Стабилизатор напряжения велофары. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Электроника в быту

 Комментарии к статье

Предлагаемое устройство предназначено для питания лампы фары постоянным напряжением, в нем все транзисторы - кремниевые, выводы коллектора транзистора VT1 и базы VT3 соединены с "общим" проводом через резистор R3, а не через стабилитрон, в цепь эмиттера транзистора введен диод VD2, а между выводами эмиттера и коллектора транзистора VT1 установлен резистор R1, облегчающий "запуск" этого стабилизатора. Входное напряжение на стабилизатор подается с выпрямителя, выполненного на диодном мосте VD1 и сглаживающих конденсаторах C1, С2.

Переменное же напряжение на мост поступает с велогенератора. При работе велогенератора выходное напряжение диодного моста может изменятся в широких пределах, но на выходе стабилизатора (т.е. на выводах лампы EL.1 велофары) оно не превышает максимально допустимого напряжения лампы (3,5 В или 6 В, - в зависимости от используемой лампы и сопротивления резистора R3). Кроме указанных на схеме, можно использовать транзисторы КТ313А-КТ313В, КТ315А-КТ315И, любой из серии КТ503 (VT1); Кт815А-КТ815Г, КТ817А-КТ817Г, КТ805АМ, КТ805БМ (VT3); КТ361А-КТ361Д, любой из серии КТ502 (VT3). Диодный мост VD1- любой из серии КЦ405, диод VD2 - любой с допустимым выпрямленным током не менее 0,3 А.

Налаживание стабилизатора сводится к подбору резистора R3 с таким сопротивлением, чтобы напряжение на лампе не превышало допустимого (3,5 В или 6 В, - в зависимости от используемой лампы) даже при максимальном напряжении велогенератора. Следует заметить, что этой схеме присущи следующие недостатки: в стабилизаторе велико падение напряжения на диодах моста VD1,диоде VD2, эмиттерном переходе VT2, в результате чего для получения выходного напряженния стабилизатора 3,5 В на диодный мост должно поступать с велогенератора около 7 В. А это требует более быстрой езды.

Публикация: cxem.net

Смотрите другие статьи раздела Электроника в быту.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Расставание действительно может причинять физическую боль 16.09.2026

Разрыв отношений с близким человеком способно вызывать настолько сильные переживания, что привычное выражение "разбитое сердце" иногда воспринимается почти буквально. Человек может испытывать тревогу, тоску и эмоциональное напряжение, сопровождающиеся вполне реальными телесными ощущениями. Исследования работы мозга показывают, что такая связь между эмоциональными и физическими страданиями может иметь вполне определенную нейробиологическую основу. Эксперимент, позволивший изучить этот вопрос, провела команда психолога Итана Кросса из Мичиганского университета. В исследовании участвовали 40 человек, недавно переживших расставание по инициативе партнера. Все добровольцы продолжали остро реагировать на произошедшее, что позволило исследователям изучить мозговую активность в период наиболее сильных переживаний. Во время эксперимента участников помещали в аппарат магнитно-резонансной томографии. Испытуемым поочередно показывали фотографию бывшего партнера и подвергали предплечье воздей ...>>

Научно доказана невозможность создания нейтринного лазера 16.09.2026

Лазер давно перестал быть исключительно лабораторной технологией: сегодня он используется в связи, медицине, промышленности и научных исследованиях. Поэтому физики периодически предлагают необычные варианты устройств, способных работать по аналогичным принципам, но с другими типами частиц. В 2025 году появилась идея создать лазер, формирующий направленный поток нейтрино. Однако последующий теоретический анализ показал, что привлекательная на первый взгляд концепция сталкивается не просто с техническими трудностями, а с фундаментальными законами квантовой физики. Первоначальную концепцию предложили профессор Массачусетского технологического института (MIT) Джо Формаджио (Joe Formaggio) и Бен Джонс (Ben Jones) из Техасского университета в Арлингтоне. Согласно их замыслу, облако радиоактивных атомов следовало охладить до сверхнизких температур порядка нанокельвинов - миллиардных долей кельвина. В таких условиях атомы могли бы сформировать Бозе - Эйнштейновский конденсат, особое квантов ...>>

Индекс нижнего белья раскрыл состояние швейцарских почв 15.09.2026

Почва кажется обычной частью окружающего нас ландшафта, однако под ее поверхностью существует сложная экосистема, от состояния которой напрямую зависит жизнь человека. Миллиарды микроорганизмов, черви, грибы и другие обитатели почвы перерабатывают органические вещества и участвуют в круговороте питательных элементов. Чтобы привлечь внимание общества к этой мало заметной проблеме, исследователи из Цюрихского университета придумали весьма необычный эксперимент: они закопали более 2000 пар хлопкового нижнего белья в садах, на лугах, полях и газонах по всей Швейцарии. Проект получил название "Доказательство в виде нижнего белья" и представлял собой не массовую шутку, а научный эксперимент, позволяющий наглядно оценить биологическую активность почвы. Исследователи помещали хлопковые изделия в землю, а примерно через два месяца извлекали их и сравнивали степень разрушения ткани. Некоторые образцы за это время практически исчезали, оставляя лишь отдельные фрагменты швов, тогда как на други ...>>

Случайная новость из Архива Снятие атомного слоя без повреждения чипа 10.07.2026 Современные компьютерные чипы уже содержат миллиарды транзисторов, и дальнейшее уменьшение их размеров упирается в физические пределы кремния. Чтобы сделать электронику еще компактнее, быстрее и энергоэффективнее, ученые активно исследуют сверхтонкие двумерные материалы, такие как дисульфид молибдена (MoS2). Однако работа с ними требует невероятной точности: нужно уметь удалять всего один атомный слой, не повреждая материал под ним. Новое открытие в области плазменной химии показывает, как этого можно добиться с помощью простого химического покрытия. Молибден дисульфид можно представить как трехслойный "сэндвич" из атомов: в середине располагается слой молибдена, а сверху и снизу - "крышки" из серы. В будущих транзисторах инженерам часто нужно аккуратно снять только верхний слой серы, оставив молибденовый слой целым. Для этого используют плазму - сильно ионизированный газ, частицы которого обладают достаточной энергией, чтобы выбивать атомы с поверхности. Проблема в том, что разница между энергией, достаточной для удаления серы, и энергией, которая уже начинает разрушать молибден, крайне мала. Исследователи с помощью компьютерных симуляций выяснили, что ситуацию можно кардинально улучшить, если перед обработкой плазмой нанести на поверхность материала всего несколько атомов кислорода или фтора. Без такого покрытия для удаления атома серы требовалось около 30 электрон-вольт энергии. После покрытия фтором этот порог снижался примерно до 10 электрон-вольт, а после покрытия кислородом - до 14 электрон-вольт. Таким образом, "замок", удерживающий атомы серы, становился значительно слабее. Когда ионы плазмы попадают на покрытую поверхность, происходит химическая реакция. Атомы кислорода, например, соединяются с атомом серы, образуя молекулу диоксида серы (SO2) - стабильный газ, который сам отрывается от поверхности и улетает. Фтор действует аналогично, формируя летучие соединения серы с фтором. Вместо того чтобы грубо "выбивать" атомы серы ударами, ученые заставляют их сначала превратиться в легко удаляемые молекулы. Такой подход существенно расширяет "окно безопасной работы" плазмы. Поскольку ионы в плазме обладают разной энергией, на обычной поверхности часть из них оказывается слишком слабой, чтобы снять серу, а другая часть - слишком сильной и повреждает молибден. После химического покрытия появляется широкий диапазон энергий, в котором ионы успешно удаляют верхний слой, но еще не наносят вреда материалу под ним. Это открытие особенно важно потому, что обычный кремний уже приближается к своим физическим пределам миниатюризации. Материалы семейства дихалькогенидов переходных металлов (TMD), такие как MoS2, имеют толщину всего в несколько атомов и могут стать основой для транзисторов следующего поколения. Однако без сверхточных методов обработки такие материалы остаются лишь теоретической возможностью. В будущем исследователи планируют количественно оценить степень повреждения материала при разных режимах обработки и проверить, работает ли этот подход для родственных соединений - например, если заменить молибден на вольфрам, а серу на селен. Если метод окажется универсальным, он может стать важным инструментом для массового производства гибридных чипов, сочетающих кремний с ультратонкими двумерными материалами.

Другие интересные новости:

▪ Переводчик для слепого

▪ Беспроводные наушники Sony WF-XB700 и WH-CH710N

▪ Проекционные автомобильные системы Mitsubishi

▪ Фотокамера Samsung WB2200 с 60-кратным оптическим зумом

▪ Графен ускоряет оптические коммутаторы в 100 раз

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Нормативная документация по охране труда. Подборка статей

▪ статья Эндокринология. Конспект лекций

▪ статья Что такое мускатный орех? Подробный ответ

▪ статья Топинамбур. Легенды, выращивание, способы применения

▪ статья Доработка программаторов для гарантированного программирования микросхем PCF8582. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Характеристика взрывонепроницаемых соединений взрывозащищенного оборудования. Параметры взрывонепроницаемых соединений электрооборудования 1, 2, 3-й категорий по ПИВРЭ (ПИВЭ). Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026