ГЛИН на элементах КМОП. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Радиолюбителю-конструктору

 Комментарии к статье

Генераторы линейно изменяющегося напряжения (ГЛИН) находят самое разнообразное применение и являются широко известными импульсными устройствами. На рис. 1 показана схема генератора, выполненная на двух логических элементах ИЛИ-НЕ. B eе основе лежит обычная схема несимметричного генератора прямоугольных импульсов, в которой вместо резистора, током через который заряжается времязадающий конденсатор, применен генератор тока на полевом транзисторе VT1. Одновременно эта же цепь создает отрицательную обратную связь.

Рис. 1

Временные диаграммы, иллюстрирующие работу ГЛИН, приведены на рис. 2. Импульсы на рисунке имеют "закругленный" вид, поскольку изображены для самых высоких рабочих частот.

Рис. 2

Работает ГЛИН следующим образом. Пусть на выходе DD1.1 произошло изменение напряжения с высокого логического уровня на низкий. Конденсатор С1 при этом разряжен, т.е. на обкладке, подключенной ко входу DD1.2 - низкий уровень напряжения. Соответственно, на выходе DD1.2 - высокий уровень. Генератор тока на полевом транзисторе VT1 (ток регулируется подстроечным резистором R1) определяет частоту следования генерируемых импульсов. Появление на выходе DD1.2 высокого уровня включает генератор тока, и его ток заряжает времязадающий (по схеме) конденсатор С1. Напряжение на правой обкладке конденсатора линейно увеличивается, а левая обкладка конденсатора замкнута через выход DD1.1 на общий провод, поскольку на этом выходе - низкий уровень напряжения. Таким образом, на правой обкладке конденсатора С1 формируется линейно нарастающее напряжение.

Вход и выход DD1.2 соединены через генератор тока, имеющий некоторое внутреннее сопротивление. Это означает, что за счет отрицательной обратной связи с выхода на вход DD1.2 работает в линейном режиме как инвертирующий усилитель. По мере увеличения напряжения на входе DD1.2 напряжение на его выходе уменьшается до тех пор, пока оно не достигнет уровня переключения DD1.1. Обычно этот уровень равен примерно половине напряжения питания. На выходе DD1.1 при этом появляется высокий уровень напряжения, и левая обкладка конденсатора подключается через выход DD1.1 к положительному полюсу источника питания. Конденсатор быстро разряжается на общий провод через диод VD1 и выход логического элемента (ЛЭ) DD1.2. Когда напряжение на входе DD1.2 достигнет нулевого уровня, на его выходе появляется высокий уровень напряжения. DD1.1 при этом переключается, на его выходе появляется низкий уровень напряжения, и начинается новый цикл формирования импульса.

С выхода DD1.1 снимается короткий импульс, предшествующий началу формирования ЛИН. Диод VD2 обеспечивает защиту входа DD1.2 от отрицательного напряжения. Левая обкладка конденсатора до переключения оказывается подключенной к общему проводу через выход DD1.1. Вследствие этого на входе DD1.2 появляется отрицательное напряжение, и формирование напряжения начинается с низкого (отрицательного) уровня. С целью устранения этого нежелательного эффекта между входом DD1.2 и общим проводом включен диод VD2, который ограничивает отрицательное напряжение на уровне 0,6...0,7 В (0,2...0,4 В для германиевого диода).

Этот ГЛИН может работать при частотах повторения импульсов десятки и сотни килогерц. На этих частотах даже скоростные ОУ работают плохо. Данная схема применена в источнике питания с преобразованием на ВЧ и стабилизацией выходного напряжения с помощью широтно-импульсной модуляции.

Автор: Е.Солодовников, г.Краснодар

Смотрите другие статьи раздела Радиолюбителю-конструктору.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Хорошо управляемые луга могут компенсировать выбросы от скота 15.02.2026

Животноводство, особенно разведение крупного рогатого скота, часто обвиняют в значительном вкладе в глобальное потепление из-за мощного парникового газа - метана, который выделяется при пищеварении у жвачных животных. Это вызывает острые политические споры и призывы к сокращению потребления мяса. Однако ученые напоминают, что полная картина климатического воздействия отрасли не ограничивается только выбросами от животных: огромную роль играет окружающая экосистема - пастбища, почва и растительность, которые способны активно поглощать углекислый газ из атмосферы. Исследователи из Университета Небраски-Линкольна решили глубже изучить этот баланс. Группа под руководством профессора Галена Эриксона сосредоточилась на том, как правильно организованные пастбища накапливают углерод в растениях и грунте благодаря естественным процессам, стимулируемым выпасом скота. Ученые подчеркивают, что при достаточном уровне осадков и грамотном управлении такие луга превращаются в мощные природные погло ...>>

NASA тестирует инновационную технологию крыла 15.02.2026

Коммерческая авиация ежегодно расходует колоссальные объемы керосина, что сказывается не только на бюджете авиакомпаний, но и на состоянии окружающей среды. В 2024 году глобальные затраты на авиационное топливо достигли 291 миллиарда долларов, и эта сумма продолжает расти. Чтобы справиться с этими вызовами, NASA активно работает над технологиями, способными заметно повысить аэродинамическую эффективность самолетов. Одним из самых перспективных направлений стало создание специальной конструкции крыла, которая максимизирует естественный ламинарный поток воздуха и минимизирует сопротивление. В январе 2026 года специалисты NASA Armstrong Flight Research Center успешно провели важный этап наземных испытаний концепции Crossflow Attenuated Natural Laminar Flow (CATNLF). Для эксперимента под фюзеляж исследовательского самолета F-15B закрепили вертикально ориентированную масштабную модель высотой около 0,9 м (3 фута), напоминающую узкий киль. Такая компоновка позволила подвергнуть прототип р ...>>

Забота о внуках очень полезна для здоровья мозга 14.02.2026

Общение между поколениями приносит радость всей семье, но мало кто задумывается, насколько активно бабушки и дедушки, заботящиеся о внуках, поддерживают свою умственную форму. Регулярное взаимодействие с детьми стимулирует мозг пожилых людей, помогая сохранять память, скорость мышления и общую когнитивную активность. Новые научные данные подтверждают, что такая добровольная помощь не только важна для общества, но и может замедлять возрастные изменения в мозге. Исследователи из Тилбургского университета в Нидерландах провели анализ, чтобы понять, приносит ли уход за внуками реальную пользу здоровью пожилых людей. Ведущий автор работы Флавия Черечес отметила, что многие бабушки и дедушки регулярно присматривают за детьми, и оставался открытым вопрос, насколько это положительно сказывается на их собственном благополучии, особенно в плане когнитивных функций. Ученые поставили цель выяснить, способен ли регулярный уход за внуками замедлить снижение памяти и других умственных способ ...>>

Случайная новость из Архива Использование памяти 3D V-NAND позволит создать SSD 10 Тбайт 30.11.2014 Флеш-память типа 3D V-NAND уже доказала свое право на жизнь: она не только обеспечивает большую емкость в сравнении с традиционными чипами MLC, но и обладает высокой надежностью, в отличие от печально знаменитой TLC. Похоже, именно 3D V-NAND предстоит совершить прорыв в области создания доступных твердотельных накопителей с объемами, сопоставимыми с традиционными HDD последнего поколения. Речь идет о емкостях 10 терабайт и выше. Именно такую инициативу выдвинула корпорация Intel. На недавно прошедшем собрании инвесторов Intel было объявлено, что во второй половине 2015 года совместное предприятие Intel-Micron Flash Technologies начнет массовое производство многослойных чипов емкостью 256 и 384 Гбит. В последнем случае будут использоваться трехуровневые ячейки. Трехмерная структура новых чипов 3D-NAND будет иметь 32 слоя кристаллов, соединенных с помощью массива специальных вертикальных структур, аналогичных традиционным TSV (through silicon via). Появление чипов флеш-памяти с такой емкостью откроет дорогу к созданию твердотельных дисков огромного объема, который просто недоступен сегодня. Вице-президент подразделения Intel, занимающегося энергонезависимой памятью, Роб Крук (Rob Crooke) считает, что в ближайшие два года емкость SSD на базе новой технологии может перевалить за 10 терабайт. Для сравнения, компании SanDisk, пожелавшей создать SSD емкостью 4 терабайта на базе традиционных плоскостных технологий, пришлось использовать 64 чудовищно дорогие микросхемы eMLC емкостью 512 гигабит (64 Гбайт), каждая из которых несет в одном корпусе четыре кристалла емкостью 128 гигабит. Эти чипы производятся с использованием современного тонкого техпроцесса, что увеличивает их стоимость, но отнюдь не добавляет надежности. А вот "трехмерные" чипы Intel-Micron емкостью 256 и 384 гигабита (32 и 48 Гбайт, соответственно) будут использовать более крупные и существенно более дешевые техпроцессы, а заодно - и более надежные. К сожалению, о каком именно техпроцессе идет речь, Intel пока умалчивает. Но рабочие прототипы SSD на базе 256-гигабитных "трехмерных" чипов уже существуют, и один из них был продемонстрирован на вышеупомянутом мероприятии. Необходимо отметить, что Samsung также активно производит "трехмерную" флеш-память: ее 128-гигабитные чипы имеют 24 или 32 слоя и используют непривычно крупные по нынешним меркам технологические нормы - 42 нанометра. "Видимая емкость" этих микросхем составляет 86 Гбит; похоже, Samsung осторожничает, желая любой ценой избежать гипотетических проблем с новой технологией. На этом фоне проект Intel-Micron, стартующий сразу с 256-гигабитной емкости, выглядит куда более амбициозно, но и стоимость конечного продукта при таком подходе будет заметно ниже. А от этого, разумеется, выиграют и рядовые пользователи. Но даже если новые чипы Intel будут обладать лучшим соотношением цены к емкости, возможности альянса Intel-Micron по их производству пока не позволяют говорить о серьезном влиянии на рынок NAND. По данным ChinaFlashMarket.com, фабрика альянса IMFT может производить порядка 70 тысяч 300-миллиметровых пластин в месяц, причем в это количество входят разные типы памяти. Использование фабрик IMFS и MTV может дать еще 80 и 40 тысяч 300-миллиметровых пластин ежемесячно, но это не идет ни в какое сравнение с теми мощностями, которыми располагает Samsung. Лишь одна из фабрик южнокорейского гиганта, специально построенная для производства новых типов флеш-памяти, способна выдать 100 тысяч пластин в месяц, а остальные производственные мощности Samsung, пригодные для этой же цели, могут поставлять свыше 400 тысяч пластин за тот же период времени. Иными словами, новые многослойные чипы флеш-памяти Intel, может быть, и не произведут массовой революции на рынке твердотельных накопителей в целом, но они сделают емкие модели более доступными для пользователей и позволят компании существенно укрепить свои позиции в этой отрасли микроэлектроники. Ожидается, что совокупный доход подразделений Intel, занимающихся производством и продажами чипов NAND и твердотельных накопителей, в уходящем 2014 году составит примерно 2 миллиарда долларов США, а появление новых 256-гигабитных многослойных микросхем позволит увеличить эту цифру в ближайшие годы.

Другие интересные новости:

▪ Бумажные транзисторы

▪ Косметике 2000 лет

▪ Опреснение морской воды с помощью солнечной энергии

▪ Футбол полезен для костей

▪ Ультраобработанная пища повышает риск депрессии

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Цифровая техника. Подборка статей

▪ статья Ответственность работодателя за нанесение ущерба здоровью работников. Основы безопасной жизнедеятельности

▪ статья Почему судовой колокол назвали рындой? Подробный ответ

▪ статья Шлифовальный станок. Домашняя мастерская

▪ статья Микрорентгенометр. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Индикатор отклонений сетевого напряжения. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026