Menu Home

Бесплатная техническая библиотека для любителей и профессионалов Бесплатная техническая библиотека


Зарядное устройство с повышающим преобразователем. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Бесплатная техническая библиотека

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Зарядные устройства, аккумуляторы, гальванические элементы

Комментарии к статье Комментарии к статье

На микросхеме IC1 собран импульсный повышающий стабилизированный преобразователь напряжения, который увеличивает напряжение VIN (номинально 5 В) до уровня, необходимого для поддержания соответствующих тока заряда и тока нагрузки. Источник питания 5 В должен быть снабжен схемой защиты от короткого замыкания. IC2 - усилитель-датчик тока положительной шины, который отслеживает ток заряда. Процессор может выдавать устройству команды ЗАРЯД ВКЛ./ВЫКЛ. и БЫСТРЫЙ/КОМПЕНСАЦИОННЫЙ ЗАРЯД.

Зарядное устройство с повышающим преобразователем
(нажмите для увеличения)

Микросхема IC2 формирует выходной ток (вывод OUT) равный 10-4 от тока через датчик на резисторе R9. Транзисторы Q3 и Q4 в режиме быстрого заряда включены, так что выходной ток микросхемы IC2 течет через параллельное соединение резисторов R11 и R4 (если не учитывать ток базы транзистора Q3). В результате сигнал обратной связи, поступающий на микросхему IC1 (вывод 3), поддерживает ток быстрого заряда, протекающий через R9, на уровне 500 мА. Эта обратная связь также позволяет стабилизатору выдавать ток до 500 мА в дополнительную нагрузку помимо стабильного тока заряда равного 500 мА.

Транзистор Q2 ограничивает напряжение на батарее на уровне 10В (по 2 В на элемент). В режиме быстрого заряда внешний процессор и многоканальный аналого-цифровой преобразователь отслеживают напряжение на клеммах батареи. Когда с помощью АЦП определяется изменение скорости нарастания напряжения на батарее, процессор выключает режим быстрого заряда, подавая высокий уровень на линию БЫСТРЫЙ/КОМПЕНСАЦИОННЫЙ ЗАРЯД.

Транзистор Q3 выключается, вызывая увеличение напряжения на выводе обратной связи (FB), что приводит к уменьшению тока заряда до уровня тока компенсационного заряда (примерно 60 мА). Если микросхема IC1 выключается или суммарный ток нагрузки и заряда превышает допустимый для IC1 уровень, направление тока резистора R9 изменяется на противоположное, поскольку ток начинает течь от батареи. Микросхема IC2 отрабатывает изменение направления тока изменением состояния на выходе с открытым коллектором SIGN, на котором за счет резистора R13 появляется напряжение высокого уровня, выключая транзистор Q4 и включая транзистор Q5. В таком случае ток через резистор R12 создает напряжение, пропорциональное току разряда батареи (ток 5 А через R9 вызывает появление на резисторе R12 напряжения равного 3 В). Интегрируя это напряжение по времени (измеряя его через фиксированные промежутки и умножая на длительность интервала), аналого-цифровой процессор отслеживает энергию, потребленную от батареи. По полученным данным и по замерам напряжения на батарее процессор может затем вновь включить режим быстрого заряда установкой низкого уровня на линии БЫСТРЫЙ/КОМПЕНСАЦИОННЫЙ ЗАРЯД вплоть до того момента, когда батарея полностью выработает свой ресурс.

Источник тока на базе высокоэффективного импульсного преобразователя LT1511 разработан с целью применения в зарядных устройствах для аккумуляторов портативной аппаратуры. Зарядное устройство на LT1511 имеет выходную характеристику "стабильное напряжение/стабильный ток", необходимую для заряда литий-ионных батарей. Им можно заряжать и никель-кадмиевые, и никель-металлгидридные (NiMH) батареи, но при использовании внешней цепи функции окончания заряда. Максимальный ток заряда может программироваться как резисторами, так и с помощью ЦАП. Цепь контроля входного тока в LT1511 позволяет одновременно использовать аппаратуру и подзаряжать батареи, не перегружая сетевой адаптер. В таком случае ток заряда автоматически понижается, чтобы поддерживать ток сетевого адаптера на номинальном уровне.

Публикация: cxem.net

Смотрите другие статьи раздела Зарядные устройства, аккумуляторы, гальванические элементы.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Вкус будущего с искусственным языком на графене 20.07.2025

Идея создания искусственного органа чувств давно привлекает внимание ученых, особенно в контексте замены или дополнения утраченных функций человека. Среди таких проектов особенно перспективной выглядит разработка электронного языка - устройства, способного не просто анализировать состав веществ, но и воспроизводить вкус на уровне, сравнимом с восприятием человека. И вот теперь, благодаря инновациям в области нанотехнологий и машинного обучения, этот замысел получил реальное воплощение. Инженеры и исследователи, стоящие за новым проектом, сконструировали устройство, основой которого стал оксид графена, размещенный в нанофлюидной структуре. Такой подход позволил объединить сенсорные и вычислительные элементы на одной платформе. Немаловажно, что система эффективно работает во влажной среде, близкой по условиям к ротовой полости, что делает ее особенно реалистичной в имитации естественного вкусового восприятия. Важнейшей технологической особенностью сенсора является использование пер ...>>

SSD-накопитель Transcend ESD420 20.07.2025

Компания Transcend перезентовала SSD Transcend ESD420 - новый портативный и производительный накопитель с уникальной системой крепления. Основная особенность устройства заключается в наличии встроенного магнита, который позволяет легко прикрепить его к задней панели iPhone, поддерживающего MagSafe. Это делает использование внешнего хранилища особенно удобным в полевых условиях, когда важно снимать видео без тряски и задержек, а свободное место заканчивается на глазах. Инженеры компании Transcend позаботились о совместимости: накопитель можно подключить напрямую через кабель USB-C - USB-C, что особенно актуально для последних моделей iPhone. Благодаря этому подключению устройство способно поддерживать ресурсоемкие функции, такие как запись в формате 4K ProRes прямо на внешний SSD, обходя ограничения встроенной памяти. Накопитель выполнен в компактном корпусе и весит всего 48 грамм, что делает его почти незаметным при использовании. Внешняя оболочка обладает ударопрочными характ ...>>

Выращены томаты без косточек 19.07.2025

Современное сельское хозяйство все чаще обращается к молекулярной биологии, чтобы преодолеть вызовы, связанные с климатом, сроками хранения и требованиями рынка. Один из таких прорывов связан с выращиванием плодов без семян - давно востребованных как в пищевой промышленности, так и среди потребителей. Пока обезкосточенные бананы и виноград стали привычными, новое внимание ученых сосредоточено на других культурах. Индийские исследователи уверенно двигаются в этом направлении, предложив инновационный подход к созданию томатов без косточек. Исследование было проведено на кафедре ботаники факультета естественных наук Университета Маунтин-Си в индийском городе Вадодара. Руководство проектом осуществлял профессор Сунил Сингх, а финансирование обеспечивал Совет по научным и инженерным исследованиям. Ученые сосредоточились на изучении так называемых каспазоподобных генов, которые играют ключевую роль в развитии растений, в частности - в вегетативных и репродуктивных функциях. По словам п ...>>

Случайная новость из Архива

Разработан новый тип термоядерного устройства 08.04.2024

Термоядерная энергетика продолжает оставаться одним из самых перспективных направлений в области энергетики, стремясь к созданию чистых и эффективных источников энергии. Недавние научные разработки, такие как новый стелларатор MUSE, представленный учеными Принстонской лаборатории физики плазмы (PPPL) и Министерства энергетики США (DOE), открывают новые горизонты в этой области.

Ученые Принстонской лаборатории физики плазмы (PPPL) и Министерства энергетики США (DOE) представили новый тип стелларатора, специального устройства для реакции термоядерного синтеза.

Стеллараторы, подобно токамакам, используют магнитные поля для удержания плазмы. Однако в новом устройстве магнитные поля имеют необычную форму, исключительную для стеллараторов. Они тороидальны, но также закручены вдоль оси плазменного "шнура". Отличительной особенностью MUSE является использование постоянных магнитов, что отличает его от других устройств, где магнитное поле создается электромагнитами.

Устройство MUSE собрано из стандартных компонентов и оборудования, доступного в коммерческом секторе. Постоянные магниты интегрированы в 3D-напечатанную оболочку, окружающую вакуумную камеру, содержащую плазму.

Кроме того, MUSE обладает высокой квазисимметрией, что способствует эффективному удержанию плазмы внутри устройства и повышает вероятность реакций термоядерного синтеза.

Дальнейшие планы включают серию экспериментов для более детального изучения квазисимметрии MUSE и ее влияния на удержание плазмы. Эти исследования будут включать более точное измерение магнитных полей и скорости вращения плазмы.

Разработка нового стелларатора MUSE представляет собой значимый шаг в развитии термоядерной энергетики. Его передовой дизайн и использование постоянных магнитов могут привести к более эффективному и устойчивому удержанию плазмы, что является ключевым фактором для достижения термоядерного синтеза в практических масштабах.

Другие интересные новости:

▪ Самовнушение или аллергия

▪ Карманный голографический дисплей Looking Glass Go

▪ Секвенирование в реальном времени

▪ Негативное влияние климатических изменений на рыболовство в северных озерах

▪ Электричество с колес

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

 

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Электрику. ПУЭ. Подборка статей

▪ статья Нормы расположения жилого дома и хозяйственных сооружений. Советы домашнему мастеру

▪ статья Какой ветер считается ураганным? Подробный ответ

▪ статья PR-специалист. Должностная инструкция

▪ статья Серая протрава для рога. Простые рецепты и советы

▪ статья Как удалить пятна от жиров. Химический опыт

Оставьте свой комментарий к этой статье:

Имя:


E-mail (не обязательно):


Комментарий:





Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте

www.diagram.com.ua

www.diagram.com.ua
2000-2025