Menu Home

Бесплатная техническая библиотека для любителей и профессионалов Бесплатная техническая библиотека


ЭНЦИКЛОПЕДИЯ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ И ЭЛЕКТРОТЕХНИКИ
Бесплатная библиотека / Электрику

Электронные пускорегулирующие аппараты. Миниатюрные электронные балласты на микросхеме IR53HD420. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Бесплатная техническая библиотека

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Пускорегулирующие аппараты люминесцентных ламп

Комментарии к статье Комментарии к статье

Внимание! Конструкция гальванически связана с электрической сетью. Потенциально опасна для жизни из-за возможного поражения электрическим током. Поэтому при изготовлении, проверке, налаживании и эксплуатации следует помнить о строгом соблюдении мер электробезопасности.

Конструкция должна быть выполнена так, чтобы исключить случайное касание оголенных выводов проводников или деталей. Проверяя работу конструкции, не следует касаться руками никаких ее деталей или цепей, а заменяемые детали перепаивать только при вынутой из розетки сетевой вилке.

Рассмотрим миниатюрный электронный балласт, выполненный на гибридной микросхеме IR53HD420 (IR51HD420), в которую встроены силовые транзисторы и диод вольтодобавки. Сверхминиатюрные электронные балласты, выполненные на гибридной микросхеме IR51HD420, рассчитаны на совместную работу с одиночными лампами, имеющими ток до 0,3 А, и широко используются с компактными люминесцентными лампами. Структурная схема IR53HD420/IR51HD420 представлена на рис. 3.20.

Семейство IR53Hxxx/IR51Hxxx с интегрированными силовыми транзисторами включает в себя несколько микросхем с различными параметрами, основные характеристики которых приведены в табл. 3.4.

Миниатюрные электронные балласты на микросхеме IR53HD420
Рис. 3.20. Структурная схема IR53HD420/IR51HD420

Таблица 3.4. Характеристики микросхем

Миниатюрные электронные балласты на микросхеме IR53HD420

Примечание к табл. 3.4. HD - с интегрированным вольтодобавочным диодом; Н - без диода.

Основные параметры IR51HD420 аналогичны IR2151, IR2153. Интегрированные в IR51HD420 два n-канальных транзистора HEXFET (IRFC420) имеют следующие параметры:

  • постоянный максимальный ток стока ID -1,2 А;
  • рекомендуемый долговременный ток стока ID - 0,7 А;
  • максимальное напряжение сток-исток VDS - 500 В;
  • максимальная рассеиваемая мощность PD - 2-3 Вт;
  • сопротивление канала силовых ключей в открытом состоянии RDS - 3,0 Ом.

Принципиальная электрическая схема миниатюрного электронного балласта изображена на рис. 3.21.

Миниатюрные электронные балласты на микросхеме IR53HD420
Рис. 3.21. Принципиальная электрическая схема миниатюрного электронного балласта, построенного на IR53HD420 (нажмите для увеличения)

Принцип работы аналогичен электронному балласту на IR2153, который мы уже рассмотрели выше.

Дроссель сетевого фильтра L1 намотан на ферритовом кольце К20х12х6 М2000НМ двухжильным сетевым проводом (или сложенным вдвое МГТФ) до полного заполнения окна. Хорошие результаты помехоподавления в сочетании с миниатюрными размерами дают специализированные фильтры EPCOS: В84110-В-А14, В84110-А-А5, В84110-А-А10, В84110-А-А20.

Дроссель электронного балласта L2 выполнен на Ш-образном магнитопроводе из феррита М2000НМ. Типоразмер сердечника Ш5х5 с зазором δ = 0,4 мм под всеми тремя рабочими поверхностями Ш-образного сердечника. Величина зазора в нашем случае - это толщина прокладки между соприкосающимися поверхностями половинок магнитопровода.

Для изготовления зазора необходимо проложить прокладки из немагнитного материала (нефольгированный стеклотекстолит или гетинакс) толщиной 0,4 мм между соприкосающимися поверхностями половинок магнитопровода и скрепить эпоксидным клеем.

От величины немагнитного зазора зависит величина индуктивности дросселя (при постоянном количестве витков). При уменьшении зазора индуктивность возрастает, при увеличении - уменьшается.

Обмотка L2 - 180 витков провода ПЭВ-2 диаметром 0,25 мм. Межслойная изоляция - лакоткань. Намотка - виток к витку.

Диодный мост VD1 - импортный RS207, допустимый прямой ток 2 А, обратное напряжение 1000 В. Можно заменить на четыре диода с соответствующими параметрами.

Гибридную микросхему IR51HD420 можно заменить на IR53HD420, IR51H420, IR53H420.

Совет. При использовании IR51H420, IR53H420 нужно учесть, что у этих микросхем отсутствует встроенный диод вольтодобавки (между выводами 1 и 6), и его следует установить. Используемый при этом диод должен быть класса ultra-fast (сверхбыстрый) с параметрами: обратное напряжение 400 В; допустимый прямой постоянный ток - 1 А; время обратного восстановления - 35 нс.

Подойдут 11DF4, BYV26B/C/D, HER156, HER157, HER105-HER108, HER205-HER208, SF18, SF28, SF106-SF109. Диод должен располагаться как можно ближе к микросхеме.

R3, С5, Сб - SMD элементы для поверхностного монтажа (С6 на 60 В). Конденсаторы С1, С2, С7 - К73-17. C1, С2 - на 630 В, С7 - на 400 или 630 В; C3 - электролитический (два по 10 мкФ в параллель) импортный на номинальное напряжение не менее 350 В; С4 - электролитический на 25 В; С8 - полипропиленовый К78-2 на 1000 В.

Варистор RU1 фирмы EPCOS - S14K275, S20K275, заменим на TVR (FNR) 14431, TVR (FNR) 20431 или отечественный СН2-1а-430 В.

R1 - проволочный 2,2-4,7 Ом мощностью 1-2 Вт, можно заменить на терморезистор (термистор) с отрицательным температурным коэффициентом (NTC - Negative Temperature Coefficient) - SCK 105 (10 Ом, 5 А) или фирмы EPCOS - B57234-S10-M, B57364-S100-M.

RK2 - позистор, такой же как и в электронном балласте на IR2153.

Балласт собран на печатной плате из фольгированного стеклотекстолита и помещен в алюминиевый экранирующий кожух. Печатная плата и расположение элементов показана на рис. 3.22. Рекомендации по настройке аналогичны тем, которые были рассмотрены в разделе, посвященном электронному балласту на IR2153.

Миниатюрные электронные балласты на микросхеме IR53HD420
Рис. 3.22. Печатная плата и расположение элементов

Автор: Корякин-Черняк С.Л.

Смотрите другие статьи раздела Пускорегулирующие аппараты люминесцентных ламп.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Донорское сердце способно быстро перенимать биологический возраст реципиента 12.10.2026

Возраст органов определяется не только количеством прожитых лет. На молекулярном уровне ткани могут стареть с разной скоростью, а после пересадки, как показывают новые эксперименты, их биологические характеристики способны заметно меняться под воздействием организма, в который они попадают. Исследователи из Бостона обнаружили, что молодые донорские сердца после трансплантации довольно быстро приобретают признаки биологического возраста реципиента, тогда как более старые органы могут, напротив, демонстрировать признаки омоложения. Чтобы оценить эти изменения, ученые применили три так называемых "часа старения" - молекулярных инструмента, позволяющих приблизительно определять биологический возраст клеток и тканей. В отличие от обычного календарного возраста, такие показатели отражают состояние организма на уровне определенных молекулярных изменений. Именно их анализ позволил специалистам проследить, как меняются пересаженные сердца спустя несколько месяцев после операции. Основные ...>>

Samsung Galaxy Buds On: клипсы с искусственным интеллектом вместо внутриканальных наушников 12.10.2026

Беспроводные наушники превратились в одно из самых привычных персональных электронных устройств, однако их конструкция по-прежнему во многом определяется необходимостью размещать излучатель внутри или непосредственно у слухового канала. Компания Samsung решила попробовать другой подход. Представленная модель Galaxy Buds On получила формат наушников-клипсов, которые закрепляются непосредственно на ухе и оставляют слуховой канал открытым. Samsung позиционирует новинку как устройство для продолжительного ношения, тренировок и прогулок, а также для ситуаций, когда пользователю важно одновременно слушать музыку и не терять связь с окружающей обстановкой. В отличие от традиционных внутриканальных моделей, Galaxy Buds On практически не изолируют человека от внешнего мира. При этом речь идет не об экспериментальном прототипе или утечке: официальная информация об устройстве уже опубликована в Samsung Newsroom. Открытая конструкция имеет и очевидный недостаток - добиться такой же глубины н ...>>

Ферроэлектрики научились выдерживать более 10 миллиардов циклов перезаписи 11.10.2026

Энергонезависимая память должна не только быстро записывать и сохранять информацию без постоянного питания, но и выдерживать огромное количество циклов перезаписи. Одним из перспективных вариантов такой технологии считаются ферроэлектрические материалы, однако их практическое применение долгое время ограничивалось сравнительно быстрым разрушением. Исследователям удалось установить механизм этого процесса на атомном уровне и предложить способ, который значительно увеличивает срок службы таких материалов. Работу выполнила группа ученых из Университета электронной науки и техники Сианя (Xidian University) совместно с коллегами из Гонконгского университета и Фуданского университета. Особый интерес специалистов вызвали ферроэлектрики со структурой вюрцита, в частности нитрид алюминия-скандия (AlScN). Эти материалы способны сохранять информацию благодаря изменению направления электрической поляризации на атомном уровне и хорошо совместимы с современными технологиями производства микросхем ...>>

Случайная новость из Архива

Комбинированный подэкранный датчик для безрамочных смартфонов 28.09.2020

Компания AMS сообщила о создании передового комбинированного датчика, который поможет разработчикам смартфонов в выпуске устройств с минимальными рамками вокруг дисплея.

Изделие получило обозначение TMD3719. В нем совмещены функции сенсора освещенности, датчика приближения и сенсора мерцания. Иными словами, решение объединяет возможности нескольких отдельных чипов.

Модуль предназначен для размещения непосредственно за дисплеем, выполненным по технологии органических светодиодов (OLED). Это избавляет от необходимости устанавливать соответствующие датчики на экранной рамке, что позволяет свести ширину последней к минимуму.

На базе TMD3719 могут быть реализованы такие функции, как автоматическая регулировка яркости дисплея в зависимости от текущих условий освещенности, отключение подсветки и сенсорного слоя при приближении смартфона к уху и пр.

Вкупе с подэкранной камерой представленное изделие позволит создавать смартфоны с действительно безрамочным дизайном. У таких устройств дисплей будет занимать без малого 100 % площади фронтальной поверхности корпуса.

Другие интересные новости:

▪ Полное поглощение света

▪ Умная крышка молочного пакета

▪ Биологическое время можно определить по анализу крови

▪ Раскрыт секрет голубых глаз хаски

▪ Открытие волн в магнитосфере Юпитера

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

 

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Охрана и безопасность. Подборка статей

▪ статья Через час по чайной ложке. Крылатое выражение

▪ статья Как пчелы регулируют температуру в улье? Подробный ответ

▪ статья Ясень белый. Легенды, выращивание, способы применения

▪ статья Электронное реле контроля зарядки. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Акварельные краски. Химический опыт

Оставьте свой комментарий к этой статье:

Имя:


E-mail (не обязательно):


Комментарий:





Главная страница | Библиотека | Статьи | Карта сайта | Отзывы о сайте

www.diagram.com.ua

www.diagram.com.ua
2000-2026