Menu Home

Бесплатная техническая библиотека для любителей и профессионалов Бесплатная техническая библиотека


Охранная система MICROALARM. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Бесплатная техническая библиотека

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Охранные устройства и сигнализация объектов

Комментарии к статье Комментарии к статье

Данное устройство предназначено для охраны квартир, дач, гаражей и т.д. Основой охранной системы является PIC-контроллер 16F84A. Постановку на охрану и снятие с нее производят с помощью электронных ключей компании Dallas Semiconductor DS1990.

Алгоритм работы системы следующий: при касании зарегистрированным ключом считывающего устройства, и, если при этом замкнуты контакты датчика двери, система становится в режим охраны. Об этом сигнализирует диод VD1-он загорается. При размыкании контактов, если режим охраны не был снят повторным касанием зарегистрированного ключа, немедленно подается мощный звуковой сигнал на время 1минута 15 секунд и мигает светодиод. Если по истечении этого времени контакты не вернулись в исходное состояние, снова подается сигнал. Если контакты вернулись в исходное состояние, сирена отключается, но светодиод продолжает мигать с частотой в два раза меньшей, чем при тревоге. По этому можно определить, что происходила сработка устройства. При касании считывающего устройства незарегистрированным ключом подается кратковременный (1 секунда) звуковой сигнал и система остается в исходном состоянии. Всего можно зарегистрировать восемь ключей.

Охранная система MICROALARM
(нажмите для увеличения)

Микросхемы DA1 и DA2 служат для получения необходимых напряжений питания +15 и +5 вольт. Резервный аккумулятор необходим для работоспособности устройства при пропадании электроэнергии. Его подзарядка происходит через диоды VD4, VD5. Предохранитель FU1, варистор R9, стабилитрон VD2 служат для защиты считывающего устройства от внешних несанкционированных действий (например подачу на него высокого напряжения с целью вывода охранной системы из строя). Составной транзистор VT1 управляет мощной сиреной. Цепочка R1C2 производит сброс PIC-контроллер 16F84A, а конденсаторы С5-С7 защищают его от ложных срабатываний. Кнопка S1 переводит устройство в режим программирования ключей, S2 стирает информацию о всех ключах (это делают в случае утери одного из ключей). В качестве контактов двери лучше всего применить датчик движения, который имеет релейный выход с нормально замкнутыми контактами, а питание для него подать из блока охранной системы. Считывающее устройство устанавливают снаружи у входной двери. К нему можно подвести шлейф, который последовательно соединен с датчиком движения - при этом если кто-то повредит считывающее устройство, раздастся сигнал тревоги. Сам блок охранной системы с резервным аккумулятором и сиреной устанавливают в недоступном месте.

Порядок первого включения системы и регистрации ключей следующий

1. Контакты двери (датчика движения) и кнопка RESET замкнуты, кнопка PROG разомкнута.
2. Подаем питание на устройство.
3. Размыкаем кнопку RESET.
4. Кратковременно нажимаем кнопку PROG.
5. Кратковременно касаемся ключами iBUTTON считывающего устройства (до восьми ключей).
6. Выключаем  и через небольшую паузу снова включаем устройство.
После этих операций охранная система  готова к работе.

Спецификация элементов:

Обозначение Тип Номинал
Микросхемы
DD1 PIC 16F84A Прошивка v.Final
DA1 78LO5
DA2 КР142ЕН8Е
Транзисторы
VT1 КТ972А
Диоды
VD1 АЛ307Б
VD2 КС147А
VD3 КД522
VD4 - VD5 FR207
VD6 - VD9 FR207
Резисторы
R1 МЛТ-0,125 10 КОм
R2 - R3 МЛТ-0,125 470 Ом
R4 МЛТ-0,125 5,1 КОм
R4 - R7 МЛТ-0,125 10 КОм
R8 МЛТ-0,125 330 Ом
Конденсаторы
С1 100 нФ
С2 1 мФ
С3 - С4 27 пФ
С5 - С7 10 нФ
С8 470*25 В
С9 100 нФ
С10 470*25 В
С11 1000*25 В
Кварцевый резонатор
ZQ1 4 МГц
Микропереключатели, панельки
S1-S2 Норм.разомкн.
Панелька под PIC 18 выводов

При программировании ключей заполняйте все 8 ячеек памяти!

Скачать файлы Layot и файлы прошивки HEX

Автор: Михаил Тихончук, alarm [собака] forenet.by; Публикация: cxem.net

Смотрите другие статьи раздела Охранные устройства и сигнализация объектов.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Экраны влияют на детей неравномерно в разном возрасте 01.08.2026

Планшеты и смартфоны давно стали привычной частью повседневной жизни даже самых маленьких детей. Родители часто используют гаджеты, чтобы успокоить малыша или занять его на время, однако ученые все чаще задаются вопросом, как экранное время сказывается на развитии мозга и будущей способности к обучению. Новое исследование показывает, что значение имеет не только продолжительность просмотра, но и возраст, в котором ребенок проводит время перед экраном. Ученые наблюдали детей от рождения до 8 лет. Оказалось, что больше всего экраны влияют на мозг в два периода - в раннем младенческом возрасте и перед поступлением в школу. У детей, много времени проводивших перед экранами в эти возрастные точки, в 9 лет были несколько хуже успехи в обучении, а в 10,5 лет хуже работала рабочая память - способность удерживать и обрабатывать информацию здесь и сейчас. Исследователи из Франции и Сингапура проанализировали данные 502 детей и выделили два ключевых этапа. У младенцев мозг развивается очень ...>>

Умные жилеты, спасающие от жары 01.08.2026

Летняя жара в больших городах все чаще становится серьезным испытанием для людей, работающих на открытом воздухе. Мусорщики, строители и другие специалисты вынуждены проводить часы под палящим солнцем, рискуя перегревом. Китайские инженеры предложили практичное решение - специальные охлаждающие жилеты, которые помогают снизить ощущаемую температуру примерно на 10 градусов. Пока мир страдает от сильной жары, китайские инженеры разработали "умные" жилеты с климат-контролем. Жилеты с кондиционированием почти не отличаются от обычной рабочей одежды. Главное отличие - в системе охлаждения. В городе Нанкин в жилет вмонтированы два вентилятора, работающих от портативных аккумуляторов. Одного заряда хватает на 3-4 часа непрерывной работы. В Чанчжоу решили разместить в карманах охлаждающие элементы с материалом, который при нагревании переходит из твердого состояния в жидкое, активно поглощая тепло. Это поддерживает комфортную температуру в течение 2,5-4 часов. Такие жилеты выглядят почти ...>>

Летающие ветротурбины 3 МВт вышли в серию 31.07.2026

Традиционные ветряные электростанции зависят от силы и стабильности ветра у поверхности земли, где воздушные потоки часто бывают слабыми и порывистыми. На больших высотах ветер обычно сильнее и постояннее, поэтому инженеры уже давно рассматривают возможность подъема турбин в воздух. Китайская компания сделала важный шаг в этом направлении, перейдя от испытаний к мелкосерийному производству. Компания Beijing Linyi Yunchuan Energy Technology запустила мелкосерийное производство летающей ветротурбины S2000, а в провинции Чжэцзян возводят отдельный завод по производству материалов для оболочки аппарата. У компании уже есть предварительные договоренности с прибрежными городами и горными регионами, которые рассматривают возможность использования этой технологии для удовлетворения собственных энергетических потребностей. Прототип, который полгода назад только что поднялся в небо над Сычуанем, теперь превращается в целую отрасль. Идея S2000 проста: вместо того чтобы устанавливать ветряну ...>>

Случайная новость из Архива

Микросхема памяти на основе магниторезистивных структур 08.05.2007

Компания Frcescalc Semiconductor выпустила первую в мире микросхему памяти на основе магниторезистивных структур (MRAM) - автономный модуль MR2A16A с объемом памяти 4 Мб.

Новый тип памяти обладает уникальным набором характеристик - энергонезависимость при неограниченном количестве циклов и высокой скорости записи. Данная технология памяти, использующая магнитные моменты для сохранения состояния битов вместо электрических зарядов, стала полностью пригодна для коммерческого использования.

Технология MRAM обладает всеми необходимыми свойствами для того, чтобы стать "универсальной памятью", успешно совмещая в себе основные преимущества различных типов энергонезависимой и оперативной памяти. Кроме того, существует ряд уникальных особенностей, открывающих широкие рыночные перспективы для данного устройства.

На сегодняшний день, доступен первый законченный продукт микросхемы MRAM - MR2A16A с объемом памяти 4 Мбит. Пока данная микросхема выпускается только в температурном диапазоне 0...70°С. В июле 2007 года планируется появление микросхемы с расширенным температурным диапазоном. А ближе к концу 2007 года должны появиться новые микросхемы памяти MRAM. Предположительно это будут модули памяти объемом 1 и 16 Мбит.

Основные параметры: Энергонезависимая память с практически неограниченным числом циклов чтения/записи (более 10^16); Неразрушающие чтение/запись; Симметричные времена циклов чтения/записи/стирания: 35 нс; Побитовое стирание со скоростью до 28 Мбит/сек; Объем памяти: 4 Мбит; Организация памяти: 256 Кбх16 бит; Шина данных: 8/16 бит (настраиваемая); Время хранения информации: более 10 лет; Напряжение питания: 3,0...3,6 В.

Другие интересные новости:

▪ Во время сна мы вспоминаем

▪ Экологический способ переработки старых солнечных батарей

▪ Электронный амортизатор теннисной ракетки

▪ Коровы в облачном хранилище

▪ Новая технология увеличит запас хода электромобилей

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

 

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Технологии радиолюбителя. Подборка статей

▪ статья Городские сточные воды. Основы безопасной жизнедеятельности

▪ статья Что такое варикозные вены? Подробный ответ

▪ статья Работа на темостате. Типовая инструкция по охране труда

▪ статья Консервирование дерева. Простые рецепты и советы

▪ статья Устройство защиты трехфазного двигателя от обрыва фазы. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

Имя:


E-mail (не обязательно):


Комментарий:





Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте

www.diagram.com.ua

www.diagram.com.ua
2000-2026