Быстродействующий (3-4 секунд) измеритель температуры. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Регуляторы мощности, термометры, термостабилизаторы

 Комментарии к статье

Этот прибор, работающий по принципу измерительного моста, позволяет за 3...4 с определить температуру работающей микросхемы, резистора или другой детали радиотехнического устройства с точностью не хуже 0,1 С. Во многих случаях он может значительно ускорить ремонт сложной аппаратуры, собранной даже на микросхемах структуры КМОП. Поиск неисправной микросхемы основан на определении повышенного тепловыделения радиокомпонента, что, как правило, связано с нарушением его электрического режима работы.

Диапазонов измерения, устанавливаемых переключателем SA3, два: 0...+40°С (I) и +10...+30 °С (II). Пределы диапазонов могут быть смещены резистором R9 "Начальная установка" при калибровке прибора перед измерением или расширены подстроечными резисторами R6 и R7 в процессе регулировки сконструированного прибора.

Высокая скорость измерения достигнута благодаря использованию в качестве термодатчика терморезистора СТ3-19 (R10), обладающего малой массой. Конструктивно терморезистор размещают на конце корпуса шариковой авторучки и соединяют с прибором отрезком витого двупроводного кабеля длиной 0,6...1 м. Разъем Х3 - любой.

Рис. 1

Устройство можно питать как от внутреннего источника напряжением 4,5 В (GB1), так и от внешнего с таким же напряжением, подключенного к гнездам X1, Х2.

Микроамперметр РА1 - М1691 на ток полного отклонения стрелки 10 мкА, с нулем посредине шкалы, или подобный другой, желательно с большой шкалой. Подстроечные резисторы R6, R7 и R9 - многооборотные СП5-2 или аналогичные.

Для калибровки прибора желательно воспользоваться термокамерой с автоматическим поддержанием заданной температуры.

Сначала отключенный от прибора термодатчик помещают в термокамеру (концы кабеля оставляют снаружи) и возможно точнее измеряют его сопротивление в температуре 20°С. Затем с помощью цифрового омметра подбирают резистор R4, а если надо, то и резистор R3 такого номинала, чтобы их суммарное сопротивление было равно измеренному сопротивлению терморезистора, и впаивают их на место.

Подключив датчик к мосту и установив переключатель SA2 в положение "Калибровка", а SA3 - в положение "I", включают источник питания и резистором R9 выводят стрелку микроамперметра на среднее - нулевое - деление шкалы. Датчик при этом остается в термокамере. Для первого ("I") диапазона измерения нулевое деление шкалы будет соответствовать температуре +20°С.

Далее переключатель SA2 устанавливают в положение "Измерение" и при температуре в термокамере +40°С резистором R7 добиваются отклонения стрелки микроамперметра до конечного правого деления шкалы.
Для получения большей точности калибровку при температуре датчика +20 °С и измерение при температуре +40°С следует повторить два-три раза.

И наконец, переключатель SA3 переводят в положение "II" и при температуре датчика +10 и +30°С резистором R6 устанавливают соответственно начальную и конечную границы второго диапазона измерения.

У описанного прибора есть некоторый запас по чувствительности. Но значительное повышение чувствительности приведет к увеличению погрешности измерения из-за влияния даже слабой циркуляции воздуха.

Автор: И.Шелестов, г.Москва; Публикация: cxem.net

Смотрите другие статьи раздела Регуляторы мощности, термометры, термостабилизаторы.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Власть является ключевым фактором счастья в отношениях 11.03.2026

Исследования семейных и романтических отношений показывают, что длительное счастье пары зависит не только от привычных факторов, таких как доверие, уважение и преданность, но и от более тонких психологических аспектов. Современные ученые ищут закономерности, которые отличают действительно счастливые пары от остальных, чтобы понять, какие механизмы поддерживают гармонию в отношениях. Группа исследователей из Университета Мартина Лютера в Галле-Виттенберге и Бамбергского университета провела опрос среди 181 пары, которые состояли в совместных отношениях более восьми лет и прожили вместе хотя бы месяц. Участники заполняли анкету, описывая различные аспекты своих отношений, включая распределение обязанностей, эмоциональную поддержку и степень вовлеченности в совместные решения. Анализ данных показал интересный паттерн: пары, где оба партнера ощущали высокий уровень личной власти, оказывались наиболее счастливыми и удовлетворенными. В данном контексте под властью понимается способност ...>>

Защищенная колонка-повербанк Anker Soundcore Boom Go 3i 11.03.2026

Компания Anker представила новую модель линейки Soundcore - колонку Soundcore Boom Go 3i, ориентированную на активное использование на улице. Новинка отличается высокой степенью защиты: корпус соответствует стандарту IP68, что обеспечивает водо- и пыленепроницаемость, а ударопрочный дизайн выдерживает падение с высоты до одного метра. За качество звука отвечает 15-ваттный драйвер, обеспечивающий пик громкости до 92 дБ, а технология BassUp 2.0 усиливает низкие частоты, делая звучание более насыщенным. Колонка обладает автономностью до 24 часов, а LED-индикатор позволяет контролировать уровень заряда батареи. Кроме того, Soundcore Boom Go 3i может выполнять функцию павербанка: согласно внутренним тестам, устройство способно зарядить iPhone 17 с нуля до 40% за один час, что делает его полезным аксессуаром в походах и поездках. Среди функциональных особенностей модели стоит выделить технологию Auracast, которая улучшает подключение и позволяет создавать стереопару из двух колонок ...>>

Раннее воздержание от алкоголя перестраивает мозг и иммунитет 10.03.2026

Алкогольная зависимость - хроническое расстройство с компульсивным употреблением спиртного, которое влияет не только на поведение, но и на функционирование мозга и иммунной системы. Недавние исследования показали, что даже на ранних этапах воздержания организм начинает перестраиваться, открывая новые возможности для терапии зависимости. Ученые сосредоточились на пациентах, находящихся в первые недели абстиненции, и зафиксировали значительные изменения в мозговой активности. С помощью функциональной магнитно-резонансной томографии они выявили перестройку сетей нейронных связей, отвечающих за контроль импульсов и принятие решений. Эти изменения могут быть ключевыми для восстановления самоконтроля и снижения риска рецидива. Одновременно с нейронной перестройкой исследователи наблюдали колебания иммунной системы. В крови повышался уровень цитокинов - сигнальных белков, регулирующих воспалительные процессы. Эти данные свидетельствуют о существовании нейроиммунного взаимодействия, при ...>>

Случайная новость из Архива Вертикальные транзисторы VTFET 16.12.2021 Компании IBM и Samsung представили новую разработку, предусматривающую вертикальное размещение транзисторов в чипах. Технология Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET) позволяет или заметно поднять производительность, или снизить энергопотребление чипа в сравнении с традиционными микросхемами сопоставимого размера. В современных процессорах и чипсетах транзисторы наносятся на кремниевую пластину в горизонтальной плоскости. Наоборот, при использовании VTFET транзисторы расположены вертикально. Подобная разработка имеет два преимущества. Во-первых, обходятся многие ограничения, налагаемые на актуальные технологии "Законом Мура". Во-вторых, новый вариант дизайна ведет к меньшим электрическим потерям благодаря более эффективному перенаправлению потока энергии. По оценкам компаний-разработчиков это позволит создавать чипы, которые или вдвое быстрее, или используют на 85 % меньше энергии, чем аналогичные полупроводники, создаваемые по технологии FinFET. Однажды использование такого техпроцесса позволит выпускать смартфоны, способные работать целую неделю без подзарядки и/или выполнять энергозатратные задачи, включая криптомайнинг, с меньшим расходом электроэнергии и меньшим уроном окружающей среде. IBM и Samsung - не единственные компании, пытающиеся преодолеть существующие ограничения. В июле Intel заявила о создании варианта компоновки транзисторов, позволяющего к 2024 году выйти за пределы наноуровня и строить чипы в соответствии с технологическим процессом ангстрем-класса Intel 20A с использованием транзисторов нового типа RibbonFET.

Другие интересные новости:

▪ 8-ядерные однокристальные системы от Allwinner

▪ Автобусы на топливных элементах от Toyota

▪ Твердотельные накопители M.2 512 ГБ от Transcend

▪ Экшен-камера Toshiba Camileo X-Sports

▪ Атомные часы подтвердили теорию относительности

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Микроконтроллеры. Подборка статей

▪ статья Дейл Брекенридж Карнеги. Знаменитые афоризмы

▪ статья Как работает ветряная мельница? Подробный ответ

▪ статья Фристайл на волнах. Личный транспорт

▪ статья Полосатые резисторы. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Обманчивое видение. Секрет фокуса

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026