Ремонтируем блока питания компьютера. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Компьютеры

 Комментарии к статье

После разборки БП прозвонить на короткое замыкание ключевые транзисторы (типично BUT11A), резисторы на 1..3 Ом в базе их на обрыв, мост на короткое/обрыв, предвыходные транзисторы на кз/обрыв, диоды во вторичных цепях на пробой. В качестве предвыходных при замене можно ставить наши КТ315, выходные или наши КТ872, КТ8114 (но тогда для самозапуска возможно потребуется снижение номинала резисторов между базой и коллектором их до 200к...150к), или импортные типа этих: 2SC3447, 2SC3451, 2SC3457, 2SC3460(61), 2SC3866, 2SC4706, 2SC4744, BUT11A, BUT12A, BUT18A, BUV46, MJE13005 После смены неисправных деталей проверить исправность микросхемы ШИМ типа tl494 или ее аналога, если определено что она неисправна - сменить. Желательно для профилактики убрать переключатель 220/120в. При включении в сеть для проверки, необходимо вместо предохранителя включить лампу накаливания типа 100вт 220в, а в выходную цепь +5в резистор 2...5 Ом 20 Вт.

Проверка микросхемы TL494 и ее аналогов (М1114ЕУ4, mPC494C, IR3M02). В состав этой ИС входит: задающий генератор пилообразного напряжения А1, частота генератора задается внешним резистором R1 конденсатором C1 и может быть приближенно определена по формуле f=1/(C1*R1). R1 включается между выводами 6 и 7, а C1 между выводами 5 и 7. Амплитуда пилы не зависит от номиналов R1 и C1 и приблизительно равна 4В; усилитель цепи обратной связи DA2; широтно-импульсный модулятор, выполненный на компараторе DA4; усилитель защиты преобразователя от перегрузки по току или короткого замыкания на нагрузке DA1; делитель частоты на два, выполненный на счетном тигере DD2; каскады совпадения на элементах DD1, DD5, DD6; каскад на компараторе DA3, позволяющий построить:

- схему исключения перенапряжения на выходе преобразователя в переходных режимах;

- схему ограничения диапазона изменения коэффициента заполнения в необходимых пределах;

- схему обеспечения плавного выхода преобразователя на режим;

- логические элементы DD3, DD4 предназначенные для задания режима управления либо однотактными либо двухтактными преобразователями;

- выходные транзисторы Q1 и Q2;

- встроенный непрерывный стабилизатор напряжения DA5 и реле напряжения (пороговое устройство) DA6;

- развязывающие диоды D1, D2 для обеспечения функции "ИЛИ" для выходных сигналов микросхем DA1, DA2.

Микросхема управления работает следующим образом. Непрерывный стабилизатор напряжения обеспечивает питанием все функциональные узлы ИС и задает опорное напряжение +5В (вывод 14) относительно общего вывода 7. Реле напряжения DA6 разрешает прохождение сигналов управления на базы транзисторов Q1 и Q2 только в том случае, если DA5 вышла на режим. Пилообразное напряжение (вывод 5), вырабатываемое генератором А1, поступает на вход компараторов DA3, DA4. На другой вход ШИМ-компаратора DA4, через развязывающий диод D2 поступает сигнал рассогласования с усилителя ошибки DA2. На один из входов DA2, непосредственно или через делитель, подключается источник опорного напряжения с вывода 14, а на другой вход поступает напряжение цепи обратной связи, т.е. выходное какого-либо канала (обычно с канала +5В). Между выводами 3 и 3, как правило, включается корректирующая RC-цепь для обеспечения устойчивой работы стабилизирующего преобразователя. С выхода ШИМ - компаратора прямоугольные импульсы поступают на один вход схемы совпадения DD1, с ее выхода импульсы проходят на счетный тригер DD2 и на схемы совпадения DD5, DD6.

Если на управляющий вход элементов DD3, DD4 (вывод 13) подана логическая единица, то микросхема обеспечивает управление двухтактными преобразователями с паузами на нуле, а если на вывод 13 подан логический ноль (вывод 13 сеодинен с выводом 7), то DD2 не оказывает воздействие на работу ключей DD3, DD4 и в этом случае микросхема может быть использована для ШИМ или ЧИМ управления однотактными проебразователями. Для построения защиты по току, как отмечалось ранее, может быть использован DA1, при этом на один из его входов подается опорное напряжение, определяющее уровень срабатывания токовой защиты, а на второй вход подается сигнал с датчика тока. Узлы с использованием схем DA1 и DA3 могут быть самыми разнообразными. Некоторые примеры рассмотрены при описании нижеследующих схем блоков питания. Для увеличения выходной мощности микросхемы при управлении однотактниками транзисторы Q1 и Q2 могут быть запараллелены, поскольку в этом режиме они работают синхронно и синфазно. Выводы М1114ЕУ4 полностью соответствуют выше перечисленным зарубежным аналогам, а соответствие между выводами М1114ЕУ3 и М1114ЕУ4 представлено ниже.

М1114ЕУ4 -- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16
М1114ЕУ3 -- 4 5 6 7 8 9 15 10 11 12 13 14 16 1 2 3

Основные параметры М1114ЕУ3, М1114ЕУ4
Uпит.микросхемы(вывод 12) - Uпит.min=9В; Uпит.max=40В
Допустимое напряжение на входе DA1, DA2 не более Uпит/2
Допустимые параметры выходных транзисторов Q1, Q2:
Uнас менее 1.3В;
Uкэ менее 40В;
Iк.max менее 250мА
Остаточное напряжение коллектор-эмиттер выходных транзисторов не более 1.3В.
I потребляемый микросхемой - 10-12мА
Допустимая мощность рассеивания:
0.8Вт при температуре окр.среды +25С;
0.3Вт при температуре окр.среды +70С.
Частота встроенного опорного генератора не более 100кГц.
 

Алгоритм поиска неисправностей М1114ЕУ3, М1114ЕУ4 Проверка работоспособности микросхемы производится при отключенном БП и при питании ИС от внешнего ИВЭП напряжением +9В...+15В поданного на 12-й вывод относительно 7-го. Все измерения проводятся тоже относительно 7-го вывода. Кроме того подключение к ИС лучше осуществлять подпайкой проводов, а не с помощью "крокодилов", это обеспечит повышенную надежность контакта и исключит возможность ложных соприкосновений.

1. При подаче внешнего напряжения осциллографируем напряжение на 14-ом выводе, оно должно быть +5В(+/-5%) и оставаться стабильным при изменении напряжения на 12-ом выводе от +9В до +15В. Если этого не происходит, то значит вышел из строя внутренний стабилизатор напряжения DA5
2. С помощью осциллографа наблюдаем наличие пилообразного напряжения на выводе 5 (см.рис. 1.1а UвхDA4) если оно отсутствует или имеет искаженную форму, то необходимо проверить исправность времязадающих элементов C1 и R1 подключаемых соответственно к 5-му и 6-му выводам, если эти элементы исправны, то неисправен встроенный генератор и необходима замена ис.
3. Проверяем наличие прямоугольных импульсов на выводах 8 и 11. Они должны соответствовать диаграмме 5 и 5' на рис. 1.1а. Если импульсы отсутствуют, то ИС неисправна, а если присутствуют, то проверяем работоспособность других узлов ис.
4. Соединив проводником 4-й вывод с 7-м, мы должны увидеть, что ширина импульсов на 8-м и 11-м выводах увеличилась; соединив 4-й вывод с 14-м импульсы должны исчезнуть, если этого не наблюдается, то надо менять ис. Снизив напряжение внешнего до 5В, мы должны увидеть, что импульсы исчезли (это говорит, что сработало реле напряжения DA6), а подняв напряжение до +9В...+15В импульсы должны снова появиться, если этого не произошло и импульсы (которые могут быть произвольными) присутствуют на 8 и 11, то значит в ИС неисправно реле напряжения и необходима замена микросхемы.
5. Проверка работоспособности DA2. Снимаем ранее установленную перемычку между 4-м и 7-м выводом, подаем на 12-й вывод напряжение питания в пределах +9В...+15В и соединив 1-й вывод с 14-м мы должны увидеть, что на 8-м и 11-м выводах ширина импульсом стала равной нулю, если этого не происходит, то DA2 неисправна и надо менять ИС.
6. В БП на рис. 2, рис. 3, рис. 3.4, DA1 используется в узлах токовой защиты и если предыдущие тесты показали, что все другие узлы ИС функционируют нормально, то проверка исправности DA1 осуществляется следующим образом: подаем на 12-й вывод +9В...+15В и наблюдаем на 8 и 11 прямоугольные импульсы. От другого источника питания подаем отрицательное напряжение на 15 вывод (относительно 7-го) при этом импульсы на 8 и 11 должны исчезнуть. Если этого не происходит, то значит не работает узел защиты на DA1.

Публикация: cxem.net

Смотрите другие статьи раздела Компьютеры.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Индекс нижнего белья раскрыл состояние швейцарских почв 15.09.2026

Почва кажется обычной частью окружающего нас ландшафта, однако под ее поверхностью существует сложная экосистема, от состояния которой напрямую зависит жизнь человека. Миллиарды микроорганизмов, черви, грибы и другие обитатели почвы перерабатывают органические вещества и участвуют в круговороте питательных элементов. Чтобы привлечь внимание общества к этой мало заметной проблеме, исследователи из Цюрихского университета придумали весьма необычный эксперимент: они закопали более 2000 пар хлопкового нижнего белья в садах, на лугах, полях и газонах по всей Швейцарии. Проект получил название "Доказательство в виде нижнего белья" и представлял собой не массовую шутку, а научный эксперимент, позволяющий наглядно оценить биологическую активность почвы. Исследователи помещали хлопковые изделия в землю, а примерно через два месяца извлекали их и сравнивали степень разрушения ткани. Некоторые образцы за это время практически исчезали, оставляя лишь отдельные фрагменты швов, тогда как на други ...>>

Гибкий алмаз вырабатывает электричество 15.09.2026

Алмаз традиционно воспринимается как исключительно твердый и практически неподвижный материал, поэтому возможность получать из него электричество при механической деформации долгое время казалась невероятной. В начале XX века алмаз относили к непьезоэлектрическим материалам, то есть считалось, что при сжатии или изгибе он, в отличие от кварца, не способен создавать электрический заряд. Однако исследователи из Университета Гонконга обнаружили, что при определенных условиях это представление требует пересмотра. Проблема заключалась прежде всего в физической природе самого минерала. Обычный алмаз настолько тверд, что заметно согнуть его практически невозможно. Поэтому специалисты использовали другой подход и изготовили из алмаза чрезвычайно тонкую гибкую мембрану. После механического воздействия на такую конструкцию измерительные приборы зарегистрировали устойчивые электрические сигналы. Эксперименты неоднократно повторяли и проводили в различных условиях, чтобы исключить случайное про ...>>

Найдена химическая причина возрастных изменений запаха кожи 14.09.2026

Запах человеческого тела меняется на протяжении всей жизни, и особенно заметные изменения могут происходить в пожилом возрасте. Речь идет не только о привычном запахе пота или особенностях гигиены: старение сопровождается целым комплексом биохимических процессов в коже, способных влиять на ее естественный запах. Ученые обнаружили одно из веществ, которое связывают с характерным ароматом, часто называемым "запахом старости". Исследователи установили, что важную роль в этом процессе играет 2-ноненаль - органическое соединение из группы ненасыщенных жирных альдегидов. Это вещество обладает характерным запахом, который нередко описывают как сочетание прогорклого масла и затхлого картона. Его количество в коже увеличивается по мере старения организма, поэтому концентрация 2-ноненаля рассматривается специалистами как одна из биохимических причин возрастного изменения запаха. По словам дерматологов, заметные изменения начинают становиться более вероятными после 40 лет. Доктор Сонал Чоуд ...>>

Случайная новость из Архива В США раздадут земли под установку солнечных панелей 31.07.2012 Американские чиновники выступили с заявлением о том, что в ближайшем будущем в США будут определены крупные земельные участки, которые будут использованы для "зеленой" энергетики. Правительство выделило из бюджета страны средства на разработку и массовую установку солнечных батарей. Согласно утверждению чиновников, солнечная энергия может и должна быть использована в шести юго-западных штатах: Аризоне, Калифорнии, Колорадо, Неваде, Нью-Мехико и Юте. Эти регионы, по мнению политиков, являются наиболее благоприятными для установки солнечных панелей, а погодные условия в них позволят максимально эффективно использовать солнечные элементы для выработки электроэнергии. Согласно официальному отчету, вышеуказанные штаты "имеют отличные солнечные ресурсы, хороший потенциал для передачи энергии", а солнечные панели, которые планируется установить в них, "не оказывают отрицательного воздействия на биологические, природные, культурные и исторические ресурсы". Решение о сдаче государственных земель под установку солнечных батарей было принято после обнародованных Центром американского прогресса результатов исследований, согласно которым в указанных штатах установлен лишь 1% от общего количества возобновляемых источников энергии в США. "Развитие солнечной энергетики в США является одним из направлений, которых придерживается президент Обама, когда говорит о расширении производства электроэнергии, повышении энергетической безопасности и создании новых рабочих мест. Мы планируем распределить часть государственных земель, которые лучше всего подходят для солнечной энергетики, и упростить процесс выдачи разрешений на установку солнечных панелей. Это будет дополнительным стимулом для использования возобновляемых источников энергии в семьях, а также для бизнеса", - рассказал министр энергетики США Стивен Чу (Steven Chu). На сайте Министерства внутренних дел США указано, что в общей сложности под установку солнечных панелей будет отдано 285 тысяч акров государственных земель. Если все пойдет по плану, то в ближайшие несколько лет около 7 миллионов американских семей будут получать электроэнергию от солнца.

Другие интересные новости:

▪ Предложена структура 1-нм транзистора с затвором из углеродной нанотрубки

▪ Мягкие роботы, подобные насекомым

▪ Антенна, использующуя фонтан из морской воды

▪ Уровень холестерина в крови может повышаться из-за шума

▪ Освещение на основе OLED

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Эффектные фокусы и их разгадки. Подборка статей

▪ статья Что нужно для выживания в автономных условиях. Основы безопасной жизнедеятельности

▪ статья Кто и как первым отреагировал на первые запуски ракет, проведенные Робертом Годдардом, американским пионером ракетной техники? Подробный ответ

▪ статья Индийский крыжовник. Легенды, выращивание, способы применения

▪ статья Устройство для лечения магнитным полем. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Распайка разъема SCART. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026