Промежуточный усилитель звуковой карты. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Компьютеры

 Комментарии к статье

Необходимой частью современного компьютера является Sound Blaster. Он позволяет получить звуковое сопровождение программ. В мире в последнее время большинство звуковых карт (плат) для компьютеров семейства IBM выпускаются без мощного оконечного усилителя и рассчитаны на подключение активных колонок или любого усилительного комплекса. Это позволяет получить более высокое качество звука и исключает перегрузку внутреннего источника питания компьютера.

Имея небольшой опыт работы на персональном компьютере, несложно приобрести и установить звуковую плату в любое свободное гнездо соответствующего разъема на материнской плате (внутри корпуса компьютера). В магазинах большой выбор звуковых карт - от укомплектованных в наборе, включающем колонки, до отдельных узлов. Покупать набор получается значительно дороже, чем то же самое по отдельности. Да и не всех комплектация набора способна удовлетворить качеством компонентов, например входящих колонок. Но приобретя все компоненты по отдельности, есть риск столкнуться с неполной совместимостью узлов. Так, купив хорошую звуковую карту фирмы "Creative" и отлично звучащие колонки SP-690 (50 Вт) фирмы "Advance", при их соединении вместе обнаружились два недостатка. Во-первых сигнал со звуковой карты недостаточен по уровню, чтобы получить от колонок максимальную мощность. Вторым недостатком явился сильный щелчок в динамиках при включении питания компьютера.

Согласовать уровень сигнала и убрать щелчки позволяет схема, приведенная на рис. 1. Узлы усилителей УС1 и УС2 идентичны. Каждый канал обеспечивает усиление в 7,5 раз в полосе частот 20...100000 Гц. Конденсатор С4 в цепи базы транзистора VT3 дает плавное нарастание напряжения питания на усилителях - это устраняет прохождение импульсного броска от переходных процессов. Питаться промежуточный усилитель может от блока питания компьютера, для чего потребуется на задней стенке корпуса установить миниатюрный разъем ХЗ, соединенный с цепью +12 В источника питания. Ток потребления схемы не более 4, 6 мА.

В схеме использованы детали: конденсаторы С1...С4 типа К53-1Б, резисторы любого типа. Штекер Х1 должен подходить к разъему звуковой карты, гнездо Х2 типа ОНП-ВГ-68-8/16, 5х14-Р или аналогичное, для подключения штекера активных колонок, ХЗ - любой малогабаритный. Топология печатной платы и расположение на ней элементов показаны на рис. 2. Настройка схемы заключается в получении одинакового усиления в каналах, подбором номинала резистора 1R6 (2R6) в пределах 200...1500 Ом (регулируется величина отрицательной обратной связи).

Публикация: cxem.net

Смотрите другие статьи раздела Компьютеры.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Экраны влияют на детей неравномерно в разном возрасте 01.08.2026

Планшеты и смартфоны давно стали привычной частью повседневной жизни даже самых маленьких детей. Родители часто используют гаджеты, чтобы успокоить малыша или занять его на время, однако ученые все чаще задаются вопросом, как экранное время сказывается на развитии мозга и будущей способности к обучению. Новое исследование показывает, что значение имеет не только продолжительность просмотра, но и возраст, в котором ребенок проводит время перед экраном. Ученые наблюдали детей от рождения до 8 лет. Оказалось, что больше всего экраны влияют на мозг в два периода - в раннем младенческом возрасте и перед поступлением в школу. У детей, много времени проводивших перед экранами в эти возрастные точки, в 9 лет были несколько хуже успехи в обучении, а в 10,5 лет хуже работала рабочая память - способность удерживать и обрабатывать информацию здесь и сейчас. Исследователи из Франции и Сингапура проанализировали данные 502 детей и выделили два ключевых этапа. У младенцев мозг развивается очень ...>>

Умные жилеты, спасающие от жары 01.08.2026

Летняя жара в больших городах все чаще становится серьезным испытанием для людей, работающих на открытом воздухе. Мусорщики, строители и другие специалисты вынуждены проводить часы под палящим солнцем, рискуя перегревом. Китайские инженеры предложили практичное решение - специальные охлаждающие жилеты, которые помогают снизить ощущаемую температуру примерно на 10 градусов. Пока мир страдает от сильной жары, китайские инженеры разработали "умные" жилеты с климат-контролем. Жилеты с кондиционированием почти не отличаются от обычной рабочей одежды. Главное отличие - в системе охлаждения. В городе Нанкин в жилет вмонтированы два вентилятора, работающих от портативных аккумуляторов. Одного заряда хватает на 3-4 часа непрерывной работы. В Чанчжоу решили разместить в карманах охлаждающие элементы с материалом, который при нагревании переходит из твердого состояния в жидкое, активно поглощая тепло. Это поддерживает комфортную температуру в течение 2,5-4 часов. Такие жилеты выглядят почти ...>>

Летающие ветротурбины 3 МВт вышли в серию 31.07.2026

Традиционные ветряные электростанции зависят от силы и стабильности ветра у поверхности земли, где воздушные потоки часто бывают слабыми и порывистыми. На больших высотах ветер обычно сильнее и постояннее, поэтому инженеры уже давно рассматривают возможность подъема турбин в воздух. Китайская компания сделала важный шаг в этом направлении, перейдя от испытаний к мелкосерийному производству. Компания Beijing Linyi Yunchuan Energy Technology запустила мелкосерийное производство летающей ветротурбины S2000, а в провинции Чжэцзян возводят отдельный завод по производству материалов для оболочки аппарата. У компании уже есть предварительные договоренности с прибрежными городами и горными регионами, которые рассматривают возможность использования этой технологии для удовлетворения собственных энергетических потребностей. Прототип, который полгода назад только что поднялся в небо над Сычуанем, теперь превращается в целую отрасль. Идея S2000 проста: вместо того чтобы устанавливать ветряну ...>>

Случайная новость из Архива Стократное повышение проводимости фероэлектрических полупроводников 31.05.2025 Современная электроника постоянно требует новых материалов с улучшенными свойствами, способных обеспечить высокую производительность и энергоэффективность. Одной из перспективных областей являются ферроэлектрические полупроводники, но долгое время ученым не удавалось понять, как именно они сохраняют устойчивость своей структуры при изменении электрической поляризации. Недавнее исследование ученых из Мичиганского университета проливает свет на этот загадочный процесс и открывает путь к радикальному повышению проводимости таких материалов. До недавнего времени существовало множество вопросов о том, как вюрцитные сегнетоэлектрические нитриды могут сохранять противоположные электрические поляризации без разрушения своей кристаллической структуры. Как отметил соавтор работы Ми Цзетянь, ключевые механизмы, отвечающие за переключение поляризации и компенсацию заряда, оставались во многом непонятными. Это затрудняло развитие технологий на основе этих материалов. Используя современные методы электронной микроскопии и квантовые вычисления, команда исследователей смогла выявить, что на границе столкновения противоположных поляризаций происходит кратковременное нарушение структуры кристалла. В этом месте возникают оборванные атомные связи, которые, вопреки ожиданиям, не разрушают, а, наоборот, укрепляют материал и создают баланс зарядов, необходимый для стабильности. Особенность этого механизма в том, что возникшие разрывы атомных связей формируют особую "электрическую автомагистраль", по которой движение носителей заряда происходит с концентрацией, превышающей в 100 раз показатели традиционных транзисторов на основе нитрида галлия. Это кардинально меняет представления о проводимости в ферроэлектрических полупроводниках. Один из исследователей, Эммануил Киупакис, объяснил, что найденный процесс - это не случайность, а закономерный результат геометрии тетраэдров, из которых состоит материал. По его словам, данное явление носит универсальный характер и может быть применено ко всем тетраэдрическим сегнетоэлектрикам, что значительно расширяет возможности практического использования. Еще одной важной особенностью является управляемость этой "электрической дороги" - она может быть включена или выключена, перемещена внутри кристалла, а также иметь изменяемую проводимость, регулируемую внешним электрическим полем. Это открывает широкие возможности для точного контроля параметров электронных устройств. Вюрцитные сегнетоэлектрические нитриды благодаря таким свойствам обещают стать ключевыми материалами для развития энергоэффективных компьютеров, современных запоминающих устройств, радиочастотной и акустоэлектроники, а также для микроэлектромеханических систем, квантовой фотоники и высокоточных датчиков. Особый интерес вызывает их применение в полевых транзисторах, которые могут стать основой электроники нового поколения с улучшенной производительностью и частотными характеристиками. Открытие уникального механизма повышения проводимости и стабилизации ферроэлектрических полупроводников способно революционизировать целый ряд технологических направлений. Это не только фундаментальное достижение в понимании физических процессов, но и мощный импульс для создания более эффективных, надежных и универсальных электронных устройств будущего.

Другие интересные новости:

▪ Электроны туннелируют сквозь барьер мгновенно

▪ Гаджеты провоцируют ускоренное старение

▪ 4К дисплей со сверхшироким цветовым охватом

▪ Следы ранней жизни в драгоценных камнях

▪ Пчелы прочно держат пыльцу

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Цифровая техника. Подборка статей

▪ статья Лучше ужасный конец, чем бесконечный ужас. Крылатое выражение

▪ статья Где живет больше всего людей? Подробный ответ

▪ статья Мойщица посуды. Должностная инструкция

▪ статья Антенна UT5VD на 2-метровый диапазон с круговой диаграммой направленности в двух плоскостях. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Телугуйские пословицы и поговорки. Большая подборка

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026