Бесплатная техническая библиотека

Электронные пускорегулирующие аппараты. Миниатюрные электронные балласты на микросхеме IR53HD420. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Пускорегулирующие аппараты люминесцентных ламп

 Комментарии к статье

Внимание! Конструкция гальванически связана с электрической сетью. Потенциально опасна для жизни из-за возможного поражения электрическим током. Поэтому при изготовлении, проверке, налаживании и эксплуатации следует помнить о строгом соблюдении мер электробезопасности.

Конструкция должна быть выполнена так, чтобы исключить случайное касание оголенных выводов проводников или деталей. Проверяя работу конструкции, не следует касаться руками никаких ее деталей или цепей, а заменяемые детали перепаивать только при вынутой из розетки сетевой вилке.

Рассмотрим миниатюрный электронный балласт, выполненный на гибридной микросхеме IR53HD420 (IR51HD420), в которую встроены силовые транзисторы и диод вольтодобавки. Сверхминиатюрные электронные балласты, выполненные на гибридной микросхеме IR51HD420, рассчитаны на совместную работу с одиночными лампами, имеющими ток до 0,3 А, и широко используются с компактными люминесцентными лампами. Структурная схема IR53HD420/IR51HD420 представлена на рис. 3.20.

Семейство IR53Hxxx/IR51Hxxx с интегрированными силовыми транзисторами включает в себя несколько микросхем с различными параметрами, основные характеристики которых приведены в табл. 3.4.

Рис. 3.20. Структурная схема IR53HD420/IR51HD420

Таблица 3.4. Характеристики микросхем

Примечание к табл. 3.4. HD - с интегрированным вольтодобавочным диодом; Н - без диода.

Основные параметры IR51HD420 аналогичны IR2151, IR2153. Интегрированные в IR51HD420 два n-канальных транзистора HEXFET (IRFC420) имеют следующие параметры:

• постоянный максимальный ток стока I_D -1,2 А;
• рекомендуемый долговременный ток стока I_D - 0,7 А;
• максимальное напряжение сток-исток V_DS - 500 В;
• максимальная рассеиваемая мощность P_D - 2-3 Вт;
• сопротивление канала силовых ключей в открытом состоянии R_DS - 3,0 Ом.

Принципиальная электрическая схема миниатюрного электронного балласта изображена на рис. 3.21.

Рис. 3.21. Принципиальная электрическая схема миниатюрного электронного балласта, построенного на IR53HD420 (нажмите для увеличения)

Принцип работы аналогичен электронному балласту на IR2153, который мы уже рассмотрели выше.

Дроссель сетевого фильтра L1 намотан на ферритовом кольце К20х12х6 М2000НМ двухжильным сетевым проводом (или сложенным вдвое МГТФ) до полного заполнения окна. Хорошие результаты помехоподавления в сочетании с миниатюрными размерами дают специализированные фильтры EPCOS: В84110-В-А14, В84110-А-А5, В84110-А-А10, В84110-А-А20.

Для изготовления зазора необходимо проложить прокладки из немагнитного материала (нефольгированный стеклотекстолит или гетинакс) толщиной 0,4 мм между соприкосающимися поверхностями половинок магнитопровода и скрепить эпоксидным клеем.

От величины немагнитного зазора зависит величина индуктивности дросселя (при постоянном количестве витков). При уменьшении зазора индуктивность возрастает, при увеличении - уменьшается.

Обмотка L2 - 180 витков провода ПЭВ-2 диаметром 0,25 мм. Межслойная изоляция - лакоткань. Намотка - виток к витку.

Диодный мост VD1 - импортный RS207, допустимый прямой ток 2 А, обратное напряжение 1000 В. Можно заменить на четыре диода с соответствующими параметрами.

Гибридную микросхему IR51HD420 можно заменить на IR53HD420, IR51H420, IR53H420.

Совет. При использовании IR51H420, IR53H420 нужно учесть, что у этих микросхем отсутствует встроенный диод вольтодобавки (между выводами 1 и 6), и его следует установить. Используемый при этом диод должен быть класса ultra-fast (сверхбыстрый) с параметрами: обратное напряжение 400 В; допустимый прямой постоянный ток - 1 А; время обратного восстановления - 35 нс.

Подойдут 11DF4, BYV26B/C/D, HER156, HER157, HER105-HER108, HER205-HER208, SF18, SF28, SF106-SF109. Диод должен располагаться как можно ближе к микросхеме.

R3, С5, Сб - SMD элементы для поверхностного монтажа (С6 на 60 В). Конденсаторы С1, С2, С7 - К73-17. C1, С2 - на 630 В, С7 - на 400 или 630 В; C3 - электролитический (два по 10 мкФ в параллель) импортный на номинальное напряжение не менее 350 В; С4 - электролитический на 25 В; С8 - полипропиленовый К78-2 на 1000 В.

Варистор RU1 фирмы EPCOS - S14K275, S20K275, заменим на TVR (FNR) 14431, TVR (FNR) 20431 или отечественный СН2-1а-430 В.

R1 - проволочный 2,2-4,7 Ом мощностью 1-2 Вт, можно заменить на терморезистор (термистор) с отрицательным температурным коэффициентом (NTC - Negative Temperature Coefficient) - SCK 105 (10 Ом, 5 А) или фирмы EPCOS - B57234-S10-M, B57364-S100-M.

RK2 - позистор, такой же как и в электронном балласте на IR2153.

Балласт собран на печатной плате из фольгированного стеклотекстолита и помещен в алюминиевый экранирующий кожух. Печатная плата и расположение элементов показана на рис. 3.22. Рекомендации по настройке аналогичны тем, которые были рассмотрены в разделе, посвященном электронному балласту на IR2153.

Рис. 3.22. Печатная плата и расположение элементов

Автор: Корякин-Черняк С.Л.

Смотрите другие статьи раздела Пускорегулирующие аппараты люминесцентных ламп.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Экраны влияют на детей неравномерно в разном возрасте 01.08.2026

Планшеты и смартфоны давно стали привычной частью повседневной жизни даже самых маленьких детей. Родители часто используют гаджеты, чтобы успокоить малыша или занять его на время, однако ученые все чаще задаются вопросом, как экранное время сказывается на развитии мозга и будущей способности к обучению. Новое исследование показывает, что значение имеет не только продолжительность просмотра, но и возраст, в котором ребенок проводит время перед экраном. Ученые наблюдали детей от рождения до 8 лет. Оказалось, что больше всего экраны влияют на мозг в два периода - в раннем младенческом возрасте и перед поступлением в школу. У детей, много времени проводивших перед экранами в эти возрастные точки, в 9 лет были несколько хуже успехи в обучении, а в 10,5 лет хуже работала рабочая память - способность удерживать и обрабатывать информацию здесь и сейчас. Исследователи из Франции и Сингапура проанализировали данные 502 детей и выделили два ключевых этапа. У младенцев мозг развивается очень ...>>

Умные жилеты, спасающие от жары 01.08.2026

Летняя жара в больших городах все чаще становится серьезным испытанием для людей, работающих на открытом воздухе. Мусорщики, строители и другие специалисты вынуждены проводить часы под палящим солнцем, рискуя перегревом. Китайские инженеры предложили практичное решение - специальные охлаждающие жилеты, которые помогают снизить ощущаемую температуру примерно на 10 градусов. Пока мир страдает от сильной жары, китайские инженеры разработали "умные" жилеты с климат-контролем. Жилеты с кондиционированием почти не отличаются от обычной рабочей одежды. Главное отличие - в системе охлаждения. В городе Нанкин в жилет вмонтированы два вентилятора, работающих от портативных аккумуляторов. Одного заряда хватает на 3-4 часа непрерывной работы. В Чанчжоу решили разместить в карманах охлаждающие элементы с материалом, который при нагревании переходит из твердого состояния в жидкое, активно поглощая тепло. Это поддерживает комфортную температуру в течение 2,5-4 часов. Такие жилеты выглядят почти ...>>

Летающие ветротурбины 3 МВт вышли в серию 31.07.2026

Традиционные ветряные электростанции зависят от силы и стабильности ветра у поверхности земли, где воздушные потоки часто бывают слабыми и порывистыми. На больших высотах ветер обычно сильнее и постояннее, поэтому инженеры уже давно рассматривают возможность подъема турбин в воздух. Китайская компания сделала важный шаг в этом направлении, перейдя от испытаний к мелкосерийному производству. Компания Beijing Linyi Yunchuan Energy Technology запустила мелкосерийное производство летающей ветротурбины S2000, а в провинции Чжэцзян возводят отдельный завод по производству материалов для оболочки аппарата. У компании уже есть предварительные договоренности с прибрежными городами и горными регионами, которые рассматривают возможность использования этой технологии для удовлетворения собственных энергетических потребностей. Прототип, который полгода назад только что поднялся в небо над Сычуанем, теперь превращается в целую отрасль. Идея S2000 проста: вместо того чтобы устанавливать ветряну ...>>

Случайная новость из Архива Древнейшая таблица умножения 05.01.2005 При раскопках в китайской провинции Юнань найдена деревянная доска с таблицей умножения времен восточной династии Хань (25-220 годы н.э.). Таблица начинается с умножения не на единицу, как сейчас, а на девятку. Всего обнаружено около сотни таких таблиц, на них записаны законы, медицинские рецепты, правительственные документы и календари. Известны более ранние китайские бамбуковые дощечки с примерами умножения разных чисел (I век до н.э.), но они выполнены в виде списков, а не таблицы.

Другие интересные новости:

▪ Внешний накопитель DashDrive Durable HD650 для экстрималов

▪ Прозрачный OLED-телевизор Mi TV Lux Transparent Edition

▪ Новый боевой самолет Airbus

▪ Гарнитура PlayStation VR для PS5

▪ OLED-дисплей с разрешением 1058 ppi

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Альтернативные источники энергии. Подборка статей

▪ статья После дождичка в четверг. Крылатое выражение

▪ статья Какой металл является жидким при комнатной температуре? Подробный ответ

▪ статья Табак обыкновенный. Легенды, выращивание, способы применения

▪ статья Гражданская радиосвязь. Справочник

▪ статья Использование цифровых радиорелейных станций для прохождения последней мили. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026