Кодовый замок. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Охранные устройства и сигнализация объектов

 Комментарии к статье

Предлагаемый вариант электронного кодового замка отличается от аналогичных трехкнопочных замков простотой и повышенной секретностью. Запись кода после его набора осуществляется не однократным, а многократным нажатием соответствующей кнопки, причем различным для разных кодов.

Схема кодового замка представлена на рис.1. В нее входят кнопки: SB1 - записи кода, SB2 - занесения кода, SB3 - сброса, а на элементах R1, R2, С1, DD1.1, DD1.2 и R3. R4, С2. DD1.3. DD1.4 собраны схемы для подавления дребезга контактов [1]. На счетчике DD3 реализовано кодирующее устройство - код устанавливается соответствующей коммутацией выходов счетчика DD3; не задействованные в коде выходы через диоды VD2...VD5 с помощью элементов DD2.3, DD2.4, VD6 формируют сигнал "сброс", поступающий на входы R счетчиков DD4, DD5 в случае неправильного набора кода. Элементы DD2.1, DD2.2 предназначены для записи кода в счетчики OD4, DD5. Диоды VD7, VD8 формируют сигнал "Сброс" на входах R счетчиков DD4, DD5 в случае неправильной записи кода. Элементы DD6.1. R8, R9, С4, DD6.2, VD9 формируют задержанный на 4 с сигнал "сброс". Задержка необходима для срабатывания исполнительного устройства. Элементы DD6.3, DD6.4 открывают транзистор VT1 при правильно набранном и занесенном коде. Контакты реле К1 коммутируют исполнительное устройство. Источник питания, состоящий из VD12, R11, VD11, С5 (без сетевого трансформатора с гасящим резистором), построен по традиционной схеме.

Рис.1 (нажмите для увеличения)

Работает кодовый замок следующим образом. Сначала необходимо кратковременно нажать кнопку SB3, при этом на входах R счетчиков DD3, DD4, DD5 появляется высокий уровень - и счетчики обнуляются. Затем нажатием кнопки SB2 заносят код согласно коммутации выходов счетчика DD3. В данном случае кнопку SB2 необходимо нажать два раза, чтобы на выводе 4 счетчика DD3 появился высокий уровень, на остальных выходах должны быть низкие уровни. Теперь кнопкой SB1 необходимо записать в счетчик DD4 сигнал с вывода 4 DD3. Для этого кнопку SB1 необходимо нажать два раза, и на выводе 4 счетчика D04 появится высокий уровень. Далее снова кнопкой SB2 заносят код в DD3, нажав ее шесть раз, при этом на выводе 10 счетчика DD3 появится высокий уровень. Затем кнопкой SB1 необходимо занести сигнал в DD5, для этого ее нажимают четыре раза, и на выводе 5 счетчика DD5 появляется высокий уровень. С выходов счетчиков высокие уровни поступают на выводы 1, 2 и 8, 9 элементов DD6.1, DD6.3. В результате на выводе 11 элемента DD6.4 появляется высокий уровень, который открывает транзистор VT1. Срабатывает реле К1, контакты К1.1 замыкаются, включая исполнительное устройство. На выводе 3 DD6.1 устанавливается низкий уровень. Конденсатор С4, заряженный до напряжения питания через резистор R9, медленно разряжается через резистор R8. Как только напряжение на С4 и на выводах 5, 6 элемента DD6.2 достигает низкого уровня, на выводе 4 элемента DD6.2 устанавливается высокий уровень, который обнуляет счетчики DD4, DD5. Транзистор VT1 закрывается, контакты К1.1.размыкаются.

В качестве исполнительного устройства можно использовать готовый электромагнит типа МИС1100Е43, который обеспечивает тяговое усилие 1.5 кг и ход рабочей части 15 мм. Схема управления исполнительным устройством изображена на рис.2 [2].

Рис.2

Поскольку кодовый замок питается от сети 220 В без понижающего трансформатора, наладку устройства необходимо производить от дополнительного источника питания (10...12 В). Подбором С4 добейтесь необходимого времени удерживания электромагнита. В дежурном режиме кодовый замок потребляет 5 мА. Во время срабатывания кодовый замок потребляет 40 мА (без учета тока, потребляемого исполнительным устройством с электромагнитом).

Детали и конструкция

Кнопки SB1...SB3 могут быть типа ПКнб-1. Микросхема К176ЛА7 заменяется на К561ЛА7. Диод КД522Б заменяется на любой из серий КД520. КД521. Транзистор КТ3102Б заменяется на КТ315Б. Диодный блок КЦ405А заменяется на КЦ407А или на четыре диода, подходящих по напряжению. Стабилитрон Д814Д можно заменить на Д814В, Д814Г. Реле К1 - РЭС60 (0202).

Устройство необходимо разместить в металлическом корпусе и закрепить на неподвижной створке двери или косяке внутри помещения. Кнопки SB1...SB3 необходимо вывести наружу, соединив с устройством проводниками минимальной длины. Знак "корпус" (общий провод) использован только для упрощения графики схемы. Соединять общий провод с корпусом устройства или заземлять нельзя.

Смену кода осуществляйте изменяя коммутацию выходов счетчиков DD3, DD4, DD5 и меняя кнопки SB1...SB3 местами.

Литература

1. Бирюков С.А. Цифровые устройства на МОП-интегральных микросхемах. - М.: Радио и связь, 1996.
2. Евсеев А.Н. Электронные устройства для дома. - М.: Радио и связь, 1994.

Автор: М.Чуруксаев, г.Качканар, Свердловск обл., РЛ 4/99; Публикация: Н. Большаков, rf.atnn.ru

Смотрите другие статьи раздела Охранные устройства и сигнализация объектов.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Лабораторная модель прогнозирования землетрясений 30.11.2025

Предсказание землетрясений остается одной из самых сложных задач геофизики. Несмотря на развитие сейсмологии, ученые все еще не могут точно определить момент начала разрушительного движения разломов. Недавние эксперименты американских исследователей открывают новые горизонты: впервые удалось наблюдать микроскопические изменения в контактной зоне разломов, которые предшествуют землетрясению. Группа под руководством Сильвена Барбота обнаружила, что "реальная площадь контакта" - участки, где поверхности разлома действительно соприкасаются - изменяется за миллисекунды до высвобождения накопленной энергии. "Мы открыли окно в сердце механики землетрясений", - отмечает Барбот. Эти изменения позволяют фиксировать этапы зарождения сейсмического события еще до появления традиционных сейсмических волн. Для наблюдений ученые использовали прозрачные акриловые материалы, через которые можно было отслеживать световые изменения в зоне контакта. В ходе искусственного моделирования примерно 30% ко ...>>

Музыка как естественный анальгетик 30.11.2025

Ученые все активнее исследуют немедикаментозные способы облегчения боли. Одним из перспективных направлений становится использование музыки, которая способна воздействовать на эмоциональное состояние и когнитивное восприятие боли. Новое исследование международной группы специалистов демонстрирует, что даже кратковременное прослушивание любимых композиций может значительно снижать болевые ощущения у пациентов с острой болью в спине. В эксперименте участвовали пациенты, обратившиеся за помощью в отделение неотложной помощи с выраженной болью в спине. Им предлагалось на протяжении десяти минут слушать свои любимые музыкальные треки. Уже после этой короткой сессии врачи фиксировали заметное уменьшение интенсивности боли как в состоянии покоя, так и при движениях. Авторы исследования подчеркивают, что музыка не устраняет саму причину боли. Тем не менее, она воздействует на эмоциональный фон пациента, снижает уровень тревожности и отвлекает внимание, что в сумме приводит к субъективном ...>>

Алкоголь может привести к слобоумию 29.11.2025

Проблема влияния алкоголя на стареющий мозг давно вызывает интерес как у врачей, так и у исследователей когнитивного старения. В последние годы стало очевидно, что границы "безопасного" употребления спиртного размываются, и новое крупное исследование, проведенное международной группой ученых, вновь указывает на это. Работы Оксфордского университета, выполненные совместно с исследователями из Йельского и Кембриджского университетов, показывают: даже небольшие дозы алкоголя способны ускорять когнитивный спад. Команда проанализировала данные более чем 500 тысяч участников из британского биобанка и американской Программы миллионов ветеранов. Дополнительно был выполнен метаанализ сорока пяти исследований, в общей сложности включавших сведения о 2,4 миллиона человек. Такой масштаб позволил оценить не только прямую связь между употреблением спиртного и развитием деменции, но и влияние генетической предрасположенности. Один из наиболее тревожных результатов касается людей с повышенным ге ...>>

Случайная новость из Архива 32-Гбит ReRAM-чип 23.02.2013 Ещё в начале января в предварительной программе конференции ISSCC 2013 появился анонс интересного совместного доклада компаний SanDisk и Toshiba о разработке первой в отрасли микросхемы ReRAM (резистивная память) ёмкостью 32 Гбит. И вот стали доступны некоторые подробные сведения о новинке. Чип выпущен с использованием 24-нм техпроцесса. Площадь одной ячейки составляет 24 х 24 нм, а площадь всего кристалла - 130,7 мм2. Размер страницы памяти составляет 2 килобайта. Значения задержек для чтения и записи составляют 40 и 230 мкс соответственно. В традиционной архитектуре ReRAM с перекрёстной точкой используются проводящие оксиды металлов. Селективные устройства располагаются в местах пересечения горизонтальных строк и вертикальных битовых линий, а ячейки формируются в одной плоскости с другими схемами. В новом чипе формируется двухслойный массив ячеек памяти на совместно разделяемых регистрах страниц и усилителях считывания. Это позволило повысить плотность размещения компонентов. Как отмечает источник, такой подход похож на технологию компании Matrix Semiconductor, которую купила SanDisk.

Другие интересные новости:

▪ Выражение собачьей морды зависит от внимания человека

▪ Высокопроизводительные коммутаторы Allied Telesis x930

▪ Смартфон LG Flex

▪ Кишечные паразиты помогают забеременеть

▪ Астероидов стало меньше

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Инструмент электрика. Подборка статей

▪ статья Латинский язык для медиков. Конспект лекций

▪ статья Кто из киевских князей первым принял христианство? Подробный ответ

▪ статья Тростник обыкновенный. Легенды, выращивание, способы применения

▪ статья Автоматический противоослепляющий фонарь для автомобиля. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Методы питания и исполнение магнитных рамочных антенн. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2025