Мощная светодиодная лампа. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Освещение

 Комментарии к статье

При разработке предлагаемого устройства была поставлена задача создания светодиодной лампы, потребляющей от сети 220 В меньше 10 Вт, с большей по сравнению с лампой накаливания мощностью 100 Вт яркостью свечения. Основой преобразователя напряжения блока питания светодиода выбрана микросхема HVLED805 [1]. Она позволяет стабилизировать ток светодиодной нагрузки без использования оптронов, датчиков напряжения и тока в цепи нагрузки, в результате чего блок питания существенно упрощается. Проектирование было облегчено программой автоматизированного расчета преобразователя, о которой подробно рассказано в статье [2].

Рис. 1 (нажмите для увеличения)

Стабильный ток через примененный светодиод SPHCWTHDD803WHROJC при 9 Вт потребляемой мощности должен быть равен 0,51 А (см. табл. 2 в [3]), что примерно на 10% больше вычисленного программой максимального тока 0,45 А. После увеличения предложенного программой типоразмера магнитопровода с ЕЕ13 до ЕЕ16 необходимо проверить, что преобразователь сможет обеспечить требуемый режим светодиода. Убедиться в этом позволит контроль параметров изготовленного устройства. Для корректирования режима преобразователя потребуется заново пересчитать сопротивления резисторов в делителе импульсного напряжения, подаваемого на вывод DMG микросхемы, а также датчика тока. Для этого необходимо воспользоваться расчетными формулами из справочного листка [1] или технического описания микросхемы [4]. Также можно применить приложенную к статье разработанную автором электронную таблицу Iamp805.xls. Такой откорректированный результат проектирования преобразователя для питания светодиода SPHCWTHDD803WHROJC стабилизированным током 0,51 А иллюстрирует принципиальная схема, показанная на рис. 1.

Терморезистор RK1 уменьшает импульс тока в момент включения в сеть. Диодный мост VD1 выпрямляет напряжение сети Конденсаторы С1 и С2 сглаживают пульсации выпрямленного напряжения. Эти конденсаторы и дроссель L1 образуют фильтр, который подавляет импульсные помехи из питающей сети, а также препятствует проникновению в нее высокочастотных пульсаций, создаваемых преобразователем. Импульсный трансформатор Т1 имеет одну первичную обмотку (I) и две вторичные (II и III). Первичная (I) зашунтирована цепью из встречно-последовательно соединенных защитного диода VD2 и обычного VD3, которая ограничивает напряжение на этой обмотке и тем самым защищает от пробоя выходной мощный полевой транзистор микросхемы HVLED805 (DA1). Исток этого транзистора (выводы 1 и 2) соединен с общим проводом микросхемы (вы вод 4) через резистор R4, выполняющий функцию датчика тока.

Обмотка II трансформатора Т1 использована для питания микросхемы DA1. Выпрямленное диодом VD4 и сглаженное конденсатором С6 напряжение подано на вывод питания VCC. Резистор R5 ограничивает амплитуду импульсов тока через диод VD4. Также сигнал с обмотки II через резисторный делитель R1R2 подается на вывод 6 микросхемы DA1. Обрабатывая этот сигнал, микросхема может управлять напряжением на светодиоде EL1 и текущим через него током, о чем рассказано в статье [1].

Обмотка III использована для питания светодиода EL1. Напряжение с этой обмотки выпрямляет диод VD5, высокочастотные пульсации подавляет конденсатор С8, низкочастотные - С9. Резистор R6 - минимальная нагрузка блока питания. Цепь частотной компенсации R3C3C4 предотвращает паразитную генерацию преобразователя на частотах выше основной. Конденсатор С5, подключенный к выводу 5 микросхемы DA1, использован дли стабилизации тока через светодиод EL1, о чем также рассказано в статье [1].

Рис. 2

Преобразователь смонтирован на печатной плате (рис. 2) из односторонне фольгированного стеклотекстолита толщиной 1,2 мм. Плата рассчитана на элементы для поверхностного монтажа типоразмера 0805 и элементы, монтируемые в отверстия. Она закреплена в лампе тремя винтами на изоляционных стойках. При разработке платы учтено, что печатный проводник, соединенный с выводом стока мощного коммутирующего транзистора в микросхеме (DRAIN), служит для него теплоотводом.

Импульсный трансформатор Т1 намотан на магнитопроводе ЕЕ16/8/5. Обмотка I содержит 120 витков провода ПЭЬТЛ-2 диаметром 0,21 мм (индуктивность обмотки - 2 мГн), обмотка II - 17 витков ПЭТВ-2 диаметром 0,1 мм, обмотка III - 20 витков литцендрата 10x0,12 мм. При намотке на каркасе с использованием межобмоточной и межслойной изоляции размещают последовательно первую секцию обмотки I из 60 витков, затем обмотку III и вторую секцию обмотки I из 60 витков, последней - обмотку II. Секции обмотки I соединяют на свободном выводе трансформатора, этот вывод в плату не запаивают. Для получения требуемой индуктивности первичной обмотки потребовалось алмазным надфилем укоротить центральный керн до образования немагнитного зазора 0,17 мм.

Дроссель L1 индуктивностью 0,47... 1 мГн взят от неисправной энергосберегающей лампы. Диоды VD2 и VD3 соединены в общей точке навесным монтажом. Резистор R4 (датчик тока) составлен из двух параллельно соединенных резисторов R4.1 и R4.2 по 2,2 Ома, 0,125 Вт.

Рис. 3

Конструктивно светодиодная лампа выполнена на основе неисправной компактной люминесцентной лампы мощностью 26 Вт, из которой удалены ЭПРА и спиральный баллон. В оставшемся пластиковом корпусе со стороны крепления теплоотвода выпилено окно шириной 25 мм, куда помещена плата преобразователя так, чтобы печатные проводники и элементы поверхностного монтажа были обращены к теплоотводу, как показано на рис. 3. Края печатной платы шириной 24 мм приклеены нитроклеем в месте соприкосновения с корпусом лампы. К корпусу привинчен теплоотвод диаметром 60 мм и высотой 43 мм, к которому с применением теплопроводящей пасты КПТ-8 четырьмя винтами М2 прижат светодиод EL1. Эффективная охлаждающая поверхность теплоотвода - около 300 см2.

В процессе испытаний проверен режим светодиода EL1: прямое напряжение на нем 18 В при токе 0,52 А. Этот режим оставался стабильным при изменении напряжения питания с помощью лабораторного автотрансформатора в пределах 176...254 В. При необходимости ток светодиода может быть скорректирован подбором резисторов R4.1 и R4.2, образующих датчик тока R4.

При первом включении проконтролированы пиковое значение и форма тока коммутирующего транзистора по падению напряжения на датчике тока - резисторе R4. Форма импульсов тока - пилообразная. Измеренное пиковое значение 0,28 А меньше промоделированного программой максимального значения 0,303 А. В результате подтверждено отсутствие насыщения магнитопровода.

Проверено функционирование преобразователя в режимах короткого замыкания и обрыва нагрузки. Результаты этих испытаний совпали с расчетами по программе. При токе нагрузки 0,2 А преобразователь работает в режиме пропуска одной впадины на частоте 132 кГц. При увеличении тока нагрузки до 0,4 А коммутация происходит на первой впадине, частота увеличивается до 140 кГц. С дальнейшим увеличением тока нагрузки до 0,53 А частота снижается до 105 кГц.

В режиме замыкания нагрузки преобразователь формирует с частотой 13,5 кГц короткие импульсы длительностью чуть менее 2 мкс. Без нагрузки (светодиода) преобразователь поддерживает на выходе напряжение около 20 В, генерируя пачки импульсов с частотой 2,17 кГц.

Измеренный КПД преобразователя - 82 % при напряжении сети 220 В. Измерения показали, что температура микросхемы в установившемся тепловом режиме не превышает 54 °С. В светодиодной лампе (рис. 3) температура корпуса светодиода в установившемся режиме не превышает 62 °С. С учетом теплового сопротивления перехода кристалл-корпус 2,24 °С/Вт можно оценить температуру кристалла 62+9-2,24=82 °С, что намного меньше максимально допустимого значения 150 “С [3] и вполне приемлемо с точки зрения обеспечения долговечности прибора.

Рис. 4

Для сравнения светодиодной лампы с лампой накаливания мощностью 100 Вт свет обеих ламп с одинакового расстояния направлен на пластину из молочного оргстекла. Как видно на рис. 4, световое пятно от светодиодной лампы, расположенное справа, заметно ярче, чем от лампы накаливания.

Литература

1. Косенко С. Микросхема HVLED805 для импульсных сетевых блоков питания - Радио, 2012, № 11, с. 40-42.
2. Косенко С. Расчет ИИП на микросхемах серии VlPer-plus. - Радио. 2012, № 12, с. 19, 20.
3. SPECIFICATION MODEL: SPHCWTHDD803 WHROJC. - simpex.ch/fileadmin/bereiche/systemkomponen ten/News/24082011/SPHCWTHDD803WHR0JC.pdf.
4. Off-line LED driver with piimary-sensing HVLED805. - st.com/internet/com/TECHNICAL_RESOURCES/TECHNICAL_LITERATURE/DATASHEET/CD00287280.pdf.

Автор: С. Косенко

Смотрите другие статьи раздела Освещение.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Экраны влияют на детей неравномерно в разном возрасте 01.08.2026

Планшеты и смартфоны давно стали привычной частью повседневной жизни даже самых маленьких детей. Родители часто используют гаджеты, чтобы успокоить малыша или занять его на время, однако ученые все чаще задаются вопросом, как экранное время сказывается на развитии мозга и будущей способности к обучению. Новое исследование показывает, что значение имеет не только продолжительность просмотра, но и возраст, в котором ребенок проводит время перед экраном. Ученые наблюдали детей от рождения до 8 лет. Оказалось, что больше всего экраны влияют на мозг в два периода - в раннем младенческом возрасте и перед поступлением в школу. У детей, много времени проводивших перед экранами в эти возрастные точки, в 9 лет были несколько хуже успехи в обучении, а в 10,5 лет хуже работала рабочая память - способность удерживать и обрабатывать информацию здесь и сейчас. Исследователи из Франции и Сингапура проанализировали данные 502 детей и выделили два ключевых этапа. У младенцев мозг развивается очень ...>>

Умные жилеты, спасающие от жары 01.08.2026

Летняя жара в больших городах все чаще становится серьезным испытанием для людей, работающих на открытом воздухе. Мусорщики, строители и другие специалисты вынуждены проводить часы под палящим солнцем, рискуя перегревом. Китайские инженеры предложили практичное решение - специальные охлаждающие жилеты, которые помогают снизить ощущаемую температуру примерно на 10 градусов. Пока мир страдает от сильной жары, китайские инженеры разработали "умные" жилеты с климат-контролем. Жилеты с кондиционированием почти не отличаются от обычной рабочей одежды. Главное отличие - в системе охлаждения. В городе Нанкин в жилет вмонтированы два вентилятора, работающих от портативных аккумуляторов. Одного заряда хватает на 3-4 часа непрерывной работы. В Чанчжоу решили разместить в карманах охлаждающие элементы с материалом, который при нагревании переходит из твердого состояния в жидкое, активно поглощая тепло. Это поддерживает комфортную температуру в течение 2,5-4 часов. Такие жилеты выглядят почти ...>>

Летающие ветротурбины 3 МВт вышли в серию 31.07.2026

Традиционные ветряные электростанции зависят от силы и стабильности ветра у поверхности земли, где воздушные потоки часто бывают слабыми и порывистыми. На больших высотах ветер обычно сильнее и постояннее, поэтому инженеры уже давно рассматривают возможность подъема турбин в воздух. Китайская компания сделала важный шаг в этом направлении, перейдя от испытаний к мелкосерийному производству. Компания Beijing Linyi Yunchuan Energy Technology запустила мелкосерийное производство летающей ветротурбины S2000, а в провинции Чжэцзян возводят отдельный завод по производству материалов для оболочки аппарата. У компании уже есть предварительные договоренности с прибрежными городами и горными регионами, которые рассматривают возможность использования этой технологии для удовлетворения собственных энергетических потребностей. Прототип, который полгода назад только что поднялся в небо над Сычуанем, теперь превращается в целую отрасль. Идея S2000 проста: вместо того чтобы устанавливать ветряну ...>>

Случайная новость из Архива Планшетофон No.1 N3 Advanced с камерой 21 Мп 24.10.2013 Как известно, китайская компания под названием No.1 (как и некоторые другие) специализируется на копировании дизайна мобильных устройств других брендов. Например, смартфон No.1 S6 полностью копирует дизайн флагманского смартфона Samsung Galaxy S4. В ассортименте компании появилась ещё одна модель под названием No.1 N3 Advanced. Данный аппарат является копией планшетофона Samsung Galaxy Note 3. По словам источника, устройство No.1 N3 Advanced является первым в мире смартфоном с камерой разрешением 21 Мп. Диагональ экрана составляет 5,7 дюйма, разрешение которого равно 1280 x 720 пикселей. Сердцем планшетофона служит четырёхъядерный процессор MediaTek MT6589T, работающий на частоте 1,5 ГГц. За обработку графики отвечает PowerVR SGX544. В качестве операционной системы используется Android 4.2 Jelly Bean. Объём оперативной памяти равен 2 ГБ, а встроенной флэш-памяти - 32 ГБ. Присутствует слот для карт памяти формата microSD. Помимо уже озвученной основной камеры разрешением 21 Мп, обладающей автофокусом и светодиодной вспышкой, присутствует фронтальная - разрешением 5 Мп. Планшетофон No.1 N3 Advanced способен поддерживать связь в сетях 3G и при массе 168 г имеет габариты 151,2 x 79,2 x 8,3 мм. Присутствуют модули Wi-Fi стандарта 802.11a/b/g/n и Bluetooth. Ёмкость аккумуляторной батареи составляет 2800 мА·ч. Цена устройства составляет 300 долл.

Другие интересные новости:

▪ Компактный цифровой телескоп Dwarf 3

▪ Внешний аккумулятор Meizu емкостью 10 000 мАч с технологией быстрой зарядки

▪ Плеер Apple iPod

▪ Создан самый легкий материал для экранирования электромагнитных волн

▪ Южная Корея откажется от АЭС

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта ВЧ усилители мощности. Подборка статей

▪ статья Внутренние болезни. Конспект лекций

▪ статья На скольких языках разговаривают нигерийцы? Подробный ответ

▪ статья Валериана аптечная. Легенды, выращивание, способы применения

▪ статья Автомобильный стробоскоп из лазерной указки. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Ветряной двигатель. Физический эксперимент

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026