Преобразователь напряжения 5 вольт. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Преобразователи напряжения, выпрямители, инверторы

 Комментарии к статье

В устройствах на цифровых микросхемах и микропроцессорах с автономным питанием батареи гальванических элементов должны обеспечить стабилизированное напряжение 5 В. Достигнуть этого простейшим способом - использованием шести элементов по 1,5В и интегрального стабилизатора КР142ЕН5А - невыгодно как энергетически, так и экономически. Предлагается несложный стабилизированный преобразователь, позволяющий получить напряжение 5 В при токе нагрузки до 120 мА. Его входное напряжение может находиться в пределах 2...3,5 В (два гальванических элемента). КПД при входном напряжении 3 В и максимальном токе нагрузки - приблизительно 75 %.

Схема преобразователя показана на рисунке. На транзисторе VT2 собран блокинг-генератор. Обмотка I трансформатора Т1 выполняет также функцию накопительного дросселя, а с обмотки II на базу транзистора VT2 поступает сигнал положительной обратной связи. Импульсы, возникающие на коллекторе этого транзистора, через диод VD1 заряжают конденсаторы С4, С5, напряжение на которых и является выходным. Оно зависит от частоты повторения и скважности импульсов блокинг-генератора, которые, в свою очередь, зависят от коллекторного тока транзистора VT1, перезаряжающего конденсатор С3 в интервалах между импульсами.

После того, как на блокинг-генератор подано напряжение питания, по мере зарядки конденсатора С2 через резистор R1 увеличиваются коллекторный ток транзистора VT1, частота генерируемых импульсов и выходное напряжение преобразователя. Но как только последнее превысит сумму напряжений стабилизации стабилитрона VD2 и открывания транзистора VT3, часть тока, протекавшего через резистор R1 и базу транзистора VT1, ответвится в коллекторную цепь открывшегося транзистора VT3. Это приведет к уменьшению частоты импульсов. Таким образом выходное напряжение будет стабилизировано. Подстроечный резистор R3 позволяет установить его равным 5 В.

Транзистор VT2 - КТ819 с любым буквенным индексом, КТ805А или КТ817 также с любым индексом. В последнем случае выходная мощность преобразователя будет немного меньше. КПД устройства повысится, если в качестве VD1 применить германиевый диодД310. Трансформатор изготовлен из дросселя ДПМ-1,0 индуктивностью 51 мкГн. Имеющаяся на нем обмотка использована в качестве первичной.

Поверх нее намотана обмотка обратной связи (II) из 14 витков провода диаметром 0,31 мм в эмалевой изоляции. Конденсатор C3 должен быть металлопленочным серий К71-К78. Керамический конденсатор здесь нежелателен из-за низкой температурной стабильности емкости. К типам остальных деталей устройство некритично.

 Преобразователь смонтирован на плате из двустороннего фольгированного стеклотекстолита. Фольга на одной из сторон платы оставлена нетронутой и служит общим проводом. Несколько образцов, собранных автором, не потребовали никакого налаживания, кроме точной установки выходного напряжения.

Автор: В. Зайцев, г. Санкт-Петербург; Публикация: cxem.net

Смотрите другие статьи раздела Преобразователи напряжения, выпрямители, инверторы.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Ферроэлектрики научились выдерживать более 10 миллиардов циклов перезаписи 11.10.2026

Энергонезависимая память должна не только быстро записывать и сохранять информацию без постоянного питания, но и выдерживать огромное количество циклов перезаписи. Одним из перспективных вариантов такой технологии считаются ферроэлектрические материалы, однако их практическое применение долгое время ограничивалось сравнительно быстрым разрушением. Исследователям удалось установить механизм этого процесса на атомном уровне и предложить способ, который значительно увеличивает срок службы таких материалов. Работу выполнила группа ученых из Университета электронной науки и техники Сианя (Xidian University) совместно с коллегами из Гонконгского университета и Фуданского университета. Особый интерес специалистов вызвали ферроэлектрики со структурой вюрцита, в частности нитрид алюминия-скандия (AlScN). Эти материалы способны сохранять информацию благодаря изменению направления электрической поляризации на атомном уровне и хорошо совместимы с современными технологиями производства микросхем ...>>

Электромобиль VENTRA с системой очистки воздуха 11.10.2026

Даже автомобили без двигателя внутреннего сгорания не являются полностью безвредными для окружающей среды. При движении любой автомобиль изнашивает шины и тормозные элементы, в результате чего в воздух и на дорожное покрытие попадают мельчайшие частицы. Студенты Эйндховенского технологического университета решили обратить внимание именно на этот мало заметный источник загрязнения и создали концептуальный электромобиль VENTRA, способный собирать часть таких загрязняющих веществ непосредственно во время движения. Проект разработала команда TU/ecomotive, которая оснастила VENTRA специальной системой улавливания частиц, образующихся при износе шин и торможении. Авторы концепта считают, что переход на электрическую тягу сам по себе не решает проблему автомобильных выбросов. Более тяжелые электромобили дополнительно нагружают шины, а их электродвигатели способны обеспечивать очень быстрое ускорение, что также может способствовать повышенному износу резины. Собранные около колес частицы си ...>>

Лазерное переключение магнитов 10.10.2026

Технологии хранения данных постоянно стремятся уменьшить размеры элементов памяти и одновременно увеличить скорость записи информации. Один из возможных путей связан с использованием света, который способен переносить энергию с огромной скоростью и воздействовать на очень небольшие области материала. Инженеры Университета Калифорнии в Сан-Диего (UC San Diego) продемонстрировали необычный способ управления магнитным состоянием вещества, при котором внешнее магнитное поле вообще не требуется. В обычных жестких дисках информация записывается в виде последовательности крошечных магнитных областей, соответствующих значениям 1 и 0. Для изменения их состояния обычно необходимо внешнее магнитное поле, однако такой способ требует значительных энергетических затрат и ограничивает скорость записи. Исследователи UC San Diego предложили альтернативу - так называемое оптическое переключение, при котором магнитное состояние изменяется под воздействием лазерного излучения. По оценкам специалистов, ...>>

Случайная новость из Архива Microsoft выпустит революционный смартфон 27.11.2016 Генеральный исполнительный директор Microsoft Сатья Наделла (Satya Nadella) заявил, что компания выпустит в 2017 г. революционное мобильное устройство - Surface Phone. Ннекоторые технологические подробности руководитель Microsoft рассказал в интервью общенациональной австралийской финансово-экономической газете Australian Financial Review. "Мы продолжаем оставаться на мобильном рынке, но не равняемся на его лидеров. Однако мы однозначно можем создать оптимальное мобильное устройство. Поэтому мы перестали делать гаджеты из разряда "и мне такой же", и сосредоточились на устройствах под определенные нужды клиента, которому требуется определенный набор возможностей", - рассказал Наделла. В качестве примера устройства, изменившего мобильный рынок, Наделла назвал смартфон HP Elite x3, флагманскую модель HP. Его особенность состоит в том, что, его можно использовать как ПК, подключив к нему мышь и клавиатуру. Речь может идти о девайсе, реализованном с учетом двух основных трендов, которые сейчас активно развивает компания: открытое ПО и облачные сервисы. Не исключено, что "революционное устройство" будет подключено к таким приложениям Microsoft как менеджер с функциями почтового клиента Outlook или блокнот-органайзер OneNote. То есть программы будут предустановлены на новом смартфоне, как это сейчас происходит по существующей договоренности с некоторыми Android-устройствами Asus и Samsung, на которые Microsoft Office ставится еще на заводе.

Другие интересные новости:

▪ TPA6211A1 - микросхема аудиоусилителя

▪ Микросхемы из бактерий

▪ Космические лучи - угроза колонизаторам Марса

▪ Образование на треть снижает риск инфаркта

▪ Найдена ближайшая к Земле черная дыра

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Звонки и аудио-имитаторы. Подборка статей

▪ статья Сатана там правит бал. Крылатое выражение

▪ статья Кто такой мечехвост? Подробный ответ

▪ статья Диагностика и техническое обслуживание тракторов и сельскохозяйственных машин. Типовая инструкция по охране труда

▪ статья О согласовании полуволновой антенны. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Простой лабораторный источник питания, 1,3-30 вольт 1,2 ампера. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026