Прибор для контроля ЭПС. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Измерительная техника

 Комментарии к статье

Прибор предназначен для измерения эквивалентного последовательного сопротивления (ЭПС, в зарубежной литературе - ESR) конденсаторов. Он имеет два переключаемых интервала измерения: на первом можно проверять конденсаторы емкостью более 1 мкФ (пределы измерения сопротивления приблизительно от 1 до 30 Ом), на втором - более 10 мкФ (от 0,25 до 10 Ом).

Рис. 1 (нажмите для увеличения)

Схема прибора показана на рис. 1. На таймере DA1 собран генератор, частоту которого 100 кГц задают резистор R1 и конденсатор С1. С выхода генератора переменное напряжение подается на измерительные резисторы R4, R5, подключенные параллельно щупам (контакты ХР1, ХР2).

На микросхеме DA2 и микроамперметре РА1 собран милливольтметр, который измеряет напряжение на параллельно соединенных резисторах R4, R5 (или только R5) и проверяемом конденсаторе. Его чувствительность можно регулировать подбором резистора R8: при уменьшении сопротивления чувствительность увеличивается.

Переменный резистор R9 служит для установки значения "∞" на шкале микроамперметра РА1, включенного в диагональ моста.

Проверяемый конденсатор подключают к щупам, измеренное значение ЭПС считывают со шкалы микроамперметра. Каждый щуп подключен тремя проводами согласно схеме. Длина этих проводов не должна превышать 25 см. Такое подключение позволило получить сопротивление, при замыкании щупов не превышающее 0,15 Ом, что вполне достаточно для проверки любых конденсаторов емкостью не менее одной микрофарады.

В устройстве применена измерительная головка М4762 - индикатор уровня записи от магнитофонов старых выпусков - с током полного отклонения 100...150 мкА. Диоды VD1, VD2 защищают милливольтметр при проверке неразряженных конденсаторов.

Напряжение питания подается на генератор и милливольтметр через LC-фильтры L1C5 и L2C11 соответственно. Индуктивность дросселей L1, L2 должна быть не менее 50 мкГн.

Конденсатор С2 может быть оксидным на напряжение не менее 6,3 В, в этом случае его плюсовой вывод соединяют с выводом 3 микросхемы DA1.

Рис. 2

Прибор собран на двух печатных платах из фольгированного с одной стороны стеклотекстолита: на одной собран генератор (рис. 2), на второй - милливольтметр (рис. 3). Оксидный конденсатор С12 - К50-16 или импортный, остальные - КМ, постоянные резисторы - МЛТ 0,125, переменный - СП3-16. На плате генератора со стороны печатных проводников запаивают перемычку из изолированного провода, соединяющую выводы 2 и 6 микросхемы DA1. Диоды и резисторы монтируют перпендикулярно платам.

Рис. 3

В случае отсутствия микросхемы К548УН1А милливольтметр можно собрать на транзисторах серии КТ315 или подобных с коэффициентом передачи тока не менее 100. Схема такого варианта показана на рис. 4. Чертеж печатной платы из фольгированного с одной стороны стеклотекстолита для транзисторного милливольтметра показан на рис. 5.

Рис. 4

Конструктивно измеритель собран в корпусе стандартной телефонной розетки. На рис. 6 показано расположение плат и элементов. Резисторы R4, R5 припаивают к контактам выключателя SA1, а конденсатор С10 - к выводам микроамперметра. Имеющиеся розетки RJ11 могут быть использованы для подведения напряжения питания, а также для подключения внешнего микроамперметра с током полного отклонения не более 50 мкА или цифрового мультиметра.

Рис. 5

Питается прибор напряжением 5 В от маломощного стабилизированного блока питания, например, зарядного устройства для сотового телефона, потребляемый ток не превышает 8 мА.

Рис. 6

В налаживании прибор с микросхемным милливольтметром не нуждается. В транзисторном варианте следует убедиться, что напряжение на коллекторе транзистора VT2 находится в пределах 2...2,5 В. При необходимости это напряжение устанавливают подбором резистора R5 - уменьшение сопротивления резистора приводит к увеличению напряжения на коллекторе транзистора, и наоборот.

Градуируют прибор подключением вместо проверяемого конденсатора резисторов сопротивлением от 1 до 30 Ом, когда выключатель SA1 разомкнут. Когда же он замкнут, сопротивление градуировочных резисторов выбирают в интервале от 0,25 до 10 Ом.

Автор: В. Календо

Смотрите другие статьи раздела Измерительная техника.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Дети, растущие рядом с природой, обретают крепкие кости 02.03.2026

Влияние окружающей среды на здоровье человека становится все более очевидным, особенно в детском возрасте. Новое исследование, опубликованное в журнале JAMA Network Open, показывает, что близость к природе напрямую связана с крепостью костей у детей. Ученые установили, что у детей, чьи дома окружены природными территориями в радиусе 1000 метров на 25% больше обычного, риск развития крайне низкой плотности костей снижается на 65%. Для проведения исследования были проанализированы данные более 300 детей, проживающих в городских, пригородных и сельских районах Фландрии в Бельгии. Плотность костной ткани у детей в возрасте от четырех до шести лет оценивалась с помощью ультразвуковых методов. Такой подход позволил безопасно и точно измерить состояние костей на ранних этапах формирования скелета. При анализе учитывались ключевые факторы, влияющие на рост и развитие детей: возраст, вес, рост, этническая принадлежность и уровень образования матери. На основании этих параметров исследоват ...>>

Самовосстанавливающаяся инфраструктура будущего 02.03.2026

Современные мосты и бетонные конструкции по всему миру сталкиваются с проблемой устаревания и износа. Многие сооружения, построенные до 1980-х годов, постепенно теряют свою несущую способность, что требует дорогого ремонта или полной замены. Недавние разработки ученых из Швейцарских федеральных лабораторий материаловедения и технологий (Empa) предлагают инновационное решение - систему укрепления бетонных конструкций с помощью "умной стали", способной самостоятельно устранять трещины и повреждения. В основе новой технологии лежит арматура из сплава на основе железа с эффектом памяти формы (Fe-SMA). Этот материал обладает уникальным свойством: при нагревании до 190-200 °C стержни стремятся вернуться к своей первоначальной конфигурации. В бетонной конструкции это создает внутреннее напряжение, которое затягивает трещины и выравнивает деформированные элементы, существенно повышая прочность и долговечность сооружений. Актуальность разработки объясняется критическим состоянием инфрастр ...>>

Поцелуи полезны для здоровья 01.03.2026

Вопрос о том, как социальные связи и близость с партнером отражаются на здоровье человека, привлекает внимание не только психологов, но и специалистов в области микробиологии. Новое исследование показывает, что совместное проживание с любимым человеком может оказывать значительное влияние на микробиом кишечника и общее самочувствие. Доктор Наоми Миддлтон, клинический психологи и эксперт по здоровью кишечника, объяснила, что все аспекты совместной жизни - поцелуи, совместное питание, физическая близость и даже просто пребывание рядом - тесно связаны с поддержанием сбалансированной кишечной микрофлоры. Она подчеркивает, что здоровье экосистемы кишечника во многом определяется социальными взаимодействиями и повседневной близостью с другими людьми. По словам Миддлтон, длительное совместное пребывание с партнером может способствовать увеличению микробного разнообразия в кишечнике, а также снижать воспалительные процессы, связанные со стрессом. Такой эффект обусловлен тем, что микробио ...>>

Случайная новость из Архива Обнаружен новый вид черных дыр 01.04.2020 Астрономы при помощи космического телескоп "Хаббл" обнаружили первые доказательства нового типа черной дыры, о которой до сих пор высказывали только гипотезы. До этого открытия ученые находили только гигантские черные дыры с массой в сотни миллионов наших Солнц, либо очень "крохотные" с массой в пять солнечных. Однако промежуточного звена найти не удавалось, были только косвенные доказательства о том, что они постепенно растут, сливаясь между собой. Эти черные дыры промежуточной массы (IMBH) образуют "недостающее звено" в эволюции черных дыр. Но этот тип объектов крайне трудно найти. В качестве отправной точки для своих исследований, ученые взяли данные из рентгеновской обсерватории Чандра NASA и X-ray Multi-Mirror Mission (Рентгеновской многозеркальной миссии) Европейского космического агентства. Эти телескопы наблюдали за длинной волны рентгеновского излучения и обнаружили мощную вспышку от неизвестного источника в 2006 году. Направив "Хаббл" на источник этих рентгеновских лучей, команда смогла определить источник излучения - он был не из центра галактики, где, как правило, находится сверхмассивная черная дыра. Выяснилось, что источником рентгеновских лучей было звездное скопление на краю галактики. В нем рентгеновские лучи испускались, когда промежуточная черная дыра в центре поглощала ближайшую звезду. Это открытие представляет собой наилучшее свидетельство идентификации IMBH. И это открытие поможет науке ответить на многие вопросы о черных дырах всех размеров. "Изучение происхождения и эволюции черных дыр промежуточной массы даст ответ ученым о том, как возникли сверхмассивные черные дыры, которые мы находим в центрах массивных галактик", - объясняет астрофизик Натали Уэбб из Французского университета в Тулузе.

Другие интересные новости:

▪ Концептуальный автомобиль GM Precept

▪ Дешифратор замыленного текста

▪ Акселерометр ST Microelectronics LIS3DHH

▪ Робот-официант Servi

▪ Характеры и музыкальные вкусы

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Должностные инструкции. Подборка статей

▪ статья Мартышкин труд. Крылатое выражение

▪ статья За какой мультфильм его автору вручили сразу 8 статуэток Оскара? Подробный ответ

▪ статья Начальник коммерческого отдела. Должностная инструкция

▪ статья Выбор своего первого металлоискателя. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Транзисторы полевые. Цветовая маркировка и аналоги. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026