Блокиратор пиратского телефона. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Телефония

 Комментарии к статье

Описываемое устройство предохраняет телефонную линию абонента от несанкционированного подключения "пиратского" аппарата.

В предлагаемом блокираторе применены некоторые схемные решения, изложенные в материалах, опубликованных в "Радио" ранее [1, 2].

Блокиратор прост в изготовлении, не требует дополнительного питания. Оно осуществляется от телефонной сети. Потребляемый ток - не более 160 мкА. Устройство собрано на общедоступных элементах, не нуждается в настройке.

Подключают блокиратор в разрыв телефонной линии на входе в квартиру, соблюдая полярность. Когда трубка лежит на аппарате, напряжение в линии составляет 60 В, при этом через стабилитрон VD4 в базу транзистора VT2 течет ток. Транзистор VT2 открыт. При снятии трубки напряжение в линии падает до 5... 15 В, стабилитрон VD4 закрывается. Если трубка была снята хозяином с аппарата, подключенного после блокиратора, открывается транзистор VT1, коллекторный ток которого поддерживает в открытом состоянии транзистор VT2. На его коллекторе и на управляющем входе ключа К1 низкий уровень. Ключ закрыт, и шунтирования телефонной линии не происходит.

Если же подключился "пиратский" телефон (до блокиратора), напряжение в линии падает, транзистор VT2 закрывается, так как транзистор VT1 и стабилитрон VD4 закрыты. Конденсатор C3 заряжается по цепи VD1, DA1, VD3, R3, R5, ключ К1 открывается и резистор R2 шунтирует пинию. Набор номера "пиратским" телефоном становится невозможным.

Стабилизатор тока DA1, стабилитрон VD2 и конденсатор С1 обеспечивают питание (3 В) транзистора VT2 и цепи R5C3 В моменты замыкания контактов номеронабирателя "пиратского" телефона конденсатор С2 обеспечивает подпитку конденсатора C3, а диод VD3 препятствует разрядке конденсатора С2 через стабилитрон VD2.

В устройстве применены конденсаторы: С1 и С2 - К50-16, C3 - КМ-6. Стабилитрон VD4 можно заменить на 2С220Ж, КС222Ж, 2С222Ж.

Устройство собрано навесным монтажом на плате размерами 21x41 мм.

Описанное устройство не сертифицировано, поэтому его можно применять только в составе офисных АТС и на линиях, не имеющих выхода в телефонную сеть общего пользования. Для повышения надежности устройства рекомендуем переход эмиттер-база транзистора VT2 зашунтировать резистором 1 МОм.

Литература

1. Ганженко Г., Коршун И. Против телефонных пиратов. - Радио. 1996. № 10, с 45.
2. Мовсун-заде К. "Сторож" вашего телефона.- Радио. 1997. № 11. с. 53

Автор: В.Давиденко, г.Санкт-Петербург

Смотрите другие статьи раздела Телефония.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Донорское сердце способно быстро перенимать биологический возраст реципиента 12.10.2026

Возраст органов определяется не только количеством прожитых лет. На молекулярном уровне ткани могут стареть с разной скоростью, а после пересадки, как показывают новые эксперименты, их биологические характеристики способны заметно меняться под воздействием организма, в который они попадают. Исследователи из Бостона обнаружили, что молодые донорские сердца после трансплантации довольно быстро приобретают признаки биологического возраста реципиента, тогда как более старые органы могут, напротив, демонстрировать признаки омоложения. Чтобы оценить эти изменения, ученые применили три так называемых "часа старения" - молекулярных инструмента, позволяющих приблизительно определять биологический возраст клеток и тканей. В отличие от обычного календарного возраста, такие показатели отражают состояние организма на уровне определенных молекулярных изменений. Именно их анализ позволил специалистам проследить, как меняются пересаженные сердца спустя несколько месяцев после операции. Основные ...>>

Samsung Galaxy Buds On: клипсы с искусственным интеллектом вместо внутриканальных наушников 12.10.2026

Беспроводные наушники превратились в одно из самых привычных персональных электронных устройств, однако их конструкция по-прежнему во многом определяется необходимостью размещать излучатель внутри или непосредственно у слухового канала. Компания Samsung решила попробовать другой подход. Представленная модель Galaxy Buds On получила формат наушников-клипсов, которые закрепляются непосредственно на ухе и оставляют слуховой канал открытым. Samsung позиционирует новинку как устройство для продолжительного ношения, тренировок и прогулок, а также для ситуаций, когда пользователю важно одновременно слушать музыку и не терять связь с окружающей обстановкой. В отличие от традиционных внутриканальных моделей, Galaxy Buds On практически не изолируют человека от внешнего мира. При этом речь идет не об экспериментальном прототипе или утечке: официальная информация об устройстве уже опубликована в Samsung Newsroom. Открытая конструкция имеет и очевидный недостаток - добиться такой же глубины н ...>>

Ферроэлектрики научились выдерживать более 10 миллиардов циклов перезаписи 11.10.2026

Энергонезависимая память должна не только быстро записывать и сохранять информацию без постоянного питания, но и выдерживать огромное количество циклов перезаписи. Одним из перспективных вариантов такой технологии считаются ферроэлектрические материалы, однако их практическое применение долгое время ограничивалось сравнительно быстрым разрушением. Исследователям удалось установить механизм этого процесса на атомном уровне и предложить способ, который значительно увеличивает срок службы таких материалов. Работу выполнила группа ученых из Университета электронной науки и техники Сианя (Xidian University) совместно с коллегами из Гонконгского университета и Фуданского университета. Особый интерес специалистов вызвали ферроэлектрики со структурой вюрцита, в частности нитрид алюминия-скандия (AlScN). Эти материалы способны сохранять информацию благодаря изменению направления электрической поляризации на атомном уровне и хорошо совместимы с современными технологиями производства микросхем ...>>

Случайная новость из Архива Память Samsung DRAM CXL 2.0 128 ГБ 10.05.2023 Компания Samsung представила первое в мире решение DRAM на базе нового стандарта CXL 2.0. Эта память DRAM емкостью 128 ГБ, предназначенная для использования в высокопроизводительных вычислительных устройствах и серверах. Над этим новым стандартом Samsung работала вместе с Intel. Память DRAM CXL 2.0 поддерживает PCIe 5.0 и использует 8 линий. Она обеспечивает скорость передачи данных до 35 Гбит/с. Новый стандарт CXL 2.0 (в отличие от предыдущего поколения) теперь поддерживает пул памяти. Такой метод управления памятью связывает несколько блоков памяти на сервере для создания пулов памяти и позволяет хостам динамически распределять память пулов в зависимости от их потребностей. Это повышает общую эффективность и снижает эксплуатационные расходы. Пока что такая память предназначена лишь для применения в серверных системах. Производители все еще работают над памятью CXL потребительского уровня. Samsung сообщила, что намерена запустить массовое производство памяти DRAM CXL 2.0 в конце этого года. Она предложит своим клиентам различные размеры устройств для систем высокопроизводительных вычислений и серверов. Эти решения могут увеличить пропускную способность и емкость основной памяти DRAM на сервере, обеспечивая более высокую производительность искусственного интеллекта и машинного обучения.

Другие интересные новости:

▪ Автономный боевой робот

▪ Космические снимки сверхвысокого разрешения на продажу

▪ Микросхемы радиочастотных синтезаторов STW81101 и STW81102

▪ Ремешок для смарт-часов Apple предупредит сердечный приступ

▪ Робот предугадывает, что скажет человек

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Предварительные усилители. Подборка статей

▪ статья Кит Китыч. Крылатое выражение

▪ Какие события послужили причиной Первой мировой войны? Подробный ответ

▪ статья Системный администратор. Должностная инструкция

▪ статья Усилитель с синфазным стабилизатором режима. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Как обнаружить электрический ток. Химический опыт

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026