www.diagram.com.ua
www.diagram.com.ua
Русский: Русская версия English: English version
Translate it!
Поиск по сайту

+ Поиск по журналам
+ Поиск по статьям сайта
+ Поиск по схемам СССР
+ Поиск по Библиотеке

Бесплатная техническая библиотека:
Все статьи А-Я
Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники
Новости науки и техники
Журналы, книги, сборники
Архив статей и поиск
Схемы, сервис-мануалы
Электронные справочники
Инструкции по эксплуатации
Голосования
Ваши истории из жизни
На досуге
Случайные статьи
Отзывы о сайте

Справочник:
Большая энциклопедия для детей и взрослых
Биографии великих ученых
Важнейшие научные открытия
Детская научная лаборатория
Должностные инструкции
Домашняя мастерская
Жизнь замечательных физиков
Заводские технологии на дому
Загадки, ребусы, вопросы с подвохом
Инструменты и механизмы для сельского хозяйства
Искусство аудио
Искусство видео
История техники, технологии, предметов вокруг нас
И тут появился изобретатель (ТРИЗ)
Конспекты лекций, шпаргалки
Крылатые слова, фразеологизмы
Личный транспорт: наземный, водный, воздушный
Любителям путешествовать - советы туристу
Моделирование
Нормативная документация по охране труда
Опыты по физике
Опыты по химии
Основы безопасной жизнедеятельности (ОБЖД)
Основы первой медицинской помощи (ОПМП)
Охрана труда
Радиоэлектроника и электротехника
Строителю, домашнему мастеру
Типовые инструкции по охране труда (ТОИ)
Чудеса природы
Шпионские штучки
Электрик в доме
Эффектные фокусы и их разгадки

Техническая документация:
Схемы и сервис-мануалы
Книги, журналы, сборники
Справочники
Параметры радиодеталей
Прошивки
Инструкции по эксплуатации
Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Бесплатный архив статей
(200000 статей в Архиве)

Алфавитный указатель статей в книгах и журналах

Бонусы:
Ваши истории
Загадки для взрослых и детей
Знаете ли Вы, что...
Зрительные иллюзии
Веселые задачки
Каталог Вивасан
Палиндромы
Сборка кубика Рубика
Форумы
Карта сайта

ДИАГРАММА
© 2000-2020

Дизайн и поддержка:
Александр Кузнецов

Техническое обеспечение:
Михаил Булах

Программирование:
Данил Мончукин

Маркетинг:
Татьяна Анастасьева

Перевод:
Наталья Кузнецова

Контакты

При использовании материалов сайта обязательна ссылка на https://www.diagram.com.ua

сделано в Украине
сделано в Украине

Диаграмма. Бесплатная техническая библиотека

Бесплатная техническая библиотека Бесплатная техническая библиотека, Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

ЭПРА с питанием от низковольтных источников. Электронный балласт на микросхеме КР1211ЕУ1

Бесплатная техническая библиотека

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Пускорегулирующие аппараты люминесцентных ламп

Комментарии к статье Комментарии к статье

Данный вариант устройства питания от низковольтного источника - это электронный балласт, реализованный на специализированной микросхеме КР1211ЕУ1.

Микросхема КР1211ЕУ1 представляет собой специализированный контроллер электронных пускорегулирующих аппаратов (ЭПРА) для компактных люминесцентных ламп с питанием от бортовой сети постоянного тока 3-24 В. Производится по КМОП технологии.

В табл. 3.12 приведены отличительные характеристики микросхем в разных корпусах. Цоколевка корпусов и назначение выводов показаны на рис. 3.56.

Электронный балласт на микросхеме КР1211ЕУ1
Рис. 3.56. Цоколевка и назначение выводов микросхемы КР (КФ)1211ЕУ1А

Таблица 3.12. Отличия микросхем с разной маркировкой

Электронный балласт на микросхеме КР1211ЕУ1

Максимальные значения параметров и режимов:
  • напряжение питания Vcc - 12 В;
  • входное напряжение высокого уровня VIN (Н) по входам IN, FV, FC - FCC + 0,5B;
  • входное напряжение низкого уровня VIN (L) по входам IN, FV, FC - -0,5 В;
  • максимальный выходной ток IOUT - 250 мА;
  • рассеиваемая мощность PD - 750 мВт;
  • максимальная емкость нагрузки CL - 1000 пФ.
Электрические характеристики:
  • напряжение питания VCC - 3.. .9 В;
  • входное напряжение высокого уровня VIN (Н) по входам IN, FV, FC, не менее - 0,7VCC;
  • входное напряжение низкого уровня Vm (L) по входам IN, FV, FC, не более - 0,2VCC;
  • средний выходной ток для каждого выхода IOUT (av) - 150 мА;
  • частота задающего генератора fT, не более - 5 МГц;
  • входной ток высокого уровня IIN (Н) по входам IN, FV, FC, не более - 1 мкА;
  • входной ток низкого уровня IIN (L) по входам IN, FV, FC, не более - 1 мкА;
  • ток потребления при fт = 0, не более - 10 мкА.
Описание работы. Структурная схема микросхемы 1211ЕУ1/А приведена на рис. 3.57.

Электронный балласт на микросхеме КР1211ЕУ1
Рис. 3.57. Структурная схема микросхемы КР (КФ)1211ЕУ1Л

Основная особенность микросхемы КР(КФ)1211ЕУ1- наличие двух достаточно мощных каналов управления ключами, работающих в противофазе с обязательной паузой между выходными импульсами. Импульс во втором канале появляется через некоторое время после окончания импульса в первом, и наоборот; в западной терминологии эта пауза носит название Dead time - время простоя. Благодаря этому микросхема хорошо подходит для построения несложных, легко повторяемых импульсных преобразователей напряжения.

Микросхема состоит из:
  • задающего генератора;
  • делителя частоты;
  • формирователя импульсов;
  • выходных усилителей.
Управление микросхемой производится через выводы IN, FC, FV. С выводами управления микросхемой связаны встроенные пороговые устройства. Вывод IN переключает делитель частоты и сбрасывает RS-триггер блокировки формирователя импульсов и выходных усилителей. При подаче на вывод IN напряжения низкого уровня выбирается коэффициент деления К1 и сбрасывается RS-триггер, при подаче высокого уровня выбирается коэффициент деления К2.

Выводы FC и FV служат для построения схем защиты. Подача на вывод FV напряжения высокого уровня вызывает выключение выходных усилителей (на выводах OUT1 и OUT2 устанавливается напряжение, равное нулю) на время, пока напряжение высокого уровня удерживается на этом выводе. Подача на вывод FC напряжения высокого уровня вызывает установку RS-триггера и выключение выходных усилителей (на выводах OUT1 и OUT2 устанавливается напряжение, равное нулю) до тех пор, пока по входу IN не будет сброшен RS-триггер.

Рабочая частота задающего генератора микросхемы зависит от параметров элементов цепи R2, С1, подключаемых к выводу Т.

Ток, протекающий через резистор R2, заряжает конденсатор С1. Когда напряжение на нем повышается до уровня, равного примерно 2/3 от напряжения питания, открывается шунтирующий его внутренний ключ микросхемы, в результате чего конденсатор быстро разряжается. Далее цикл повторяется. Частоту колебаний f на входе Т микросхемы можно оценить по формуле



Для устойчивой работы устройства емкость конденсатора С1 должна быть не более 3000 пФ, а сопротивление резистора R2 - не менее 500 Ом.

Импульсы пилообразной формы на входе Т (рис. 3.58) служат основой для формирования выходных импульсов на выходах OUT1 и OUT2. На них поочередно появляются прямоугольные импульсы, длительность которых зависит от уровня напряжения на входе IN.

Электронный балласт на микросхеме КР1211ЕУ1
Рис. 3.58. Временные соотношения между входными и выходными сигналами

При низком логическом уровне она равна шести, а при высоком - восьми периодам колебаний задающего генератора. По окончании импульса формируется пауза длительностью, равной одному периоду колебаний задающего генератора, в течение которой напряжение на обоих выходах имеет низкий уровень. Затем появляется импульс в другом канале и т. д. Иными словами, частота следования импульсов на выходах микросхемы fвых связана с частотой f следующими соотношениями: при низком уровне на входе IN



при высоком уровне на входе IN



Здесь суммы чисел в знаменателях - периоды колебаний на выходах OUT1 и OUT2, выраженные через период колебаний на входе Т.

Зависимость стабильности частоты генератора от изменения напряжения питания можно оценить по графику, приведенному на рис. 3.59. Ток, потребляемый микросхемой, увеличивается с повышением частоты генератора, как показано на рис. 3.60.

Выход генератора подключен к управляемому делителю частоты, с выхода которого симметричные противофазные импульсы поступают на вход формирователя; формирователь обеспечивает паузу между ними длительностью в один период тактовой частоты, как показано на рис. 3.61. Типовая схема применения микросхемы 1211ЕУ1/А в ЭПРА для люминесцентной лампы мощностью 9-15 Вт приведена на рис. 3.62.

Схема инвертора состоит из микросхемы 1211ЕУ1/А с времязадающими цепями и двухтактного трансформаторного каскада, нагрузкой которого является колебательный контур L2, С8 с люминесцентной лампой.

Электронный балласт на микросхеме КР1211ЕУ1
Рис. 3.59. Зависимость периода следования импульсов на выходе микросхемы 1211ЕУ1 от напряжения питания; коэффициент деления равен 14

После включения схема производит разогрев катодов лампы напряжением с частотой на 30 % выше резонансной, а затем подает на нее высокое напряжение с частотой, равной резонансной, под действием которого лампа начинает светиться в штатном режиме.

Электронный балласт на микросхеме КР1211ЕУ1
Рис. 3.60. Зависимость тока потребления от частоты генератора и температуры

Частота импульсов, вырабатываемых генератором, подбирается такой, чтобы при высоком уровне напряжения на входе IN (при коэффициенте деления, равном К2) частота повторения импульсов на выходе микросхемы была равна резонансной частоте колебательного контура.

Электронный балласт на микросхеме КР1211ЕУ1
Рис. 3.61. Временные диаграммы работы инвертора

Электронный балласт на микросхеме КР1211ЕУ1
Рис. 3.62. Типовая схема включения микросхемы 1211ЕУ1/А в ЭПРА для люминесцентной лампы мощностью 9-15 Вт (нажмите для увеличения)

При подаче напряжения питания ток, протекающий через резистор R2, начинает заряжать конденсатор С2, подключаемый к выводу IN. Постоянная времени RC-цепочки R2, С2 определяет время разогрева катодов лампы.

При этом за время достижения порогового значения напряжения на входе IN производится разогрев катодов лампы частотой выше резонансной (коэффициент деления К1), а после достижения порогового значения - зажигание и свечение лампы (коэффициент деления К2). Для данной схемы резонансная частота колебательного контура равна 45 кГц, время заряда конденсатора С2 - 2 с.

Элементы L1, С5 и С6 обеспечивают изменение напряжения на стоках транзисторов по синусоидальному закону. Транзисторы переключаются при нулевом напряжении на стоке, вследствие чего разогрев транзисторов уменьшается за счет снижения коммутационных потерь.

Микросхема 1211ЕУ1А отличается от 1211ЕУ1 меньшими значениями обоих коэффициентов деления К1 и К2 (см. табл. 3.12) делителя частоты, что позволяет примерно вдвое уменьшить частоту задающего генератора fт. Это сделано для того, чтобы длительность паузы между выходными импульсами, равная одному периоду тактовой частоты fт, увеличилась также примерно в два раза, что позволяет эффективно использовать в качестве выходных ключей недорогие биполярные транзисторы с большим временем переключения, чем у полевых транзисторов.

Кроме полевых транзисторов, указанных на схеме, можно использовать КП742, КП723, IRLR2905, STD20NE06L, SPP80N04S2L, SPP80N06S2L.

В качестве повышающего трансформатора Т1 для ламп мощностью до 15 Вт используют броневые сердечники чашечного типа Б22 (где 22 - внешний диаметр чашки в миллиметрах) без зазора, марка феррита 2000НМ. Обмотка II содержит 150-170 витков ПЭЛ диаметром 0,3 мм, обмотка I - 2x18 витков ПЭЛ диаметром 0,6 мм.

Для ЛЛ мощностью 18-36 Вт следует брать более мощный сердечник, Ш-образный или броневой со среднем керном сечением 0,6-1 см2. Основные геометрические параметры некоторых магнитопроводов представлены в табл. 3.13.

Таблица 3.13. Основные геометрические параметры некоторых магнитопроводов

Электронный балласт на микросхеме КР1211ЕУ1

Электронный балласт на микросхеме КР1211ЕУ1

Примечания к табл. 3.13: К - кольцевые магнитолроводы; Ш - Ш-образные; Б - броневые. SM, см2 - эффективное значение площади сечения магнитопровода; SO, см2 - площадь окна магнитопровода; VM = IMxSM, см3 - эффективный объем магнитопровода.

Число витков первичной обмотки определяют из расчета 1-1,4 витка на 1 В напряжения питания, диаметр провода - исходя из плотности тока 3-4 А/мм2. Например, при среднем токе первичной обмотки 2 А следует использовать провод диаметром 0,8-1 мм. Аналогично рассчитывают число витков вторичной обмотки, амплитуда импульсов при этом должна быть не менее 150 В.

Токоограничительный дроссель L2 аналогичен дросселям, используемым в электронных балластах на IR2153, которые были рассмотрены выше.

Замечания по применению. При повышении напряжения питания увеличивается напряжение, подводимое к лампе, и мощность, рассеиваемая микросхемой. Чтобы избежать выхода из строя как лампы, так и силовых транзисторов, в схему ЭПРА вводят блокировки по превышению напряжения питания (вывод FV) и потребляемому току (вывод FC).

Схема узла блокировки ЭПРА по превышению напряжения питания приведена на рис. 3.63.

Электронный балласт на микросхеме КР1211ЕУ1
Рис. 3.63. Схема защиты выходного каскада по напряжению

Увеличение напряжения питания приводит к росту напряжения на входе FV. При превышении порога срабатывания происходит выключение выходных каскадов микросхемы (на выводах OUT1 и OUT2 устанавливается напряжение, равное нулю). Уровень срабатывания схемы защиты (максимально допустимое напряжение VP МАКС, подводимое к выходному каскаду) определяется выбором номиналов резисторов R1, R2:



где 0,6VCC - порог срабатывания схемы защиты.

Сопротивление резистора R1 должно быть достаточно большим, чтобы ограничить ток через внутренний защитный диод при больших бросках напряжения питания.

Схема защиты выходного каскада по току приведена на рис. 3.64.

Электронный балласт на микросхеме КР1211ЕУ1
Рис. 3.64. Схема защиты выходного каскада по току

В случае выхода лампы из строя резко увеличивается ток через лампу, что приводит к увеличению падения напряжения на спирали лампы. Это напряжение выпрямляется детектором VD1, С1 и через делитель R1, R2 подается на вход FC. Для предотвращения случайного срабатывания от помех параллельно резистору R1 включен конденсатор С1. Делитель R1, R2 должен быть рассчитан так, чтобы при максимально допустимом токе через лампу напряжение на входе FC составило 0,6VCC.

На рис. 3.65 представлена схема ЭПРА с защитой силовых ключей.

Электронный балласт на микросхеме КР1211ЕУ1
Рис. 3.65. Схема ЭПРА с защитой силовых ключей (нажмите для увеличения)

Эта схема аналогична схеме, показанной на рис. 3.62, но дополнена узлами защиты. Дополнительные резисторы R3, R4 и перемычки XI, Х2 позволяют уменьшать рабочую частоту задающего генератора на 5, 10 и 15 %. Элементы VD1 и R5 обеспечивают защиту от бросков напряжения питания. При увеличении напряжения питания Vp до 17 В открывается стабилитрон VD1, напряжение на входе FV составит 5 В, что соответствует порогу срабатывания схемы защиты. Напряжение на выводах OUT1, OUT2 при этом станет равным нулю, транзисторы VT1, VT2 закрываются. Резистор R6 ограничивает ток по входу FV на уровне 5 мА при бросках напряжения до 100 В.

Резистор R11 является датчиком тока. Напряжение с него поступает на детектор VD3, С8 и далее на вход FC. Подбирая резистор R11, устанавливают порог IMAX срабатывания защиты по току:   



При необходимости это значение можно пересчитать с учетом коэффициента трансформации трансформатора Т1 в ток потребления от источника питания. Элементы R7, R8, С5 позволяют ограничить выбросы напряжения на стоках полевых транзисторов VT1, VT2 в моменты коммутации на уровне 0,2Vp. Нагрузочная характеристика микросхемы представлена на рис. 3.66.

Электронный балласт на микросхеме КР1211ЕУ1
Рис. 3.66. Нагрузочная характеристика микросхемы

Автор: Корякин-Черняк С.Л.

Смотрите другие статьи раздела Пускорегулирующие аппараты люминесцентных ламп.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Рекомендуем скачать в нашей Бесплатной технической библиотеке:

раздел сайта Электродвигатели

журналы Левша (годовые архивы)

книга Маслонаполненные кабели 110 кВ. Макиенко Г.П., Попов Л.В., 1979

книга Качественные показатели радиоприемников. Левитин Е.А., 1953

статья Ключевые смесители на микросхемах

статья Угадывание карандаша

справочник Сервисные режимы телевизоров зарубежных телевизоров. Книга №8

Оставьте свой комментарий к этой статье:

Имя:


E-mail (не обязательно):


Комментарий:

[lol][cry][!][?]



Комментарии к статье:

Виктор
Лаконично и понятно!Хочу применить для гальванической развязки в "трансформаторе постоянного тока" с 12 на 3,3В с двухтактным выпрямителем на синхрике. [;)]

Илия Пасков, Болгария
Спасибо большое за огромный труд, который положили при создании этого сайта. Он очень нужен людям, которые занимается электроникой. Спасибо!

Гусаров Юрий
Парни, как замечательно, когда человек трудится и правильно думает. Счастья вам и удачи в семье, а остальное приложится! дед...

Александр
Это специально не проставлены цены или эти микросхемы не продаются? [down]


Бесплатная техническая библиотека Бесплатная техническая документация для любителей и профессионалов