:

▪ Кабель Thunderbolt 5 USB-C

▪ Выращивание томатов из семян неспелых растений

▪ Океанские тепловые волны угрожают морской жизни

▪ Нанопровода диаметром в три атома

▪ Пластик, разлагающийся в почве за шесть недель

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

 

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Медицина. Подборка статей

▪ статья Электрическая овощерезка. Чертеж, описание

▪ статья Как колыбельные и стишки спасли жителей острова Симелуэ от цунами? Подробный ответ

▪ статья Каянус. Легенды, выращивание, способы применения

▪ статья Антенна Прямоугольник UB5UG. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Формирователь трехполосного сигнала и сигнала сабвуфера. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

Имя:


E-mail (не обязательно):


Комментарий:





Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте

www.diagram.com.ua

www.diagram.com.ua
2000-2026