Сетевой блок питания для Си-Би радиостанции. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники / Гражданская радиосвязь

 Комментарии к статье

Си-Би радиостанции, появившиеся на нашем рынке, рассчитаны, как правило, на питание от 10...12-вольтных аккумуляторов. Ток, потребляемый такой станцией в режиме приема, составляет 0,02...0,3 А*, а в режиме передачи (при Рвых= 4 Вт) - 1...1,5А. На рис. 20 приведена принципиальная схема стабилизированного выпрямителя, позволяющего питать такую радиостанцию от сети переменного тока.

Теплоотвод транзистора VT1 выполнен в виде поставленной "на ребро" дюралюминиевой пластины размером 63х23х5 мм. Для лучшего теплового контакта под транзистор рекомендуется ввести теплопроводящую пасту, например, КПТ-8. Остальные элементы выпрямителя монтируют на печатной плате размером 67х40 мм. Диоды VD1-VD4 также ставят "на ребро".

Смонтированную плату устанавливают вертикально и так, чтобы теплоотвод транзистора VT1 и диоды VD1...VD4 хорошо обдувались восходящим потоком воздуха.

Источником переменного напряжения 12,6 В (это значение, заметим, из ряда номинальных) может служить трансформатор мощностью не менее 30 Вт, например, ТН36, ТН46 и др. Трансформаторы типа ТН имеют две, три или четыре 6,3-вольтные обмотки, допускающие как последовательное, так и параллельное их соединение. Возможная коммутация четырехобмоточного трансформатора этого типа, рассчитанного на питание от сети 127/220 В, показана на рис. 21.

Рис. 20. Принципиальная схема сетевого блока питания (нажмите для увеличения)

Основные параметры сетевого блока:

Выходное напряжение Uн...................................................................... 8...14 В;

Максимальный ток нагрузки Iн max...................................................... 1,5 А;

Напряжение пульсации DUн................................................................. <10 мВ;

Выходное сопротивление Rвых.............................................................. 0,04...0,07 Ом.

Питание стабилизированного выпрямителя такой конфигурации от источника переменного напряжения 12,6 В позволяет обойтись без какой-либо защиты радиостанции по цепям питания. Даже при пробое проходного транзистора VT1 напряжение на радиостанции не поднимется выше 15...16 В (на передаче она даже не выйдет из рабочего режима, в сигнале появится лишь фон переменного тока). А при коротком замыкании в цепи нагрузки отдаваемый стабилизатором ток самостоятельно уменьшится почти до нуля, поскольку транзистор VT1 в этом режиме будет закрыт.

Блок может быть использован для питания радиостанции, потребляющей в режиме передачи и значительно больший ток. Но лучше в таком случае использовать в качестве VT1 транзистор КТ825Д (Iк max=20 A, h21э=750...18000). С увеличением Iн потребуется соответственно увеличить и емкость конденсатора С1. В противном случае напряжение пульсации на нем - DUвыпр@6*10^3 Iн / C1 (DUвыпр - в вольтах, Iн - в амперах, С1 - в микрофарадах) окажется чрезмерным, периодически выводящим транзистор VT1 из режима стабилизации. В показанной на рис. 22 эпюре напряжений Uкэ@1,5 В - минимальное напряжение коллектор-эмиттер транзистора VT1, при котором он еще сохраняет свои функции.

Рис. 21. Коммутация трансформатора типа ТН

При значительном увеличении тока нагрузки потребуется соответственно увеличить площадь теплоотвода под транзистором VT1 и, конечно, использовать более мощный понижающий трансформатор, например, ТН10 (ток нагрузки до 6 А), ТН11 (7,8 А или 8,7 А в зависимости от типа сердечника), ряд других. Потребуется, возможно, заменить кремниевые диоды VD1-VD4 с их довольно большим прямым падением напряжения Uпр =1...1,2 В на германиевые Д303 (ток до 3 А), Д304 (5 А) или Д305 (10 А), в которых Uпр=0,25...0,3 В, или на кремниевые с барьером Шотки 2Д2998Б(В), 2Д219Г и др., имеющие Uпр@0,4 В.

Рис. 22. Эпюры напряжений

*) 0,02...0,07 А - в портативных радиостанциях, 0,2...0,3 А - в автомобильных.

Публикация: cxem.net

Смотрите другие статьи раздела Гражданская радиосвязь.

Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье.

<< Назад

Последние новости науки и техники, новинки электроники:

Расставание действительно может причинять физическую боль 16.09.2026

Разрыв отношений с близким человеком способно вызывать настолько сильные переживания, что привычное выражение "разбитое сердце" иногда воспринимается почти буквально. Человек может испытывать тревогу, тоску и эмоциональное напряжение, сопровождающиеся вполне реальными телесными ощущениями. Исследования работы мозга показывают, что такая связь между эмоциональными и физическими страданиями может иметь вполне определенную нейробиологическую основу. Эксперимент, позволивший изучить этот вопрос, провела команда психолога Итана Кросса из Мичиганского университета. В исследовании участвовали 40 человек, недавно переживших расставание по инициативе партнера. Все добровольцы продолжали остро реагировать на произошедшее, что позволило исследователям изучить мозговую активность в период наиболее сильных переживаний. Во время эксперимента участников помещали в аппарат магнитно-резонансной томографии. Испытуемым поочередно показывали фотографию бывшего партнера и подвергали предплечье воздей ...>>

Научно доказана невозможность создания нейтринного лазера 16.09.2026

Лазер давно перестал быть исключительно лабораторной технологией: сегодня он используется в связи, медицине, промышленности и научных исследованиях. Поэтому физики периодически предлагают необычные варианты устройств, способных работать по аналогичным принципам, но с другими типами частиц. В 2025 году появилась идея создать лазер, формирующий направленный поток нейтрино. Однако последующий теоретический анализ показал, что привлекательная на первый взгляд концепция сталкивается не просто с техническими трудностями, а с фундаментальными законами квантовой физики. Первоначальную концепцию предложили профессор Массачусетского технологического института (MIT) Джо Формаджио (Joe Formaggio) и Бен Джонс (Ben Jones) из Техасского университета в Арлингтоне. Согласно их замыслу, облако радиоактивных атомов следовало охладить до сверхнизких температур порядка нанокельвинов - миллиардных долей кельвина. В таких условиях атомы могли бы сформировать Бозе - Эйнштейновский конденсат, особое квантов ...>>

Индекс нижнего белья раскрыл состояние швейцарских почв 15.09.2026

Почва кажется обычной частью окружающего нас ландшафта, однако под ее поверхностью существует сложная экосистема, от состояния которой напрямую зависит жизнь человека. Миллиарды микроорганизмов, черви, грибы и другие обитатели почвы перерабатывают органические вещества и участвуют в круговороте питательных элементов. Чтобы привлечь внимание общества к этой мало заметной проблеме, исследователи из Цюрихского университета придумали весьма необычный эксперимент: они закопали более 2000 пар хлопкового нижнего белья в садах, на лугах, полях и газонах по всей Швейцарии. Проект получил название "Доказательство в виде нижнего белья" и представлял собой не массовую шутку, а научный эксперимент, позволяющий наглядно оценить биологическую активность почвы. Исследователи помещали хлопковые изделия в землю, а примерно через два месяца извлекали их и сравнивали степень разрушения ткани. Некоторые образцы за это время практически исчезали, оставляя лишь отдельные фрагменты швов, тогда как на други ...>>

Случайная новость из Архива SIM-карта станет в 2 раза меньше 12.06.2012 Габариты Nano-SIM будут в два раза меньшими по сравнению с современными SIM-картами. Ее использование позволит производителям телефонов более рационально распределять пространство внутри устройств. Европейский институт телекоммуникационных стандартов (ETSI) выбрал окончательный стандарт Nano-SIM, который будет использоваться в сотовых телефонах. Об этом сообщила пресс-служба организации. "Современные SIM-карты занимают значительное пространство внутри мобильных устройств. Но с расширением функциональности данное пространство приобретает все более высокую ценность", - говорится в официальном сообщении. SIM-карта нового стандарта будет на 40% меньше SIM-карты формата Micro-SIM. Ее размеры составят 12,3 x 8,8 мм. Для сравнения, габариты Micro-SIM составляют 15 x 12 мм, а Mini-SIM, которая по-прежнему используется во многих сотовых телефонах, включая новые модели, - 25 x 15 мм. Толщина нового модуля составит 0,67 мм против нынешних 0,76 мм. Новая SIM-карта будет обладать таким же функционалом, что и существующие SIM-карты. И она будет обратно совместима с текущими стандартами, добавили в пресс-службе стандартизирующей организации. SIM-карта (от Subscriber Identification Module - модуль идентификации абонента) содержит чип, который позволяет связать мобильное устройство с абонентским номером и счетом пользователя. Модуль защищает от мошенничества в мобильных сетях и также может использоваться для хранения контактов и SMS-сообщений. По данным ETSI, к настоящему моменту операторами во всем мире было реализовано свыше 25 млрд SIM-карт. Ежегодно выпускается свыше 4,5 млрд новых модулей.

Другие интересные новости:

▪ Воссоздана вулканическая молния

▪ Грим и попкультура заставили людей бояться клоунов

▪ Питание англичан ухудшается

▪ MC33794 - датчик электрического поля

▪ Стиральная машина от Porsche

Лента новостей науки и техники, новинок электроники

Интересные материалы Бесплатной технической библиотеки:

▪ раздел сайта Защита электроаппаратуры. Подборка статей

▪ статья Государственная машина. Крылатое выражение

▪ Какое влияние оказал экономический кризис 1974-1975 гг на развитие западной цивилизации? Подробный ответ

▪ статья Бегущая по волнам. Личный транспорт

▪ статья Имитатор звука мотора и гудка автомашины. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

▪ статья Стабилизатор сетевого напряжения с микроконтроллерным управлением. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники

Оставьте свой комментарий к этой статье:

www.diagram.com.ua
2000-2026