Простой импульсный стабилизатор 8-10/5 вольт 5 ампер на микросхеме КРЕН142ЕН1. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Стабилизаторы напряжения

 Комментарии к статье

На рисунке приведена предельно простая схема импульсного стабилизатора. Не смотря на то, что стабилизатор собран на устаревшей микросхеме, он имеет достаточно высокие технические характеристики и будет интересен всем у кого сохранились эти микросхемы. Схема стабилизатора приведена на рисунке. В устройстве используется весьма оригинальное включение микросхемы интегрального стабилизатора КР142ЕН1, благодаря чему удалось достичь хороших технических характеристик, при очень простом схемотехническом решении. Схема обеспечивает высокую помехозащищенность и экономичность.

Мощность подключаемой нагрузки определяется максимальным коллекторным током транзистора VT1, который составляет: у транзистора КТ626А - 0,5 А, а у транзистора ГТ906А - 5А . Для увеличения нагрузочной способности допускается параллельное соединение транзисторов. Оптимальную частоту преобразования (30-40 кГц) устанавливают подбором дросселя L1, при заданном токе нагрузки.

Сопротивление резистора R4, выбирают исходя из значения предполагаемого рабочего тока нагрузки, так при токе 400 мА, его номинал должен быть 13 Ом, а при токе 800 мА - 4.7 Ом. Емкость конденсатора C3 следует выбрать в первом случае - не менее 220 мкФ, а во втором - 470 мкФ. Далее изготавливается дроссель. Нужно помнить, что при больших токах нагрузки увеличивается типоразмер кольца и индуктивность дросселя. Чтобы не было слышно "зудения" при работе преобразователя, следует наматывать провод на кольцо очень плотно, не помешает заливка каким-нибудь клеем. Чем меньше емкость конденсатора C3, тем большее количество витков должен иметь дроссель L1. Ниже приводится ориентировочная таблица по выбору основных элементов стабилизатора. Следует так же помнить, что чем выше напряжение на входе преобразователя, тем меньше должна быть индуктивность дросселя. Точную установку выходного напряжения стабилизатора осуществляют резистором R680E.

Публикация: cxem.net

Смотрите другие статьи раздела Стабилизаторы напряжения.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Власть является ключевым фактором счастья в отношениях 11.03.2026

Исследования семейных и романтических отношений показывают, что длительное счастье пары зависит не только от привычных факторов, таких как доверие, уважение и преданность, но и от более тонких психологических аспектов. Современные ученые ищут закономерности, которые отличают действительно счастливые пары от остальных, чтобы понять, какие механизмы поддерживают гармонию в отношениях. Группа исследователей из Университета Мартина Лютера в Галле-Виттенберге и Бамбергского университета провела опрос среди 181 пары, которые состояли в совместных отношениях более восьми лет и прожили вместе хотя бы месяц. Участники заполняли анкету, описывая различные аспекты своих отношений, включая распределение обязанностей, эмоциональную поддержку и степень вовлеченности в совместные решения. Анализ данных показал интересный паттерн: пары, где оба партнера ощущали высокий уровень личной власти, оказывались наиболее счастливыми и удовлетворенными. В данном контексте под властью понимается способност ...>>

Защищенная колонка-повербанк Anker Soundcore Boom Go 3i 11.03.2026

Компания Anker представила новую модель линейки Soundcore - колонку Soundcore Boom Go 3i, ориентированную на активное использование на улице. Новинка отличается высокой степенью защиты: корпус соответствует стандарту IP68, что обеспечивает водо- и пыленепроницаемость, а ударопрочный дизайн выдерживает падение с высоты до одного метра. За качество звука отвечает 15-ваттный драйвер, обеспечивающий пик громкости до 92 дБ, а технология BassUp 2.0 усиливает низкие частоты, делая звучание более насыщенным. Колонка обладает автономностью до 24 часов, а LED-индикатор позволяет контролировать уровень заряда батареи. Кроме того, Soundcore Boom Go 3i может выполнять функцию павербанка: согласно внутренним тестам, устройство способно зарядить iPhone 17 с нуля до 40% за один час, что делает его полезным аксессуаром в походах и поездках. Среди функциональных особенностей модели стоит выделить технологию Auracast, которая улучшает подключение и позволяет создавать стереопару из двух колонок ...>>

Раннее воздержание от алкоголя перестраивает мозг и иммунитет 10.03.2026

Алкогольная зависимость - хроническое расстройство с компульсивным употреблением спиртного, которое влияет не только на поведение, но и на функционирование мозга и иммунной системы. Недавние исследования показали, что даже на ранних этапах воздержания организм начинает перестраиваться, открывая новые возможности для терапии зависимости. Ученые сосредоточились на пациентах, находящихся в первые недели абстиненции, и зафиксировали значительные изменения в мозговой активности. С помощью функциональной магнитно-резонансной томографии они выявили перестройку сетей нейронных связей, отвечающих за контроль импульсов и принятие решений. Эти изменения могут быть ключевыми для восстановления самоконтроля и снижения риска рецидива. Одновременно с нейронной перестройкой исследователи наблюдали колебания иммунной системы. В крови повышался уровень цитокинов - сигнальных белков, регулирующих воспалительные процессы. Эти данные свидетельствуют о существовании нейроиммунного взаимодействия, при ...>>

Случайная новость из Архива Качественное выращивание на кремнии полупроводниковых лазеров 26.03.2016 Группа ученых из ряда британских университетов сообщила о новой методике выращивания на кремниевой подложке высоконадежного полупроводникового лазера на квантовых точках. Разработка направлена на развитие кремниевой фотоники - на интеграцию лазеров и оптических интерфейсов в микросхемы. Уход от передачи данных по медным соединениям сэкономит на потреблении и ускорит внутричиповый обмен информацией. Да и сопряжение с внешними оптическими каналами станет проще. Серьезным препятствием на пути коммерческого внедрения технологии выращивания полупроводниковых лазеров на кремнии было значительное число дефектов в кристаллической решетке в месте перехода кремния в лазер. Уточним, сегодня для лазера обычно используется комбинация арсенида галлия и арсенида индия (металлы из III-V групп периодической таблицы Менделеева). В этом плане ничего нового предложено не было. Более того, британские ученые не первые, кто предложил для бездефектоного выращивания лазера использовать промежуточный слой, предварительно нанесенный на кремниевую пластину - это так называемый зародышевый слой (nucleation layer). Открытие заключается в том, что предложен зародышевый слой с качественными практическими характеристиками. Тесты выращенного таким образом опытного 1,3-мкм лазера показали стабильность рабочих характеристик даже при нагреве до 120 градусов по Цельсию. Утверждается, что на рабочей мощности 105 мВт лазер может работать свыше 100 тыс. часов на отказ. Это примерно 11 лет эксплуатации, чего с головой хватит для коммерческого оборудования. Лазеры с длиной волны 1,3 мкм (1300 нм) хорошо зарекомендовали себя в традиционном телекоммуникационном оборудовании. Ожидается, что они также смогут проявить себя в кремниевой фотонике. На новом этапе исследований ученые будут учиться выпускать лазеры с разной длиной волны и интегрировать их в микросхемы.

Другие интересные новости:

▪ Водород из растений - основа будущей энергетики

▪ Графический ускоритель AMD Radeon R7 260

▪ Проблемы с цифровыми фотоаппаратами CANON и NIKON

▪ Светодиоды, излучающие запутанный свет

▪ Кошка с собакой: секреты гармонии

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Прошивки. Подборка статей

▪ статья Держатель для шкурки. Советы моделисту

▪ статья Что такое кафедральный собор? Подробный ответ

▪ статья Машинист-крановщик кранов всех типов. Типовая инструкция по охране труда

▪ статья Проводное дистанционное управление. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Защита от замыкания на корпус. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026